JP5293394B2 - 非接触icカードの製造装置 - Google Patents

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本発明は、第1基材と、第1基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第1ホットメルト層とを含む表面側基材と、第2基材と、第2基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第2ホットメルト層とを含む裏面側基材と、この表面側基材と裏面側基材との間に介在されたインレットシートとを有するICカード積層体を仮接合することにより、非接触ICカードを製造する非接触ICカードの製造装置に関する。
近年、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信する非接触ICカードが普及しつつある。非接触ICカードの需要は、今後、急速な勢いで拡大していくものと予想されており、これにともなって、高品質の非接触ICカードを低コストで製造することが強く望まれている。
非接触ICカードは、第1基材と、第1基材の一方の面に設けられた第1接着剤層とを含む表面側基材と、第2基材と、第2基材の一方の面に設けられた第2接着剤層とを含む裏面側基材とを備えている。また、表面側基材と裏面側基材との間に、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたICチップと、ICチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートが設けられている(例えば、特許文献1参照)。このような構成からなる非接触ICカードにおいて、表面側基材の第1基材および裏面側基材の第2基材が各々印刷されている場合、表面側基材と裏面側基材とインレットシートとを精確に位置合わせし、ラミネートする必要がある。
このような非接触ICカードの製造過程において、表面側基材と裏面側基材とインレットシートとを接合する場合、まず、表面側基材とインレットシートと裏面側基材とが位置合わせされて積層され、ICカード積層体が形成される。次に、図8(a)に示すように、ICカード積層体41の前方端縁近傍において、超音波ウェルダー45により、ICカード積層体41が仮接合される。その後、一対の加熱ローラ(図示せず)により、第1接着剤層および第2接着剤層が溶融されて、表面側基材42とインレットシート44とが接着されるとともに、裏面側基材43とインレットシート44とが接着される。このようにして、表面側基材42と裏面側基材43とインレットシート44とが接合されている。
特開2003−162697号公報
しかしながら、ICカード積層体41を仮接合する際、仮接合の強度を確保するために、図8(a)に示すように、超音波ウェルダー45のホーン46により、ICカード積層体41の複数の箇所に超音波振動を順次付与して、複数の箇所を接合して仮接合部48を形成している。このことにより、ICカード積層体41を仮接合するために多くの時間が費やされ、生産効率を向上することが困難になっていた。
また、この超音波ウェルダー45のホーン46により、1箇所ごとに超音波振動が付与されているため、図8(b)に示すように、ホーン46により形成された仮接合部48の周囲が上方に反ることがある。この場合、表面側基材42、インレットシート44、および裏面側基材43との間で位置ずれが生じ、歩留まりが低下するという問題がある。
さらに、図8(c)に示すように、この超音波ウェルダー45のホーン46の先端面46aはメッシュ状に形成されている。このことにより、ICカード積層体41に超音波振動を付与している間、表面側基材42の第1基材(図示せず)の一部が損傷して、異物49が生成され、超音波ウェルダー45のホーン46の先端面46aまたは表面側基材42の表面に付着する場合がある。異物49がホーン46の先端面46aに付着した場合には、その後に仮接合を行う際、ICカード積層体41に超音波振動を確実に付与することが困難になる。また、異物49が表面側基材42の表面に付着した場合には、この後の工程で一対の過熱ローラにより表面側基材42、インレットシート44、および裏面側基材43を接合すると、ICカード積層体41の表面に凹凸が形成される。このことにより、ICカード積層体41の表面を平坦状に形成することが難しくなる。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ICカード積層体を効率良くかつ精度良く仮接合し、表面が平坦状に形成された高品質の非接触ICカードを製造することができる非接触ICカードの製造装置を提供することを目的とする。
本発明は、第1基材と、第1基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第1ホットメルト層とを含む表面側基材と、第2基材と、第2基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第2ホットメルト層とを含む裏面側基材と、この表面側基材と裏面側基材との間に介在されたインレットシートとを有するICカード積層体を仮接合することにより非接触ICカードを製造する非接触ICカードの製造装置において、ICカード積層体を受ける受台と、この受台の上方に設けられ、表面側基材、インレットシート、および裏面側基材を部分的に接合させてICカード積層体を仮接合する仮接合具と、を備え、仮接合具は、仮接合具本体と、この仮接合具本体の下面に、ICカード積層体の幅方向に渡って設けられた複数の突起部とを有し、各突起部の下端部は、下方に向かって凸状に湾曲する断面を有することを特徴とする非接触ICカードの製造装置である。
本発明は、仮接合具の各突起部は、全体として半球状に形成されていることを特徴とする非接触ICカードの製造装置である。
本発明は、仮接合具の仮接合具本体は、ICカード積層体と略同一の幅を有することを特徴とする非接触ICカードの製造装置である。
本発明は、仮接合具の仮接合具本体は、ICカード積層体に超音波振動を付与してICカード積層体を仮接合することを特徴とする非接触ICカードの製造装置である。
本発明によれば、ICカード積層体を仮接合する仮接合具の仮接合具本体の下面に、ICカード積層体の幅方向に渡って複数の突起部が設けられている。このことにより、表面側基材、インレットシート、および裏面側基材を複数箇所で同時に部分的に接合させてICカード積層体を仮接合することができる。このため、ICカード積層体を効率良く仮接合することができるとともに、ICカード積層体が上方に反って、表面側基材、インレットシート、および裏面側基材が互いに位置ずれすることを防止することができる。また、仮接合具の各突起部の下端部は、下方に向かって凸状に湾曲する断面を有している。このことにより、ICカード積層体を仮接合する際、表面側基材の第1基材の表面が損傷して異物が発生することを防止することができる。この結果、ICカード積層体を効率良くかつ精度良く仮接合し、表面が平坦状に形成された高品質の非接触ICカードを製造することができる。
図1は、本発明の実施の形態における非接触ICカードの断面構成を示す図。 図2は、本発明の実施の形態における非接触ICカードのインレットシートの一例を示す斜視図。 図3は、本発明の実施の形態における非接触ICカードの製造装置を示す概略図。 図4は、本発明の実施の形態におけるICカード積層体を示す斜視図。 図5は、本発明の実施の形態における非接触ICカードの製造装置において、仮接合具の詳細および仮接合されたICカード積層体の幅方向断面を示す図。 図6は、本発明の実施の形態における製造装置において、ICカード積層体を仮接合する方法を示す図。 図7は、本発明の実施の形態における製造装置において、仮接合具の突起部の形状の一例を示す図。 図8(a)は、従来の非接触ICカードの製造装置において、ICカード積層体を仮接合する方法を示す図。図8(b)は、ホーンの詳細および仮接合されたICカード積層体の幅方向断面を示す図。図8(c)は、超音波ウェルダーのホーンの先端面を示す図。
発明の実施の形態
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ここで、図1乃至図7は、本発明による非接触ICカードの製造装置の実施の形態を示す図である。このうち、図1は、本発明の実施の形態における非接触ICカードの断面構成を示す図であり、図2は、本発明の実施の形態における非接触ICカードのインレットシートの一例を示す斜視図である。また、図3は、本発明の実施の形態における非接触ICカードの製造装置を示す概略図であり、図4は、本発明の実施の形態におけるICカード積層体を示す斜視図である。図5は、本発明の実施の形態における非接触ICカードの製造装置において、仮接合具の詳細および仮接合されたICカード積層体の幅方向断面を示す図であり、図6は、本発明の実施の形態における製造装置において、ICカード積層体を仮接合する方法を示す図であり、図7は、本発明の実施の形態における製造装置において、仮接合具の突起部の形状の一例を示す図である。
まず、図1および図2により、本発明における製造方法によって製造される非接触ICカードについて説明する。ここで、非接触ICカードは、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信することができるものである。
図1に示すように、非接触ICカード1は、第1基材3と、第1基材3の一方の面に流動性ホットメルト14(図3参照)を塗布して形成された第1ホットメルト層4とを含む表面側基材2と、第2基材6と、第2基材6の一方の面に流動性ホットメルト14を塗布して形成された第2ホットメルト層7とを含む裏面側基材5とを備えている。また、図1、図2、および図4に示すように、表面側基材2と裏面側基材5間に、インレット用基材9と、インレット用基材9上に設けられた複数のICチップ11と、各ICチップ11に対応して設けられたアンテナ10とを含むインレットシート8が設けられている。
図2に示すように、ICチップ11は直方体状に形成され、情報を記録するためのメモリを含み、外部装置(リーダ・ライタ等)により、アンテナ10を介してICチップ11に記録された情報を読み出したり、アンテナ10を介してICチップ11に新たな情報を書き込んだりすることができるようになっている。そして、非接触ICカード1のこのような機能を発現するための回路配線がICチップ11に書き込まれている。
また、図2に示すように、アンテナ10は、インレット用基材9上で略コイル状に形成され、ICチップ11と電気的に接続されている。なお、本実施の形態においては、アンテナ10が略コイル状に形成された例を示したが、これに限定されるものではない。
また、アンテナ10は、例えば、スクリーン印刷機を用いて導電性インキをインレット用基材9上に塗布することにより、あるいはインレット用基材9上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を打ち抜き転写することにより、あるいはインレット用基材9上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングすること等により、インレット用基材9上に形成することができる。
また、表面側基材2の第1基材3、裏面側基材5の第2基材6、およびインレットシート8のインレット用基材9は、PETフィルムや紙等からなっている。
また、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7は、いずれもインレットシート8のICチップ11の厚さよりも各々厚く形成されている。また、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7を各々形成する流動性ホットメルト14は、湿気硬化型ウレタン樹脂からなっている。
次に、図3により、非接触ICカード1の製造装置20について説明する。非接触ICカード1の製造装置20は、表面側基材2の第1基材3の一方の面に、流動性ホットメルト14を塗布する第1接着剤塗布手段21と、裏面側基材5の第2基材6の一方の面に、流動性ホットメルト14を塗布する第2接着剤塗布手段22とを有している。また、非接触ICカード1の製造装置20は、第1接着剤塗布手段21と第2接着剤塗布手段22の下流側に配置され、表面側基材2と裏面側基材5との間にインレットシート8を介在させたICカード積層体12を作製する積層手段23と、積層手段23の下流側に配置され、表面側基材2、インレットシート8、および裏面側基材5を部分的に接合させて仮接合部13を形成し、ICカード積層体12を仮接合する仮接合手段24とを有している。また、非接触ICカード1の製造装置20は、仮接合手段24の下流側に配置されるとともに、ICカード積層体12を溶融させて表面側基材2とインレットシート8とを接着させ、裏面側基材5とインレットシート8とを接着させる接着手段26を有している。このうち、接着手段26は、ICカード積層体12に対して表側および裏側に配置される一対または複数対の加熱ローラ27からなっている。さらに、非接触ICカード1の製造装置20は、接着手段26の下流側に配置され、接着されたICカード積層体12をICチップ11およびアンテナ10毎に断裁する断裁手段28を有している。
次に、仮接合手段24について詳細に述べる。図3および図5に示すように、仮接合手段24は、ICカード積層体10を受ける受台30と、この受台30の上方に設けられ、表面側基材2、インレットシート8、および裏面側基材5を部分的に接合させてICカード積層体12を仮接合する仮接合具31とを有している。このうち仮接合具31は、仮接合具本体32と、この仮接合具本体32の下面に、ICカード積層体12の幅方向に渡って設けられ複数の突起部33を含んでいる。このうち各突起部33は、下端部33aを含めて全体として下方に向かって凸状に湾曲する断面を有しており、全体として半球状に形成されていることが好ましい。また、仮接合具本体32は、ICカード積層体12と略同一の幅を有し、ICカード積層体12に超音波振動を付与してICカード積層体12を仮接合するように構成されている。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち非接触ICカード1の製造方法について説明する。
まず、図1および図3に示すように、第1基材3と、第1基材3の一方の面に流動性ホットメルト14を塗布して形成された第1ホットメルト層4とを含む表面側基材2を準備する。この場合、まず図4に示すように、多列で多段の非接触ICカード1を作製することができる大きさの第1基材3を準備する。図4において、第1基材3は、3列×3段=9枚の非接触ICカード1を作製することが可能な大きさを持つ。本実施の形態においては、基材を巻いた巻取コアが回転して、1枚の帯状に延びるシート状の基材を連続的に供給する方法ではなく、所謂枚葉状の第1基材3を準備する。このことにより、小ロットの非接触ICカード1を容易に製造することができる。なお、1枚の表面側基材2に対して作製することができる非接触ICカード1の枚数は9枚に限定されるものではない。
次に、第1接着剤塗布手段21により、第1基材3の裏面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト14を塗布する。この場合、流動性ホットメルト14を塗布して形成される第1ホットメルト層4の厚さは、ICチップ11の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート8が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ICカード1の表面を平坦にすることができる。
次に、図1および図3に示すように、第2基材6と、第2基材6の一方の面に流動性ホットメルト14を塗布して形成された第2ホットメルト層7とを含む裏面側基材5を準備する。この場合、まず表面側基材2と同様にして、図4に示すように、多列で多段の非接触ICカード1を作製することが可能な大きさをもつ第1基材3と略同一の大きさの第2基材6を準備する。次に、第2接着剤塗布手段22により、第2基材6の表面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト14を塗布する。この場合、第1ホットメルト層4と同様に、流動性ホットメルト14を塗布して形成される第2ホットメルト層の厚さは、ICチップ11の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート8が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ICカード1の裏面を平坦にすることができる
次に、図2および図3に示すように、インレット用基材9と、インレット用基材9上に設けられた複数のICチップ11と、各ICチップ11に対応して設けられたアンテナ10とを含むインレットシート8を準備する。この場合、まず第1基材3および第2基材6に対応した大きさのインレット用基材9を準備する。次に、図2に示すように、インレット用基材9上にアンテナ10を形成する。この際、9枚の非接触ICカード1を作製することができるよう、インレット用基材9上にはアンテナ10が9箇所に形成される。インレット用基材9上にアンテナ10を形成する手段としては、導電性インキをインレット用基材9上に塗布するスクリーン印刷機、あるいはインレット用基材9上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を転写する転写装置、あるいはインレット用基材9上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングするエッチング装置等を用いることができる。これらのアンテナを形成する手段を用いれば、コイル状のアンテナを有するインレットシート8だけでなく、種々の形状を有するアンテナをインレットシート8に形成することができる。その後、インレット用基材9上に形成された各アンテナ10に対応してICチップ11を取り付け、これによりインレット用基材9上にはアンテナ10が9箇所に形成され、かつ9個のICチップ11が設けられる。
次に、図3に示すように、表面側基材2の第1ホットメルト層4と、裏面側基材5の第2ホットメルト層7を冷却固化する。ところで、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト14は、常温における気中環境下に曝すもしくは急冷した場合、数秒〜数十秒でタック性が喪失されて固化する。このことにより、第1ホットメルト層4と第2ホットメルト層7を気中環境下に数秒〜数十秒曝すもしくは冷却し、第1ホットメルト層4と第2ホットメルト層7とがタック性が喪失されるまで固化させる。
次に、図3に示すように、積層手段23により、表面側基材2と裏面側基材5との間にインレットシート8を介在させたICカード積層体12を作製する。この場合、表面側基材2と、裏面側基材5と、インレットシート8とが位置合わせされる。この間、表面側基材2の第1ホットメルト層4はタック性が喪失されているため、表面側基材2とインレットシート8とが接触しても接合されない。このことにより、表面側基材2とインレットシート8とを位置合わせしながら容易かつ精確にICカード積層体12を作製することができる。同様に、裏面側基材5の第2ホットメルト層7もタック性が喪失されているため、裏面側基材5とインレットシート8とが接触しても接合されない。このことにより、裏面側基材5とインレットシート8とを位置合わせしながら容易かつ精確にICカード積層体12を作製することができる。ところで、図1に示すように、インレット用基材9上に配置されたICチップ11およびアンテナ10は、表面側基材2側に向いているが、裏面側基材5側に向けても良い。
次に、図3および図6に示すように、ICカード積層体12に対して仮接合手段24により表面側基材2、インレットシート8、および裏面側基材5を部分的に接合させて、ICカード積層体12を仮接合する。この場合、まず、仮接合手段24の受台30と仮接合具31との間に、ICカード積層体12が搬送される。次に、仮接合具31が下降して、表面側基材2の第1基材3の表面のうち、ICカード積層体12の前方端縁近傍であって、後に断裁されて得られる非接触ICカード1以外の領域に仮接合具31の突起部33が押圧される(図4参照)。次に、仮接合具31の仮接合具本体32が超音波振動し、ICカード積層体12に各突起部33を介して超音波振動が付与されてICカード積層体12が仮接合され、仮接合部13が形成される。その後、仮接合具本体32が上昇してICカード積層体12の表面から離れる。
ここで、ICカード積層体12の仮接合部13は、断裁されて得られる非接触ICカード1以外の領域であって、ICカード積層体12の前方に形成される。このことにより、ICカード積層体12の表面および裏面に仮接合により生じる凹凸を残すことを防止して、表面および裏面を平坦状に形成してICカード積層体12を仮接合することができる。
次に、図3に示すように、接着手段26を構成する一対または複数対の加熱ローラ27間において、仮接合されたICカード積層体12を搬送させて、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7を溶融させて、表面側基材2とインレットシート8とを接着させるとともに、裏面側基材5とインレットシート8とを接着させる。本実施の形態においては、前述したように、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7は、タック性が喪失された状態にある。このため、一対または複数対の加熱ローラ27により加熱されるまでは、表面側基材2および裏面側基材5とインレットシート8が粘着されることはない。このことにより、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7は、ICカード積層体12の前方に施された仮接合部分から後方に向けて順次溶融され、表面側基材2および裏面側基材5とインレットシート8とは順次接着されていく。この間、表面側基材2および裏面側基材5と、インレットシート8との間に介在する空気は、後方に抜けていく。このため、表面側基材2および裏面側基材5と、インレットシート8との間に、空気層が形成されることを確実に防止することができる。
次に、図3に示すように、ICカード積層体12を冷却加圧保持して、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7を硬化させる。この場合、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト14は、溶融した後、気中の湿気を吸収することにより架橋反応して硬化する。このことにより、ICカード積層体12を冷却加圧状態において5日間程度放置して、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7を硬化させることができる。このため、非接触ICカード1の使用中に、非接触ICカードを高温状態においても、非接触ICカード1が軟化することがない。
次に、図3に示すように、第1ホットメルト層4および第2ホットメルト層7が完全に硬化した後、ICカード積層体12をICチップ11およびアンテナ10毎に断裁手段28により断裁する。以上のようにして、個々の非接触ICカード1を得ることができる。
このように本実施の形態によれば、ICカード積層体12を仮接合する仮接合具31の仮接合具本体32は、ICカード積層体12と略同一の幅を有し、その下面に、ICカード積層体12の幅方向に渡って複数の突起部33が設けられている。このことにより、表面側基材2、インレットシート8、および裏面側基材5を複数箇所で同時に部分的に接合させてICカード積層体12を仮接合することができる。このため、ICカード積層体12を効率良く仮接合することができるとともに、ICカード積層体12が上方に反って、表面側基材2、インレットシート8、および裏面側基材5が互いに位置ずれすることを防止することができる。また、仮接合具31の各突起部33は、全体として半球状に形成されている。このことにより、ICカード積層体12を仮接合する際、表面側基材2の第1基材3の表面が損傷して異物が発生し、この異物が仮接合具31の突起部33、または第1基材3の表面に付着して、ICカード積層体12の表面に凹凸が形成されることを防止することができる。この結果、ICカード積層体12を効率良くかつ精度良く仮接合し、表面が平坦状に形成された高品質の非接触ICカード1を製造することができる。
また本実施の形態によれば、仮接合具31の各突起部33は、上述したように、全体として半球状に形成されている。このことにより、ICカード積層体12を仮接合する際、各突起部33とICカード積層体12との接触面積を小さくすることができる。このため、各仮接合部13に対して接合強度を確実に付与することができる。
なお、本実施の形態においては、仮接合具31の各突起部33は、全体として半球状に形成されている例について述べた。しかしながら、このことに限られることはなく、各突起部の下端部は、下方に向かって凸状に湾曲する断面を有していれば良い。例えば、図7に示すように、各突起部33は、円柱状に形成されて下方に延び、その下端部33aが半球状に形成されていても良い。この場合においても、ICカード積層体12を仮接合する際、表面側基材2の第1基材3の表面が損傷して異物が発生することを防止することができる。
また本実施の形態によれば、ICカード積層体12に対して6箇所の仮接合部13が形成される例について述べたが、このことに限られることはなく、仮接合の強度を確保するために必要な数だけ仮接合部13を形成するようにしてもよい。
1 非接触ICカード
2 表面側基材
3 第1基材
4 第1ホットメルト層
5 裏面側基材
6 第2基材
7 第2ホットメルト層
8 インレットシート
9 インレット用基材
10 アンテナ
11 ICチップ
12 ICカード積層体
13 仮接合部
20 製造装置
21 第1接着剤塗布手段
22 第2接着剤塗布手段
23 積層手段
24 仮接合手段
26 接着手段
27 加熱ローラ
28 断裁手段
30 受台
31 仮接合具
32 仮接合具本体
33 突起部
33a 下端部
41 ICカード積層体
42 表面側基材
43 裏面側基材
44 インレットシート
45 超音波ウェルダー
46 ホーン
46a 先端面
47 受台
48 仮接合部
49 異物

Claims (3)

  1. 第1基材と、第1基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第1ホットメルト層とを含む表面側基材と、第2基材と、第2基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第2ホットメルト層とを含む裏面側基材と、この表面側基材と裏面側基材との間に介在されたインレットシートとを有するICカード積層体を仮接合することにより非接触ICカードを製造する非接触ICカードの製造装置において、
    ICカード積層体を受ける受台と、
    この受台の上方に設けられ、表面側基材、インレットシート、および裏面側基材を部分的に接合させてICカード積層体を仮接合する仮接合具と、
    仮接合具から搬送されるICカード積層体に対して表側および裏側に配置され、第1ホットメルト層および第2ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに裏面側基材とインレットシートとを接着させる一対の加熱ローラと、を備え、
    仮接合具は、仮接合具本体と、この仮接合具本体の下面に、ICカード積層体の幅方向に渡って設けられた複数の突起部とを有し、
    各突起部の下端部は、下方に向かって凸状に湾曲する断面を有し、
    仮接合具の仮接合具本体は、ICカード積層体と略同一の幅を有し、
    仮接合具は、ICカード積層体の前方端縁近傍を仮接合することを特徴とする非接触ICカードの製造装置。
  2. 仮接合具の各突起部は、全体として半球状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の非接触ICカードの製造装置。
  3. 仮接合具の仮接合具本体は、ICカード積層体に超音波振動を付与してICカード積層体を仮接合することを特徴とする請求項1または2に記載の非接触ICカードの製造装置。
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