JP2013219382A - 改善されたカラークロストークを有するイメージセンサ - Google Patents
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Abstract
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第1導電型の基板と、該第1導電型の基板にア
レイされた第1ピクセル及び第2ピクセルと、該第2ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第1ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第2ピクセルは、前記第1ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記P型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。
【選択図】図2
Description
型ピクセルを有するイメージセンサに関する。
ドフォトダイオード(pinned photodiode)と、4つのトランジスタと
で構成される。フォトダイオードは、後で電荷を伝達するトランスファトランジスタによ
り、適切な瞬間に電荷検出ノードのフローティング拡散(FD:Floating Di
ffusion)ノードに伝達される光生成電荷を収集する。一方、FDノードは、電荷
が伝達される前に、適切な基準電圧にリセットされなければならない。リセットにより、
kTCノイズが発生し、これがFDノードの示す信号に付加される。したがって、FDノ
ードの電圧を、電荷の伝達前に1回、電荷の伝達後に1回の計2回読み出す必要がある。
この動作を、CDS(Correlated Double Sampling)といい
、これは、フォトダイオードから伝達された電荷によって生じるノードの電圧差のみを感
知する。
圧(Vdd)に接続されたドレイントランジスタとアドレストランジスタとを介して共通
の列感知線に接続されたソースにより、FDノードの電圧の感知を行う。このような理由
から、通常のCMOSイメージセンサは、それぞれのピクセルに4つのトランジスタ(4
T)を備える必要がある。ピンドフォトダイオードを有する4Tピクセル回路の例は、L
eeによる米国特許第5,625,210号で確認することができる。
657,665 B1の例から分かるように、種々のフォトダイオードのための回路は、
共有することができる。この特許において、デュアルピクセルは、センサイメージアレイ
の隣接する行に位置し、同じ回路を共有する2つのフォトダイオードで構成される。
ーフィルタをフォトダイオード上に配置することによって達成される。青色フィルタ10
1は、緑色光及び赤色光を吸収し、青色の光子のみがフォトダイオード領域の下に入るよ
うにする。これと同様に、緑色フィルタ102は、青色光及び赤色光を吸収し、緑色の光
子のみがシリコンバルクの下に入るようにする。青色及び緑色の光子は、高いエネルギー
を有し、それにより、シリコンバルク、すなわち、高濃度のP+型でドープされたP+型
基板106の表面から深さXgに位置するシリコンバルク内の特定領域104へ速やかに
吸収される。一方、赤色の光子は、低いエネルギーを有し、シリコンバルク内にさらに深
く浸透する。赤色の光子は、何らかの光電子を発生させる前に、深さXepiに位置する
P型エピタキシャル層(P−エピタキシャル)と高濃度のP+型基板106との間の界面
105にまで浸透する。このとき、前記界面105は、深さXrに位置する。
する正孔と速やかに再結合し、「赤色」のフォトダイオードでは収集されない。一方、非
空乏エピタキシャル層109で発生した電子108は、寿命が非常に長く、空乏領域11
0の境界に到達するまで、横拡散及び縦拡散を自由に行う。空乏領域の境界は、シリコン
表面から深さXd1に位置する。電子111が空乏領域に入ると、電子は、N型領域11
2に位置した、対応するフォトダイオードのポテンシャル井戸内に速やかに拡散する。N
型領域112及びP+型ピン止め層113により、フォトダイオードは、シリコン表面の
近くに形成される。このような構造を、ピンドフォトダイオードという。また、P+型ピ
ン止め層113は、シリコン表面内でエッチングされ、フォトサイトを分離し、対応する
電気回路を互いに孤立させるSTI領域114の側面及び底部に沿って延長する。STI
領域114は、シリコン二酸化物で満たされている。さらに、シリコン二酸化物は、フォ
トダイオードの表面領域全体を覆い、トランスファゲート117の下に延長する。前記S
TI領域114に満たされたシリコン二酸化物は、「115」で示し、フォトダイオード
の表面全体を覆い、トランスファゲート117の下に延長したシリコン二酸化物は、「1
16」で示している。また、トランスファゲート117は、多結晶シリコンで形成される
。
加されると、フォトダイオードのポテンシャル井戸に格納された電子の電荷は、N+型ド
ーピングによって形成され、電圧の変化をもたらすFDノード119上に伝達される。そ
の後、この電圧の変化は、ワイヤ120(概略的に図示)によってFDノードに接続され
た適切な増幅器(SF)により感知される。電圧の変化は、所望の信号を表す。フォトダ
イオード及びポリシリコン系のトランスファゲート117は、通常、シリコン二酸化物又
はシリコン二酸化物の多重層により形成される別の層121によって覆われ、カラーフィ
ルタの配置前に別の透明膜がその上に配置される。その後、マイクロレンズがフィルタ上
に配置され(図示せず)、フォトダイオードの表面領域上に光を集中させる。
拡散を行い、隣接するフォトダイオードの空乏領域に入ることができる。赤色光発生電子
が、緑色又は青色の誤ったフォトダイオード井戸にあれば、不要なカラークロストークが
発生させる。このような問題は、ピクセル縦寸法が5μm程度で、かつ横寸法が2μm以
下の小型ピクセルで著しい。同問題を防止するため、エピタキシャル層の厚さ(すなわち
、深さXrの界面105)を減少させ、それにより、非空乏エピタキシャル層109の厚
さを減少させるか、又はXd1に位置する空乏領域110の境界を深さXd2にまで延長
することが可能である。
生し、これにより、そこにある正孔と再結合して信号に寄与することができなくなる。適
切な赤色光応答のためには、5.0μm程度又はそれ以上のエピタキシャル層の厚さを有
することが好ましい。
ためにエピタキシャル層を浅くドープすると、暗電流が多く発生し、これは、前記エピタ
キシャルのドーピングレベルのための分離された空乏層の境界122が示されているよう
に、シリコン表面の近傍に位置するP+型の中間領域113の不連続及び分離をもたらす
。このような問題が発生すると、ピクセルの上部に位置する金属ワイヤといった別の手段
によって別の電気接続をP+型領域の表面に提供する必要がある。しかし、これは、ピク
セル開口効率、すなわち、最終ピクセル量子効率を低減させてしまう。
するイメージセンサを提供することにある。
導電型の基板にアレイされた第1ピクセル及び第2ピクセルと、該第2ピクセルに該当す
る前記基板内には配置されることなく、前記第1ピクセルに該当する前記基板内に配置さ
れたポテンシャル障壁とを備える。
なカラークロストークを発生させる。これは、青色光及び/又は緑色光を受け取るピクセ
ルの下には、クロストークを遮断するポテンシャル障壁を備え、赤色光を受け取るピクセ
ルの下には、ポテンシャル障壁を備えないことによって達成される。
て形成するか、又はP型エピタキシャル層の成長中に低エネルギーのイオン注入によって
形成することも可能である。
リコンバルク内の深さで赤色光によって発生するキャリアが、「赤色」のフォトダイオー
ド(赤色フィルタの下のフォトダイオード)にのみ流れ込むように誘導し、そこに集まる
ように集中させる。また、深いボロン注入は、不完全な青色フィルタ及び緑色フィルタを
貫通する残りの赤色光によって発生するキャリアを再誘導し、「青色」及び「緑色」のフ
ォトダイオードの下のシリコンバルク内の深さで発生したキャリアをも「赤色」のフォト
ダイオードに流れ込むようにする。
に、不完全な青色及び緑色のカラーフィルタにより生じるカラークロストークをも改善す
る。その結果、ピクセルサイズが非常に小さく、かつ高性能及び小さなカラークロストー
クを有するCMOSセンサアレイを設けることが可能となる。
スファトランジスタ208を備えるイメージセンサのピクセルを簡略に示す断面図である
。フォトダイオード領域上に配置された層間透明誘電膜204上に、青色フィルタ201
、緑色フィルタ202、及び赤色フィルタ203が配置されている。P+型ドープ層21
7は、N型ドープ層210と共に、ピンドフォトダイオードを構成する。P+型ドープ層
217は、STI領域206の側面及び底部領域を含むシリコンの露出した表面全体にわ
たって延長する。STI領域206は、酸化物207で満たされている。また、別の酸化
物層205は、シリコンの表面全体を覆い、ポリシリコン系のトランスファゲート208
の下に延長する。N+型ドープ層209は、増幅器(SF)(図示せず)に接続されたF
Dノードを形成する。
ク内の深さXd1で形成される。高エネルギーのボロンイオン注入により形成されたP型
ドープ層212は、ポテンシャル障壁として機能する。この層は、空乏領域211の下の
深さXgで「青色」及び「緑色」のフォトダイオードの下にのみ位置し、ここで、ほとん
どの緑色及び青色の光子は、既に電子215に転換されている。この電子215は、空乏
領域211のエッジから、短距離においては上方に移動し、N型ドープ層210に位置す
るフォトダイオードのポテンシャル井戸内に速やかに拡散する。縦拡散距離が非常に短く
なり得ることから、横拡散及びそれに伴うカラークロストークの発生の可能性は低い。ま
た、P型ドープ層212が電子に対して小さなポテンシャル障壁を形成し、電子の横拡散
を防止することにより、赤色光発生電子216も上方に誘導される。さらに、P型ドープ
層212の下の赤色光発生電子214も、ポテンシャル障壁を克服することができず、P
型ドープ層212の周辺に拡散して赤色のフォトダイオードのポテンシャル井戸に到達し
なければならない。これは、不完全なカラーフィルタにより生じるカラークロストークを
より一層改善する。
ドへの横拡散を低減させることなく、赤色光電子への効率的な変換のための、適切かつ充
分な深さXrを有することができる。P型エピタキシャル層とP+型基板との界面213
は、赤色光電子への変換をさらに向上させるため、通常よりもシリコン内においてより深
く配置することができる。また、最小暗電流及び表面のP+型ドープ層217とP+型基
板218との導電性接続を向上させるため、P型エピタキシャル層のドーピングを最適化
することができる。上の説明から、この分野の現在の技術状態に比べて、シリコンバルク
のピクセル縦横比、すなわち、ピクセル横寸法に対する効果的なピクセルシリコンの厚さ
が、カラークロストークへの否定的な影響なく著しく増加できることは明らかである。
のため、赤色光による光生成電荷は、P型エピタキシャル層のより深い領域で生成され得
る。したがって、これを考慮して、適切な深さXgでP型ドープ層212が形成される。
り、共有されるピクセル回路を本発明に利用することもできることが分かる。すなわち、
各ピクセルは、光生成電荷を電気的信号として読み出すための回路を共有し、共有される
回路は、共有されるフローティング拡散ノードによって光生成電荷を読み出すことができ
る。
における通常の知識を有する者にとって明らかであり、これは、本発明の他の実施形態を
示す。
ならないのではなく、P型ドープ層212がエピタキシャル層の成長中に形成され得るこ
とは、当該技術分野における通常の知識を有する者にとって明らかである。エピタキシャ
ル成長は、厚さXrと厚さXgとの間で止めることができ、ボロンは、低エネルギーのイ
オン注入によって注入するか、又は別の手段によって配置することが可能である。その後
、エピタキシャル成長は、本来の厚さXrを完成するまで継続させることができる。これ
は、本発明のさらなる実施形態を示す。
てもよく、他の類似したP型ドープ層が深さXgよりも浅い深さXb(図示せず)で「青
色」のフォトダイオードの下にのみ配置してもよいことは、当該技術分野における通常の
知識を有する者にとって明らかである。これもまた、本発明のさらなる実施形態を示す。
ドープ層を備え、赤色のフォトダイオードの下には備えないことにより、小さいピクセル
サイズ、優れた赤色光応答及び小さなカラークロストークを有する固体CMOSイメージ
センサを提供する。
ピクセルの好ましい実施形態を説明しており、これは、深いP型領域を緑色及び青色のフ
ォトダイオードの下に備え、赤色のフォトダイオードの下には備えないことによって達成
される。このような改善及び革新は、例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常
の知識を有する者が上記の説明に基づいた変形例を作り出すことができることは言うまで
もない。また、本発明のイメージセンサに関する実施形態は、CMOSイメージセンサに
も適用可能である。
術的思想の範囲から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術
的範囲に属する。
202 緑色フィルタ
203 赤色フィルタ
208 トランスファゲート
209 N+型ドープ層
211 空乏領域
212 P型ドープ層
218 P+型基板
Claims (14)
- 第1導電型の基板と、
該第1導電型の基板にアレイされた第1ピクセル及び第2ピクセルと、
該第2ピクセルに該当する前記基板内には配置されることなく、前記第1ピクセルに該
当する前記基板内に配置されたポテンシャル障壁と
を備えることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記ポテンシャル障壁が、第1導電型のドープ層であることを特徴とする請求項1に記
載のイメージセンサ。 - 前記第2ピクセルが、前記第1ピクセルに対応するカラーよりも相対的に長波長を有す
るカラーに対応するものであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第2ピクセルが、赤色を感知する第1光吸収カラーフィルタを有し、
前記第1ピクセルが、緑色又は/及び青色を感知する第2光吸収カラーフィルタを有す
ることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ピクセル及び第2ピクセルが、光生成電荷を電気的信号として読み出すための
回路を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ピクセル及び第2ピクセルが、光生成電荷を収集するために、それぞれフォト
ダイオードを備えることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ピクセル及び第2ピクセルが、光生成電荷を検出するために、フローティング
拡散ノードを備えることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ピクセル及び第2ピクセルが、フローティング拡散ノードを共有することを特
徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ピクセル及び第2ピクセルが、前記共有されたフローティング拡散ノードに光
生成電荷を伝達するために、それぞれトランスファゲートを備えることを特徴とする請求
項8に記載のイメージセンサ。 - 前記フォトダイオードが、ピンドフォトダイオードであることを特徴とする請求項6に
記載のイメージセンサ。 - 前記第1導電型の基板が、
前記基板上に成長したP型エピタキシャル層を備え、前記基板が、高濃度のP+型基板
で形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1ピクセルが、光生成電荷を収集するためのフォトダイオードを備え、
前記ポテンシャル障壁が、前記フォトダイオードにより生成される空乏領域の下の前記
P型エピタキシャル層に形成されることを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサ
。 - 前記ポテンシャル障壁が、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有することを
特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記ポテンシャル障壁が、前記P型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオン
の注入又は拡散により形成されたドーパントを有することを特徴とする請求項11に記載
のイメージセンサ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018139154A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090108385A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving crosstalk and sensitivity in an imager |
KR101467509B1 (ko) * | 2008-07-25 | 2014-12-01 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서 동작 방법 |
US7910961B2 (en) * | 2008-10-08 | 2011-03-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with low crosstalk and high red sensitivity |
EP2180513A1 (en) * | 2008-10-27 | 2010-04-28 | Stmicroelectronics SA | Near infrared/color image sensor |
JP5594978B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-09-24 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び光電変換装置の製造方法 |
US8389319B2 (en) * | 2009-07-31 | 2013-03-05 | Sri International | SOI-based CMOS imagers employing flash gate/chemisorption processing |
JP5471174B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011112452A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Olympus Corp | カラーセンサ |
GB2497084A (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | Hiok Nam Tay | Image sensor array comprising two diagonal blue filters and having shallow and deep photo detector regions. |
JP6194598B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-09-13 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像素子を備えた撮像装置 |
JP6285667B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-02-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
CN104465677B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-12-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其形成方法 |
KR102174650B1 (ko) * | 2013-10-31 | 2020-11-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP6302216B2 (ja) | 2013-11-08 | 2018-03-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015162580A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置の制御方法 |
TW201614817A (en) * | 2014-10-03 | 2016-04-16 | Powerchip Technology Corp | Image sensor with deep well structure and fabrication method thereof |
US9515105B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-06 | Semiconductor Components Industries, Llc | Dual photodiode image pixels with preferential blooming path |
KR101679598B1 (ko) * | 2016-01-04 | 2016-11-25 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
JP2017208574A (ja) * | 2017-08-17 | 2017-11-24 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像素子を備えた撮像装置 |
US10672810B2 (en) * | 2017-10-31 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMOS image sensor with shallow trench edge doping |
JP7271127B2 (ja) * | 2018-10-19 | 2023-05-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
CN110233961B (zh) * | 2019-07-30 | 2021-03-05 | Oppo广东移动通信有限公司 | 互补金属氧化物图像传感器及终端 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5369526A (en) * | 1976-12-03 | 1978-06-21 | Hitachi Ltd | Solid pickup unit |
JP2004152819A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004193547A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-07-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム |
JP2005209695A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US20050194653A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Foveon, Inc. | Method and apparatus for improving sensitivity in vertical color CMOS image sensors |
JP2006210919A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 光の波長に応じて異なる厚さの埋没バリヤ層を具備するイメージセンサ及びその形成方法 |
JP2006279048A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2007189131A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6351001B1 (en) * | 1996-04-17 | 2002-02-26 | Eastman Kodak Company | CCD image sensor |
US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
US6727521B2 (en) * | 2000-09-25 | 2004-04-27 | Foveon, Inc. | Vertical color filter detector group and array |
KR100760142B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2007-09-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고해상도 cmos 이미지 센서를 위한 스택형 픽셀 |
-
2006
- 2006-10-13 KR KR1020060099759A patent/KR100821469B1/ko active IP Right Grant
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2007
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2011
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5369526A (en) * | 1976-12-03 | 1978-06-21 | Hitachi Ltd | Solid pickup unit |
JP2004193547A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-07-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム |
JP2004152819A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2005209695A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US20050194653A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Foveon, Inc. | Method and apparatus for improving sensitivity in vertical color CMOS image sensors |
JP2007531254A (ja) * | 2004-03-08 | 2007-11-01 | フォベオン・インコーポレーテッド | 垂直カラーcmosイメージセンサの感度を改善する方法及び装置 |
JP2006210919A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 光の波長に応じて異なる厚さの埋没バリヤ層を具備するイメージセンサ及びその形成方法 |
JP2006279048A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2007189131A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018139154A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
JPWO2018139154A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2019-11-21 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
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