JP2013229548A - 電子部品内蔵基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子部品内蔵基板1は、複数の絶縁層(樹脂基板20及び樹脂層21)とそれぞれ配線パターンを含む複数の配線層L1,L2とが交互に積層された積層体Gと、裏面10bが積層体Gと接するように積層体Gの表面に載置された半導体チップ10と、積層体Gを貫通して半導体チップ10の裏面10bと接触し、かつ配線層L1,L2それぞれに含まれる配線パターンPL,GLと接触する第1のビア導体TVとを備える。
【選択図】図1
Description
2 マザーボード
3 実装部品
10 半導体チップ
10a 半導体チップ10の主面
10b 半導体チップ10の裏面
10m,10m1,10m2 金属膜
11 端子
20 樹脂基板
20a 樹脂基板20の主面
20b 樹脂基板20の裏面
21〜23 樹脂層
25 保護絶縁膜
26 バンプ
30,31,34,35,39,40 導体膜
30a,50a 開口部
32,33,36,37,38 ビアホール
50 配線パターン
G 積層体
GL,PL 電源配線である配線パターン
H 発熱領域
L1〜L4 配線層
S1〜S5 信号配線である配線パターン
TV,V12,V23,V3C,V34 ビア導体
Claims (13)
- 複数の絶縁層とそれぞれ配線パターンを含む複数の配線層とが交互に積層された積層体と、
裏面が前記積層体と接するように前記積層体の表面に載置された半導体チップと、
前記積層体を貫通して前記半導体チップの前記裏面と接触し、かつ前記複数の配線層それぞれに含まれる配線パターンと接触する第1のビア導体と
を備えることを特徴とする電子部品内蔵基板。 - 前記積層体は、
第1の絶縁層を構成する樹脂基板と、
それぞれ前記樹脂基板の裏面及び主面に形成された第1及び第2の配線パターンと、
前記第2の配線パターンを覆う第2の絶縁層とを有し、
前記第1のビア導体は、前記第1及び第2の配線パターンと接触する
ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記第1及び第2の配線パターンは、第1の電源電位が供給される電源配線である
ことを特徴とする請求項2に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記第1の電源電位は接地電位である
ことを特徴とする請求項3に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記積層体は、それぞれ前記樹脂基板の裏面及び主面に形成された第3及び第4の配線パターンをさらに有し、
前記第2の絶縁層は前記第4の配線パターンも覆い、
前記電子部品内蔵基板は、前記積層体を貫通して前記半導体チップの前記裏面と接触し、かつ前記第3及び第4の配線パターンと接触する第2のビア導体をさらに備える
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記第1及び第2の配線パターンは、第1の電源電位が供給される電源配線であり、
前記第3及び第4の配線パターンは、前記第1の電源電位とは異なる第2の電源電位が供給される電源配線である
ことを特徴とする請求項5に記載の電子部品内蔵基板。 - 複数の前記第1のビア導体と、
複数の前記第2のビア導体と
を備えることを特徴とする請求項5又は6のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記半導体チップの前記裏面では、半導体が剥き出しになっている
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記半導体チップの前記裏面が粗化されている
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記半導体チップの裏面の少なくとも一部は導電性の材料によって構成され、
前記第1のビア導体は、前記半導体チップの前記裏面のうち前記導電性の材料によって構成される部分と接触する
ことを特徴とする請求項1乃至4に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記半導体チップの裏面は、それぞれ導電性の材料によって構成される第1及び第2の部分を有し、
前記第1の部分を構成する前記導電性の材料と、前記第2の部分を構成する前記導電性の材料とは互いに導通しないよう構成され、
前記第1のビア導体は、前記第1の部分で前記半導体チップの前記裏面と接触し、
前記第2のビア導体は、前記第2の部分で前記半導体チップの前記裏面と接触する
ことを特徴とする請求項5乃至7に記載の電子部品内蔵基板。 - 主面に第2の配線パターンが形成され、裏面に導体膜が形成された樹脂基板の前記主面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
半導体チップの裏面を前記絶縁層側に向けた状態で、該半導体チップを前記絶縁層の表面に載置する載置ステップと、
前記導体膜、前記樹脂基板、前記第2の配線パターン、及び前記絶縁層を貫通し、底面に前記半導体チップの前記裏面を露出させるビアホールを形成するビアホール形成ステップと、
前記ビアホール内に、該ビアホールの内部で前記導体膜及び前記第2の配線パターンと導通するビア導体を形成するビア導体形成ステップと、
前記導体膜をパターニングすることにより第1の配線パターンを形成する配線パターン形成ステップと
を備えることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。 - 前記第2の配線パターンに第2の開口部を形成する第2の開口部形成ステップと、
前記導体膜に第1の開口部を形成する第1の開口部形成ステップとをさらに備え、
前記ビアホール形成ステップでは、前記第1の開口部を介して前記絶縁層及び前記樹脂基板に穿孔し、
前記第2の開口部は、平面的に見て前記第1の開口部と重複する領域の内側に形成される
ことを特徴とする請求項12に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
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