JP2013201638A - 振動デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】温度等の変化によって生じる熱膨張による破損を抑制した振動デバイスを提供する。
【解決手段】半導体素子と、半導体素子の第１の面に位置する第１の電極、及び第２の電極と、振動素子と、振動素子の第１の面に位置する第３の電極、及び第４の電極と、第１の電極と第３の電極とを接続する第１の接続部と、第２の電極と前記第４の電極とを接続する第２の接続部とを備え、半導体素子の熱膨張係数と、振動素子の熱膨張係数は異なり、振動素子は、第３の電極と第４の電極との間に位置する連結部を有し、連結部は、第３の電極と、第４の電極との間に位置する少なくとも１つの屈曲を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、振動デバイスに関するものである。

従来、圧電素子を用いた振動デバイス（センサー）の一例としては、振動素子をセンサー素子として用いる振動デバイスが知られている。特許文献１には、振動素子を駆動させる駆動回路素子に電極を配設し、その電極と振動素子に配設される電極とを接続し、駆動回路素子に振動素子が重ねて配設される構造の振動デバイスが開示されている。

特開２０１１−１７９９４１号公報

しかしながら、駆動回路素子と、駆動回路素子に重ねて配設される振動素子との熱膨張係数（膨張率及び収縮率）が異なるため、振動デバイスの温度、及び振動デバイスの周辺温度の変動によって、駆動回路素子と振動素子との接続部分に力が加わり、接続部分が破損する虞があった。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

（適用例１）本適用例に係る振動デバイスは、半導体素子と、半導体素子の第１の面に位置する第１の電極、及び第２の電極と、振動素子と、振動素子の第１の面に位置する第３の電極、及び第４の電極と、第１の電極と第３の電極とを接続する第１の接続部と、第２の電極と前記第４の電極とを接続する第２の接続部とを備え、半導体素子の熱膨張係数と、振動素子の熱膨張係数は異なり、振動素子は、第３の電極と第４の電極との間に位置する連結部を有し、連結部は、第３の電極と、第４の電極との間に位置する少なくとも１つの屈曲を有することを特徴とする。

このような振動デバイスは、半導体素子、及び振動素子の形成される基材の違いから温度変化に対する熱膨張率がそれぞれの素子で異なる。振動デバイスは、温度変化によって、半導体素子と振動素子とが熱膨張した際に第１の接続部及び第２の接続部に加わる応力を振動素子に位置する連結部に有する屈曲で吸収することができる。これによって、半導体素子と振動素子とが接続される第１の接続部及び第２の接続部の破損を抑制することができる。
また、このような振動デバイスによれば、第１の接続部及び第２の接続部を介して半導体素子と接続された振動素子に位置する第３の電極と第４の電極との間に屈曲を有する連結部を備えることで、第３の電極と第４の電極との間に生じる応力を当該連結部に有する屈曲で吸収することができる。このことで、振動素子が、温度等の変化によって、熱膨張した際に生じる応力は当該連結部で吸収され、その振動素子が破損することを抑制することができる。
従って、このような振動デバイスは、温度変化によって振動素子や、半導体素子と振動素子とが接続される第１の接続部及び第２の接続部の破損を抑制して振動デバイスが利用される環境の温度変化に適応し、信頼性を高めることができる。

（適用例２）上記適用例に係る振動デバイスにおいて、第１の電極と第３の電極との間に位置する第１の突起電極と、第２の電極と第４の電極との間に位置する第２の突起電極とを備えることが好ましい。

このような振動デバイスによれば、第１の突起電極と第２の突起電極とを介して、半導体素子と振動素子とが接続されることで、半導体素子と振動素子との間に空間が生じ、当該空間に振動素子を駆動させる集積回路等を配設することができる。これによって、振動素子を半導体素子に重ねて配設することができ、振動デバイスの小型化をすることができる。また、このような振動デバイスによれば、半導体素子と振動素子との間に空間が生じることで、半導体素子と振動素子とが熱膨張した際の変形を許容する空間を得ることができる。

（適用例３）上記適用例に係る振動デバイスにおいて、振動素子には、振動部と、振動部が連結された基部と、基部から延出された梁部が連結される第３の電極が位置する支持部と、連結部を介して支持部と連結され、第４の電極が位置する固定部とを備えられ、支持部と、固定部とが連結される連結部に少なくとも１つの屈曲を有することを特徴とする。

（適用例４）上記適用例に係る振動デバイスにおいて、振動素子には、第３の電極と、第４の電極とが隣合って配設されていることが好ましい。

このような振動デバイスによれば、半導体素子及び振動素子が形成される基材の違いから温度変化に対する熱膨張率がそれぞれの素子で異なる。振動デバイスは、温度変化によって、振動素子と半導体素子とが熱膨張した際に第１の接続部及び第２の接続部に加わる応力を振動素子に位置する連結部に有する屈曲で吸収することができる。
これによって、半導体素子と振動素子とが接続される第１の接続部及び第２の接続部が破損することを抑制することができる。
また、このような振動デバイスによれば、第３の電極が配設され梁部が連結される支持部と、第４の電極が配設され振動素子が固定される固定部とが隣接して配設され、屈曲を有する連結部を介して連結されることで、支持部と固定部との間に生じる応力を当該連結部に有する屈曲で吸収することができる。これによって、振動素子が、温度等の変化によって熱膨張した際に生じる応力は当該連結部で吸収され、その振動素子が破損することを抑制することができる。
また、梁部が連結される支持部と、振動素子を固定する固定部とは、屈曲を有する連結部を介して連結されることで、振動部の振動が支持部から固定部に漏洩することと、固定部からの振動が支持部と通じて振動部に伝搬されることを抑制し、加速度や角速度等の誤検出を抑制することができる。
従って、このような振動デバイスによれば、温度変化によって振動素子や、半導体素子と振動素子とが接続される第１の接続部及び第２の接続部の破損の抑制、及び振動部からの振動の漏洩と、外部からの振動の伝搬とを抑制し、加速度や角速度等の検出の信頼性を高めることができる。

（適用例５）上記適用例に係る振動デバイスにおいて、連結部は、振動素子を平面視方向に前記屈曲を有していることが好ましい。

（適用例６）上記適用例に係る振動デバイスにおいて、連結部は、振動素子の厚さ方向に屈曲を有していることが好ましい。

このような振動デバイスによれば、連結部に有する屈曲は、振動素子を平面視する方向、及び厚さ方向のいずれかに有していることで、半導体素子と振動素子との第１の接続部と第２の接続部、及び振動素子の破損を抑制することができる。

第１実施形態に係る振動デバイスを示す模式図。 第１実施形態に係る振動デバイスを構成する振動素子の動作を示す模式図。 第２実施形態に係る振動デバイスを示す模式図。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明をする。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。また、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照し、各部の位置関係について説明する。鉛直面内における所定方向をＸ軸方向、鉛直面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向をＺ軸方向とする。また、重力方向を基準として、重力方向を下方向、逆方向を上方向とする。

本願の振動デバイスは、振動素子が搭載された加速度や角速度等を検出するセンサーであって、その振動デバイスの小型化を図るため、駆動回路素子が位置する半導体素子の能動面である第１の面に振動素子が重ねて配設されているものである。以下、本願の振動デバイスの実施形態について説明をする。

（第１実施形態）
本実施形態の振動デバイスを図１に示す。図１（ａ）は、振動デバイス１の概略構成を示す図で、振動デバイス１の上面から平面視した場合の図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の振動デバイス１をＹ軸方向から見た側面図である。なお、説明の便宜のため、図１（ａ）において半導体素子１０と振動素子２０とが収容されるパッケージ６０の蓋部６４を、また、図１（ｂ）において、パッケージ６０の側面６１の図示を省略している。

本実施形態の振動デバイス１は、半導体素子１０と、振動素子２０と、半導体素子１０及び振動素子２０が収容されるパッケージ６０とを備えている。図１に示すように、振動素子２０は、半導体素子１０の第１の面である能動面１０ａに重なる様に配設されている。

本実施形態において振動素子２０は、圧電材料である水晶を基材（主要部分を構成する材料）として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるＸ軸、機械軸と呼ばれるＹ軸、及び光学軸と呼ばれるＺ軸を有している。振動素子２０は、水晶結晶軸において直交するＸ軸及びＹ軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するＺ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数（共振周波数）、外形サイズ、加工性等によって適宜設定される。本実施形態において振動素子２０は、水晶を用いたが他の圧電材料（例えば、タンタル酸リチウムやチタン酸ジルコン酸鉛等）を基材として用いても良い。

振動素子２０は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウエットエッチングまたはドライエッチング）によって形成されている。

図１に示す様に振動素子２０は、前述の様に平面視（Ｚ軸方向）において、半導体素子１０と重なるように半導体素子１０の能動面１０ａ側に配設されている。なお、後述する半導体素子１０の第１の電極１１、及び第２の電極１２と接続される第３の電極１３及び第４の電極１４が配設されている面を振動素子２０における第１の面である主面２０ａという。一方の主面２０ａと対向する面を副面２０ｂという。

振動素子２０には、半導体素子１０の能動面１０ａと対向して配設される振動素子２０の主面２０ａに第３の電極１３と、第４の電極１４とを備える。第３の電極１３は、支持部４８ａ，４８ｂに配設され、半導体素子１０の第１の電極１１と第１の接続部１１ａを介して接続される。第４の電極１４は、固定部５０ａ，５０ｂに配設され、半導体素子１０の第２の電極１２と第２の接続部１２ａを介して接続される。

本実施形態の振動素子２０は、ダブルＴ型と呼ばれる構成となっている。振動素子２０には、中心部分に位置する基部２１と、基部２１からＹ軸に沿って延伸された振動部としての１対の検出用振動腕２２ａ，２２ｂと、検出用振動腕２２ａ，２２ｂと直交するように、基部２１からＸ軸に沿って延伸された１対の連結腕２３ａ，２３ｂとを備えている。また、振動素子２０には、検出用振動腕２２ａ，２２ｂと平行になるように、各連結腕２３ａ，２３ｂの先端側からＹ軸に沿って延伸された振動部としての各１対の駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂとを備えている。さらに、振動素子２０には、基部２１からＹ軸に沿って延伸された複数の梁部４７と、梁部４７から延設された２つの支持部４８ａ，４８ｂとを備えている。また、振動素子２０には、支持部４８ａ，４８ｂと、固定部５０ａ，５０ｂとの間に連結部４９ａ，４９ｂが設けられている。支持部４８ａ，４８ｂと、固定部５０ａ，５０ｂとは、連結部４９ａ，４９ｂを介して連結されている。

連結部４９ａ，４９ｂには、振動素子２０をＺ軸方向から平面視する方向に屈曲４９ｒ（例えば、Ｓ字形状）が設けられている。連結部４９ａ，４９ｂには、振動素子２０を成す基材に空隙から成る屈曲４９ｒが形成され、支持部４８ａ，４８ｂと固定部５０ａ，５０ｂとの間の可動性が確保されている。換言すると、屈曲４９ｒは、Ｚ軸が延在する方向に空隙が設けられている。
また、屈曲４９ｒは、振動素子２０の形成と同様にフォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウエットエッチングまたはドライエッチング）によって形成されている。なお、連結部に有する屈曲４９ｒは、その数は図示する２つに限定されることなく、適宜屈曲４９ｒを設ければ良い。

振動素子２０には、検出用振動腕２２ａ，２２ｂによって加速度や角速度等を検出する検出振動系が構成されている。また、振動素子２０には、連結腕２３ａ，２３ｂと、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂとによって、振動素子２０を駆動する駆動振動系が構成されている。

また、振動素子２０には、検出用振動腕２２ａ，２２ｂの先端部に対応して、幅広形状を成す錘部２６ａ，２６ｂが形成されている。同様に、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂのそれぞれの先端部には、幅広形状を成す錘部２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂが形成されている。錘部２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂのそれぞれの面上には、質量調整部としての錘電極４１が形成されている。また、錘電極４１が形成された錘部２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂは、振動素子２０の周波数調整の際に利用される。

図１に示す半導体素子１０には、トランジスターやダイオード等の電子部品、及び回路配線を備えた図示を省略する集積回路が配設された能動面１０ａを有している。この能動面１０ａに形成された集積回路には、振動素子２０を駆動振動させるための駆動回路素子と、加速度や角速度等が加わった時に振動素子２０に生じる検出振動を検出する検出回路素子とを備えられている。例えば、振動素子２０が水晶を基材として形成されている場合、半導体素子１０はシリコン（Ｓｉ）を基材として形成されていてもよい。より詳細には、シリコンからなるシリコン基板の電子部品が形成されている側に、電子部品に接続される回路配線と、回路配線の間の絶縁膜とが複数層、積層されて半導体素子１０が形成されていてもよい。なお、半導体素子１０の熱膨張係数は、振動素子２０の熱膨張係数と異なっている。

半導体素子１０には、能動面１０ａ側に第１の電極１１及び第２の電極１２が配設されている。第１の電極１１及び第２の電極１２は、半導体素子１０に配設されている集積回路に導通されているものである。また、半導体素子１０には、接続端子１５が設けられている。接続端子１５と、振動素子２０とが収容される後述するパッケージ６０に配設されている外部配線電極６５とは、配線４５で接続されている。

図１に示すように、第１の電極１１上には、第１の接続部１１ａが配設されている。第１の接続部１１ａは、例えば、金（Ａｕ）スタッドバンプで形成された第１の突起電極となっている。なお、第１の接続部１１ａは、金スタッドバンプの他に銅、アルミニウムやハンダボールなど他の導電性材料によっても形成することもできる。また、第１の接続部１１ａは、銀粉や銅粉などの導電性フィラーと合成樹脂等とを混合した導電性接着剤によっても形成することができる。なお、第２の電極１２上にも第１の電極１１と同様に、金スタッドバンプなどで形成された第２の突起電極や、導電性接着剤等で第２の接続部１２ａが形成されている。
このような構成のもとに、振動素子２０は、半導体素子１０に形成された集積回路と、第１の電極１１，第２の電極１２および第１の接続部１１ａ，第２の接続部１２ａを介して、電気的に接続されている。また、第１の突起電極及び第２の突起電極が配設されることで、半導体素子１０と振動素子２０との空間を確保し、能動面１０ａに振動素子２０を駆動させる集積回路等が配設されている。

接続端子１５は、配線４５、例えば金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属が用いられたボンディングワイヤーなどの接続部材によって、パッケージ６０に配設されている外部配線電極６５と接続される。また、半導体素子１０に配設された集積回路には、第１の電極１１及び第２の電極１２以外に図示しない他の電極が配設されている。この他の電極には、図示しない配線が接続され、その配線を介して、接続端子１５と接続されている。なお、本実施例において、接続端子１５と外部配線電極６５との接続にボンディングワイヤー等の配線４５を用いる構成で説明したが、配線４５に替えてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）をなど用いて接続（配線）しても良い。

半導体素子１０の能動面１０ａと対向する絶縁面１０ｂ側は、パッケージ６０の底面６２と図示しない接着剤などの接続部材により接着（接続）されている。パッケージ６０は、例えばセラミックのような絶縁性材料で形成されており、半導体素子１０と接続される底面６２には外部配線電極６５が設けられている。外部配線電極６５は、前述の通り半導体素子１０に形成された接続端子１５と配線４５によって接続されている。

なお、パッケージ６０は、周囲に側面６１（側壁）を有し、中央部が凹形状の収容空間６３を有する。パッケージ６０に収容された半導体素子１０及び振動素子２０は、蓋部６４によって気密的に封止されている。

（振動素子の動作）
ここで、振動デバイス１の振動素子２０の動作について説明する。図２は、振動デバイス１を構成する振動素子２０の動作を示す模式平面図である。図２（ａ）は駆動振動状態を示し、図２（ｂ），図２（ｃ）は、加速度や角速度等が加わった状態における検出振動状態を示すものである。なお、図２おいて、振動状態を簡易に表現するために、各振動腕は線で図示し、梁部４７、支持部４８ａ，４８ｂ、連結部４９ａ，４９ｂ、固定部５０ａ，５０ｂの図示は省略している。

図２（ａ）において、振動素子２０の駆動振動状態を説明する。まず、半導体素子１０に配設された集積回路（駆動回路）から振動素子２０へ駆動信号が印加されることによって、振動素子２０は加速度や角速度等が加わらない状態において、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂが矢印Ｅで示す方向に屈曲振動が生じる。この屈曲振動は、実線で示す振動姿態と、２点鎖線で示す振動姿態とを所定の周波数（周期）で繰り返している。

次に、この駆動振動を行っている状態で、振動素子２０にＺ軸回りの角速度ωが加わると、振動素子２０は、図２（ｂ），図２（ｃ）に示すように駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂが撓むような振動が生じる。まず、図２（ｂ）に示すように、駆動振動系を構成する駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ及び連結腕２３ａ，２３ｂには、矢印Ｂ方向のコリオリ力が作用する。また同時に、検出用振動腕２２ａ，２２ｂは、矢印Ｂ方向のコリオリ力に呼応して、矢印Ｃ方向に撓む（変形する）。

その後、図２（ｃ）に示すように、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ及び連結腕２３ａ，２３ｂには、矢印Ｂ’方向に戻る力が作用する。また同時に、検出用振動腕２２ａ，２２ｂは、矢印Ｂ’方向の力に呼応して、矢印Ｃ’方向に撓む（変形する）。振動素子２０は、この一連の動作を交互に繰り返して新たな振動が励起される。
なお、矢印Ｄ，Ｄ’方向の振動は、重心Ｇに対して周方向の振動である。そして、振動デバイス１は、検出用振動腕２２ａ，２２ｂに配設された検出電極（図１において不図示）が、振動により発生した振動素子２０の基材である水晶（圧電材料）の歪を検出することで角速度が求められる。

上述した第１実施形形態によれば以下の効果が得られる。
このような振動デバイス１によれば、振動デバイス１は、第３の電極１３が配設された支持部４８ａ，４８ｂと、第４の電極１４が配設された固定部５０ａ，５０ｂとが隣合って配設され、屈曲４９ｒを有する連結部４９ａ，４９ｂを介して連結される。また、接続される半導体素子１０及び振動素子２０が形成される基材の違いから温度変化に対する熱膨張率がそれぞれの素子で異なる。
これによって振動デバイス１は、温度変化によって、半導体素子１０と振動素子２０とが熱膨張した際に第１の接続部１１ａ及び第２の接続部１２ａに加わる応力を、振動素子２０に位置する連結部４９に備えた屈曲４９ｒを撓ますことで吸収することができる。よって、半導体素子１０と、振動素子２０とが接続される第１の接続部１１ａ及び第２の接続部１２ａが破損することを抑制することができる。
また、これによって、振動デバイス１は、振動素子２０の支持部４８ａ，４８ｂと、固定部５０ａ，５０ｂとの間に生じる応力を当該連結部４９ａ，４９ｂに有する屈曲４９ｒを撓ますことで吸収することができる。よって、温度等の変化によって振動素子２０が熱膨張（膨張及び収縮）した際に生じる応力は、当該連結部４９ａ，４９ｂで吸収され、振動素子２０が破損することを抑制することができる。

また、振動デバイス１は、第１の接続部１１ａとしての第１の突起電極と、第２の接続部１２ａとしての第２の突起電極とを介して、半導体素子１０と振動素子２０とが接続されることで、半導体素子１０と振動素子２０との間に空間が生じ、当該空間に振動素子２０を駆動させる駆動回路素子等を配設することができる。これによって 、振動デバイス１は、半導体素子１０に振動素子２０を重ねて配設することができ、振動デバイス１の小型化をすることができる。

また、振動デバイス１は、半導体素子１０と振動素子２０との間に空間を有することで、半導体素子１０と振動素子２０とが熱膨張した際の変形を許容する空間を得ることができる。このことで、振動デバイス１は、温度変化によって、振動素子２０と半導体素子１０とが熱膨張した際に、その半導体素子１０と振動素子２０とが干渉して破損することを抑制することができる。

また、振動デバイス１は、連結部４９ａ，４９ｂを介して支持部４８ａ，４８ｂと固定部５０ａ，５０ｂとが連結されることで、振動部からの振動が梁部４７を通じて固定部５０ａ，５０ｂに漏洩することを抑制することができる。このことで、振動デバイス１に加えられる加速度や角速度等の誤検出を抑制することができる。
従って、このような振動デバイス１によれば、加速度や角速度等の検出の信頼性を高めることができる。

（第２実施形態）
第２実施形態の振動デバイスについて説明をする。本実施形態の振動デバイスを図３に示す。図３（ａ）は、振動デバイス２の概略構成を示す図で、振動デバイス２の上面から平面視した場合の図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の振動デバイス２をＹ方向から見た側面図である。なお、説明の便宜のため、図３（ａ）においてパッケージ６０の蓋部６４を、また、図３（ｂ）において、パッケージ６０の側面６１の図示を省略している。なお、本実施形態の振動デバイス２は、第１実施形態で説明をした振動デバイス１と連結部４９ａ，４９ｂに有する屈曲４９ｒａ，４９ｒｂの形状が異なる。その他の構成等は同様であるため、同様の構成には同じ符号を付し、説明は省略または簡略とする。

本実施形態の振動デバイス２には、半導体素子１０と、振動素子２０と、半導体素子１０及び振動素子２０が収容されるパッケージ６０とを備えている。図３に示すように、振動素子２０は、半導体素子１０の第１の面である能動面１０ａに重なる様に配設されている。

振動素子２０は、振動デバイス１と同様に水晶を基材として構成され、基部２１と、振動部としての検出用振動腕２２ａ，２２ｂと、連結腕２３ａ，２３ｂと、駆動用振動腕２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂとを備える。また、振動素子２０は、梁部４７と、支持部４８ａ，４８ｂと、連結部４９ａ，４９ｂと、固定部５０ａ，５０ｂとを備える。

振動デバイス２の振動素子２０は、その振動素子２０の連結部４９に有する屈曲４９ｒａ，４９ｒｂの形状が第１実施形態で説明をした振動デバイス１の振動素子２０とは異なる。
連結部４９ａ，４９ｂは、振動素子２０をＹ軸方向から側面視する方向（振動素子２０の厚さ方向）に屈曲４９ｒａ，４９ｒｂ（例えば、Ｌ字形状）が設けられている。連結部４９ａ，４９ｂは、振動素子２０を成す基材に空隙を有する屈曲４９ｒａ，４９ｒｂが形成され、支持部４８ａ，４８ｂと固定部５０ａ，５０ｂとの間の可動性が確保されている。換言すると、屈曲４９ｒａ，４９ｒｂは、Ｙ軸が延在する方向に空隙を成して形成されている。また、屈曲４９ｒａ，４９ｒｂの形成は、振動素子２０の形成フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング（ウエットエッチングまたはドライエッチング）によって形成されている。例えば、振動素子２０を主面２０ａからハーフエッチングを行い、凹部４９ｒａを形成する工程と、振動素子２０を副面２０ｂからハーフエッチングを行い、凹部４９ｒｂを形成する工程と、から屈曲４９ｒａ，４９ｒｂを形成してもよい。なお、連結部に有する屈曲４９ｒａ，４９ｒｂは、その数は図示する２つに限定されることなく適宜屈曲４９ｒａ，４９ｒｂを設ければ良い。

その他の構成等は、第１実施形態で説明をした振動デバイス１と同様のため説明を省略する。

上述した第２実施形態によれば、以下の効果が得られる。
このような振動デバイス２によれば、連結部４９ａ，４９ｂに有する屈曲４９ｒａ，４９ｒｂは、振動素子２０の厚さ方向であるＹ軸方向に設けることで、熱膨張にともなう半導体素子１０と振動素子２０との第１の接続部１１ａ及び第２の接続部１２ａの破損、及び振動素子２０の破損を抑制することができる。従って、振動デバイス２（振動デバイス１）は、連結部４９ａ，４９ｂのいずれかの方向に屈曲４９ｒａ，４９ｒｂを設けることで、振動デバイス２の破損を抑制し、加速度や角速度等の検出の信頼性を高めることができる。

１，２，３…振動デバイス、１０…半導体素子、１０ａ…能動面、１０ｂ…絶縁面、１１ａ，１２ａ…接続部、１１…第１の電極、１２…第２の電極、１３…第３の電極、１４…第４の電極、１５…接続端子、２０…振動素子、２０ａ…主面、２０ｂ…副面、２１…基部、２２ａ，２２ｂ…振動腕、２３ａ，２３ｂ…連結腕、２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ…駆動用振動腕、２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂ…錘部、４１…錘電極、４５…配線、４７…梁部、４８ａ，４８ｂ…支持部、４９ａ，４９ｂ…連結部、４９ｒ…屈曲、５０ａ，５０ｂ…固定部、６０…パッケージ、６１…側面、６２…底面、６３…収容空間、６４…蓋部、６５…外部配線電極。

Claims (6)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子の第１の面に位置する第１の電極、及び第２の電極と、
   振動素子と、
   前記振動素子の第１の面に位置する第３の電極、及び第４の電極と、
   前記第１の電極と前記第３の電極とを接続する第１の接続部と、
   前記第２の電極と前記第４の電極とを接続する第２の接続部と、
   を備え、
   前記半導体素子の熱膨張係数と、前記振動素子の熱膨張係数は異なり、
   前記振動素子は、前記第３の電極と前記第４の電極との間に位置する連結部を有し、
   前記連結部は、前記第３の電極と、前記第４の電極との間に位置する少なくとも１つの屈曲を有することを特徴とする振動デバイス。
2. 請求項１に記載の振動デバイスにおいて、
   前記第１の電極と前記第３の電極との間に位置する第１の突起電極と、
   前記第２の電極と前記第４の電極との間に位置する第２の突起電極と、
   を備えることを特徴とする振動デバイス。
3. 請求項１または請求項２に記載の振動デバイスにおいて、
   前記振動素子は、
   振動部と、
   前記振動部が連結された基部と、
   前記基部から延出された梁部が連結され、前記第３の電極が位置する支持部と、
   前記連結部を介して前記支持部と連結され、前記第４の電極が位置する固定部と、を有し、
   前記支持部と、前記固定部とが連結される前記連結部に少なくとも１つの前記屈曲を有することを特徴とする振動デバイス。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
   前記振動素子には、前記第３の電極と前記第４の電極とが隣合って配設されていることを特徴とする振動デバイス。
5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて
   前記連結部は、前記振動素子を平面視方向に前記屈曲を有していることを特徴とする振動デバイス。
6. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて
   前記連結部は、前記振動素子の厚さ方向に前記屈曲を有していることを特徴とする振動デバイス。

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