JP2021174795A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体装置100の断面図である。図2は、半導体装置100の斜視図である。図3は、半導体装置100に冷却器のバスバー110が取り付けられた状態を示す平面図である。図4は、半導体装置100に冷却器のバスバー110が取り付けられた状態を示す断面図である。図5は、半導体装置100が縦方向に2つ配置され、これらに冷却器のバスバー110が取り付けられた状態を示す断面図である。
次に、実施の形態2に係る半導体装置100Aについて説明する。図6は、実施の形態2に係る半導体装置100Aの断面図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態3に係る半導体装置100Bについて説明する。図7は、実施の形態3に係る半導体装置100Bの断面図である。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態4に係る半導体装置100Cについて説明する。図8は、実施の形態4に係る半導体装置100Cの断面図である。なお、実施の形態4において、実施の形態1〜3で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態5に係る半導体装置100Dについて説明する。図9は、実施の形態5に係る半導体装置100Dの断面図である。なお、実施の形態5において、実施の形態1〜4で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態6に係る半導体装置100Eについて説明する。図10は、実施の形態6に係る半導体装置100Eの断面図である。なお、実施の形態6において、実施の形態1〜5で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (8)
- 横方向に間隔をあけて配置された2つの基板と、
2つの前記基板に跨って搭載された半導体素子と、
一端部が前記半導体素子の表面に接続された第1接続部材と、
一端部が前記半導体素子の裏面における2つの前記基板から露出する部分に接続された第2接続部材と、
2つの前記基板、前記半導体素子、前記第1接続部材、および前記第2接続部材を封止する封止材と、
前記第1接続部材の他端部と電気的に接続され、かつ、一方の前記基板の表面側から上方に延び、上端部が前記封止材から露出する第1電極端子と、
前記第2接続部材の他端部と電気的に接続され、かつ、一方の前記基板の裏面側から下方に延び、下端部が前記封止材から露出する第2電極端子と、を備え、
前記第1電極端子および前記第2電極端子は、放熱機能を有し、前記半導体素子に対して横方向に離間する位置に設けられた、半導体装置。 - 前記第1接続部材および前記第2接続部材は、それぞれダイレクトリードボンディングを行うための第1電極および第2電極であり、
一方の前記基板の表面に設けられかつ前記第1電極の他端部と前記第1電極端子とを電気的に接続する第1回路パターンと、一方の前記基板の裏面に設けられかつ前記第2電極の他端部と前記第2電極端子とを電気的に接続する第2回路パターンとをさらに備えた、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1接続部材および前記第2接続部材は、それぞれダイレクトリードボンディングを行うための第1電極および第2電極であり、
前記第1電極および前記第2電極は、前記第1電極端子および前記第2電極端子にそれぞれ直に接続された、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1電極または前記第2電極に代えて、前記半導体素子の表面と前記第1回路パターンとを接続、または前記半導体素子の裏面における2つの前記基板から露出する部分と前記第2回路パターンとを接続するワイヤを備えた、請求項2に記載の半導体装置。
- 表面から裏面にかけて貫通する複数のスルーホールを有する基板と、
前記基板の表面と裏面にそれぞれ設けられ、複数の前記スルーホールを介して導通する第1回路パターンおよび第2回路パターンと、
前記第1回路パターンに搭載された半導体素子と、
一端部が前記半導体素子の表面に接続された第1接続部材と、
一端部が前記第2回路パターンに接続された第2接続部材と、
前記基板、前記第1回路パターン、前記第2回路パターン、前記半導体素子、前記第1接続部材、および前記第2接続部材を封止する封止材と、
前記第1接続部材の他端部と電気的に接続され、かつ、前記基板の表面側から上方に延び、上端部が前記封止材から露出する第1電極端子と、
前記第2接続部材の他端部と電気的に接続され、かつ、前記基板の裏面側から下方に延び、下端部が前記封止材から露出する第2電極端子と、を備え、
前記第1電極端子および前記第2電極端子は、放熱機能を有し、前記半導体素子に対して横方向に離間する位置に設けられた、半導体装置。 - 表面と裏面が露出した状態で回路パターンが埋め込まれた基板と、
前記回路パターンの表面に搭載された半導体素子と、
一端部が前記半導体素子の表面に接続された第1接続部材と、
一端部が前記回路パターンの裏面に接続された第2接続部材と、
前記基板、前記半導体素子、前記第1接続部材、および前記第2接続部材を封止する封止材と、
前記第1接続部材の他端部と電気的に接続され、かつ、前記基板の表面側から上方に延び、上端部が前記封止材から露出する第1電極端子と、
前記第2接続部材の他端部と電気的に接続され、かつ、前記基板の裏面側から下方に延び、下端部が前記封止材から露出する第2電極端子と、を備え、
前記第1電極端子および前記第2電極端子は、放熱機能を有し、前記半導体素子に対して横方向に離間する位置に設けられた、半導体装置。 - 前記第1接続部材および前記第2接続部材は、それぞれダイレクトリードボンディングを行うための第1電極および第2電極である、請求項5または請求項6に記載の半導体装置。
- 前記封止材の外周に凹凸部が設けられた、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。
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JP2013229548A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-11-07 | Tdk Corp | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
WO2014050389A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
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