JP5041291B2

JP5041291B2 - 非接触ｉｃカードの製造方法

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Publication number: JP5041291B2
Application number: JP2007287584A
Authority: JP
Inventors: 瞳大久保; 田英人坂; 昭彦五十嵐; 屋輝直土; 岡徹西; 原清章川
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2007-11-05
Filing date: 2007-11-05
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2027-11-05
Also published as: JP2009116533A

Description

本発明は、ＩＣチップがアンテナとして機能する導電体に接続されて構成されるインレットシートを有する非接触ＩＣカードを、高品質に、かつ低コストで製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法に関する。

近年、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信する非接触ＩＣカードが普及しつつある。非接触ＩＣカードの需要は、今後、急速な勢いで拡大していくものと予想されており、これにともなって、高品質の非接触ＩＣカードを低コストで製造することが強く望まれている。

非接触ＩＣカードは、第１基材と、第１基材の一方の面に設けられた第１接着剤層とを含む表面側基材と、第２基材と、第２基材の一方の面に設けられた第２接着剤層とを含む裏面側基材とを備えている。また、表面側基材と裏面側基材間に、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートが設けられている（例えば、特許文献１参照）。このような構成からなる非接触ＩＣカードにおいて、表面側基材の第１基材および裏面側基材の第２基材が所謂枚葉状に各々断裁され、かつ各々印刷されている場合、第１基材および第２基材に施された印刷を合わせるために、表面側基材と裏面側基材とインレットシートとを精確に位置合わせし、ラミネートする必要がある。
特開２００３−１６２６９７号公報

しかしながら、表面側基材とインレットシートとを位置合わせする場合、表面側基材の第１接着剤層がタック性（粘着性）を有しているため、表面側基材とインレットシートとが接触すると容易に接合される。このことにより、表面側基材とインレットシートとを位置合わせしながらラミネートすることが困難となる。同様に、裏面側基材の第２接着剤層もタック性を有しているため、裏面側基材とインレットシートとが接触すると容易に接合される。このことにより、裏面側基材とインレットシートとを位置合わせしながらラミネートすることが困難となる。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、表面側基材および裏面側基材が枚葉状に断裁されている場合に、表面側基材と裏面側基材とインレットとを、容易かつ精確に位置合わせを行うことができ、さらに表面が平坦となる高品質の非接触ＩＣカードを低コストで製造することができる非接触ＩＣカードの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、非接触ＩＣカードの製造方法において、第１基材と、第１基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第１ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、第２基材と、第２基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第２ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、表面側基材の第１ホットメルト層と、裏面側基材の第２ホットメルト層を乾燥して固化する工程と、表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製する工程と、ＩＣカード積層体に対して仮接合手段を施して第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を部分的に接合させて、ＩＣカード積層体を仮接合する工程と、少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、を備えたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のＩＣチップと、各ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを有し、表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、ＩＣチップおよびアンテナは、少なくとも一対の加熱ローラに対するＩＣカード積層体の搬送方向に沿って多列に配置されて、多列の非接触ＩＣカードを得るようになっており、表面側基材の第１ホットメルト層は、各々が多列の非接触ＩＣカードの幅に対応する幅を有する多列の帯状体からなり、裏面側基材の第２ホットメルト層は、各々が多列の非接触ＩＣカードの幅に対応する幅を有する多列の帯状体からなることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、少なくとも一対の加熱ローラ間は、ＩＣカード積層体の後端が少なくとも一対の加熱ローラ間を通過した直後に互いに引き離されることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、仮接合手段は超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機からなり、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機は、ＩＣカード積層体のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード以外の領域に施されることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層は、インレットシートのＩＣチップの厚さよりも各々厚く形成されることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層を各々形成する流動性ホットメルトは、湿気硬化型ウレタン樹脂からなることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明は、表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ＩＣカード積層体を冷却加圧保持し、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層を硬化させ、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層が完全に硬化した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得ることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。

本発明によれば、表面側基材の第１ホットメルト層と、裏面側基材の第２ホットメルト層とを固化してＩＣカード積層体を作製し、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を部分的に接合させてＩＣカード積層体が仮接合される。その後、少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させて、非接触ＩＣカードが得られる。このように、ＩＣカード積層体を作製する前に、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を固化させてタック性を喪失させているため、表面側基材と、裏面側基材と、インレットシートとを容易に位置合わせすることができる。このため、ＩＣカード積層体を精度良く作製することができ、この結果、高品質の非接触ＩＣカードを低コストで製造することができる。

第１の実施の形態
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ここで、図１乃至図４は、本発明による非接触ＩＣカードの製造方法の第１の実施の形態を示す図である。このうち、図１は、本発明における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードの断面構成を示す図であり、図２は、本発明における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードのインレットシートの一例を示す斜視図であり、図３は、本発明における非接触ＩＣカードの製造方法および製造装置を示す概略図であり、図４は、ＩＣカード積層体を示す斜視図である。

まず、図１および図２により、本発明における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードについて説明する。ここで、非接触ＩＣカードは、リーダ・ライタ等の外部装置と非接触で通信することができるものである。

図１に示すように、非接触ＩＣカード１は、第１基材３と、第１基材３の一方の面に流動性ホットメルト１４（図３参照）を塗布して形成された第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２と、第２基材６と、第２基材６の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５とを備えている。また、図１、図２、および図４に示すように、表面側基材２と裏面側基材５間に、インレット用基材９と、インレット用基材９上に設けられた複数のＩＣチップ１１と、各ＩＣチップ１１に対応して設けられたアンテナ１０とを含むインレットシート８が設けられている。

図２に示すように、ＩＣチップ１１は直方体状に形成され、ＩＣチップ１１の厚さは、例えば１５０μｍから３００μｍとなっている。また、ＩＣチップ１１は、情報を記録するためのメモリを含み、外部装置（リーダ・ライタ等）により、アンテナ１０を介してＩＣチップ１１に記録された情報を読み出したり、アンテナ１０を介してＩＣチップ１１に新たな情報を書き込んだりすることができるようになっている。そして、非接触ＩＣカード１のこのような機能を発現するための回路配線がＩＣチップ１１に書き込まれている。

また、図２に示すように、アンテナ１０は、インレット用基材９上で略コイル状に形成され、ＩＣチップ１１と電気的に接続されている。なお、本実施の形態においては、アンテナ１０が略コイル状に形成された例を示したが、これに限定されるものではない。

また、アンテナ１０は、例えば、スクリーン印刷機を用いて導電性インキをインレット用基材９上に塗布することにより、あるいはインレット用基材９上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を打ち抜き転写することにより、あるいはインレット用基材９上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングすること等により、インレット用基材９上に形成することができる。

また、表面側基材２の第１基材３、裏面側基材５の第２基材６、およびインレットシート８のインレット用基材９は、ＰＥＴフィルムや紙等からなっている。

また、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、いずれもインレットシート８のＩＣチップ１１の厚さよりも各々厚く形成されている。また、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を各々形成する流動性ホットメルト１４は、湿気硬化型ウレタン樹脂からなっている。

次に、図３により、非接触ＩＣカード１の製造装置２０について説明する。非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、表面側基材２の第１基材３の一方の面に、流動性ホットメルト１４を塗布する第１接着剤塗布手段２１と、裏面側基材５の第２基材６の一方の面に、流動性ホットメルト１４を塗布する第２接着剤塗布手段２２とを有している。また、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、第１接着剤塗布手段２１と第２接着剤塗布手段２２の下流側に配置され、表面側基材２と裏面側基材５間にインレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２を作製する積層手段２３と、積層手段２３の下流側に配置され第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を部分的に接合させてＩＣカード積層体１２を仮接合する仮接合手段２４とを有している。このうち、仮接合手段２４は、超音波ウェルダー２５からなっているが、超音波ウェルダー２５に限らず、熱圧着機２９、接着材塗布機３０、または粘着材塗布機３１を用いても良い。また、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、仮接合手段２４の下流側に配置されるとともに、ＩＣカード積層体１２を溶融させて表面側基材２とインレットシート８とを接着させ、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる接着手段２６を有している。このうち、接着手段２６は、ＩＣカード積層体１２に対して表側および裏側に配置される一対または複数対の加熱ローラ２７からなっている。さらに、非接触ＩＣカード１の製造装置２０は、接着手段２６の下流側に配置され、接着されたＩＣカード積層体１２をＩＣチップ１１およびアンテナ１０毎に断裁する断裁手段２８を有している。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち非接触ＩＣカード１の製造方法について説明する。

まず、図１および図３に示すように、第１基材３と、第１基材３の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第１ホットメルト層４とを含む表面側基材２を準備する。この場合、まず図４に示すように、多列で多段の非接触ＩＣカード１を作製することができる大きさの第１基材３を準備する。図４において、第１基材３は、３列×３段＝９枚の非接触ＩＣカード１を作製することが可能な大きさを持つ。本実施の形態においては、基材を巻いた巻取コアが回転して、１枚の帯状に延びるシート状の基材を連続的に供給する方法ではなく、所謂枚葉状の第１基材３を準備する。このことにより、小ロットの非接触ＩＣカード１を容易に製造することができる。なお、１枚の表面側基材２に対して作製することができる非接触ＩＣカード１の枚数は９枚に限定されるものではない。

次に、第１接着剤塗布手段２１により、第１基材３の裏面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４を塗布する。この場合、流動性ホットメルト１４を塗布して形成される第１ホットメルト層４の厚さは、ＩＣチップ１１の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート８が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ＩＣカード１の表面を平坦にすることができる。

次に、図１および図３に示すように、第２基材６と、第２基材６の一方の面に流動性ホットメルト１４を塗布して形成された第２ホットメルト層７とを含む裏面側基材５を準備する。この場合、まず表面側基材２と同様にして、図４に示すように、多列で多段の非接触ＩＣカード１を作製することが可能な大きさをもつ第１基材３と略同一の大きさの第２基材６を準備する。次に、第２接着剤塗布手段２２により、第２基材６の表面に湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４を塗布する。この場合、第１ホットメルト層４と同様に、流動性ホットメルト１４を塗布して形成される第２ホットメルト層の厚さは、ＩＣチップ１１の厚さよりも厚くなるようにする。このことにより、インレットシート８が有する凹凸形状に影響を受けることなく、非接触ＩＣカード１の裏面を平坦にすることができる

次に、図２および図３に示すように、インレット用基材９と、インレット用基材９上に設けられた複数のＩＣチップ１１と、各ＩＣチップ１１に対応して設けられたアンテナ１０とを含むインレットシート８を準備する。この場合、まず第１基材３および第２基材６に対応した大きさのインレット用基材９を準備する。次に、図２に示すように、インレット用基材９上にアンテナ１０を形成する。この際、９枚の非接触ＩＣカード１を作製することができるよう、インレット用基材９上にはアンテナ１０が９箇所に形成される。インレット用基材９上にアンテナ１０を形成する手段としては、導電性インキをインレット用基材９上に塗布するスクリーン印刷機、あるいはインレット用基材９上に銅やアルミニウム等からなる導電性箔を転写する転写装置、あるいはインレット用基材９上に積層された銅やアルミニウム等からなる導電性箔にエッチングを施して所望の形状にパターニングするエッチング装置等を用いることができる。これらのアンテナを形成する手段を用いれば、コイル状のアンテナを有するインレットシート８だけでなく、種々の形状を有するアンテナをインレットシート８に形成することができる。その後、インレット用基材９上に形成された各アンテナ１０に対応してＩＣチップ１１を取り付け、これによりインレット用基材９上にはアンテナ１０が９箇所に形成され、かつ９個のＩＣチップ１１が設けられる。

次に、図３に示すように、表面側基材２の第１ホットメルト層４と、裏面側基材５の第２ホットメルト層７を冷却固化する。ところで、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４は、常温における気中環境下に曝すもしくは急冷した場合、数秒〜数十秒でタック性が喪失されて固化する。このことにより、第１ホットメルト層４と第２ホットメルト層７を気中環境下に数秒〜数十秒曝すもしくは冷却し、第１ホットメルト層４と第２ホットメルト層７とがタック性が喪失されるまで固化させる。

次に、図３に示すように、積層手段２３により、表面側基材２と裏面側基材５間にインレットシート８を介在させたＩＣカード積層体１２を作製する。この場合、表面側基材２と、裏面側基材５と、インレットシート８とを位置合わせする。この間、表面側基材２の第１ホットメルト層４はタック性が喪失されているため、表面側基材２とインレットシート８とが接触しても接合されない。このことにより、表面側基材２とインレットシート８とを位置合わせしながら容易かつ精確にＩＣカード積層体１２を作製することができる。同様に、裏面側基材５の第２ホットメルト層７もタック性が喪失されているため、裏面側基材５とインレットシート８とが接触しても接合されない。このことにより、裏面側基材５とインレットシート８とを位置合わせしながら容易かつ精確にＩＣカード積層体１２を作製することができる。ところで、図１に示すように、インレット用基材９上に配置されたＩＣチップ１１およびアンテナ１０は、表面側基材２側に向いているが、裏面側基材５側に向けても良い。

次に、図３に示すように、ＩＣカード積層体１２に対して仮接合手段２４を施して第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を部分的に接合させて、ＩＣカード積層体１２を仮接合する。本実施の形態においては、仮接合手段２４は超音波ウェルダー２５からなっている。この場合、図４に示すように、超音波ウェルダー２５は、表面側基材２および裏面側基材５のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード１以外の領域であって、ＩＣカード積層体１２の前方に施される。このことにより、ＩＣカード積層体に仮接合部１３が形成される。このため、断裁されて得られる非接触ＩＣカード１の領域となる表面および裏面に仮接合により生じる凹凸を残すことはなく、ＩＣカード積層体１２を仮接合することができる。

次に、図３に示すように、接着手段２６を構成する一対または複数対の加熱ローラ２７間において、仮接合されたＩＣカード積層体１２を搬送させて、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を溶融させて、表面側基材２とインレットシート８とを接着させるとともに、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる。本実施の形態においては、前述したように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、タック性が喪失された状態にある。このため、一対または複数対の加熱ローラ２７により加熱されるまでは、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８が粘着されることはない。このことにより、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、ＩＣカード積層体１２の前方に施された仮接合部分から後方に向けて順次溶融され、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とは順次接着されていく。この間、表面側基材２および裏面側基材５と、インレットシート８との間に介在する空気は、後方に抜けていく。このため、表面側基材２および裏面側基材５と、インレットシート８との間に、空気層が形成されることを確実に防止することができる。

次に、図３に示すように、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧保持して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化させる。この場合、湿気硬化型ウレタン樹脂からなる流動性ホットメルト１４は、溶融した後、気中の湿気を吸収することにより架橋反応して硬化する。このことにより、ＩＣカード積層体１２を冷却加圧状態において５日間程度放置して、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を硬化させることができる。このため、非接触ＩＣカード１の使用中に、非接触ＩＣカードを高温状態においても、非接触ＩＣカード１が軟化することがない。

次に、図３に示すように、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が完全に硬化した後、ＩＣカード積層体１２をＩＣチップ１１およびアンテナ１０毎に断裁手段２８により断裁する。以上のようにして、個々の非接触ＩＣカード１を得ることができる。

このように本実施の形態によれば、表面側基材２の第１ホットメルト層４と、裏面側基材５の第２ホットメルト層７とを固化してＩＣカード積層体１２を作製し、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を部分的に接合させてＩＣカード積層体１２が仮接合される。その後、加熱ローラ２７間において、仮接合されたＩＣカード積層体１２を搬送させて、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を溶融させて、表面側基材２とインレットシート８とを接着させるとともに、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させて、非接触ＩＣカード１が得られる。このように、ＩＣカード積層体１２を作製する前に、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を固化させてタック性を喪失させているため、表面側基材２と、裏面側基材５と、インレットシート８とを容易に位置合わせすることができる。このため、ＩＣカード積層体１２を精度良く作製することができる。

本発明の変形例
次に、本発明による非接触ＩＣカード１の製造方法の変形例について説明する。本変形例は、ＩＣカード積層体１２の後端が一対または複数対の加熱ローラ２７間を通過した直後に、一対または複数対の加熱ローラ２７間を互いに引き離すものであり、他の構成は図１乃至図４に示す第１の実施の形態と略同一である。

本変形例によれば、表面側基材２とインレットシート８とを接着させるとともに、裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる工程において、ＩＣカード積層体１２のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード１の後端が一対または複数対の加熱ローラ２７間を通過した直後に、一対または複数対の加熱ローラ２７間を互いに引き離す。このことにより、流動性ホットメルト１４の余剰分が、非接触ＩＣカード１の製造装置２０のＩＣカード積層体１２搬送部分に付着することがなく、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とを確実に接着させることができる。

すなわち、表面側基材２とインレットシート８とを接着させ、かつ裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる間、一対または複数対の加熱ローラ２７間は、仮接合されたＩＣカード積層体１２の厚さに対応する一定の間隔に保たれている。この場合、加熱ローラ２７間の間隔が変化しないことにより、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を形成する流動性ホットメルト１４の余剰分が、一対または複数対の加熱ローラ２７により加熱されて、ＩＣカード積層体１２の後端からＩＣカード積層体１２の後方に押出されることが考えられる。

これに対して本変形例によれば、ＩＣカード積層体１２のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード１の後端が一対または複数対の加熱ローラ２７間を通過した直後に、一対または複数対の加熱ローラ２７間が互いに引き離される。このことにより、流動性ホットメルト１４の余剰分が、一対または複数対の加熱ローラ２７により加熱されて、ＩＣカード積層体１２の後端から後方に押出されることを防止することができる。このため、流動性ホットメルト１４の余剰分が、非接触ＩＣカード１の製造装置２０のＩＣカード積層体１２搬送部分に付着することがなく、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とを確実に接着させることができる。

第２の実施の形態
次に、図５により、本発明による非接触ＩＣカード１の製造方法の第２の実施の形態について説明する。ここで、図５は、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７の形状を示す斜視図である。

図５に示す第２の実施の形態における非接触ＩＣカード１の製造方法において、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、３列の帯状体に形成される点が異なるのみであり、他の構成は図１乃至図４に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図５において、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施の形態によれば、図５に示すように、ＩＣチップ１１およびアンテナ１０が、一対または複数対の加熱ローラ２７に対するＩＣカード積層体１２の搬送方向に沿って３列に配置され、３列の非接触ＩＣカード１が得られる。このため、表面側基材２を準備する工程において、流動性ホットメルト１４を、表面側基材２の第１基材３裏面に各々が３列の非接触ＩＣカード１の幅に対応する幅を有する３列の帯状に塗布する。このことにより、第１ホットメルト層４は、３列の帯状体に形成される。

また、同様に、裏面側基材５を準備する工程において、流動性ホットメルト１４を、裏面側基材５の第２基材６表面に各々が３列の非接触ＩＣカード１の幅に対応する幅を有する３列の帯状に塗布する。このことにより、第２ホットメルト層７は、３列の帯状体に形成される。

上述のように、表面側基材２とインレットシート８とを接着させ、かつ裏面側基材５とインレットシート８とを接着させる間、一対または複数対の加熱ローラ２７間は、仮接合されたＩＣカード積層体１２の厚さに対応する一定の間隔に保たれている。この場合、加熱ローラ２７間の間隔が変化しないことにより、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７を形成する流動性ホットメルト１４の余剰分が、一対または複数対の加熱ローラ２７により加熱されて、ＩＣカード積層体１２の後端からＩＣカード積層体１２の後方に押出されることが考えられる。

本実施の形態によれば、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７は、ＩＣカード積層体１２の搬送方向に沿った３列の帯状体に形成されている。このため、第１ホットメルト層４および第２ホットメルト層７が第１基材３および第２基材６の全体に渡って各々形成されている場合に比べて、流動性ホットメルト１４を塗布する量が少ない。このことにより、流動性ホットメルト１４の余剰分が少なくなるため、流動性ホットメルト１４の余剰分が、ＩＣカード積層体１２の後端から後方に押出されることを防止することができる。このため、流動性ホットメルト１４の余剰分がＩＣカード積層体１２の後端から押出されて、非接触ＩＣカード１の製造装置２０のＩＣカード積層体１２搬送部分に付着することがなく、表面側基材２および裏面側基材５とインレットシート８とを確実に接着させることができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードの断面構成を示す図。図２は、本発明の第１の実施の形態における製造方法によって製造される非接触ＩＣカードのインレットシートの一例を示す斜視図。図３は、本発明の第１の実施の形態における非接触ＩＣカードの製造方法および製造装置を示す概略図。図４は、本発明の第１の実施の形態におけるＩＣカード積層体を示す斜視図。図５は、本発明の第２の実施の形態における第１ホットメルト層および第２ホットメルト層の形状を示す斜視図。

符号の説明

１非接触ＩＣカード
２表面側基材
３第１基材
４第１ホットメルト層
５裏面側基材
６第２基材
７第２ホットメルト層
８インレットシート
９インレット用基材
１０アンテナ
１１ＩＣチップ
１２ＩＣカード積層体
１３仮接合部
２０製造装置
２１第１接着剤塗布手段
２２第２接着剤塗布手段
２３積層手段
２４仮接合手段
２５超音波ウェルダー
２６接着手段
２７加熱ローラ
２８断裁手段
２９熱圧着機
３０接着材塗布機
３１粘着材塗布機

Claims

非接触ＩＣカードの製造方法において、
第１基材と、第１基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第１ホットメルト層とを含む表面側基材を準備する工程と、
第２基材と、第２基材の一方の面に流動性ホットメルトを塗布して形成された第２ホットメルト層とを含む裏面側基材を準備する工程と、
インレット用基材と、インレット用基材上に設けられたＩＣチップと、ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを含むインレットシートを準備する工程と、
表面側基材の第１ホットメルト層と、裏面側基材の第２ホットメルト層を気中環境下に曝して固化する工程と、
表面側基材と裏面側基材間にインレットシートを介在させたＩＣカード積層体を作製する工程と、
ＩＣカード積層体に対して仮接合手段を施して第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を部分的に接合させて、ＩＣカード積層体を仮接合する工程と、
少なくとも一対の加熱ローラ間において、仮接合されたＩＣカード積層体を搬送させて、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させて、表面側基材とインレットシートとを接着させるとともに、裏面側基材とインレットシートとを接着させる工程と、を備え、
表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層を各々形成する流動性ホットメルトは、湿気硬化型ウレタン樹脂からなることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。
インレットシートは、インレット用基材と、インレット用基材上に設けられた複数のＩＣチップと、各ＩＣチップに対応して設けられたアンテナとを有し、
表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得る工程を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
ＩＣチップおよびアンテナは、少なくとも一対の加熱ローラに対するＩＣカード積層体の搬送方向に沿って多列に配置されて、多列の非接触ＩＣカードを得るようになっており、
表面側基材の第１ホットメルト層は、各々が多列の非接触ＩＣカードの幅に対応する幅を有する多列の帯状体からなり、
裏面側基材の第２ホットメルト層は、各々が多列の非接触ＩＣカードの幅に対応する幅を有する多列の帯状体からなることを特徴とする請求項２に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
少なくとも一対の加熱ローラ間は、ＩＣカード積層体の後端が少なくとも一対の加熱ローラ間を通過した直後に互いに引き離されることを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
仮接合手段は超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機からなり、超音波ウェルダー、熱圧着機、接着材塗布機、または粘着材塗布機は、ＩＣカード積層体のうち断裁されて得られる非接触ＩＣカード以外の領域に施されることを特徴とする請求項２に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層は、インレットシートのＩＣチップの厚さよりも各々厚く形成されることを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。
表面側基材とインレットシートとが接着し、かつ裏面側基材とインレットシートとが接着した後、ＩＣカード積層体を冷却加圧保持し、表面側基材の第１ホットメルト層および裏面側基材の第２ホットメルト層を硬化させ、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層が完全に硬化した後、ＩＣカード積層体をＩＣチップおよびアンテナ毎に断裁して非接触ＩＣカードを得ることを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカードの製造方法。