JP2013257933A - 記憶装置及び記憶装置の書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】書き込み回路110と、ビット線と、ワード線WLと、トランジスタ114,117,118と、容量素子111と、を有し、トランジスタのゲートはワード線と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方はビット線と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は容量素子の一方の端子と電気的に接続され、容量素子の他方の端子はグラウンドと電気的に接続され、書き込み回路は、書き込み電圧を保持する素子及び書き込み電圧を保持する素子から徐々に電圧を降下させる回路を有し、書き込み回路から、ワード線に書き込み電圧が出力される記憶装置。
【選択図】図2
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る記憶装置について、図1乃至図3を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1に示す記憶装置100に含まれるトランジスタの断面構造の一例について、図10を用いて説明する。
110 書き込み回路
111 保持容量素子
112 定電流回路
113 オペアンプ
114 第1のトランジスタ
115 AND回路
116 NOR回路
117 第2のトランジスタ
118 第3のトランジスタ
119 バッファ
120 チャージポンプ
121 レギュレータ
150 記憶素子
151 書き込みトランジスタ
152 容量素子
160 記憶素子
161 読み出しトランジスタ
180 記憶素子
181 書き込みトランジスタ
182 容量素子
190 書き込み回路
202 トランジスタ
900 トランジスタ
901 半導体基板
902 素子分離絶縁膜
903 ドレイン領域
904 ゲート絶縁膜
905 ゲート電極
906 層間絶縁膜
907 配線
908 下地絶縁膜
909 酸化物半導体膜
910 ドレイン電極
911 ゲート絶縁膜
912 ゲート電極
913 層間絶縁膜
920 バックゲート電極
Claims (11)
- 書き込み回路と、ビット線と、ワード線と、トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタのゲートは前記ワード線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は前記ビット線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は前記容量素子の一方の端子と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の端子はグラウンドと電気的に接続され、
前記書き込み回路は、書き込み電圧を保持する素子及び前記書き込み電圧を保持する素子に保持した電圧を、徐々に降下させる回路を有し、
前記書き込み回路から、前記ワード線に前記書き込み電圧が出力されることを特徴とする記憶装置。 - 請求項1において、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜を有することを特徴とする記憶装置。 - 書き込み回路と、ビット線と、ワード線と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは前記ワード線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記ビット線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記書き込み回路は、書き込み電圧を保持する素子及び前記書き込み電圧を保持する素子に保持した電圧を、徐々に降下させる回路を有し、
前記書き込み回路から、前記ワード線に前記書き込み電圧が出力されることを特徴とする記憶装置。 - 請求項3において、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体膜を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項3または請求項4において、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方及び第2のトランジスタのゲートと電気的に接続する容量素子を備えることを特徴とする記憶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記書き込み電圧を保持する素子は、保持容量素子であることを特徴とする記憶装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記徐々に電圧を降下させる回路は、定電流回路を有することを特徴とする記憶装置。 - データを記憶するメモリ素子と、前記データを書き込むための電圧を供給する書き込み回路と、を有する記憶装置の書き込み方法であって、
前記書き込み回路により、電源電圧から昇圧された電圧を前記メモリ素子に出力する第1の書き込みステップと、
前記書き込み回路により、前記昇圧された電圧を徐々に降下させながら前記メモリ素子に出力する第2の書き込みステップと、を有することを特徴とする記憶装置の書き込み方法。 - 請求項8において、
前記第1の書き込みステップを一定時間行った後、前記第2の書き込みステップを行うことを特徴とする記憶装置の書き込み方法。 - 請求項8または請求項9において、
前記第2の書き込みステップ中に、前記書き込み回路からの電圧の供給を遮断することを特徴とする記憶装置の書き込み方法。 - 請求項8乃至請求項10のいずれか一項において、
前記メモリ素子は、酸化物半導体膜を有するトランジスタを備えることを特徴とする記憶装置の書き込み方法。
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