JP2013251300A - 層間接続装置および層間接続方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層201の接続部分C1,C2が、押圧面2a,3aの重畳部分の面積がいずれか一方の押圧面2a,3aの面積よりも小さくなるように配置されたヘッド2およびアンビル3により狭持されて押圧されるので、押圧面2aの端縁により押圧面3aに対してエッジが形成される。したがって、接続部分C1,C2における絶縁層201が当該エッジによりせん断されて貫通孔が形成されるので、樹脂絶縁層201の両面それぞれに形成されたアンテナパターン202およびブリッジパターン203どうしを絶縁層201を貫通して良好に接続することができる。
【選択図】図7
Description
図1に示す層間接続装置1は、熱硬化性や約270℃以上の融点を有する熱可塑性の樹脂等により形成された樹脂絶縁層201の両面に金属導体パターンとしてアンテナパターン202およびブリッジパターン203が形成されてなる配線基板200(図3参照)の、アンテナパターン202とブリッジパターン203とを絶縁層201を貫通して接合することにより接続する。
図3に示す配線基板200は、FeliCa等、NFC規格の近距離通信を行うための非接触ICカードを構成するためのアンテナモジュールとして形成される(図7参照)。配線基板200は、熱硬化性のPI(ポリイミド)やEP(エポキシ)、PA(ポリアミド)、または、270℃以上の融点を有する熱可塑性のPEI(ポリエーテルイミド:融点365℃)やPPS(ポリフェニレンスルファイド:融点280℃)などの樹脂絶縁層201の一方の主面にAl、Cu、Ag、Au等の金属導体により接着剤層204aを介してアンテナパターン202が渦巻状に形成され、他方の主面には、渦巻状のアンテナパターン202の最も外側の一端と最も内側の他端とを接続するためのブリッジパターン203がAl、Cu、Ag、Au等の金属導体により接着剤層204bを介して形成されている。そして、通信用の半導体チップ205がブリッジパターン203を介してアンテナパターン202の両端部に搭載されている。
図4(a)〜(c)に示すように、層間接続装置1では、アンテナパターン202とブリッジパターン203との接続処理に先立って、ヘッド2、アンビル3および認識手段5の配置関係を較正するキャリブレーション処理が実行される。具体的には、ヘッド2および認識手段5のX,Y方向における配置関係が計測された後に、認識手段5(ヘッド2)およびアンビル3の配置関係が計測される。
図5(a)〜(d)に示すように、この実施形態では、フレキシブル配線基板200aを下方から吸着保持するステージ41がヘッド2側である上方(Z方向)に移動しつつ搬送方向fに移動することにより、フレキシブル配線基板200aが搬送方向fに搬送される。すなわち、図5(a)に示すように、フレキシブル配線基板200aを下方から吸着保持した状態でステージ41がヘッド2側である上方に移動しつつ搬送方向fに移動することにより、フレキシブル配線基板200aが搬送方向fに所定量搬送される。
図6(a)〜(d)に示すように、フレキシブル配線基板200aの搬送処理が終了した後、認識手段5により認識されたフレキシブル配線基板200aの接続部分C1,C2の位置情報に基づいてヘッド2およびアンビル3が位置決めされて、アンテナパターン202およびブリッジパターン203の接続処理が実行される。
絶縁層201(厚み):PIフィルム(12.5μm)
アンテナパターン202(厚み):電解めっきによる銅箔(12μm)
ブリッジパターン203(厚み):電解めっきによる銅箔(12μm)
接着剤層204a(厚み):PI樹脂(3μm)
接着剤層204b(厚み):PI樹脂(3μm)
上記材質で形成された配線基板200のアンテナパターン202およびブリッジパターン203を、接続部分C1,C2において、1辺の長さmが0.1mmの矩形状の押圧面2aおよび110°の先端角度αを有するヘッド2と、1辺の長さnが0.2mmの矩形状の押圧面3aを有するアンビル3との間に狭持して、300Nの荷重で押圧しつつ39.5KHzの超音波振動を印加することにより、絶縁層201を貫通して良好に接続することができた。
絶縁層201(厚み):PIフィルム(25μm)
アンテナパターン202(厚み):圧延銅箔(18μm)
ブリッジパターン203(厚み):圧延銅箔(18μm)
接着剤層204a(厚み):PI樹脂(3μm)
接着剤層204b(厚み):PI樹脂(3μm)
上記材質で形成された配線基板200のアンテナパターン202およびブリッジパターン203を、接続部分C1,C2において、1辺の長さmが0.1mmの矩形状の押圧面2aおよび90°の先端角度αを有するヘッド2と、1辺の長さnが0.2mmの矩形状の押圧面3aを有するアンビル3との間に狭持して、300Nの荷重で押圧しつつ39.5KHzの超音波振動を印加することにより、絶縁層201を貫通して良好に接続することができた。
絶縁層201(厚み):PIフィルム(12.5μm)
アンテナパターン202(厚み):電解めっきによる銅箔(18μm)
ブリッジパターン203(厚み):電解めっきによる銅箔(18μm)
接着剤層204a(厚み):EP系樹脂(10μm)
接着剤層204b(厚み):EP系樹脂(10μm)
上記材質で形成された配線基板200のアンテナパターン202およびブリッジパターン203を、接続部分C1,C2において、1辺の長さmが0.1mmの矩形状の押圧面2aおよび70°の先端角度αを有するヘッド2と、1辺の長さnが0.2mmの矩形状の押圧面3aを有するアンビル3との間に狭持して、300Nの荷重で押圧しつつ39.5KHzの超音波振動を印加することにより、絶縁層201を貫通して良好に接続することができた。
絶縁層201(厚み):PIフィルム(25μm)
アンテナパターン202(厚み):電解めっきによる銅箔(35μm)
ブリッジパターン203(厚み):電解めっきによる銅箔(35μm)
接着剤層204a(厚み):EP系樹脂(15μm)
接着剤層204b(厚み):EP系樹脂(15μm)
上記材質で形成された配線基板200のアンテナパターン202およびブリッジパターン203を、接続部分C1,C2において、1辺の長さmが0.1mmの矩形状の押圧面2aおよび70°の先端角度αを有するヘッド2と、1辺の長さnが0.2mmの矩形状の押圧面3aを有するアンビル3との間に狭持して、300Nの荷重で押圧しつつ39.5KHzの超音波振動を印加することにより、絶縁層201を貫通して良好に接続することができた。
2…ヘッド(第1押圧体、振動印加手段)
2a…押圧面
3…アンビル(第2押圧体)
3a…押圧面
200,200a…配線基板
201…絶縁層
202…アンテナパターン(金属導体パターン)
203…ブリッジパターン(金属導体パターン)
C1,C2…接続部分
S…面積
Claims (5)
- 樹脂絶縁層の両面に金属導体パターンが形成されてなる配線基板の前記両金属導体パターンどうしを、前記絶縁層を貫通して接続する層間接続装置において、
前記両金属導体パターンの接続部分を一方側から押圧する第1押圧体と、
前記両金属導体パターンの前記接続部分を、前記第1押圧体との間に狭持して他方側から押圧する第2押圧体と、
狭持状態の前記接続部分に超音波振動を印加する振動印加手段とを備え、
前記接続部分における前記第1押圧体の押圧面と、前記接続部分における前記第2押圧体の押圧面との重畳部分の面積が、前記両押圧体のうち少なくともいずれか一方の押圧面の面積よりも小さくなるように前記第1押圧体および前記第2押圧体が配置されている
ことを特徴とする層間接続装置。 - 前記第1押圧体の押圧面の面積および前記第2押圧体の押圧面の面積の大きさが異なることを特徴とする請求項1に記載の層間接続装置。
- 前記第1押圧体および前記第2押圧体のいずれか一方は、押圧面に向かうに連れて先細りに形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の層間接続装置。
- 樹脂絶縁層の両面に金属導体パターンが形成されてなる配線基板の前記両金属導体パターンどうしを、前記絶縁層を貫通して接続する層間接続方法において、
前記両金属パターンの接続部分の一方側および他方側それぞれから第1押圧体および第2押圧体により狭持した状態で前記接続部分に超音波振動を印加しつつ押圧し、
前記接続部分における前記第1押圧体の押圧面と、前記接続部分における前記第2押圧体の押圧面との重畳部分の面積が、前記両押圧体のうち少なくともいずれか一方の押圧面の面積よりも小さくなるように、前記第1押圧体および前記第2押圧体により前記両金属導体パターンを狭持する
ことを特徴とする層間接続方法。 - 前記第1押圧体の押圧面の面積および前記第2押圧体の押圧面の面積の大きさが異なることを特徴とする請求項4に記載の層間接続方法。
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---|---|---|---|
JP2012122886A JP2013251300A (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 層間接続装置および層間接続方法 |
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JP2012122886A JP2013251300A (ja) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 層間接続装置および層間接続方法 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335359A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | テープ電線の接続方法 |
JP2000151110A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Mitsui High Tec Inc | 多層配線基板のビア形成方法及び多層配線基板 |
JP2002544676A (ja) * | 1999-05-10 | 2002-12-24 | ジェムプリュス | 絶縁層によって分離された2つの導電層の間で接触を実現する方法 |
JP2004259731A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板製作方法及び回路基板製作用治具 |
-
2012
- 2012-05-30 JP JP2012122886A patent/JP2013251300A/ja active Pending
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