JP5146224B2 - 非接触ｉｃカードの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＩＣチップがアンテナとして機能する導電体に接続されて構成されるインレットシートを有する非接触ＩＣカードを、高品質に製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法に関する。

近年、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信する非接触ＩＣカードが普及しつつある。非接触ＩＣカードの需要は、今後、急速な勢いで拡大していくものと予想されており、これにともなって、高品質の非接触ＩＣカードを低コストで製造することが強く望まれている。

非接触ＩＣカードは、第１基材と、第１基材の一方の面に設けられた第１接着剤層とを含む表面側基材と、第２基材と、第２基材の一方の面に設けられた第２接着剤層とを含む裏面側基材とを備えている。また、表面側基材と裏面側基材間に、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートが設けられている（例えば、特許文献１参照）。

このような構成からなる非接触ＩＣカードを製造する場合、まず、表面側基材の一方の面に接着剤が塗布されて第１接着剤層が形成されるとともに、裏面側基材の一方の面に接着剤が塗布されて第２接着剤層が形成される。次に、表面側基材とインレットシートと裏面側基材とを積層して、少なくとも一対の加熱ローラにより第１接着剤層および第２接着剤層を溶融して、表面側基材とインレットシートおよびインレットシートと裏面側基材とが接着される。その後、冷却加圧することにより、表面側基材の第１接着剤層および裏面側基材の第２接着剤層を硬化させている。
特開２００３−１６２６９７号公報

しかしながら、このような非接触ＩＣカードの製造方法において、表面側基材および裏面側基材に接着剤を塗布する際、塗工ムラにより表面側基材の第１接着剤層および裏面側基材の第２接着剤層の厚みにムラが形成される場合がある。

また、加熱ローラにより第１接着剤層および第２接着剤層を溶融させる際、この加熱ローラが偏芯している場合、または加熱ローラの温度にムラが生じている場合がある。この場合、加熱後の第１接着剤層および第２接着剤層の厚みにムラが形成されることがある。

このように、厚みにムラが形成された第１接着剤層を含む表面側基材と、インレットシートと、厚みにムラが形成された第２接着剤層を含む裏面側基材に対して冷却加圧を行った場合、第１接着剤層および第２接着剤層の厚みにムラが形成された状態で第１接着剤層および第２接着剤層が硬化する。このため、表面および裏面を平坦にすることが困難になる。

また、表面および裏面を平坦にするために、圧力をより一層高くして加圧冷却をすることも考えられる。しかしながら、この場合、ゴミなどの異物を挟み込むと、表面および裏面に顕著な凹凸が形成されるという問題がある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、表面および裏面が平坦となる高品質の非接触ＩＣカードを製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、非接触ＩＣカードの製造方法において、第１基材と、第１基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第１ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、第２基材と、第２基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第２ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製する工程と、少なくとも一対の加熱ローラ間において、ＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、インレットシートと、表面側基材および裏面側基材が接着されたＩＣカード積層体を冷却加圧し、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層を硬化させる工程と、を備え、ＩＣカード積層体を冷却加圧する際、ＩＣカード積層体側に各々押圧板が取り付けられた一対の冷却ブロック間でＩＣカード積層体を挟持するとともに、少なくとも一方の冷却ブロックと対応する押圧板との間であって、ＩＣカード積層体に形成された所定の突出部に対応する部分に介在板を設けたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のＩＣチップと、各ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを有し、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層が硬化した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、介在板の厚みは、５μｍ〜０．５ｍｍであることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、介在板は、ポリエチレンテレフタレート、または金属材料からなることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明によれば、インレットシートと、表面側基材および裏面側基材が接着されたＩＣカード積層体を冷却加圧する際、ＩＣカード積層体側に各々押圧板が取り付けられた一対の冷却ブロック内でＩＣカード積層体が挟持される。この場合、少なくとも一方の冷却ブロックと対応する押圧板との間であって、ＩＣカード積層体に形成された所定の突出部に対応する部分に介在板が設けられている。このことにより、ＩＣカード積層体に形成された突出部を、突出部以外のＩＣカード積層体の領域よりも強く押圧して、この突出部を平坦にすることができる。このため、表面および裏面が平坦となる高品質の非接触ＩＣカードを製造することができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ここで、図１乃至図６は、本発明による非接触ＩＣカードの製造方法の実施の形態を示す図である。このうち、図１は、本発明の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードの断面構成を示す図であり、図２は、本発明の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードのインレットシートの一例を示す斜視図であり、図３は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法および製造装置を示す概略図であり、図４は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において作製されるＩＣカード積層体を示す斜視図である。また、図５（ａ）は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において作製されるＩＣカード積層体の上面を示す図であり、図５（ｂ）は、ＩＣカード積層体の側面を示す図である。また、図６（ａ）は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、下側の冷却ブロック上面におけるＩＣカード積層体に形成された突出部に対応する部分を示す図であり、図６（ｂ）は、下側の冷却ブロック上面に介在板が設けられた状態を示す図であり、図６（ｃ）は、下側の冷却ブロック上面に介在板を介して押圧板が取り付けられた状態を示す図である。また、図７（ａ）は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、各冷却ブロックに介在板を介して押圧板が取り付けられた状態を示す図であり、図７（ｂ）は、各冷却ブロック間にＩＣカード積層体が搬送された状態を示す図であり、図７（ｃ）は、ＩＣカード積層体が各冷却ブロック間で挟持された状態を示す図である。

まず、図１および図２により、本発明における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードについて説明する。ここで、非接触ＩＣカードは、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信することができるものである。

図１に示すように、非接触ＩＣカード１は、第１基材３と、第１基材３の一方の面に流動性ホットメルト１４（図３参照）を塗布して形成された第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２と、第２基材６と、第２基材６の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５とを備えている。また、図１、図２、および図４に示すように、表面側基材２と裏面側基材５間に、インレット用基材９と、インレット用基材９上に設けられた複数のＩＣチップ１１と、各ＩＣチップ１１に対応して設けられたアンテナ１０とを含むインレットシート８が設けられている。

図２に示すように、ＩＣチップ１１は直方体状に形成され、ＩＣチップ１１の厚さは、例えば１５０μｍから３００μｍとなっている。また、ＩＣチップ１１は、情報を記録するためのメモリを含み、外部装置（リーダ・ライタ等）により、アンテナ１０を介してＩＣチップ１１に記録された情報を読み出したり、アンテナ１０を介してＩＣチップ１１に新たな情報を書き込んだりすることができるようになっている。そして、非接触ＩＣカード１のこのような機能を発現するための回路配線がＩＣチップ１１に書き込まれている。

また、図２に示すように、アンテナ１０は、インレット用基材９上で略コイル状に形成され、ＩＣチップ１１と電気的に接続されている。なお、本実施の形態においては、アンテナ１０が略コイル状に形成された例を示したが、これに限定されるものではない。

また、アンテナ１０は、例えば、スクリーン印刷機を用いて導電性インキをインレット用基材９上に塗布することにより、あるいはインレット用基材９上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を打ち抜き転写することにより、あるいはインレット用基材９上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングすること等により、インレット用基材９上に形成することができる。

また、表面側基材２の第１基材３、裏面側基材５の第２基材６、およびインレットシート８のインレット用基材９は、ＰＥＴフィルムや紙等からなっている。

また、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、いずれもインレットシート８のＩＣチップ１１の厚さよりも各々厚く形成されている。また、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を各々形成する流動性ホットメルト１４は、湿気硬化型ウレタン樹脂からなっている。

次に、図３により、非接触ＩＣカード１の製造装置２０について説明する。非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、表面側基材２の第１基材３の一方の面に、流動性ホットメルト１４を塗布する第１接着剤塗布手段２１と、裏面側基材５の第２基材６の一方の面に、流動性ホットメルト１４を塗布する第２接着剤塗布手段２２とを有している。また、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、第１接着剤塗布手段２１と第２接着剤塗布手段２２の下流側に配置され、表面側基材２と裏面側基材５間にインレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２を作製する積層手段２３と、積層手段２３の下流側に配置され第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を部分的に接合させてＩＣカード積層体１２を仮接合する仮接合手段２４とを有している。このうち、仮接合手段２４は、超音波ウェルダー２５からなっているが、超音波ウェルダー２５に限らず、熱圧着機２９、接着材塗布機３０、または粘着材塗布機３１を用いても良い。また、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、仮接合手段２４の下流側に配置されるとともに、ＩＣカード積層体１２を溶融させて表面側基材２とインレットシート８とを接着させ、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる接着手段２６を有している。このうち、接着手段２６は、ＩＣカード積層体１２に対して表側および裏側に配置される一対または複数対の加熱ローラ２７からなっている。また、この接着手段２６の下流側に、接着されたＩＣカード積層体１２を冷却加圧する冷却加圧手段３２が設けられている。さらに、冷却加圧手段３２の下流側に、接着されたＩＣカード積層体１２をＩＣチップ１１およびアンテナ１０毎に断裁する断裁手段２８が設けられている。

このうち冷却加圧手段３２について、詳しく説明する。図３に示すように、冷却加圧手段３２は、ＩＣカード積層体１２を挟持する一対の冷却ブロック３３と、各冷却ブロック３３のＩＣカード積層体１２側に取り付けられた押圧板３４と、各冷却ブロック３３と対応する押圧板３４との間であって、ＩＣカード積層体１２に形成された所定の突出部１２ａ（図５（ａ）、（ｂ）参照）に対応する部分に設けられた介在板３５とを有している。

ここで、突出部１２ａは、一例として図５（ａ）、（ｂ）に示すように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７の厚みが均一ではなくムラがあるために形成され、この突出部１２ａの位置および形状は、使用するホットメルトの種類、または加熱ローラ２７の加熱温度を含む前工程の諸条件などにより異なる。しかしながら、同一仕様の非接触ＩＣカードを製造する場合には、同一の諸条件により製造される。このことにより、同一仕様のＩＣカード積層体１２に形成される突出部１２ａは、ほぼ同じ位置にほぼ同じ形状で形成される。このため、この同一仕様の非接触ＩＣカードを製造する場合、ＩＣカード積層体１２に形成される突出部１２ａの位置と大きさを予め確認しておき、この突出部１２ａに対応する位置に、この突出部１２ａに対応する形状を有する介在板３５を予め取り付けておく。このことにより、この同一仕様のＩＣカード積層体１２の表面および裏面を確実に平坦にすることができる。

また、冷却加圧手段３２の介在板３５の厚みは、５μｍ〜０．５ｍｍであるとともに、介在板３５は、ＩＣカード積層体１２に形成された所定の突出部１２ａに対応する形状を有している。このうち介在板３５の厚みについては、対応するＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａの厚みにほぼ等しくすることが好ましい。このことにより、ＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａを確実に平坦にすることができる。また、この介在板３５に用いる材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、またはステンレスもしくはアルミニウムなどの金属材料を用いることができる。

また、冷却加圧手段３２の押圧板３４は、２ｍｍの厚みを有したステンレスまたはアルミニウムなどの金属材料からなっており、この押圧板３４におけるＩＣカード積層体１２側の面は、鏡面に仕上げられている。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち非接触ＩＣカード１の製造方法について説明する。

まず、図１および図３に示すように、第１基材３と、第１基材３の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２を準備する。この場合、まず図４に示すように、多列で多段の非接触ＩＣカード１を作製することができる大きさの第１基材３を準備する。図４において、第１基材３は、３列×３段＝９枚の非接触ＩＣカード１を作製することが可能な大きさを持つ。本実施の形態においては、基材を巻いた巻取コアが回転して、１枚の帯状に延びるシート状の基材を連続的に供給する方法ではなく、所謂枚葉状の第１基材３を準備する。このことにより、小ロットの非接触ＩＣカード１を容易に製造することができる。なお、１枚の表面側基材２に対して作製することができる非接触ＩＣカード１の枚数は９枚に限定されるものではない。

次に、第１接着剤塗布手段２１により、第１基材３の裏面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４を塗布する。この場合、流動性ホットメルト１４を塗布して形成される第１ホットメルト層４の厚さは、ＩＣチップ１１の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート８が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ＩＣカード１の表面を平坦にすることができる。

次に、図１および図３に示すように、第２基材６と、第２基材６の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５を準備する。この場合、まず表面側基材２と同様にして、図４に示すように、多列で多段の非接触ＩＣカード１を作製することが可能な大きさをもつ第１基材３と略同一の大きさの第２基材６を準備する。次に、第２接着剤塗布手段２２により、第２基材６の表面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４を塗布する。この場合、第１ホットメルト層４と同様に、流動性ホットメルト１４を塗布して形成される第２ホットメルト層の厚さは、ＩＣチップ１１の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート８が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ＩＣカード１の裏面を平坦にすることができる

次に、図２および図３に示すように、インレット用基材９と、インレット用基材９上に設けられた複数のＩＣチップ１１と、各ＩＣチップ１１に対応して設けられたアンテナ１０とを含むインレットシート８を準備する。この場合、まず第１基材３および第２基材６に対応した大きさのインレット用基材９を準備する。次に、図２に示すように、インレット用基材９上にアンテナ１０を形成する。この際、９枚の非接触ＩＣカード１を作製することができるよう、インレット用基材９上にはアンテナ１０が９箇所に形成される。インレット用基材９上にアンテナ１０を形成する手段としては、導電性インキをインレット用基材９上に塗布するスクリーン印刷機、あるいはインレット用基材９上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を転写する転写装置、あるいはインレット用基材９上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングするエッチング装置等を用いることができる。これらのアンテナを形成する手段を用いれば、コイル状のアンテナを有するインレットシート８だけでなく、種々の形状を有するアンテナをインレットシート８に形成することができる。その後、インレット用基材９上に形成された各アンテナ１０に対応してＩＣチップ１１を取り付け、これによりインレット用基材９上にはアンテナ１０が９箇所に形成され、かつ９個のＩＣチップ１１が設けられる。

次に、図３に示すように、表面側基材２の第１ホットメルト層４と、裏面側基材５の第２ホットメルト層７を冷却固化する。ところで、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４は、常温における気中環境下に曝すもしくは急冷した場合、数秒〜数十秒でタック性が喪失されて固化する。このことにより、第１ホットメルト層４と第２ホットメルト層７を気中環境下に数秒〜数十秒曝すもしくは冷却し、第１ホットメルト層４と第２ホットメルト層７とがタック性が喪失されるまで固化させる。

次に、図３に示すように、積層手段２３により、表面側基材２と裏面側基材５間にインレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２を作製する。この場合、表面側基材２と、裏面側基材５と、インレットシート８とを位置合わせする。この間、表面側基材２の第１ホットメルト層４はタック性が喪失されているため、表面側基材２とインレットシート８とが接触しても接合されない。このことにより、表面側基材２とインレットシート８とを位置合わせしながら容易かつ精確にＩＣカード積層体１２を作製することができる。同様に、裏面側基材５の第２ホットメルト層７もタック性が喪失されているため、裏面側基材５とインレットシート８とが接触しても接合されない。このことにより、裏面側基材５とインレットシート８とを位置合わせしながら容易かつ精確にＩＣカード積層体１２を作製することができる。ところで、図１に示すように、インレット用基材９上に配置されたＩＣチップ１１およびアンテナ１０は、表面側基材２側に向いているが、裏面側基材５側に向けても良い。

次に、図３に示すように、ＩＣカード積層体１２に対して仮接合手段２４を施して第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を部分的に接合させて、ＩＣカード積層体１２を仮接合する。本実施の形態においては、仮接合手段２４は超音波ウェルダー２５からなっている。この場合、図４に示すように、超音波ウェルダー２５は、表面側基材２および裏面側基材５のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード１以外の領域であって、ＩＣカード積層体１２の前方に施される。このことにより、ＩＣカード積層体に仮接合部（図示せず）が形成される。このため、断裁されて得られる非接触ＩＣカード１の領域となる表面および裏面に仮接合により生じる凹凸を残すことはなく、ＩＣカード積層体１２を仮接合することができる。

次に、図３に示すように、接着手段２６を構成する一対または複数対の加熱ローラ２７間において、仮接合されたＩＣカード積層体１２を搬送させて、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を溶融させて、表面側基材２とインレットシート８とを接着させるとともに、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる。本実施の形態においては、前述したように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、タック性が喪失された状態にある。このため、一対または複数対の加熱ローラ２７により加熱されるまでは、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８が粘着されることはない。このことにより、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、ＩＣカード積層体１２の前方に施された仮接合部分から後方に向けて順次溶融され、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とは順次接着されていく。この間、表面側基材２および裏面側基材５と、インレットシート８との間に介在する空気は、後方に抜けていく。このため、表面側基材２および裏面側基材５と、インレットシート８との間に、空気層が形成されることを確実に防止することができる。

次に、図３に示すように、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧保持して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化させる。なお、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧する前に、図５（ａ）、（ｂ）、および図６（ａ）に示すように、ＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａを予め確認しておき、この突出部１２ａに対応する部分に介在板３５を取り付けておく。

介在板３５を取り付ける場合、まず、図６（ａ）に示すように、ＩＣカード積層体１２に形成される突出部１２ａの位置、厚み、および形状を確認する。次に、この突出部１２ａの厚みおよび形状に対応する厚みおよび形状を有する介在板３５を準備する。ここで、本実施の形態においては、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ＩＣカード積層体１２に形状が異なる突出部１２ａが、ＩＣカード積層体１２の上面および下面にそれぞれ２箇所形成されているため、各突出部１２ａに対応して形状が異なる４つの介在板３５を準備する。次に、図６（ｂ）に示すように、各介在板３５が下側の冷却ブロック３３の上面のうち突出部１２ａに対応する位置に載置される。次に、図６（ｃ）に示すように、取付手段（図示せず）を用いて、各介在板３５を介して下側の冷却ブロック３３の上面に押圧板３４が取り付けられる。また、上側の冷却ブロック３３の下面に、介在板３５および押圧板３４を取り付ける場合、各介在板３５が押圧板３４の上面のうち突出部１２ａに対応する位置に載置され、この押圧板３４が各介在板３５を介して、取付手段（図示せず）により上側の冷却ブロック３３に取り付けられる。このようにして、図７（ａ）に示すように、ＩＣカード積層体１２に形成される突出部１２ａに対応する部分に介在板３５が取り付けられる。

次に、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧保持して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化させる場合、まず、図７（ｂ）に示すように、ＩＣカード積層体１２が、冷却加圧保持手段３３の一対の冷却ブロック３３間に搬送されて、下側の冷却ブロック３３の上面に介在板３５および押圧板３４を介して載置される。次に、図７（ｃ）に示すように、上側の冷却ブロック３３が、下側の冷却ブロック３３に向けて移動して、各冷却ブロック３３間でＩＣカード積層体１２が挟持されて冷却加圧される。ここで、ＩＣカード積層体１２は、１０００ｇ／ｃｍ^２の圧力で加圧されるとともに、２０℃の冷却温度において２０秒間冷却加圧される。この際、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が溶融された状態のままＩＣカード積層体１２が冷却加圧されて、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が硬化する。このことにより、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７の厚みを均一にして、ＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａを確実に平坦にすることができる。

その後、この冷却加圧されたＩＣカード積層体１２が各冷却ブロック３３の間から取り出されて、気中環境下に２日間程度放置される。この場合、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４は、溶融した後、気中の湿気を吸収することにより架橋反応して硬化する。このことにより、ＩＣカード積層体１２を気中環境下に２日間程度放置して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を確実に硬化させることができる。このため、非接触ＩＣカード１の使用中に、非接触ＩＣカードを高温状態においても、非接触ＩＣカード１が軟化することがない。

次に、図３に示すように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が完全に硬化した後、ＩＣカード積層体１２をＩＣチップ１１およびアンテナ１０毎に断裁手段２８により断裁する。以上のようにして、個々の非接触ＩＣカード１を得ることができる。

このように本実施の形態によれば、インレットシート８と、表面側基材２および裏面側基材５が接着されたＩＣカード積層体１２を冷却加圧する際、ＩＣカード積層体１２側に各々押圧板３４が取り付けられた一対の冷却ブロック３３内でＩＣカード積層体１２が挟持される。この場合、各冷却ブロック３３とこれに対応する押圧板３４との間であって、ＩＣカード積層体１２に形成された所定の突出部１２ａに対応する位置に、この突出部１２ａに対応する厚みおよび形状を有する介在板３５が取り付けられている。このことにより、ＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａを、突出部１２ａ以外のＩＣカード積層体１２の領域よりも強く押圧して、厚みにムラが形成されていた第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７の厚みを均一にすることができる。このため、ＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａを平坦にして、不良の発生を防止することができる。

また本実施の形態によれば、上述のように、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧する際、各冷却ブロック３３とこれに対応する押圧板３４との間に介在板３５を設けることにより、ＩＣカード積層体１２に形成された突出部１２ａを平坦にすることができる。このことにより、各冷却ブロック３３および各押圧板３４を製作する際に要求される精度を緩和することが可能になる。このため、冷却ブロック３３および押圧板３４を製作するコストを低減させることができる。

なお、本実施の形態においては、一対の冷却ブロック３３のうち下側の冷却ブロック３３とこれに対応する押圧板３４との間、および上側の冷却ブロック３３とこれに対応する押圧板３４との間に介在板３５を各々設けている例について述べた。しかしながら、このことに限られることはなく、介在板３５は、下側の冷却ブロック３３とこれに対応する押圧板３４との間、および上側の冷却ブロック３３とこれに対応する押圧板３４との間のいずれか一方にのみ設けられていても良い。

また、本実施の形態においては、ＩＣカード積層体１２の上面および下面にそれぞれ２箇所形成された突出部１２ａの位置および形状に対応して、形状の異なる４つの介在板３５を用いている例について述べた。しかしながら、このことに限られることはなく、ＩＣカード積層体１２の上面および下面に形成された突出部１２ａの位置および形状に対応して、任意の形状を有する任意の数の介在板３５を用いることができる。

図１は、本発明の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードの断面構成を示す図。 図２は、本発明の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードのインレットシートの一例を示す斜視図。 図３は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法および製造装置を示す概略図。 図４は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において作製されるＩＣカード積層体を示す斜視図。 図５（ａ）は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において作製されるＩＣカード積層体の上面を示す図。図５（ｂ）は、ＩＣカード積層体の側面を示す図。 図６（ａ）は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、下側の冷却ブロック上面におけるＩＣカード積層体に形成された突出部に対応する部分を示す図。図６（ｂ）は、下側の冷却ブロック上面に介在板が設けられた状態を示す図。図６（ｃ）は、下側の冷却ブロック上面に介在板を介して押圧板が取り付けられた状態を示す図。 図７（ａ）は、本発明の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法において、各冷却ブロックに介在板を介して押圧板が取り付けられた状態を示す図。図７（ｂ）は、各冷却ブロック間にＩＣカード積層体が搬送された状態を示す図。図７（ｃ）は、ＩＣカード積層体が各冷却ブロック間で挟持された状態を示す図。

符号の説明

１ 非接触ＩＣカード
２ 表面側基材
３ 第１基材
４ 第１ホットメルト層
５ 裏面側基材
６ 第２基材
７ 第２ホットメルト層
８ インレットシート
９ インレット用基材
１０ アンテナ
１１ ＩＣチップ
１２ ＩＣカード積層体
１２ａ 突出部
２０ 製造装置
２１ 第１接着剤塗布手段
２２ 第２接着剤塗布手段
２３ 積層手段
２４ 仮接合手段
２５ 超音波ウェルダー
２６ 接着手段
２７ 加熱ローラ
２８ 断裁手段
２９ 熱圧着機
３０ 接着材塗布機
３１ 粘着材塗布機
３２ 冷却加圧手段
３３ 冷却ブロック
３４ 押圧板
３５ 介在板

Claims (4)

1. 非接触ＩＣカードの製造方法において、
   第１基材と、第１基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第１ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、
   第２基材と、第２基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第２ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、
   インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、
   表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製する工程と、
   少なくとも一対の加熱ローラ間において、ＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、
   インレットシートと、表面側基材および裏面側基材が接着されたＩＣカード積層体を冷却加圧し、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層を硬化させる工程と、を備え、
   ＩＣカード積層体を冷却加圧する際、ＩＣカード積層体側に各々押圧板が取り付けられた一対の冷却ブロック間でＩＣカード積層体を挟持するとともに、少なくとも一方の冷却ブロックと対応する押圧板との間であって、ＩＣカード積層体に形成された所定の突出部に対応する部分に介在板を設けたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。
2. インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のＩＣチップと、各ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを有し、
   表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層が硬化した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
3. 介在板の厚みは、５μｍ〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
4. 介在板は、ポリエチレンテレフタレート、または金属材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の非接触ＩＣカードの製造方法。

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