JP2013218762A - 不揮発性記憶装置、集積回路装置および電子機器 - Google Patents
不揮発性記憶装置、集積回路装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013218762A JP2013218762A JP2012089361A JP2012089361A JP2013218762A JP 2013218762 A JP2013218762 A JP 2013218762A JP 2012089361 A JP2012089361 A JP 2012089361A JP 2012089361 A JP2012089361 A JP 2012089361A JP 2013218762 A JP2013218762 A JP 2013218762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- nonvolatile memory
- memory device
- output
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/1201—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising I/O circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
- G11C29/24—Accessing extra cells, e.g. dummy cells or redundant cells
Abstract
【解決手段】 フローティングゲートFGを含むメモリーセルMCが行列方向にアレイ状に配置され、行および列アドレスによって選択されたメモリーセルの値を第1の出力回路40から出力する不揮発性記憶装置であって、行アドレスによって制御可能なスイッチSWを介してメモリーセルと電気的に接続され、行アドレスによって選択されたメモリーセルの値を保持して出力する双安定回路22、を含む第2の出力回路20と、メモリーセルの少なくとも1つと対をなしてアレイ状に配置されて、行および列アドレスによって選択された場合に、電気的に接続されている双安定回路が保持する値を第1の出力回路から出力する検査用セルと、を含む。
【選択図】図1
Description
1.1.基本構成
図1は、第1実施形態の不揮発性記憶装置の回路図である。本実施形態の不揮発性記憶装置1は、半導体基板上に積層されて製造されるFAMOS(Floating gate Avalanche-injection MOS)の記憶装置である。不揮発性記憶装置1は、メモリーセルMCを行方向(紙面の上下方向)、および列方向(紙面の左右方向)にアレイ状に配置している。なお、図1は不揮発性記憶装置1の一部を示したものであり、不揮発性記憶装置1に含まれる全ての要素を含むものではない。
図2は、不揮発性記憶装置1の特徴を明らかにするための比較例の不揮発性記憶装置100の回路図である。なお、図1と同じ要素には同じ符号が付されているため説明を省略する。前記の不揮発性記憶装置1の基本構成は、図2の不揮発性記憶装置100の構成と同じであり、不揮発性記憶装置100によっても前記の不揮発性記憶装置1の動作が可能である。
2.1.基本構成
図3は、第1実施形態の変形例の不揮発性記憶装置の回路図である。本変形例の不揮発性記憶装置1は、1つの値を互いに相補データを記憶する2つのメモリーセルMCで表す。そのため、データが二重化されており、さらにデータの信頼性を高めることができる。なお、図3は不揮発性記憶装置1の一部を示したものであり、不揮発性記憶装置1に含まれる全ての要素を含むものではない。また、図1〜図2と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略し、第1実施形態と異なる部分だけを説明する。
図4は、本変形例の不揮発性記憶装置1の特徴を明らかにするための、図2とは別の比較例の不揮発性記憶装置100の回路図である。なお、図1〜図3と同じ要素には同じ符号が付されているため説明を省略する。前記の比較例の不揮発性記憶装置1の基本構成は、図4の不揮発性記憶装置100の構成と同じであり、不揮発性記憶装置100によっても前記の比較例の不揮発性記憶装置1の動作が可能である。
本実施形態の不揮発性記憶装置の適用例について説明する。不揮発性記憶装置1はデータ信頼性を高めることが可能であり、安全性が求められる自動車、飛行機、船舶、鉄道等に搭載される電子機器および電子機器に使われる集積回路装置にも適用が可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
Claims (6)
- フローティングゲートを含むメモリーセルが行方向および前記行方向と直交する列方向にアレイ状に配置され、行アドレスおよび列アドレスによって選択されたメモリーセルの値を第1の出力回路から出力する不揮発性記憶装置であって、
前記行アドレスによって制御可能なスイッチを介して前記メモリーセルと電気的に接続され、前記行アドレスによって選択された前記メモリーセルの値を保持して出力する双安定回路、を含む第2の出力回路と、
前記メモリーセルの少なくとも1つと対をなしてアレイ状に配置されて、前記行アドレスおよび前記列アドレスによって選択された場合に、電気的に接続されている前記双安定回路が保持する値を前記第1の出力回路から出力する検査用セルと、を含む不揮発性記憶装置。 - 請求項1に記載の不揮発性記憶装置において、
前記行アドレスおよび前記列アドレスによって選択されたメモリーセルへ、前記不揮発性記憶装置の外部から入力された値である入力値を書き込む書き込み回路を含み、
前記第2の出力回路は、
前記行アドレスによって制御可能なスイッチを介して前記書き込み回路と電気的に接続され、
前記入力値を前記双安定回路に保持して出力することができる不揮発性記憶装置。 - 請求項1乃至2のいずれか1項に記載の不揮発性記憶装置において、
偶数列の前記メモリーセルと同じ行において隣接する一方の奇数列の前記メモリーセルとは互いに相補する値を記憶する不揮発性記憶装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の不揮発性記憶装置において、
前記メモリーセルを、前記フローティングゲートを含むFAMOSトランジスタと、前記行アドレスによって制御される選択トランジスタと、を直列に接続した構成とする不揮発性記憶装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性記憶装置を含む集積回路装置。
- 請求項5に記載の集積回路装置を含む電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089361A JP5950091B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 不揮発性記憶装置、集積回路装置および電子機器 |
US13/857,418 US9171638B2 (en) | 2012-04-10 | 2013-04-05 | Nonvolatile storage device, integrated circuit device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089361A JP5950091B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 不揮発性記憶装置、集積回路装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013218762A true JP2013218762A (ja) | 2013-10-24 |
JP5950091B2 JP5950091B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=49292196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089361A Active JP5950091B2 (ja) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | 不揮発性記憶装置、集積回路装置および電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9171638B2 (ja) |
JP (1) | JP5950091B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9245647B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-01-26 | Chengdu Monolithic Power Systems Co., Ltd. | One-time programmable memory cell and circuit |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002358794A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004206740A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP2008084523A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Chingis Technology Corp | 低電圧、低キャパシタンスのフラッシュメモリアレイ |
JP2011192329A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置、集積回路装置及び電子機器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3983969B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2007-09-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7719875B2 (en) * | 2003-03-18 | 2010-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change memory device |
JP2005092962A (ja) | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2012
- 2012-04-10 JP JP2012089361A patent/JP5950091B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-05 US US13/857,418 patent/US9171638B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002358794A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004206740A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP2008084523A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Chingis Technology Corp | 低電圧、低キャパシタンスのフラッシュメモリアレイ |
JP2011192329A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置、集積回路装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5950091B2 (ja) | 2016-07-13 |
US9171638B2 (en) | 2015-10-27 |
US20130265824A1 (en) | 2013-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8923074B2 (en) | Semiconductor memory device | |
KR100272034B1 (ko) | 반도체 기억 장치 | |
US8693254B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
US9159414B1 (en) | Programmable impedance element circuits and methods | |
US20130326295A1 (en) | Semiconductor memory device including self-contained test unit and test method thereof | |
KR101953241B1 (ko) | 안티퓨즈 셀 데이터를 모니터링할 수 있는 안티퓨즈 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
JP3625383B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置 | |
KR100865820B1 (ko) | 메모리 소자 및 독출 방법 | |
US7599226B2 (en) | Memory circuit, drive circuit for a memory and method for writing write data into a memory | |
KR20180041427A (ko) | 복수의 퓨즈 비트들을 독출하는 오티피 메모리 장치 | |
CN108122593A (zh) | 数据存储装置、用于其的地址解码器及其操作方法 | |
CN105518791A (zh) | 半导体器件 | |
US8051342B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US6621734B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and electronic information apparatus | |
JP4805733B2 (ja) | 半導体記憶装置及びそのテスト方法 | |
JP5950091B2 (ja) | 不揮発性記憶装置、集積回路装置および電子機器 | |
JP2009080884A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR102122880B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP2016170846A (ja) | 半導体集積回路装置及びそれを用いた電子機器 | |
JP6589320B2 (ja) | 不揮発性記憶装置、ドライバー、電気光学装置、電子機器及び不揮発性記憶装置の検査方法 | |
CN102737726A (zh) | 存储阵列局部位线缺陷的检测方法 | |
JP5538196B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7924621B2 (en) | NAND-type flash memory and NAND-type flash memory controlling method | |
CN105280237B (zh) | 半导体器件及其操作方法 | |
US8243539B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20140619 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160524 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5950091 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |