JP2013239215A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】各配線に供給される電圧を早期に所望の電圧に到達させて装置のパフォーマンスを高める。
【解決手段】第1電圧制御回路において、第1ダイオードは、第1ノードと第2ノードとの間に接続され第1ノードから第2ノードに向かう方向を順方向とする。第1導電型の第1トランジスタは、出力ノードと第3ノードとの間に接続されそのゲートを第2ノードに接続される。第1導電型の第2トランジスタは、第3ノードと第4ノードとの間に接続されるとともにゲートを第2ノードに接続されている。第2導電型の第3トランジスタは、出力ノードと第1ノードとの間に接続される。第2ダイオードは、第1ノードと第4ノードとの間に接続され第4ノードから第1ノードへ向かう方向を順方向とする。電圧発生回路は、第4ノードに電圧を供給する。
【選択図】図9
【解決手段】第1電圧制御回路において、第1ダイオードは、第1ノードと第2ノードとの間に接続され第1ノードから第2ノードに向かう方向を順方向とする。第1導電型の第1トランジスタは、出力ノードと第3ノードとの間に接続されそのゲートを第2ノードに接続される。第1導電型の第2トランジスタは、第3ノードと第4ノードとの間に接続されるとともにゲートを第2ノードに接続されている。第2導電型の第3トランジスタは、出力ノードと第1ノードとの間に接続される。第2ダイオードは、第1ノードと第4ノードとの間に接続され第4ノードから第1ノードへ向かう方向を順方向とする。電圧発生回路は、第4ノードに電圧を供給する。
【選択図】図9
Description
本明細書に記載の実施の形態は、半導体記憶装置に関する。
データを不揮発に記憶することができ、大容量化を実現できる半導体記憶装置の1つとして、NAND型フラッシュメモリが広く知られている。NAND型フラッシュメモリのセルアレイは、複数のメモリセルを直列接続したNANDセルユニットを配列して構成される。
NAND型フラッシュメモリにおいては、微細化の進展・及び微細化に伴う大容量化により、ワード線間の寄生容量が増大している。このため、例えば選択ワード線に所望の電圧を供給する場合に、隣接ワード線での電圧の変化により、選択ワード線に容量カップリングによりオーバーシュートが生じることがある。このオーバーシュートが増大すると、所望の電圧に落ち着くまでに相応の時間を要し、装置のパフォーマンスを低下させる。この現象は、メモリセルを3次元状に配列した3次元型のNAND型フラッシュメモリでは特に顕著になる。
以下に記載の実施の形態の半導体記憶装置は、各配線に供給される電圧を早期に所望の電圧に到達させて装置のパフォーマンスを高めることができるものである。
以下に説明する実施の形態の半導体記憶装置は、メモリセルを配列してなるメモリセルアレイを備える。第1配線は、メモリセルに接続される。第2配線は、メモリセルからの信号を供給される。第1電圧制御回路において、第1ダイオードは、第1ノードと第2ノードとの間に接続され第1ノードから第2ノードに向かう方向を順方向とする。第1導電型の第1トランジスタは、出力ノードと第3ノードとの間に接続されそのゲートを第2ノードに接続される。第1導電型の第2トランジスタは、第3ノードと第4ノードとの間に接続されるとともにゲートを第2ノードに接続されている。第2導電型の第3トランジスタは、出力ノードと第1ノードとの間に接続される。第2ダイオードは、第1ノードと第4ノードとの間に接続され第4ノードから第1ノードへ向かう方向を順方向とする。電圧発生回路は、第4ノードに電圧を供給する。
以下、図面を参照して、本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の実施形態について説明する。
[第1の実施の形態]
先ず、図1を参照して、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の全体構成について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の回路図である。
先ず、図1を参照して、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の全体構成について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の回路図である。
図1に示すように、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイAR1、及びその周辺に設けられた制御回路AR2を有する。
メモリセルアレイAR1は、図1に示すように、電気的に書き換え可能なメモリトランジスタMTr1〜8(メモリセル)が直列接続されたメモリストリングMSを複数個配列して構成される。制御回路AR2は、メモリトランジスタMTr(MTr1〜8)のゲート等へ与える電圧を制御する各種制御回路にて構成されている。制御回路AR2は、メモリトランジスタMTrにデータを書き込む動作、メモリトランジスタMTrのデータを消去する消去動作、及びメモリトランジスタMTrからデータを読み出す動作を実行する。書き込み動作、読み出し動作の際、選択メモリストリングMSに印加される電圧は、従来の積層型フラッシュメモリと略同様である。
メモリセルアレイAR1は、図1に示すように、m列のメモリブロックMBを有する。各メモリブロックMBは、n行2列のメモリユニットMUを有する。メモリユニットMUは、メモリストリングMS、メモリストリングMSのソース側に直列接続された第1ソース側選択トランジスタSSTr1、第2ソース側選択トランジスタSSTr2、及びメモリストリングMSのドレイン側に直列接続された第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1、第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2を備える。ここでは、一例としてドレイン側選択トランジスタ、及びソース側選択トランジスタが、1つのメモリストリングMSに2つずつ設けられている例を示しているが、これに限定されるものではなく、1つのメモリストリングMSに各1個のドレイン側選択トランジスタ、及びソース側選択トランジスタを設けても良い。なお、図1に示す例においては、メモリユニットMUの一列目を(1)と表記し、その二列目を(2)と表記する。各メモリブロックMB中において、カラム方向に並ぶ2個のメモリユニットMUは、ビット線BLを共有している。また、各メモリブロックMBにおいて、ロウ方向に並ぶn個のメモリユニットMUは、ワード線、選択ゲート線、ソース線、及びバックゲート線を共有している。ビット線BL、ソース線SLは、m列のメモリブロックMBにより共有されている。
メモリセルアレイAR1は、図2に示すように、データを電気的に記憶するメモリトランジスタMTrを3次元マトリクス状に配列して構成される。すなわち、メモリトランジスタMTrは、水平方向にマトリクス状に配列されるとともに、積層方向(基板に対して垂直方向)にも配列される。積層方向に並ぶ複数個のメモリトランジスタMTr1〜8は直列接続され、前述のメモリストリングMSを構成する。メモリストリングMSの両端には選択時に導通状態とされる第1、第2ドレイン側選択トランジスタSDTr1、SDTr2、及び第1、第2ソース側選択トランジスタSSTr1、SSTr2が接続される。このメモリストリングMSは、積層方向を長手方向として配列される。なお、詳細な積層構造は、後に説明する。
次に、図3を参照して、メモリセルアレイAR1の回路構成について具体的に説明する。図3は、メモリセルアレイAR1の等価回路図である。
メモリセルアレイAR1は、図3に示すように、複数のビット線BL、及び複数のメモリブロックMBを有する。ビット線BLは、ロウ方向に所定ピッチをもって配列されカラム方向を長手方向として延びるストライプ状に形成されている。メモリブロックMBは、所定ピッチをもってカラム方向に繰り返し設けられている。
メモリブロックMBは、図3に示すように、ロウ方向及びカラム方向にマトリクス状に配列された複数のメモリユニットMUを有する。メモリブロックMBにおいて、一本のビット線BLには、共通接続された複数のメモリユニットMUが設けられている。メモリユニットMUは、メモリストリングMS、第1ソース側選択トランジスタSSTr1、第2ソース側選択トランジスタSSTr2、及び第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1、第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2を有する。メモリユニットMUは、ロウ方向及びカラム方向にマトリクス状に配列されている。
メモリストリングMSは、直列接続されたメモリトランジスタMTr1〜8、及びバックゲートトランジスタBTrにて構成されている。メモリトランジスタMTr1〜4は、積層方向に直列に接続されている。メモリトランジスタMTr5〜8も、同様に積層方向に直列に接続されている。メモリトランジスタMTr1〜8は、その電荷蓄積層に蓄積される電荷の量が変化することで、その閾値電圧が変化する。閾値電圧が変化することにより、メモリトランジスタMTr1〜8が保持するデータが書き替えられる。バックゲートトランジスタBTrは、最下層のメモリトランジスタMTr4とメモリトランジスタMTr5との間に接続されている。従って、メモリトランジスタMTr1〜MTr8、及びバックゲートトランジスタBTrは、カラム方向に沿った断面においてU字形状に接続されている。第1ソース側選択トランジスタSSTr1のドレインは、メモリストリングMSの一端(メモリトランジスタMTr8のソース)に接続されている。第2ソース側選択トランジスタSSTr2のドレインは、第1ソース側選択トランジスタSSTr2のソースに接続されている。第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1のソースは、メモリストリングMSの他端(メモリトランジスタMTr1のドレイン)に接続されている。第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2のソースは、第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1のドレインに接続されている。これらトランジスタSSTr1、2、SDTr1、2は、各々の電荷蓄積層に蓄積される電荷の量が変化することで、異なる閾値電圧を有する。
ロウ方向に一列に配列されたn個のメモリトランジスタMTr1のゲートは、ロウ方向に延びる1本のワード線WL1に共通接続されている。同様に、ロウ方向に一列に配列されたn個のメモリトランジスタMTr2〜8のゲートは、各々、ロウ方向に延びる1本のワード線WL2〜8に共通接続されている。また、ロウ方向及びカラム方向にマトリクス状に配列された2×n個のバックゲートトランジスタBTrのゲートは、バックゲート線BGに共通接続されている。
ロウ方向に一列に配列されたn個の第1ソース側選択トランジスタSSTr1のゲートは、ロウ方向に延びる1本の第1ソース側選択ゲート線SGS1に共通接続されている。同様に、ロウ方向に一列に配列されたn個の第2ソース側選択トランジスタSSTr2のゲートは、ロウ方向に延びる1本の第2ソース側選択ゲート線SGS2に共通接続されている。また、第2ソース側選択トランジスタSSTr2のソースは、ロウ方向に延びるソース線SLに接続されている。
ロウ方向に一列に配列されたn個の第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1のゲートは、ロウ方向に延びる1本の第1ドレイン側選択ゲート線SGD1に共通接続されている。ロウ方向に一列に配列されたn個の第2ソース側選択トランジスタSDTr2のゲートは、ロウ方向に延びる1本の第2ドレイン側選択ゲート線SGD2に共通接続されている。また、第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2のドレインは、カラム方向に延びるビット線BLに接続されている。
次に、図4及び図5を参照して、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の積層構造について説明する。図4は、メモリセルアレイAR1の断面図であり、図5は、図4の一部拡大図である。
メモリセルアレイAR1は、図4に示すように、基板10上にバックゲートトランジスタ層20、メモリトランジスタ層30、選択トランジスタ層40、及び配線層50を有する。バックゲートトランジスタ層20は、バックゲートトランジスタBTrとして機能する。メモリトランジスタ層30は、メモリトランジスタMTr1〜8(メモリストリングMS)として機能する。選択トランジスタ層40は、第1ソース側選択トランジスタSSTr1、第2ソース側選択トランジスタSSTr2、第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1、及び第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2として機能する。配線層50は、ソース線SL、及びビット線BLとして機能する。
バックゲートトランジスタ層20は、図4に示すように、バックゲート導電層21を有する。バックゲート導電層21は、バックゲート線BGとして機能すると共に、バックゲートトランジスタBTrのゲートとして機能する。
バックゲート導電層21は、基板10と平行なロウ方向及びカラム方向に2次元的に広がるように形成されている。バックゲート導電層21は、メモリブロックMB毎に分断されている。バックゲート導電層21は、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
バックゲート導電層20は、図4に示すように、バックゲートホール22を有する。バックゲートホール22は、バックゲート導電層21を掘り込むように形成されている。バックゲートホール22は、上面からみてカラム方向を長手方向とする略矩形状に形成されている。バックゲートホール22は、ロウ方向及びカラム方向にマトリクス状に形成されている。
メモリトランジスタ層30は、図4に示すように、バックゲート導電層20の上層に形成されている。メモリトランジスタ層30は、ワード線導電層31a〜31dを有する。ワード線導電層31a〜31dは、各々、ワード線WL1〜8として機能すると共に、及びメモリトランジスタMTr1〜8のゲートとして機能する。
ワード線導電層31a〜31dは、層間絶縁層(図示略)を挟んで積層されている。ワード線導電層31a〜31dは、カラム方向に所定ピッチをもってロウ方向を長手方向として延びるように形成されている。ワード線導電層31a〜31dは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
メモリトランジスタ層30は、図4に示すように、メモリホール32を有する。メモリホール32は、ワード線導電層31a〜31d、及び図示しない層間絶縁層を貫通するように形成されている。メモリホール32は、バックゲートホール22のカラム方向の端部近傍に整合するように形成されている。
また、バックゲートトランジスタ層20、及びメモリトランジスタ層30は、図5に示すように、メモリゲート絶縁層33、及びメモリ半導体層34を有する。メモリ半導体層34は、メモリトランジスタMTr1〜MTr8(メモリストリングMS)のボディとして機能する。
メモリゲート絶縁層33は、図5に示すように、バックゲートホール22及びメモリホール32の側面に所定の厚みをもって形成されている。メモリゲート絶縁層33は、ブロック絶縁層33a、電荷蓄積層33b、及びトンネル絶縁層33cを有する。電荷蓄積層33bが電荷を蓄積することによりメモリトランジスタMTr1〜8の閾値電圧が変化し、これによりメモリトランジスタMTrが保持するデータがを書き換えられる。
ブロック絶縁層33aは、図5に示すように、バックゲートホール22及びメモリホール32の側面に所定の厚みをもって形成されている。電荷蓄積層33bは、ブロック絶縁層33aの側面に所定の厚みをもって形成されている。トンネル絶縁層33cは、電荷蓄積層33bの側面に所定の厚みをもって形成されている。ブロック絶縁層33a、及びトンネル絶縁層33cは、酸化シリコン(SiO2)にて構成されている。電荷蓄積層33bは、窒化シリコン(SiN)にて構成されている。
メモリ半導体層34は、トンネル絶縁層33cの側面に接するように形成されている。メモリ半導体層34は、バックゲートホール22、及びメモリホール33を埋めるように形成されている。メモリ半導体層34は、ロウ方向からみてU字状に形成されている。メモリ半導体層34は、基板10に対して垂直方向に延びる一対の柱状部34a、及び一対の柱状部34aの下端を連結する連結部34bを有する。メモリ半導体層34は、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
上記バックゲートトランジスタ層20の構成を換言すると、メモリゲート絶縁層33は、連結部34bを取り囲むように形成されている。バックゲート導電層21は、メモリゲート絶縁層33を介して連結部34bを取り囲むように形成されている。また、上記メモリトランジスタ層30の構成を換言すると、メモリゲート絶縁層33は、柱状部34aを取り囲むように形成されている。ワード線導電層31a〜31dは、メモリゲート絶縁層33を介して柱状部34aを取り囲むように形成されている。
選択トランジスタ層40は、図4に示すように、第1ソース側導電層41a、及び第1ドレイン側導電層41bを有する。第1ソース側導電層41aは、第1ソース側選択ゲート線SGS1として機能すると共に、及び第1ソース側選択トランジスタSSTr1のゲートとして機能する。第1ドレイン側導電層41bは、第1ドレイン側選択ゲート線SGD1として機能すると共に、及び第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1のゲートとして機能する。
第1ソース側導電層41aは、メモリ半導体層34を構成する一方の柱状部34aの上層に形成され、第1ドレイン側導電層41bは、第1ソース側導電層41aと同層であって、メモリ半導体層34を構成する他方の柱状部34aの上層に形成されている。第1ソース側導電層41a、及び第1ドレイン側導電層41bは、カラム方向に所定ピッチをもってロウ方向に延びるストライプ状に形成されている。第1ソース側導電層41a、及び第1ドレイン側導電層41bは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
選択トランジスタ層40は、図4に示すように、第1ソース側ホール42a、及び第1ドレイン側ホール42bを有する。第1ソース側ホール42aは、第1ソース側導電層41aを貫通するように形成されている。第1ドレイン側ホール42bは、第1ドレイン側導電層41bを貫通するように形成されている。第1ソース側ホール42a及び第1ドレイン側ホール42bは、各々、メモリホール32と整合する位置に形成されている。
選択トランジスタ層40は、図5に示すように、第1ソース側ゲート絶縁層43a、第1ソース側柱状半導体層44a、第1ドレイン側ゲート絶縁層43b、及び第1ドレイン側柱状半導体層44bを有する。第1ソース側柱状半導体層44aは、第1ソース側選択トランジスタSSTr1のボディとして機能する。第1ドレイン側柱状半導体層44bは、第1ドレイン側柱状半導体層SDTr1のボディとして機能する。
第1ソース側ゲート絶縁層43aは、第1ソース側ホール42aの側面に所定の厚みをもって形成されている。第1ソース側ゲート絶縁層43aは、ブロック絶縁層43aa、電荷蓄積層43ab、及びトンネル絶縁層43acを有する。電荷蓄積層43abは、電荷を蓄積する機能を有する層である。
ブロック絶縁層43aaは、図5に示すように、第1ソース側ホール43aの側面に所定の厚みをもって形成されている。ブロック絶縁層43aaは、ブロック絶縁層33aと連続して一体に形成されている。電荷蓄積層43abは、ブロック絶縁層43aaの側面に所定の厚みをもって形成されている。電荷蓄積層43abは、電荷蓄積層33bと連続して一体に形成されている。トンネル絶縁層43acは、電荷蓄積層43abの側面に所定の厚みをもって形成されている。トンネル絶縁層43acは、トンネル絶縁層33cと連続して一体に形成されている。ブロック絶縁層43aa、及びトンネル絶縁層43acは、酸化シリコン(SiO2)にて構成されている。電荷蓄積層43abは、窒化シリコン(SiN)にて構成されている。
第1ソース側柱状半導体層44aは、第1ソース側ゲート絶縁層43aの側面及び一対の柱状部34aの一方の上面に接し、基板10に対して垂直方向に延びるように柱状に形成されている。第1ソース側柱状半導体層44aは、第1ソース側ホール42aを埋めるように形成されている。第1ソース側柱状半導体層44aは、柱状部34aと連続して一体に形成されている。第1ソース側柱状半導体層44aは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
第1ドレイン側ゲート絶縁層43bは、第1ドレイン側ホール42bの側面に所定の厚みをもって形成されている。第1ドレイン側ゲート絶縁層43bは、ブロック絶縁層43ba、電荷蓄積層43bb、及びトンネル絶縁層43bcを有する。電荷蓄積層43bbは、電荷を蓄積することにより第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1の閾値電圧を変化させる。
ブロック絶縁層43baは、図5に示すように、第1ドレイン側ホール43bの側面に所定の厚みをもって形成されている。ブロック絶縁層43baは、ブロック絶縁層33aと連続して一体に形成されている。電荷蓄積層43bbは、ブロック絶縁層43baの側面に所定の厚みをもって形成されている。電荷蓄積層43bbは、電荷蓄積層33bと連続して一体に形成されている。トンネル絶縁層43bcは、電荷蓄積層43bbの側面に所定の厚みをもって形成されている。トンネル絶縁層43bcは、トンネル絶縁層33cと連続して一体に形成されている。ブロック絶縁層43ba、及びトンネル絶縁層43bcは、酸化シリコン(SiO2)にて構成されている。電荷蓄積層43bbは、窒化シリコン(SiN)にて構成されている。
第1ドレイン側柱状半導体層44bは、第1ドレイン側ゲート絶縁層43bの側面及び一対の柱状部34aの他方の上面に接し、基板10に対して垂直方向に延びるように柱状に形成されている。第1ドレイン側柱状半導体層44bは、第1ドレイン側ホール42bを埋めるように形成されている。第1ドレイン側柱状半導体層44bは、柱状部34aと連続して一体に形成されている。第1ドレイン側柱状半導体層44bは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
また、選択トランジスタ層40は、図4に示すように、第2ソース側導電層45a、及び第2ドレイン側導電層45bを有する。第2ソース側導電層45aは、第2ソース側選択ゲート線SGS2として機能すると共に、及び第2ソース側選択トランジスタSSTr2のゲートとして機能する。第2ドレイン側導電層45bは、第2ドレイン側選択ゲート線SGD2として機能すると共に、及び第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2のゲートとして機能する。
第2ソース側導電層45aは、第1ソース側導電層41aの上層に形成されている。第2ドレイン側導電層45bは、第2ソース側導電層45aと同層であって、第1ドレイン側導電層41bの上層に形成されている。第2ソース側導電層45a、及び第2ドレイン側導電層45bは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
選択トランジスタ層40は、図4に示すように、第2ソース側ホール46a、及び第2ドレイン側ホール46bを有する。第2ソース側ホール46aは、第2ソース側導電層45aを貫通するように形成されている。第2ソース側ホール46aは、第1ソース側ホール42aと整合する位置に形成されている。第2ドレイン側ホール46bは、第2ドレイン側導電層45bを貫通するように形成されている。第2ドレイン側ホール46bは、第1ドレイン側ホール42bと整合する位置に形成されている。
選択トランジスタ層40は、図5に示すように、第2ソース側ゲート絶縁層47a、第2ソース側柱状半導体層48a、第2ドレイン側ゲート絶縁層47b、及び第2ドレイン側柱状半導体層48bを有する。第2ソース側柱状半導体層48aは、第2ソース側選択トランジスタSSTr2のボディとして機能する。第2ドレイン側柱状半導体層48bは、第2ドレイン側柱状半導体層SDTr2のボディとして機能する。
第2ソース側ゲート絶縁層47aは、第2ソース側ホール46aの側面に所定の厚みをもって形成されている。第2ソース側ゲート絶縁層47aは、ブロック絶縁層47aa、電荷蓄積層47ab、及びトンネル絶縁層47acを有する。電荷蓄積層47abは、電荷を蓄積することにより第2ソース側選択トランジスタSSTr2の閾値電圧を変化させる。
ブロック絶縁層47aaは、図5に示すように、第2ソース側ホール46aの側面に所定の厚みをもって形成されている。ブロック絶縁層47aaは、ブロック絶縁層43aaと連続して一体に形成されている。電荷蓄積層47abは、ブロック絶縁層47aaの側面に所定の厚みをもって形成されている。電荷蓄積層47abは、電荷蓄積層43abと連続して一体に形成されている。トンネル絶縁層47acは、電荷蓄積層47abの側面に所定の厚みをもって形成されている。トンネル絶縁層47acは、トンネル絶縁層43acと連続して一体に形成されている。ブロック絶縁層47aa、及びトンネル絶縁層47acは、酸化シリコン(SiO2)にて構成されている。電荷蓄積層47abは、窒化シリコン(SiN)にて構成されている。
第2ソース側柱状半導体層48aは、第2ソース側ゲート絶縁層47aの側面及び第1ソース側柱状半導体層44aの上面に接し、基板10に対して垂直方向に延びるように柱状に形成されている。第2ソース側柱状半導体層48aは、第2ソース側ホール46aを埋めるように形成されている。第2ソース側柱状半導体層48aは、第1ソース側柱状半導体層44aと連続して一体に形成されている。第2ソース側柱状半導体層48aは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
第2ドレイン側ゲート絶縁層47bは、第2ドレイン側ホール46bの側面に所定の厚みをもって形成されている。第2ドレイン側ゲート絶縁層47bは、ブロック絶縁層47ba、電荷蓄積層47bb、及びトンネル絶縁層47bcを有する。電荷蓄積層47bbは、電荷を蓄積することにより第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2の閾値電圧を変化させる。
このように、ドレイン側選択トランジスタSDTr1、SDTr2、SSTr1、SSTr2は、メモリトランジスタMTrと同様の電荷蓄積層43ab、43bb、47ab、47bbを有しており、その電荷蓄積層に蓄積される電荷の電荷量が変化することにより、閾値電圧を変化させ得るように構成されている。本来、選択トランジスタは、このような電荷蓄積層を有する必要はない。しかし、本実施の形態では、製造コストの低減の観点から、これら選択トランジスタも電荷蓄積層を有している。すなわち、選択トランジスタのみ電荷蓄積層を有さないゲート絶縁層を形成する場合、工程数が増加し、製造コストの増加が避けられない。そこで、本実施の形態では、図示は省略するが、導電層31a〜31d、導電層41a、41b、45a、45b、及びそれらの間に挟まれた図示しない層間絶縁層を積層した後、U字型のホールを形成し、その壁面に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜(電荷蓄積層)、酸化シリコン膜を順次堆積し、図5に示すような構造を得ている。
しかし、選択トランジスタのゲート絶縁層が電荷蓄積層を有する場合、メモリセルへの書き込み動作や読み出し動作において、選択トランジスタの電荷蓄積層に正孔又は電子がトラップされてしまい、これにより選択トランジスタの閾値電圧が意図せず変動する虞がある。このため、本実施の形態では、選択トランジスタに対する閾値電圧の調整動作(書き込み動作)を実行可能なように、制御回路AR2は構成されている。
ブロック絶縁層47baは、図5に示すように、第2ドレイン側ホール46bの側面に所定の厚みをもって形成されている。ブロック絶縁層47baは、ブロック絶縁層43baと連続して一体に形成されている。電荷蓄積層47bbは、ブロック絶縁層47baの側面に所定の厚みをもって形成されている。電荷蓄積層47bbは、電荷蓄積層43bbと連続して一体に形成されている。トンネル絶縁層47bcは、電荷蓄積層47bbの側面に所定の厚みをもって形成されている。トンネル絶縁層47bcは、トンネル絶縁層43bcと連続して一体に形成されている。ブロック絶縁層47ba、及びトンネル絶縁層47bcは、酸化シリコン(SiO2)にて構成されている。電荷蓄積層47bbは、窒化シリコン(SiN)にて構成されている。
第2ドレイン側柱状半導体層48bは、第2ドレイン側ゲート絶縁層47bの側面及び第1ドレイン側柱状半導体層44bの上面に接し、基板10に対して垂直方向に延びるように柱状に形成されている。第2ドレイン側柱状半導体層48bは、第2ドレイン側ホール46bを埋めるように形成されている。第2ドレイン側柱状半導体層48bは、第1ドレイン側柱状半導体層44bと連続して一体に形成されている。第2ドレイン側柱状半導体層48bは、ポリシリコン(poly−Si)にて構成されている。
上記選択トランジスタ層40の構成を換言すると、第1ソース側ゲート絶縁層43aは、第1ソース側柱状半導体層44aを取り囲むように形成されている。第1ソース側導電層41aは、第1ソース側ゲート絶縁層43aを介して第1ソース側柱状半導体層44aを取り囲むように形成されている。第1ドレイン側ゲート絶縁層43bは、第1ドレイン側柱状半導体層44bを取り囲むように形成されている。第1ドレイン側導電層41bは、第1ドレイン側ゲート絶縁層43bを介して第1ドレイン側柱状半導体層44bを取り囲むように形成されている。
また、上記選択トランジスタ層40の構成を換言すると、第2ソース側ゲート絶縁層47aは、第2ソース側柱状半導体層48aを取り囲むように形成されている。第2ソース側導電層45aは、第2ソース側ゲート絶縁層47aを介して第2ソース側柱状半導体層48aを取り囲むように形成されている。第2ドレイン側ゲート絶縁層47bは、第2ドレイン側柱状半導体層48bを取り囲むように形成されている。第2ドレイン側導電層45bは、第2ドレイン側ゲート絶縁層47bを介して第2ドレイン側柱状半導体層48bを取り囲むように形成されている。
配線層50は、図4に示すように、選択トランジスタ層40の上層に形成されている。配線層50は、ソース線層51、及びビット線層52を有する。ソース線層51は、ソース線SLとして機能する。ビット線層52は、ビット線BLとして機能する。
ソース線層51は、ロウ方向に延びる板状に形成されている。ソース線層51は、カラム方向に隣接する一対の第2ソース側柱状半導体層48aの上面に接するように形成されている。ビット線層52は、第2ドレイン側柱状半導体層48bの上面に接し、ロウ方向に所定ピッチをもってカラム方向に延びるストライプ状に形成されている。ソース線層51、及びビット線層52は、タングステン(W)等の金属にて構成されている。
次に、図6を参照して、第2ソース側導電層45a、及び第2ドレイン側導電層45bの形状について詳しく説明する。図6は、第2ソース側導電層45a、及び第2ドレイン側導電層45bを示す上面図である。
第2ソース側導電層45a、第2ドレイン側導電層45bは、図6に示すように、各々、垂直方向からみて櫛歯状に形成されている。第2ソース側導電層45aは、ロウ方向に並ぶ複数の第2ソース側柱状半導体層48aを取り囲む複数の直線部451aと、複数の直線部451aの端部を連結する直線部452aとを備える。同様に、第2ドレイン側導電層45bは、ロウ方向に並ぶ複数の第2ドレイン側柱状半導体層48bを取り囲む複数の直線部451bと、複数の直線部451bの端部を連結する直線部452bとを備える。図6に示すように、4つの直線部451aと、2つの直線部451bとが、カラム方向に交互に設けられている。
次に、図7を参照して、制御回路AR2の具体的構成について説明する。図7は、制御回路AR2の具体的構成を示す回路図である。制御回路AR2は、図7に示すように、アドレスデコーダ回路11、電圧生成回路12a、12a’、12b、12c、ワード線駆動回路13a、13b、バックゲート線駆動回路14、選択ゲート線駆動回路15a、15b、ソース線駆動回路16、センスアンプ回路17、シーケンサ18、及びロウデコーダ回路19a、19bを有する。
アドレスデコーダ回路11は、図7に示すように、信号BADをロウデコーダ回路19a、19bに出力する。信号BADは、メモリブロックMB(ブロックアドレス)を指定するための信号である。
電圧生成回路12a、12a’12b、12cは、基準電圧を昇圧又は降圧させて電圧を生成する。電圧生成回路12a(VG1)及び電圧生成回路12a’(VG2)は、図7に示すように、昇圧した電圧をワード線駆動回路13a、13bに転送する。電圧生成回路12a、12a’は、それぞれ異なる電圧を発生させるものであり、以下では、一例として、前者は選択ワード線に供給する電圧を発生させ、後者は非選択ワード線に供給する電圧を発生させるものであるとして説明をする。例えば読み出し動作の場合、電圧生成回路12aが選択ワード線に印加する読み出し電圧VCGRVを発生させ、電圧生成回路12a’が非選択ワード線に印加する読み出しパス電圧Vreadを発生させる。読み出し電圧VCGRVは複数の閾値電圧分布の上限と下限の間の電圧であり、読出しパス電圧Vreadは、最大の閾値電圧分布の上限よりも大きく、メモリセルの保持データのいかんに拘わらずメモリセルを導通させることの出来る電圧である。一方、書込み動作の場合、電圧生成回路12aが選択ワード線に印加するプログラム電圧Vpgm(例えば20V以上)を発生させ、電圧生成回路12a’が非選択ワード線に印加する書き込みパス電圧Vpass(8〜10V程度)を発生させる。書き込み電圧Vpgmは、チャネルに0Vが与えられた場合に、メモリセルの浮遊ゲートに電子を注入させるトンネル電流を発生させるのに十分な大きさの電圧である。一方、書込みパス電圧Vpassは、メモリセルを導通させるが、チャネルに0Vが与えられたとしても浮遊ゲートに電子を注入させるには不十分な大きさの電圧である。なお、電圧生成回路12a、12a’とは別のワード線WLに電圧を供給する回路を設けることも可能である。
また、電圧生成回路12b(VG3)は、昇圧した電圧をソース線駆動回路16に出力する。電圧生成回路12c(VG4)は、昇圧した信号RDECをロウデコーダ回路19a、19bに出力する。
また、電圧生成回路12b(VG3)は、昇圧した電圧をソース線駆動回路16に出力する。電圧生成回路12c(VG4)は、昇圧した信号RDECをロウデコーダ回路19a、19bに出力する。
ワード線駆動回路13aは、図7に示すように、信号VCG1〜4を出力する。ワード線駆動回路13bは、信号VCG5〜8を出力する。信号VCG1〜8は、選択メモリブロックMB<i>のワード線WL1〜8を駆動する際に用いられる。
バックゲート線駆動回路14は、図7に示すように、信号VBGを出力する。信号VBGは、選択メモリブロックMB<i>のバックゲート線BGを駆動する際に用いられる。
選択ゲート線駆動回路15aは、図7に示すように、信号VSGSb、信号VSGDa、信号VSGD2、及び信号VSGOFFを出力する。選択ゲート線駆動回路15bは、信号VSGSa、信号VSGDb、信号VSGS2、及び信号VSGOFFを出力する。信号VSGSa、信号VSGSbは、各々、選択メモリブロックMB<i>の1列目、2列目の第1ソース側選択ゲート線SGS1を駆動する際に用いられる。信号VSGDa、信号VSGDbは、各々、選択メモリブロックMB<i>の1列目、2列目の第1ドレイン側選択ゲート線SGD1を駆動する際に用いられる。信号VSGS2は、選択メモリブロックMB<i>の第2ソース側選択ゲート線SGS2を駆動する際に用いられる。信号VSGD2は、選択メモリブロックMB<i>の第2ドレイン側選択ゲート線SGD2を駆動する際に用いられる。信号VSGOFFは、非選択メモリブロックMB<i>の第1ソース側選択ゲート線SGS1及び第1ドレイン側選択ゲート線SGD1を駆動する際に用いられる。
ここで、上記信号VSGSb、信号VSGDa、及び信号VSGOFFは、選択ゲート線駆動回路15aからロウデコーダ回路19aを介して、各種配線に入力される。一方、信号VSGD2は、信号VSGD2<i>として選択ゲート線駆動回路15aから直接、第2ドレイン側選択トランジスタSDTr2のゲートに入力される。また、信号VSGOFF、信号VSGDb、及び信号VSGSaは、選択ゲート線駆動回路15bからロウデコーダ回路19bを介して、各種配線に入力される。一方、信号VSGS2は、信号VSGS2<i>として選択ゲート線駆動回路15bから直接、第2ソース側選択トランジスタSDTr2のゲートに入力される。また、信号VSGS2、VSGD2は、複数のメモリブロックMBに亘って共通の信号として供給される。
ソース線駆動回路16は、図7に示すように、信号VSLを出力する。信号VSLは、ソース線SLを駆動する際に用いられる。
センスアンプ回路17は、図7に示すように、信号VBL<i>を出力することにより、所定のビット線BLを所定の電圧まで充電し、その後ビット線BLの電圧の変化に基づきメモリストリングMS中のメモリトランジスタMTrの保持データを判定する。また、センスアンプ回路17は、所定のビット線BLに対し書き込みデータに応じた信号VBL<i>を出力する。
シーケンサ18は、図7に示すように、上記回路11〜17に制御信号を供給し、それら回路を制御する。
ロウデコーダ回路19a、19bは、図5に示すように、一つのメモリブロックMBに対して、各々一つ設けられている。ロウデコーダ回路19aは、信号BAD、信号VCG1〜VCG4に基づき、メモリトランジスタMTr1〜MTr4のゲートに信号VCG1<i>〜VCG4<i>を入力する。また、ロウデコーダ回路19aは、信号BAD、信号VSGSb、及び信号SGOFFに基づき、選択的に2列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択トランジスタSSTr1のゲートに信号VSGSb<i>を入力する。また、ロウデコーダ回路19aは、信号BAD、信号VSGDa、及び信号SGOFFに基づき、選択的に1列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1のゲートに信号VSGDa<i>を入力する。
ロウデコーダ回路19aは、NAND回路19aa、NOT回路19ab、電圧変換回路19ac、第1転送トランジスタTra1〜Tra6、及び第2転送トランジスタTrb1、Trb2を有する。電圧変換回路19acは、NAND回路19aa、NOT回路19abを介して受け付けた信号BAD、及び信号RDECに基づき信号VSELa<i>を生成し、第1転送トランジスタTra1〜Tra6のゲートに出力する。また、電圧変換回路19acは、信号BAD、信号RDECに基づき信号VbSELa<i>を生成し、第2転送トランジスタTrb1、Trb2のゲートに出力する。
第1転送トランジスタTra1〜Tra4は、ワード線駆動回路13aと各ワード線WL1〜WL4との間に接続されている。第1転送トランジスタTra1〜Tra4は、信号VCG1〜VCG4、VSELa<i>に基づき、ワード線WL1〜WL4に信号VCG1<i>〜VCG4<i>を出力する。第1転送トランジスタTra5は、選択ゲート線駆動回路15aと2列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1との間に接続されている。第1転送トランジスタTra5は、信号VSGSb、及び信号VSELa<i>に基づき、2列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1に信号VSGSb<i>を出力する。第1転送トランジスタTra6は、選択ゲート線駆動回路15aと1列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1との間に接続されている。第1転送トランジスタTra6は、信号VSGDa、及び信号VSELa<i>に基づき、1列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1に信号VSGDa<i>を出力する。
第2転送トランジスタTrb1は、選択ゲート線駆動回路15aと2列目の第1ソース側選択ゲート線SGS1との間に接続されている。第2転送トランジスタTrb1は、信号VSGOFF、及び信号VbSELa<i>に基づき、2列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1に信号VSGSb<i>を出力する。第2転送トランジスタTrb2は、選択ゲート線駆動回路15aと1列目のメモリユニットMUのドレイン側選択ゲート線SGDとの間に接続されている。第2転送トランジスタTrb2は、信号VSGOFF、及び信号VbSELa<i>に基づき、1列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1に信号VSGDa<i>を出力する。
ロウデコーダ回路19bは、信号BAD、及び信号VCG5〜VCG8に基づき、メモリトランジスタMTr5〜MTr8のゲートに信号VCG5<i>〜VCG8<i>を入力する。また、ロウデコーダ回路19bは、信号BAD、信号VSGSa、及び信号SGOFFに基づき、選択的に1列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択SSTr1のゲートに信号VSGSa<i>を入力する。また、ロウデコーダ回路19bは、信号BAD、信号VSGDb、及び信号SGOFFに基づき、選択的に2列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択トランジスタSDTr1のゲートに信号VSGDb<i>を入力する。
ロウデコーダ回路19bは、NAND回路19ba、NOT回路19bb、電圧変換回路19bc、第1転送トランジスタTrc1〜Trc7、及び第2転送トランジスタTrd1、Trd2を有する。電圧変換回路19bcは、NAND回路19ba、NOT回路19bbを介して受け付けた信号BAD、信号RDECに基づき信号VSELb<i>を生成し、第1転送トランジスタTrc1〜Trc7のゲートに出力する。また、電圧変換回路19bcは、信号BAD、信号RDECに基づき信号VbSELb<i>を生成し、第2転送トランジスタTrd1、Trd2のゲートに出力する。
第1転送トランジスタTrc1〜Trc4は、ワード線駆動回路13bと各ワード線WL5〜WL8との間に接続されている。第1転送トランジスタTrc1〜Trc4は、信号VCG5〜VCG8、VSELb<i>に基づき、ワード線WL5〜WL8に信号VCG5<i>〜VCG8<i>を出力する。第1転送トランジスタTrc5は、バックゲート線駆動回路14とバックゲート線BGとの間に接続されている。第1転送トランジスタTrc5は、信号VBG、及び信号VSELb<i>に基づき、バックゲート線BGに信号VBG<i>を出力する。第1転送トランジスタTrc6は、選択ゲート線駆動回路15bと1列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1との間に接続されている。第1転送トランジスタTrc6は、信号VSGSa、及び信号VSELb<i>に基づき、1列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1に信号VSGSa<i>を出力する。第1転送トランジスタTrc7は、選択ゲート線駆動回路15bと2列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1との間に接続されている。第1転送トランジスタTrc7は、信号VSGDb、及び信号VSELb<i>に基づき、2列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1に信号VSGDb<i>を出力する。
第2転送トランジスタTrd1は、選択ゲート線駆動回路15bと1列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1との間に接続されている。第2転送トランジスタTrd6は、信号VSGOFF、及び信号VbSELb<i>に基づき、1列目のメモリユニットMUの第1ソース側選択ゲート線SGS1に信号VSGSa<i>を出力する。第2転送トランジスタTrd2は、選択ゲート線駆動回路15bと2列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1との間に接続されている。第2転送トランジスタTrd2は、信号VSGOFF、及び信号VbSELb<i>に基づき、2列目のメモリユニットMUの第1ドレイン側選択ゲート線SGD1に信号VSGDb<i>を出力する。
図8は、図7のワード線駆動回路13aの構成を示す回路図である。ワード線駆動回路13bの構成も同様であるので、ここではワード線駆動回路13aの構成のみを説明する。
ワード線駆動回路13aは、転送トランジスタM31、M32、M41、M42、M51、M52、M61及びM62を備えている。一例として、ワード線WL1〜4のいずれかが選択される場合、転送トランジスタM31、M41、M51、M61は、シーケンサ18により導通制御され、いずれか1つのみが選択的に導通状態(ON)となり、残りは全て非導通状態(OFF)となるよう制御される。
ワード線駆動回路13aは、転送トランジスタM31、M32、M41、M42、M51、M52、M61及びM62を備えている。一例として、ワード線WL1〜4のいずれかが選択される場合、転送トランジスタM31、M41、M51、M61は、シーケンサ18により導通制御され、いずれか1つのみが選択的に導通状態(ON)となり、残りは全て非導通状態(OFF)となるよう制御される。
同様に、転送トランジスタM32、M42、M52、M62は、シーケンサ18により導通制御され、いずれか1つのみが選択的に非導通状態(OFF)となり、残りは全て導通状態(ON)となるよう制御される。また、第1転送トランジスタTra3に並列に接続される2つの転送トランジスタM31、M32は、いずれか一方のみが択一的に導通状態とされる。他の転送トランジスタM41、M42、M51、M52、M61、M62も同様の関係となっている。
次に、本実施の形態の電圧生成回路12a、12a’の具体的な回路構成を図9を参照して説明する。なお、下記の説明では、ワード線WLに電圧を供給する電圧生成回路12a、12a’のみが図9の構成を有しているものとして説明する。他の電圧生成回路12b、12cは周知のチャージポンプ回路にて構成することも可能であるし、図9の構成を採用してもよい。また、電圧生成回路12aのみが図9の構成を有し、電圧生成回路12a’を含む他の電圧生成回路はチャージポンプ回路にて構成することも可能である。
電圧生成回路12aは、チャージポンプ回路124と、差動増幅回路121(制御回路)と、PMOSトランジスタM6、M1、M2と、NMOSトランジスタM3と、ダイオードD1、D2と、抵抗122、123とを備えている。
チャージポンプ回路124は、図示は省略するが、周知のように直列接続された複数のダイオードと、その複数のダイオードの接続ノードに一端を接続された複数のキャパシタとから構成されている。これらのキャパシタの他端にクロック信号CLK、/CLKを与えて、基準電圧を所望の昇圧電圧まで昇圧させる。昇圧電圧はPMOSトランジスタM6のソースに供給される。
チャージポンプ回路124は、図示は省略するが、周知のように直列接続された複数のダイオードと、その複数のダイオードの接続ノードに一端を接続された複数のキャパシタとから構成されている。これらのキャパシタの他端にクロック信号CLK、/CLKを与えて、基準電圧を所望の昇圧電圧まで昇圧させる。昇圧電圧はPMOSトランジスタM6のソースに供給される。
PMOSトランジスタM6のドレインは、ノードN4に接続されている。また、PMOSトランジスタM6のゲートは、差動増幅回路121の出力信号により制御される。
ダイオードD2(第2ダイオード)は、ノードN4とノードN1との間に、ノードN4からN1に向かう方向を順方向として接続される。ダイオードD2は、ダイオード接続されたNMOSトランジスタからなり、そのゲート及びドレインはノードN4に接続されている。
また、ダイオードD1(第1ダイオード)は、ノードN1とノードN2との間に、ノードN1からN2に向かう方向を順方向として接続される。ダイオードD1は、ダイオード接続されたPMOSトランジスタからなり、そのゲート及びドレインは、抵抗122の一端(ノードN2)に接続されている。抵抗122と123は、ノードN2と接地端子との間に直列接続されている。抵抗122と123の間の接続ノードは、以下ではノードN5と呼ばれる。
PMOSトランジスタM1は、出力端子OUTとノードN3との間に電流経路を形成するように接続されており、そのゲートはノードN2(ダイオードD1を構成するPMOSトランジスタのドレイン)に接続されている。PMOSトランジスタM1は、出力端子OUTの電圧が所定値以上となった場合に、出力端子OUTの電圧を放電させる機能を有する。
また、PMOSトランジスタM2は、ノードN3と接地端子との間に電流経路を形成するように接続されており、そのゲートはノードN2に接続されている。このPMOSトランジスタM2は、出力端子OUTが放電され所定の電圧になった時、出力端子OUTと接地端子との間の電流経路を遮断するためにある。PMOSトランジスタM2がなく、PMOSトランジスタM1のみであった場合、出力端子OUTが接地端子との間の電流経路は完全に遮断されず、電流が流れてしまうことが生じ得る。出力端子OUTが所定の電圧になった場合、出力端子OUTとノードN1は同電位になる。ノードN2の電位はノードN1の電位よりもトランジスタD1の閾値電圧の分だけ小さく、この電位がPMOSトランジスタM1のゲートに入力される。これにより、PMOSトランジスタM1が導通可能な条件が与えられる。ノードN3とノードN2ではノードN2の方が電位が高いため、PMOSトランジスタM2のゲートにノードN2が入力されることにより、PMOSトランジスタM2は非導通状態に切り替わる。
NMOSトランジスタM3は、出力端子OUTとノードN1との間に電流経路を形成するように接続され、そのゲートはノードN4に接続されている。
差動増幅回路121は、抵抗122と123の接続ノードN5の電圧と参照電圧VREFを差動増幅してその差動増幅信号をPMOSトランジスタM6に出力する。
NMOSトランジスタM3は、出力端子OUTとノードN1との間に電流経路を形成するように接続され、そのゲートはノードN4に接続されている。
差動増幅回路121は、抵抗122と123の接続ノードN5の電圧と参照電圧VREFを差動増幅してその差動増幅信号をPMOSトランジスタM6に出力する。
次に、この電圧生成回路12aの動作を図10及び図11を参照して説明する。ここでは、電圧生成回路12aから、選択ワード線WLjに電圧が供給され、非選択ワード線WLj+1、j−1には電圧生成回路12a’から電圧が供給されているものとして説明する。図10は、例えば選択ワード線WLjの電圧VCGjが、隣接するワード線WLj+1、WLj−1の電圧上昇による容量カップリングにより、所望の値VCGj0以上に上昇した場合の様子を示している。この場合、選択ワード線WLjの電圧VCGjが所望の値VCGj0に収束するまでには相応の時間を要する。これは、半導体記憶装置のパフォーマンスの低下につながる。
図11を参照して、電圧生成回路12aの動作を説明する。今、ワード線WLjの電圧VCGjが電圧値VCGj0を有していたが、容量カップリングにより電圧値VCGj0+αに上昇したと仮定する。このとき、ノードN2の電圧はVCGj0−Vth(ただし、VthはダイオードD1を構成するPMOSトランジスタの閾値電圧)であるので、PMOSトランジスタM1は非導通状態から導通状態に切り替わり、また、PMOSトランジスタM2も非導通状態から導通状態に切り替わる。そして、PMOSトランジスタM1及びM2は、出力ノードOUTが電圧値VCGj0に戻るまで導通状態を維持する。このように、トランジスタM1は、上述のように、容量カップリングによる出力端子OUTの電位上昇が生じた場合に出力端子OUTを放電し、これにより出力端子OUTの電位を早期に所望の電位に収束させる役割を有している。
なお、差動増幅器121は、ノードN1からダイオードD1、及び抵抗122、123を流れる電流によって生成されるノードN5の電圧と参照電圧VREFとを差動増幅して差動増幅信号を出力してトランジスタM6を制御し、これによりノードN1の電位を調整している。
トランジスタM3は、チャージポンプ回路124からPMOSトランジスタM6及びダイオードD2を介して電圧を供給されて導通し、出力電圧OUTを電圧VCGj0まで充電した後非導通状態に切り替わる。その後、上述のように出力端子OUTが電或VCGj0からVCGj0+αまで上昇したとしても、トランジスタM3は導通状態にはならない。ノードN4が電圧VCGj0+Vth’(ただし、Vth’はダイオードD2を構成するNMOSトランジスタの閾値電圧)に充電されており、またノードN1が電圧VCGj0まで充電されているためである。
[効果]
以上、第1の実施の形態の電圧生成回路12aによれば、容量カップリングによるワード線WLの電位上昇があった場合にも、出力端子OUTを即座に放電させ、ワード線WLの電位を所望の電位に迅速に収束させることができる。これにより、半導体記憶装置のパフォーマンスを向上させることができる。
以上、第1の実施の形態の電圧生成回路12aによれば、容量カップリングによるワード線WLの電位上昇があった場合にも、出力端子OUTを即座に放電させ、ワード線WLの電位を所望の電位に迅速に収束させることができる。これにより、半導体記憶装置のパフォーマンスを向上させることができる。
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図12を参照して説明する。この第2の実施の形態の全体構造は、第1の実施の形態と略同一である。異なるのは、電圧生成回路12a、12a’の構造である。なお、図12において、第1の実施の形態と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、以下ではその詳細な説明は省略する。
次に、第2の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図12を参照して説明する。この第2の実施の形態の全体構造は、第1の実施の形態と略同一である。異なるのは、電圧生成回路12a、12a’の構造である。なお、図12において、第1の実施の形態と同一の構成要素については同一の参照符号を付し、以下ではその詳細な説明は省略する。
本実施の形態の電圧生成回路12a、12a’は、第1の実施の形態(図9)の構成要素に加え、更にNMOSトランジスタM4及びM5を備えている。NMOSトランジスタM4は、電圧生成回路12aの出力端子OUTと、電圧生成回路12a’の出力端子OUT’との間に電流経路を形成し得るように(換言すれば、短絡し得るように)接続される。そして、このNMOSトランジスタM4のゲートには、イネーブル信号ENB1が与えられている。イネーブル信号ENB1は、例えば読出し動作が開始される直後において、所定期間”H”となる信号である。
一方、NMOSトランジスタM5は、PMOSトランジスタM2のドレインと接地端子との間に接続され、ゲートにはイネーブル信号ENB2を与えられている。イネーブル信号ENB2は、例えば読出し動作の開始後イネーブル信号ENB1が”H”に立ち上がった後”L”に戻る直後において、所定期間”H”となる信号である。すなわち、第2の実施の形態のPMOSトランジスタM1及びM2は、イネーブル信号ENB2が”H”となった後にディスチャージ動作が可能な状態に移行する。
次に、この図12の電圧生成回路12a、12a’の動作について、図13も参照しつつ説明する。ここでは、読出し動作が行われる場合を例にとって説明する。時刻t1において、電圧生成回路12a、12a’の中のチャージポンプ回路124が動作を開始する。これと同時にイネーブル信号ENB1が”H”に立ち上がり、NMOSトランジスタM4が導通状態に切り替わる。これにより、電圧生成回路12aの出力端子OUT、及び電圧生成回路12a’の出力端子OUT’の出力電圧は上昇を開始する。そして、NMOSトランジスタM4が導通していて出力端子OUT、OUT’が短絡されているため、両出力電圧は共に読出しパス電圧Vreadまで上昇する。
その後時刻t2において、イネーブル信号ENB1は再び”L”に戻り、代わってイネーブル信号ENB2が”H”に立ち上がる。出力端子OUTとOUT’は電気的に遮断されて、それぞれ電圧生成回路12a、12a’においてその出力電圧を制御される。具体的には、出力端子OUTは電圧生成回路12aにおいて設定された参照電圧VREFに従った電圧(ここでは読出し電圧VCGRV)を供給され、出力端子OUT’は、電圧生成回路12a’において設定された参照電圧VREF’に従った電圧(ここでは読出しパス電圧Vread)を供給される。
また、イネーブル信号ENB2が”H”に立ち上がることにより、NMOSトランジスタM1及びM2が動作可能な状態となり、これにより出力端子OUTの出力電圧は、所望の電圧VCGRVに向けてディスチャージされる。
[効果]
この第2の実施の形態によっても、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、電圧生成回路12a、12a’の出力端子間を短絡する機能を有するNMOSトランジスタM4を設けたことにより、出力端子OUTと出力端子OUT’の電位を同一にすることができる。第1の実施の形態の場合、容量カップリングにより選択ワード線WLjがどの程度の電位まで上昇するのかを設計段階で正確に特定することは容易ではない。一方、本実施の第2形態のように、選択ワード線WLjの電位を非選択ワード線WLj+1、WLj−1まで上昇させる形式の場合、トランジスタM1及びM2が担うべき放電能力は確定している(Vread−Vcgrv)。したがって、トランジスタM1及びM2のサイズ等を含めた設計が容易になるというメリットがある。
この第2の実施の形態によっても、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、電圧生成回路12a、12a’の出力端子間を短絡する機能を有するNMOSトランジスタM4を設けたことにより、出力端子OUTと出力端子OUT’の電位を同一にすることができる。第1の実施の形態の場合、容量カップリングにより選択ワード線WLjがどの程度の電位まで上昇するのかを設計段階で正確に特定することは容易ではない。一方、本実施の第2形態のように、選択ワード線WLjの電位を非選択ワード線WLj+1、WLj−1まで上昇させる形式の場合、トランジスタM1及びM2が担うべき放電能力は確定している(Vread−Vcgrv)。したがって、トランジスタM1及びM2のサイズ等を含めた設計が容易になるというメリットがある。
[その他]
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記の実施の形態では、3次元型のNAND型フラッシュメモリを例に取って説明したが、本発明は、半導体基板の表面にNANDセルユニットが形成された平面型のNAND型フラッシュメモリにも適用可能である。
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記の実施の形態では、3次元型のNAND型フラッシュメモリを例に取って説明したが、本発明は、半導体基板の表面にNANDセルユニットが形成された平面型のNAND型フラッシュメモリにも適用可能である。
AR1…メモリセルアレイ、MB…メモリブロック、MS…メモリストリング、 MTr1〜MTr8…メモリトランジスタ、 SSTr1、SSTr2…ソース側選択トランジスタ、 SDTr1、SDTr2…ドレイン側選択トランジスタ、 BTr…バックゲートトランジスタ、 AR2…制御回路。
Claims (5)
- メモリセルを配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセルに接続される第1配線と、
前記メモリセルからの信号を供給される第2配線と、
前記第1の配線に供給する第1電圧を制御する第1電圧制御回路と
を備え、
前記第1電圧制御回路は、
第1ノードと第2ノードとの間に接続され前記第1ノードから前記第2ノードに向かう方向を順方向とする第1ダイオードと、
出力ノードと第3ノードとの間に接続されそのゲートを前記第2ノードに接続される第1導電型の第1トランジスタと、
前記第3ノードと第4ノードとの間に接続されるとともにゲートを前記第2ノードに接続された第1導電型の第2トランジスタと、
前記出力ノードと前記第1ノードとの間に接続される第2導電型の第3トランジスタと、
前記第1ノードと前記第4ノードとの間に接続され前記第4ノードから第1ノードへ向かう方向を順方向とする第2ダイオードと、
前記第4ノードに電圧を供給する電圧発生回路と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1電圧とは異なる値を有し前記第1配線に供給される第2電圧を制御する第2電圧制御回路と、
前記第1電圧制御回路の出力端子と前記第2制御回路の出力端子とを短絡する第4トランジスタと
を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記第2トランジスタと前記接地端子との間に接続される第5トランジスタを更に備え、
前記第4トランジスタは、第1のイネーブル信号を与えられて第1の期間導通し、
前記第5トランジスタは、第2のイネーブル信号を与えられて前記第1の期間の後の第2の期間において導通状態とされる
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記第4ノードと前記電圧発生回路との間に接続される第6トランジスタを更に備え、
前記出力ノードの電圧に基づいて前記第6トランジスタの導通制御を行う制御回路と
を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記第1電圧とは異なる値を有し前記第1配線に供給される第2電圧を制御する第2電圧制御回路と、
前記第1電圧制御回路の出力端子と前記第2制御回路の出力端子とを短絡する第4トランジスタと
を更に備えたことを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012109895A JP2013239215A (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 半導体記憶装置 |
US13/784,638 US8873299B2 (en) | 2012-05-11 | 2013-03-04 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012109895A JP2013239215A (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013239215A true JP2013239215A (ja) | 2013-11-28 |
Family
ID=49548490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012109895A Pending JP2013239215A (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8873299B2 (ja) |
JP (1) | JP2013239215A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058118A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JP2016126663A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 富士通株式会社 | 商品決済プログラム、システム、方法、及び装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014187176A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2015060602A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR102401056B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2022-05-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102392661B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2022-04-29 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 전압 생성기, 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법 |
JP2023001829A (ja) * | 2021-06-21 | 2023-01-06 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10283786A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-10-23 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の内部電圧供給回路 |
JPH11238391A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-08-31 | Toshiba Corp | 半導体回路 |
JP2003142999A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Nec Electronics Corp | 内部降圧回路 |
JP2003223787A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-08-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 内部電源電圧発生回路 |
JP2011008875A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014049144A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3486079B2 (ja) * | 1997-09-18 | 2004-01-13 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US7149110B2 (en) * | 1999-01-14 | 2006-12-12 | Silicon Storage Technology, Inc. | Seek window verify program system and method for a multilevel non-volatile memory integrated circuit system |
JP3983940B2 (ja) | 1999-06-28 | 2007-09-26 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体メモリ |
KR20020091581A (ko) * | 2001-05-31 | 2002-12-06 | 삼성전자 주식회사 | 진행성 결함 특성을 갖는 메모리 셀을 검사할 수 있는플래시 메모리 장치 |
KR100439045B1 (ko) | 2001-06-29 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 워드 라인 전압 클램핑 회로 |
KR100474200B1 (ko) | 2002-07-18 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리의 로우 디코더 및 이를 이용한 플래시메모리 셀의 소거 방법 |
JP4426361B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-03 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4709524B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US7362084B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-04-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | Fast voltage regulators for charge pumps |
JP2008047219A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | Nand型フラッシュメモリ |
JP2009238874A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | 半導体メモリ及びその製造方法 |
US7764563B2 (en) * | 2008-11-26 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Adjustable voltage regulator for providing a regulated output voltage |
US8493795B2 (en) * | 2009-12-24 | 2013-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage stabilization device and semiconductor device including the same, and voltage generation method |
-
2012
- 2012-05-11 JP JP2012109895A patent/JP2013239215A/ja active Pending
-
2013
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10283786A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-10-23 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の内部電圧供給回路 |
JPH11238391A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-08-31 | Toshiba Corp | 半導体回路 |
JP2003142999A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Nec Electronics Corp | 内部降圧回路 |
JP2003223787A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-08-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 内部電源電圧発生回路 |
JP2011008875A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014049144A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016058118A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JP2016126663A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 富士通株式会社 | 商品決済プログラム、システム、方法、及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130301354A1 (en) | 2013-11-14 |
US8873299B2 (en) | 2014-10-28 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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