JP2013251040A - 抵抗式メモリのための感知増幅器回路 - Google Patents
抵抗式メモリのための感知増幅器回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013251040A JP2013251040A JP2013116741A JP2013116741A JP2013251040A JP 2013251040 A JP2013251040 A JP 2013251040A JP 2013116741 A JP2013116741 A JP 2013116741A JP 2013116741 A JP2013116741 A JP 2013116741A JP 2013251040 A JP2013251040 A JP 2013251040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sense amplifier
- transistor
- latch
- amplifier circuit
- precharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 323
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 48
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 15
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 11
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000009268 pathologic speech processing Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 208000032207 progressive 1 supranuclear palsy Diseases 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/062—Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1653—Address circuits or decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0011—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
- G11C2013/0042—Read using differential sensing, e.g. bit line [BL] and bit line bar [BLB]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
- G11C2207/063—Current sense amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】差動出力端子、第1及び第2入力端子、プリチャージトランジスター、及びプリチャージトランジスターに直接連結された電流変調トランジスターを含む抵抗式メモリ電流感知増幅器回路を含み、プリチャージ構成は電流感知増幅器回路の“レディ”又は“プリチャージ”段階の間にビットライン及び参照ラインへ高いピーク電流を提供し、電流変調トランジスターは少なくとも“セット”又は“増幅”段階の間に飽和領域モードで動作するように構成され、電流変調トランジスターは“セット”又は“増幅”段階の間にビットライン電流及び参照ライン電流を連続的に平均するので、回路のノイズ耐性が向上され、“ゴー”又は“ラッチ”段階の間に、論理値“0”又は“1”がラッチ回路の正帰還に基づいて差動出力端子でラッチされる。
【選択図】図4
Description
前記第1電流変調トランジスターのソースは前記抵抗式メモリセルと連関された前記ビットラインに連結され、
前記第2電流変調トランジスターのドレーンは前記第2差動出力端子及び前記第2プリチャージトランジスターのドレーンに直接連結され、
前記第2電流変調トランジスターのソースは前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインに連結され、
前記第1及び第2電流変調トランジスターは前記増幅段階の間に、ビットライン電流及び参照ライン電流を連続的に平均するように構成される。
前記ソースラインは電源電圧又は接地電圧のうち1つに連結され、前記ソースラインが前記接地電圧に連結される時、前記感知増幅器回路は第1トランジスター構成を含み、前記ソースラインが前記電源電圧に連結される時、前記感知増幅器回路は前記第1トランジスター構成が反転された第2トランジスター構成を含む。
抵抗式メモリに格納されたビット情報を感知する本発明の実施形態による方法は、感知増幅器回路のプリチャージ段階で、第1プリチャージトランジスター及び第2プリチャージトランジスターによって、ビットライン及び参照ラインを各々プリチャージする段階と、
前記感知増幅器回路の増幅段階で、前記ビットライン及び前記参照ラインと各々連関されたビットライン電流及び参照ライン電流を連続的に平均する段階と、
前記感知増幅器回路のラッチ段階で、ラッチ回路によって、前記ラッチ回路の正帰還を利用して、第1又は第2差動出力端子で各々論理値“0”又は論理値“1”をラッチする段階を含む。
ラッチ制御信号に応答して複数の前記感知増幅器回路の各々のラッチ段階をイネーブルするように構成される全域ラッチイネーブルトランジスターをさらに含む。
110 メモリセルアレイ
120、130 メモリブロック
150 電流感知増幅器回路
170 データ入出力回路
180 アドレスデコーダー
190 制御ロジック
Claims (27)
- 第1出力信号を出力するように構成される第1差動出力端子と、
前記第1出力信号と反対である第2出力信号を出力するように構成される第2差動出力端子と、
抵抗式メモリセルと連関されたビットラインに連結される第1入力端子と、
参照メモリセルと連関された参照ラインに連結される第2入力端子と、
電源及び前記第1差動出力端子に連結される第1プリチャージトランジスターと、
前記電源及び前記第2差動出力端子に連結される第2プリチャージトランジスターと、
前記第1差動出力端子及び前記第1プリチャージトランジスターに直接連結される第1電流変調トランジスターと、
前記第2差動出力端子及び前記第2プリチャージトランジスターに直接連結される第2電流変調トランジスターと、を含み、
前記第1プリチャージトランジスターは前記抵抗式メモリセルと連関された前記ビットラインをプリチャージするように構成され、
前記第2プリチャージトランジスターは前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインをプリチャージするように構成され、
前記第1電流変調トランジスターは少なくとも増幅段階の間に飽和領域モードで動作するように構成され、
前記第2電流変調トランジスターは少なくとも前記増幅段階の間に前記飽和領域モードで動作するように構成される抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1電流変調トランジスターのドレーンは前記第1差動出力端子及び前記第1プリチャージトランジスターのドレーンに直接連結され、
前記第1電流変調トランジスターのソースは前記抵抗式メモリセルと連関された前記ビットラインに連結され、
前記第2電流変調トランジスターのドレーンは前記第2差動出力端子及び前記第2プリチャージトランジスターのドレーンに直接連結され、
前記第2電流変調トランジスターのソースは前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインに連結され、
前記第1及び第2電流変調トランジスターは前記増幅段階の間に、ビットライン電流及び参照ライン電流を連続的に平均するように構成される請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記感知増幅器回路は電流感知増幅器回路であり、
前記第1及び第2電流変調トランジスターは各々NMOSトランジスターであり、
前記第1及び第2プリチャージトランジスターは各々PMOSトランジスターである請求項2に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1及び第2差動出力端子に連結される交差連結されたラッチ回路をさらに含み、
交差連結された前記ラッチ回路は、
ラッチ制御信号に応答して前記感知増幅器回路のラッチ段階をイネーブルするように構成されるラッチイネーブルトランジスターと、
前記電源及び前記第1差動出力端子に連結される第1ラッチトランジスターと、
前記電源及び前記第2差動出力端子に連結される第2ラッチトランジスターと、
前記第1ラッチトランジスター及び前記ラッチイネーブルトランジスターに連結される第3ラッチトランジスターと、
前記第2ラッチトランジスター及び前記ラッチイネーブルトランジスターに連結される第4ラッチトランジスターと、を含み、
前記ラッチトランジスターは正帰還に基づいて、前記抵抗式メモリセルに格納されたビット値にしたがって、そして前記ラッチ段階の間に前記ラッチ制御信号によってターンオンされる前記ラッチイネーブルトランジスターに応答して、前記第1又は第2差動出力端子で論理値“0”又は論理値“1”をラッチするように構成される請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1及び第2出力信号を入力として受信し、前記ラッチ制御信号を生成するように構成される論理ゲートをさらに含む請求項4に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。
- 前記論理ゲートはNANDゲートである請求項5に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。
- 前記ラッチイネーブルトランジスターはNMOSトランジスターであり、
前記第1及び第2ラッチトランジスターはPMOSトランジスターであり、
前記第3及び第4ラッチトランジスターはNMOSトランジスターである請求項4に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第3ラッチトランジスターのソースは前記ラッチイネーブルトランジスターのドレーンに直接連結され、
前記第4ラッチトランジスターのソースは前記ラッチイネーブルトランジスターの前記ドレーンに直接連結される請求項4に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1ラッチトランジスターのゲートは前記第2差動出力端子に連結され、
前記第2ラッチトランジスターのゲートは前記第1差動出力端子に連結され、
前記第3ラッチトランジスターのゲートは前記第2差動出力端子に連結され、
前記第4ラッチトランジスターのゲートは前記第1差動出力端子に連結される請求項4に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1及び第3ラッチトランジスターの各々のドレーンは前記第1差動出力端子に連結され、
前記第2及び第4ラッチトランジスターの各々のドレーンは前記第2差動出力端子に連結される請求項9に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1プリチャージトランジスターはプリチャージ制御信号を受信し、そして前記プリチャージ制御信号に応答して前記感知増幅器回路のプリチャージ段階の間に前記抵抗式メモリセルと連関された前記ビットラインをプリチャージするように構成され、
前記第2プリチャージトランジスターは前記プリチャージ制御信号を受信し、そして前記プリチャージ制御信号に応答して前記感知増幅器回路の前記プリチャージ段階の間に前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインをプリチャージするように構成される請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 前記第1及び第2プリチャージトランジスターによって生成された電流は前記感知増幅器回路のラッチ回路へ流れない請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。
- 前記抵抗式メモリセルは回転伝達トルク(STT、Spin Transfer Torque)磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM、Magnetic Random Access Memory)セル、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル、メモリスタランダムアクセスメモリ(memristor RAM)セル、抵抗式ランダムアクセスメモリ(ReRAM)セル、又はCBRAM(Conductive Bridging RAM)のうち、少なくとも1つを含む請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。
- 前記抵抗式メモリセルは回転伝達トルク(STT、Spin Transfer Torque)磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM、Magnetic Random Access Memory)セルである請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。
- 前記抵抗式メモリセルに連結されたソースラインをさらに含み、
前記ソースラインは電源電圧又は接地電圧のうち1つに連結され、
前記ソースラインが前記接地電圧に連結される時、前記感知増幅器回路は第1トランジスター構成を含み、
前記ソースラインが前記電源電圧に連結される時、前記感知増幅器回路は前記第1トランジスター構成が反転された第2トランジスター構成を含む請求項1に記載の抵抗式メモリ感知増幅器回路。 - 抵抗式メモリに格納されたビット情報を感知する方法において、
感知増幅器回路のプリチャージ段階で、第1プリチャージトランジスター及び第2プリチャージトランジスターによって、ビットライン及び参照ラインを各々プリチャージする段階と、
前記感知増幅器回路の増幅段階で、前記ビットライン及び前記参照ラインと各々連関されたビットライン電流及び参照ライン電流を連続的に平均する段階と、
前記感知増幅器回路のラッチ段階で、ラッチ回路によって、前記ラッチ回路の正帰還を利用して、第1又は第2差動出力端子で各々論理値“0”又は論理値“1”をラッチする段階を含む方法。 - 前記ビットライン電流及び前記参照ライン電流を連続的に平均する段階は、前記感知増幅器回路の少なくとも前記増幅段階の間に前記ビットラインと連関された第1電流変調トランジスターを飽和領域モードで動作させる段階と、前記感知増幅器回路の少なくとも前記増幅段階の間に前記参照ラインと連関された第2電流変調トランジスターを飽和領域モードで動作させる段階と、を包含する請求項16に記載の方法。
- 前記感知増幅器回路のラッチ段階で、前記第1及び第2差動出力端子の出力信号を論理ゲートの入力信号として受信する段階と、
前記論理ゲートによってラッチ制御信号を生成する段階と、
前記ラッチ制御信号に応答して前記ラッチ回路の動作を制御する段階と、をさらに含む請求項16に記載の方法。 - 前記感知増幅器回路の前記プリチャージ段階で、前記第1及び第2プリチャージトランジスターによって、前記ビットライン及び前記参照ラインと各々連関されたプリチャージ電流を生成する段階をさらに含み、
前記プリチャージ電流は前記ラッチ回路のトランジスターへ流れない請求項16に記載の方法。 - 複数のワードラインと、
前記ワードラインと交差するように配置される複数のビットラインと、
複数のメモリブロックと、
複数の感知増幅器回路と、
複数の前記感知増幅器回路に連結される電流ミラー回路と、を含み、
各メモリブロックは前記ワードライン及び前記ビットラインの間の交差点に配置される抵抗式メモリセルを含み、
各感知増幅器回路は前記メモリブロックの中で1つのメモリブロックの対応するビットラインと連関される抵抗式メモリ装置。 - ビットラインに連結されるメモリセルと、
参照ラインに連結される参照メモリセルと、
前記ビットラインを通じて前記メモリセルに連結され前記参照ラインを通じて前記参照メモリセルに連結される感知増幅器回路と、をさらに含み、
前記感知増幅器回路は第1及び第2プリチャージトランジスターによって前記ビットライン及び前記参照ラインを各々プリチャージし、前記ビットライン及び前記参照ラインと各々連関された第1及び第2電流変調トランジスターによってビットライン電流及び参照ライン電流を連続的に平均し、そしてラッチ回路の正帰還を利用して、前記ビットライン及び前記参照ラインと各々連関された第1又は第2差動出力端子で論理値“0”又は論理値“1”をラッチするように構成される請求項20に記載の抵抗式メモリ装置。 - 前記感知増幅器回路の各々はラッチ回路を含み、
前記メモリ装置は、
ラッチ制御信号に応答して複数の前記感知増幅器回路の各々のラッチ段階をイネーブルするように構成される全域ラッチイネーブルトランジスターをさらに含む請求項20に記載の抵抗式メモリ装置。 - 前記電流ミラー回路は参照メモリセルと連関された参照ラインと連結され、
前記電流ミラー回路は、
前記感知増幅器回路の各々のプリチャージ段階の間に前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインをプリチャージし、
前記感知増幅器回路の各々の少なくとも増幅段階の間に参照ライン電流を複製するように構成される請求項20に記載の抵抗式メモリ装置。 - 前記感知増幅器回路の各々は、
第1出力信号を出力するように構成される第1差動出力端子と、
前記第1出力信号と反対である第2出力信号を出力するように構成される第2差動出力端子と、
抵抗式メモリセルと連関されたビットラインと連結される第1入力端子と、
前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインと連結される第2入力端子と、
電源及び前記第1差動出力端子に連結される第1プリチャージトランジスターと、
前記電源及び前記第2差動出力端子に連結される第2プリチャージトランジスターと、
前記第1差動出力端子及び前記第1プリチャージトランジスターに直接連結される第1電流変調トランジスターと、
前記第2差動出力端子及び前記第2プリチャージトランジスターに直接連結される第2電流変調トランジスターと、
前記電源及び前記第1及び第2差動出力端子に連結され、前記感知増幅器回路のラッチ段階の間に論理値“0”又は論理値“1”をラッチするように構成されるラッチ回路と、を含み、
前記第1プリチャージトランジスターは前記感知増幅器回路の前記プリチャージ段階の間に前記抵抗式メモリセルと連関された前記ビットラインをプリチャージするように構成され、
前記第2プリチャージトランジスター及び前記電流ミラー回路は前記プリチャージ段階の間に前記参照メモリセルと連関された前記参照ラインをプリチャージするように構成され、
前記第1電流変調トランジスターは前記感知増幅器回路の少なくとも前記増幅段階の間に飽和領域モードに動作するように構成され、
前記第2電流変調トランジスターは前記感知増幅器回路の少なくとも前記増幅段階の間に前記飽和領域モードに動作するように構成される請求項23に記載の抵抗式メモリ装置。 - 複数の前記感知増幅器回路はメモリセルの第1及び第2バンクの間で共有される共有された感知増幅器回路を含む請求項20に記載の抵抗式メモリ装置。
- 前記メモリセルの第1及び第2バンクはエッジ参照セルパターンに配置され、
前記パターンは、
共有された前記感知増幅器回路と隣接するように配置され、第1参照ラインを通じて共有された前記感知増幅器回路と連結される前記第1バンクの第1参照メモリセルと、
共有された前記感知増幅器回路と隣接するように配置され、第2参照ラインを通じて共有された前記感知増幅器回路と連結される前記第2バンクの第2参照メモリセルと、
第1ビットラインを通じて共有された前記感知増幅器回路と連結される前記第1バンクの第1メモリビットセルと、
第2ビットラインを通じて共有された前記感知増幅器回路と連結される前記第2バンクの第2メモリビットセルと、を含む請求項25に記載の抵抗式メモリ装置。 - 前記メモリセルの第1及び第2バンクはワード参照セルパターンに配置され、
前記パターンは、
ビットラインを通じて共有された前記感知増幅器回路と連結される前記第1バンクのメモリビットセルと、
参照ラインを通じて共有された前記感知増幅器回路と連結される前記第2バンクの参照メモリセルと、を含む請求項24に記載の抵抗式メモリ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/488,432 | 2012-06-04 | ||
US13/488,432 US8750018B2 (en) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | Sense amplifier circuitry for resistive type memory |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251040A true JP2013251040A (ja) | 2013-12-12 |
JP2013251040A5 JP2013251040A5 (ja) | 2016-06-02 |
JP6161959B2 JP6161959B2 (ja) | 2017-07-12 |
Family
ID=49670075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013116741A Active JP6161959B2 (ja) | 2012-06-04 | 2013-06-03 | 抵抗式メモリのための感知増幅器回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8750018B2 (ja) |
JP (1) | JP6161959B2 (ja) |
KR (1) | KR102183055B1 (ja) |
CN (1) | CN103456341B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10175947B1 (en) | 2017-09-15 | 2019-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Arithmetic device |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9007801B2 (en) * | 2009-07-07 | 2015-04-14 | Contour Semiconductor, Inc. | Bipolar-MOS memory circuit |
US8937841B2 (en) * | 2012-05-16 | 2015-01-20 | SK Hynix Inc. | Driver for semiconductor memory and method thereof |
KR102115440B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2020-05-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그의 구동방법 |
US8693240B1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-04-08 | Avalanche Technology, Inc. | Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses |
US9343147B2 (en) * | 2013-03-08 | 2016-05-17 | Microship Technology Incorporated | Resistive random access memory (ReRAM) and conductive bridging random access memory (CBRAM) cross coupled fuse and read method and system |
US8953380B1 (en) | 2013-12-02 | 2015-02-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines |
US9373418B2 (en) * | 2014-01-02 | 2016-06-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Circuit and data processor with headroom monitoring and method therefor |
KR102237735B1 (ko) | 2014-06-16 | 2021-04-08 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 장치의 메모리 코어, 이를 포함하는 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 데이터 감지 방법 |
US9142271B1 (en) | 2014-06-24 | 2015-09-22 | Intel Corporation | Reference architecture in a cross-point memory |
GB2529861A (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-09 | Ibm | Current-mode sense amplifier |
CN105719679B (zh) * | 2014-12-01 | 2018-02-02 | 中国科学院微电子研究所 | 灵敏放大器及一种信号处理的方法 |
US9443567B1 (en) * | 2015-04-16 | 2016-09-13 | Intel Corporation | High speed sense amplifier latch with low power rail-to-rail input common mode range |
KR102354350B1 (ko) * | 2015-05-18 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102408572B1 (ko) * | 2015-08-18 | 2022-06-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
CN107851451B (zh) | 2015-09-11 | 2021-11-30 | 东芝存储器株式会社 | 阻变型存储器 |
JP2017142869A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR102446713B1 (ko) * | 2016-02-15 | 2022-09-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
US10424378B2 (en) | 2016-02-24 | 2019-09-24 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Memristive control circuits with current control components |
US9805777B2 (en) * | 2016-02-24 | 2017-10-31 | Arm Ltd. | Sense amplifier |
ITUA20161468A1 (it) * | 2016-03-08 | 2017-09-08 | Milano Politecnico | Dispositivo e metodo per generare numeri casuali |
US9881661B2 (en) * | 2016-06-03 | 2018-01-30 | Micron Technology, Inc. | Charge mirror-based sensing for ferroelectric memory |
KR102571192B1 (ko) * | 2016-08-29 | 2023-08-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 센스 앰프, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 시스템 |
CN107871518B (zh) * | 2016-09-28 | 2020-08-25 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 基于阻变存储单元的逻辑运算器及利用其实现二元布尔逻辑运算的方法 |
US10304514B2 (en) | 2017-07-05 | 2019-05-28 | Micron Technology, Inc. | Self-reference sensing for memory cells |
US11444124B2 (en) * | 2017-07-26 | 2022-09-13 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Hybrid memristor/field-effect transistor memory cell and its information encoding scheme |
US10403336B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-09-03 | Micron Technology, Inc. | Techniques for precharging a memory cell |
KR102579174B1 (ko) * | 2018-12-24 | 2023-09-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 적층형 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10726917B1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-07-28 | Micron Technology, Inc. | Techniques for read operations |
US10748612B1 (en) * | 2019-07-08 | 2020-08-18 | National Tsing Hua University | Sensing circuit with adaptive local reference generation of resistive memory and sensing method thereof |
CN112542189A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 磁性存储器及其编程控制方法、读取方法、磁性存储装置 |
KR102279048B1 (ko) * | 2020-04-06 | 2021-07-16 | 연세대학교 산학협력단 | 저항성 메모리용 고속 고안정성을 가진 혼합형 감지 증폭기 |
US11887655B2 (en) | 2020-08-13 | 2024-01-30 | Anhui University | Sense amplifier, memory, and method for controlling sense amplifier by configuring structures using switches |
US11862285B2 (en) | 2020-09-01 | 2024-01-02 | Anhui University | Sense amplifier, memory and control method of sense amplifier |
CN111933194B (zh) * | 2020-09-01 | 2022-11-01 | 安徽大学 | 灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法 |
US11929111B2 (en) | 2020-09-01 | 2024-03-12 | Anhui University | Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier |
US11600318B2 (en) | 2020-12-17 | 2023-03-07 | Honeywell International Inc. | Memory array with reduced leakage current |
CN112998720B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-07-25 | 广东技术师范大学 | 一种智能预警可穿戴心率监测电路及其控制方法 |
US11978528B2 (en) | 2021-10-15 | 2024-05-07 | Infineon Technologies LLC | Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices |
US20240127868A1 (en) * | 2022-10-17 | 2024-04-18 | Globalfoundries U.S. Inc. | Single ended sense amplifier with current pulse circuit |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01271996A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005158199A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2005518627A (ja) * | 2002-02-19 | 2005-06-23 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 |
JP2009110623A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体メモリ、システムおよびテストシステム |
JP2011165297A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス |
JP2012104165A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US20130235649A1 (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Rambus Inc. | Direct relative measurement of memory durability |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2865078B2 (ja) * | 1996-10-02 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6111781A (en) | 1998-08-03 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory array divided into a plurality of memory banks |
US6055178A (en) | 1998-12-18 | 2000-04-25 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory with a reference memory array |
US6501697B1 (en) * | 2001-10-11 | 2002-12-31 | Hewlett-Packard Company | High density memory sense amplifier |
JP4864549B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | センスアンプ |
JP2009230798A (ja) | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置 |
JP5525164B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2014-06-18 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
US8587994B2 (en) | 2010-09-08 | 2013-11-19 | Qualcomm Incorporated | System and method for shared sensing MRAM |
-
2012
- 2012-06-04 US US13/488,432 patent/US8750018B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-30 KR KR1020130061819A patent/KR102183055B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-03 JP JP2013116741A patent/JP6161959B2/ja active Active
- 2013-06-04 CN CN201310218365.7A patent/CN103456341B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01271996A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005518627A (ja) * | 2002-02-19 | 2005-06-23 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 |
JP2005158199A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2009110623A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体メモリ、システムおよびテストシステム |
JP2011165297A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス |
JP2012104165A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US20130235649A1 (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Rambus Inc. | Direct relative measurement of memory durability |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10175947B1 (en) | 2017-09-15 | 2019-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Arithmetic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103456341A (zh) | 2013-12-18 |
US8750018B2 (en) | 2014-06-10 |
KR20130136388A (ko) | 2013-12-12 |
CN103456341B (zh) | 2018-01-30 |
KR102183055B1 (ko) | 2020-11-26 |
JP6161959B2 (ja) | 2017-07-12 |
US20130322154A1 (en) | 2013-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6161959B2 (ja) | 抵抗式メモリのための感知増幅器回路 | |
JP6246509B2 (ja) | 抵抗性メモリの感知増幅回路 | |
US10453532B1 (en) | Resistive memory device including reference cell and method of operating the same | |
CN107799133B (zh) | 感测放大器、存储装置及包括其的系统 | |
JP4859835B2 (ja) | 事前充電回路を有するmramセンス増幅器及び検知方法 | |
JP6755523B2 (ja) | 抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバ及びその動作方法 | |
US9728239B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US9019746B2 (en) | Resistive memory device and method for driving the same | |
US7590003B2 (en) | Self-reference sense amplifier circuit and sensing method | |
US10861505B2 (en) | Nonvolatile memory apparatus for mitigating snap-back disturbance, and read and write method of the nonvolatile memory apparatus | |
TWI727350B (zh) | 記憶裝置以及驅動寫入電流的方法 | |
US20190287603A1 (en) | Control signal generator for sense amplifier and memory device including the control signal generator | |
US10726915B2 (en) | Semiconductor memory apparatus, semiconductor system and electronic device including the semiconductor memory apparatus | |
US9773538B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
CN107993683B (zh) | 感测放大器、存储装置以及包括其的系统 | |
US9997243B2 (en) | Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same | |
KR20190110007A (ko) | 감지 증폭기를 위한 제어 신호 생성기 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170522 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6161959 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |