JP2013197768A - 表面実装用水晶発振器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により水晶振動子とＩＣ実装基板とを接続して小型化・低背化した表面実装用水晶発振器を安価に製造する。
【解決手段】ＩＣチップ４を接合したＩＣ実装基板７と気密封止された水晶片３と水晶パッケージ２ａ，２ｂとからなる水晶振動子２とを積層・接合して構成した表面実装用水晶発振器１において、該ＩＣ実装基板７に形成した水晶振動子接続端子９ａと該水晶振動子２に形成した接続端子９ｂとを導電体６と半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により接続したことを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、表面実装用水晶発振器及びその製造方法に係り、特に、金属ボール等の導電体と、この導電体を半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂によりＩＣ実装基板に形成した水晶振動子接続端子及び水晶振動子に形成した接続端子に接続した温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）及びその製造方法に関する。

水晶振動子とＩＣチップとを一体化させた水晶デバイスの代表的なものとして、水晶振動子と、この水晶振動子に用いる発振回路を集積したＩＣチップとを一体化させた表面実装用水晶発振器がある。

表面実装用水晶発振器は、小型かつ軽量であることから、とくに携帯型の電子機器、例えば、携帯電話器において、周波数や時間の基準源として広く用いられている。

このような、表面実装用水晶発振器の代表的なものとして、セラミック板の両主面に開口部を形成したセラミック板をそれぞれ焼成・積層して凹部を形成して、断面がＨ型のセラミックパッケージを構成し、一方の凹部に、水晶片を水晶保持端子に導電性接着剤により接合してから金属リングを介してリッドにより密閉封入し、また、他方の凹部に、ＩＣ実装基板にＩＣ実装用バンプによりＩＣチップを固定し、接合端子により水晶振動子に接合してから、格納してＨ型の表面実装用水晶発振器を構成する。そして、実装基板に実装端子を介して水晶発振器を実装するものがあった。

しかしながら、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）は、その小型化が、最近、益々進んでおり、外形寸法が２．０ｍｍ×１．６ｍｍ×０．８ｍｍのサイズまでの発振器が生産されているが、さらなる小型化が要求されている。しかしながら、ＴＣＸＯが小型化するに従い、その製造が困難になる反面、その価格は、昨今、下がらざるを得ない傾向にある。そのため、製造が簡単で、かつ低価格な小型ＴＣＸＯの実現が渇望されている。

そこで、従来、表面実装用水晶発振器において、図１０に示すように、発振部となる水晶振動子と、この水晶振動子による発振を制御する発振回路を搭載したベース基板７０とを半田ボール７４を介して積層する構造の発振器において、さらなる発振器の小型化を図るために、ホット端子７１の形成領域に、半田濡れ性の低い撥液部７２を形成し、かつ、ホット端子７１の形成面積を接続用金属膜７３の形成面積よりも大きくしたものが提案されている。即ち、水晶振動子の下面に、半田ボールとの接続用に形成された接続用金属膜７３とホット端子７１とを設け、ホット端子７１が振動片と電気的に導通し、かつ、接続用金属膜７３よりも面積が大きくなるように形成され、さらに、ホット端子７１の形成領域には、導電性を有する金属膜と、この金属膜よりも半田濡れ性の低い撥液部７２が形成されている（特許文献１）。

また、本願発明者の関連発明である、接着力のある異方性導電シート６ｃを用いた表面実装用水晶発振器では、図１１に示すように、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなる水晶振動子接続基板２９の水晶接続用端子９ａに接続用半田バンプ２８を形成する。さらに、ＩＣチップ４の上面主面上に、ＩＣ実装用バンプ（半田または金）５を載置し、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板からなり、内部に水晶片３を載置した水晶パッケージ２ａ，２ｂからなる水晶振動子２の底面に電極パッド５ａを介して接続する。次に、接続端子９ｂと、環状（枠型）異方性導電シート６ｃを載置後に、水晶振動子接続端子９ａを対向させて重ね、加圧加熱して水晶振動子２と水晶振動子接続基板２９とを接続する（特許文献２）。

特開２０１１−２２３４８７号公報 特願２０１１−２３７３６０号公報 特許第４５９１３３０号公報

境 忠彦外２名、狭ピッチ・高生産フリップチップＥＳＣ工法の開発、Matsushita Technical Journal Vol.54 No.1 Apr.20008, １３頁〜１８頁

しかしながら、この種の従来の表面実装用水晶発振器では、セラミック板を複数枚（例えば３枚）焼成・積層してＨ型断面のパッケージを形成し、それぞれの凹部に水晶片とＩＣチップを樹脂で覆ってから格納してから密閉封入していた。しかし、セラミックパッケージが極めて高価であるため水晶発振器がコスト高になるとともに、ＩＣチップを樹脂で覆う際に、樹脂がパッケージの凹部からはみ出さないように注入することが非常に難しいため、その生産性が極めて低い等の問題点があった。

また、特許文献１に記載された発振器では、半田ボールが、その接着時に溶融した際に濡れ広がらないように、ベース基板上に形成した小径の接続パッドに接続されているので、半田ボールによる接続による実装部の金属膜と実装部の外側に位置する金属膜との導電性が確保される。しかしながら、特許文献１の記載によると、水晶振動子とベース基板に接続後の半田ボールの高さは、小径の接続パッドの約１．２５倍としている。そこで、例えば、接続後の半田ボールの高さを１５０μｍとすると小径の接続パッドの径は１２０μｍとなり、水晶振動子の接続端子の外形寸法が大きいので、その実装に不具合を呈する問題点があった。

さらに、特許文献２に記載の水晶発振器では、接着力のある異方性導電シートを用いているので、接続用半田バンプを介して確実な水晶振動子と水晶振動子接続基板との電気的接続が確保できるものの、異方性導電シートが高価であるため、全体として発振器がコスト高になってしまう問題点があった。

上記した課題を解決するため、本発明の表面実装用水晶発振器及びその製造方法では、ＥＳＣ５技術と呼ばれている半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を導電体（金属ボール）による水晶振動子とＩＣ実装基板の接続に用いて、表面実装用水晶発振器を安価に製造できるようにしたものである。

本願の第１発明は、ＩＣチップを接合したＩＣ実装基板と気密封止された水晶片と水晶パッケージとからなる水晶振動子とを積層・接合して構成した表面実装用水晶発振器において、該ＩＣ実装基板に形成した水晶振動子接続端子と該水晶振動子に形成した接続端子とを半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により形成し、導電体を介して、前記ＩＣ実装基板と前記水晶振動子とを機械的かつ電気的に接続したことを特徴とする表面実装用水晶発振器に関する。

本願の第２発明は、前記第１発明において、前記導電体が、金属ボールからなることを特徴とする。

本願の第３発明は、前記第２発明において、前記金属ボールが、コアあり半田ボールからなることを特徴とする。

本願の第４発明は、前記第２発明において、前記金属ボールが、コアありＣｕボールからなることを特徴とする。

本願の第５発明は、前記第１発明において、前記ＩＣチップが、金バンプにより前記ＩＣ実装基板に接合されていることを特徴とする。

本願の第６発明は、前記第１発明において、前記ＩＣチップが、半田バンプにより前記ＩＣ実装基板に接合されていることを特徴とする。

本願の第７発明は、前記第１発明において、前記ＩＣチップが、半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により前記ＩＣ実装基板に接合されていることを特徴とする。

本願の第８発明は、前記第１発明において、前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂が、少なくとも、前記ＩＣ基板に形成した前記水晶振動子接続端子の端子面及び前記水晶振動子に形成した接続端子の端子面と対向する面に塗布されていることを特徴とする。

本願の第９発明は、前記第１発明において、前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂が、前記ＩＣチップの周縁部まで塗布されていることを特徴とする。

本願の第１０発明は、前記第１発明において、前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂が、前記水晶振動子の底面全体に塗布されていることを特徴とする。

本願の第１１発明は、前記第１発明において、前記導電体が、前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により前記ＩＣ実装基板及び前記水晶振動子に接合されていることを特徴とする。

本願の第１２発明は、前記第１発明において、前記ＩＣ実装基板の内部にＧＮＤ層を埋設して形成したことを特徴とする。

本願の第１３発明は、前記第１発明から前記第１２発明において、前記表面実装用水晶発振器が、温度補償型水晶発振器であることを特徴とする。

本願の第１４発明は、前記第１３発明において、前記ＩＣチップが、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路と、該温度センサ回路の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリと、水晶発振回路と、該水晶発振回路が出力するアナログ信号を出力するためのバッファ回路と、を格納していることを特徴とする。

本願の第１５発明は、水晶片を搭載した水晶振動子と、ＩＣチップをフリップチップボンディングしたＩＣ実装基板を準備する工程と、前記水晶振動子のパッド面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布し、導電体を前記熱硬化性樹脂の塗布面に載置する工程と、加熱・加圧して前記塗布面に載置した前記導電体を前記塗布面に固着する工程と、前記ＩＣ実装基板のＩＣ実装面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布する工程と、前記熱硬化性樹脂を塗布した面を対向させて前記水晶振動子と前記実装基板とを重ねあわせて加熱・加圧して接合する工程と、接合した前記水晶振動子と前記ＩＣ実装基板を個片に切断して表面実装用水晶発振器を得る工程と、からなることを特徴とする表面実装用水晶発振器の製造方法に関する。

本願の第１６発明は、水晶片を搭載した水晶振動子と、ＩＣチップをフリップチップボンディングしたＩＣ実装基板を準備する工程と、前記ＩＣ実装基板のＩＣ実装面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布し、導電体を前記熱硬化性樹脂の塗布面に固着する工程と、加熱・加圧して前記塗布面に載置した前記導電体を前記塗布面に固着する工程と、前記水晶振動子のパッド面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布する工程と、前記熱硬化性樹脂を塗布した面を対向させて前記水晶振動子と前記実装基板とを重ねあわせて加熱・加圧して接合する工程と、接合した前記水晶振動子と前記ＩＣ実装基板を個片に切断して表面実装用水晶発振器を得る工程と、からなることを特徴とする表面実装用水晶発振器の製造方法に関する。

ＩＣ実装基板に形成した水晶振動子接続端子と水晶振動子に形成した接続端子とを金属ボール等の導電体と半田粒子を含む熱硬化性樹脂により接続したので、小型化・低背化し、かつ安価な表面実装用水晶発振器を得ることができる。

本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である、温度補償型水晶発振器を示し、ＩＣ実装基板に形成した水晶振動子接続端子と水晶振動子の接続端子とを、金属ボールを介して半田粒子を含む熱硬化性樹脂で固着して接続した実施例を示す。 図１に示した本発明の実施例の温度補償型水晶発振器のII−II矢視断面を示す。 図１に示した本発明の実施例の温度補償型水晶発振器の底面図を示す。 本発明の表面実装用水晶発振器に用いる半田粒子を含む熱硬化性樹脂による電子部品の一般的な接続方法の工程を説明する図である。 図１に示した本発明の実施例の温度補償型水晶発振器において、ＩＣチップをＩＣ実装基板の上面に実装した状態を示す平面図である。 図１に示した本発明の実施例の温度補償型水晶発振器のブロック図である。 図２にＡ矢視で示した部分の部分拡大断面図である。 本発明の表面実装用水晶発振器の第１の製造方法の工程を示すフローチャートである。 本発明の表面実装用水晶発振器の第２の製造方法の工程を示すフローチャートである。 ホット端子の形成領域を接続用金属膜の面積よりも大にした従来の表面実装用水晶発振器の接続用金属膜形成面の平面図である。 本願発明者の関連発明である異方性導電シートを用いた表面実装用水晶発振器の縦断面図である。

表面実装用水晶発振器
図１、図２及び図３に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例の温度補償型水晶発振器は、セラミックまたは水晶板またはガラス板あるいはガラスエポキシ基板からなるＩＣ実装基板７の上面主面上に、ＩＣ実装用バンプ（半田または金バンプ）５あるいはフリップチップボンディングにより実装されたＩＣチップ４と、このＩＣチップ４の上面主面上に、セラミックまたは水晶板あるいはガラス板２ａ，２ｂからなり、かつ、その内部に水晶片３を水晶保持端子３ｂに導電性接着剤３ａにより接合保持して構成した水晶パッケージ２（水晶振動子という）を接着し、水晶パッケージ２の上部開口をコバールまたは水晶板からなるリッド８をシーム溶接等により、密封封入して、気密に構成されている。

また、図２及び図７に示すように、ＩＣ実装基板７に形成した水晶振動子接続端子９ａと水晶振動子２の底面に設けた水晶振動子２の接続端子９ｂとを金属ボール６、例えば、コアありの半田ボール、Ｃｕボール等を介在させ、水晶振動子接続端子９ａと水晶振動子２の接続端子９ｂとを加熱・溶融させて機械的・電気的に水晶振動子２とＩＣ実装基板７とを接続する。ここで、水晶振動子接続端子９ａと水晶振動子の接続端子９ｂは、ともに、後述する半田粒子を含む熱硬化性樹脂（以下、ＥＳＣ５という）からなり、ＥＳＣは、図７に示すように、金属ボール６の周辺と金属ボール６の底部とＩＣ実装基板７の上面との間６ａにも形成される。水晶振動子２とＩＣ実装基板７とを機械的及び電気的に接続するようになる。

特に、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である温度補償型水晶発振器では、金属ボールを介して互いに電気的・機械的に接続されるＩＣ実装基板７に形成した接続端子９ａと水晶振動子に形成した接続端子９ｂとが、ＥＳＣ５（Epoxy encapsulated Solder Connection 5^th）と呼ばれる電子部品接続工法により接続される（非特許文献１参照）。

ＥＳＣ５工法は、熱硬化性の接合樹脂に平均粒径が１０μｍ程度の多数の半田粒子（粉）を含有させて、接合部であるバンプ（例えばＡｕ）と電極（例えばＡｕ）の間に半田粒子を噛みこませて半田接合するものである。ここで、半田粒子は、加圧・加熱されると、圧力を受けたバンプと電極の場所においてのみ半田粒子に形成された表面酸化膜が破壊されて溶融接合される。さらに、例えば、１５０℃で３０分加熱されて樹脂硬化されるようになっている。

ここで、ＥＣＳ５工法による電子部品の一般的な接続方法を、図４により説明する。まず、図４（ａ）に示すように、基板６０の接続面６１ａには、複数の電極６１が形成されている。この接続面６１ａには、図４（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂６２に半田粒子６３を含んだ熱硬化性樹脂６２が電極６１を覆って塗布される。次いで、熱圧着ツール６４に端子６６を有するフレキシブル基板６５を吸着保持させる。そして、端子６６の下面が半田粒子６１の溶融温度以上の温度まで昇温するように、熱圧電ツール６４によってフレキシブル基板６５を予め加熱する。その後、図４（ｃ）に示すように、端子形成面６５ａと接続面６１ａとを相対向させて、端子６６と電極６１とを位置合わせする。次いで、熱圧着ツール６４を下降させて端子形成面６５ａと接続面６１ａとを接近させ、端子６６をこれに対向する電極６１に半田入り樹脂６２を介して当接させる。最後に、図４（ｄ）に示すように、熱圧電ツール６４によってフレキシブル基板６５を基板６０に対して所定の押圧荷重で押圧するとともに、熱硬化性樹脂６２及び半田粒子６３を熱圧電ツール６４によってフレキシブル基板６５を介して加熱して、硬化し、電極６１と端子６６とが半田粒子６３を介して電気的・機械的に接続される（特許文献３）。

さらに、ＩＣ実装基板７の下面（底面）主面には、図３に示すように、顧客の実装基板（図示せず）に発振器を実装するための発振器実装端子３０（外部端子）（ＶＤＤ：電源端子、ＧＮＤ：接地端子、ＯＵＴ：発振出力端子、ＡＦＣ：自動周波数制御端子）が設けられている。これらの発振器実装端子３０は、とくに、図７に詳細に示すように、ＩＣ実装基板７を貫通するビアホールに形成した貫通電極３０ａによりＩＣ実装バンプ５の電極パッド５ａに接続されている。

また、ＩＣ実装基板７の上面主面には、前述したように、金属ボール（導電体）６を用いて水晶振動子２とＩＣ実装基板７とを接続するために、水晶接続用端子（ＧＮＤ，Ｘ１，Ｘ２端子）９ａが設けられ、これらの水晶接続用端子９ａはＩＣチップ４をＩＣ実装基板７に実装するための電極パッド５ａに接続されている。

また、図５に示すように、ＩＣチップ４をＩＣ実装基板７に実装した状態では、水晶接続用端子９ａ（ＧＮＤ）はＩＣ端子５０（ＧＮＤ）に、Ｘ１端子９ａ（Ｘ１）は端子Ｘ１に、また、Ｘ２端子９ａ（Ｘ２）はＸ２端子にそれぞれ接続されている。ここで、図５の右下の水晶接続用端子はダミーまたはＧＮＤ端子であって、オープンまたはＧＮＤ端子に接続され、水晶振動子２を均等に保持するために金属ボール６を用いて、水晶振動子２と接続してもよい。

また、図６に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である温度補償型水晶発振器の温度補償回路は、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路２０と、温度センサ回路２０の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路２１と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリ２５と、水晶発振回路２３と、水晶発振回路２３に接続された自動周波数制御入力調整回路２６と、定電圧回路２７と、水晶発振回路２３が出力するアナログ信号を出力するための出力バッファ回路２４と、から構成されている。

ここで、詳述すると、温度センサ回路２０は、温度変化に対し出力が１次関数的に変化する電圧を発生し、温度補償回路２１は、温度センサ回路２０の出力電圧から水晶振動子２の周波数温度変化分を補償するための電圧を発生する。不揮発性メモリ２５は、温度補償に用いるデータを格納し、自動周波数制御入力調整回路２６は、ＡＦＣ入力電圧に対する電圧利得を調整し、ＡＦＣ入力電圧による周波数可変幅を調整する。また、水晶発振回路２３は、ＩＣチップ４の外部に接続された水晶振動子２と内蔵した増幅器、可変容量素子により電圧制御水晶発振器を構成している。さらに、定電圧回路２７は、ＤＣ電源電圧から温度や電源電圧に依存しないＩＣチップ内部で使用する電圧を発生し、出力バッファ回路２４は、水晶発振回路の出力をバッファし、発振出力として出力する。

なお、図２に示すように、ＩＣ実装基板７の内部にＧＮＤ層７ｂを埋設して形成して、顧客の実装基板に本発明の表面実装用水晶発振器を実装した時に、水晶発振器の発振周波数が変動しないようにする。

このように、本発明の表面実装用水晶発振器の実施例である温度補償型水晶発振器では、正確、廉価かつ高生産性で、小型化・低背化した水晶発振器を、個片またはウエハレベルで、製造することができるようになる。

本発明の表面実装用水晶発振器の製造方法
以下、本発明の表面実装用水晶発振器の製造方法の実施例１及び２を添付した図８及び図９に基いて説明する。なお、本発明の表面実装用水晶発振器は個片ごとに製造可能であるが、ここでは、ウエハまたはシート工法でその製造方法を説明する。

製造方法１
図８に示すように、本発明の表面実装用水晶発振器の製造方法１では、まず、所定数（例えば、数１００個）の水晶片の周波数調整をし、水晶片を搭載した水晶パッケージの上部開口端をリッドで密封封止したシートまたはウエハ状の集合基板からなる水晶振動子と、所定数のＩＣチップをＩＣ実装面にフリップチップボンディングし、かつ、底面に所定数の外部端子（例えば、個片にしたときに四隅部に形成されるように）を形成したシート状またはウエハ状のＩＣ実装基板を準備する（工程Ｓ１）。

次いで、水晶振動子のパッド面（底面）に半田粒子を含む熱硬化性樹脂（ＥＳＣ５）を塗布し、金属ボールをＥＳＣ５塗布面の所定の位置（例えば、水晶振動子の四隅部）に載置する。ここで、ＥＳＣ５を、少なくとも導電体である金属ボールと接触する部分に塗布するが、塗布効率等を考慮して、水晶振動子のパッド面の前面に塗布してもよい（工程Ｓ２）。

そして、水晶振動子を加熱・加圧して、金属ボールをＥＳＣ５塗布面（水晶振動子側接続端子９ｂに相当する）に接着・固定する。ここで、金属ボール、例えば、半田ボールを形成するＳｎ−Ａｇ−Ｃｕボールの融点が２１７〜２２０℃であるのに対して、ＥＳＣ５を構成する熱硬化性樹脂内の半田粒子の溶融温度は約１４０℃であるので、金属ボールは、溶融・変形せずに原形を留めることになる（工程Ｓ３）。

次いで、所定数のＩＣチップをＩＣ実装用バンプを介してフリップチップボンディングしたシートまたはウエハ状のＩＣ実装基板のＩＣ実装面にＥＳＣ５を塗布する。ここで、ＥＳＣ５を、少なくとも金属ボールと接触する部分（例えば、ＩＣ基板側接続端子９ａ）に塗布するが、後工程のアンダーフィル塗布とリフロー工程を省略するために、図５にＸ，Ｙで示すＩＣチップの周縁領域まで、塗布して硬化させてもよい（工程Ｓ４）。これによりＩＣチップを外部環境から保護できるようになる。

そして、ＥＳＣ５を塗布した面を対向させて、水晶振動子とＩＣ実装基板とを重ね合わせ所定の温度（例えば、１９０℃で１０秒）加熱し、かつ、加圧する。この加熱・加圧工程により、ＥＳＣ５を構成する熱硬化性樹脂が硬化し、水晶振動子とＩＣ実装基板とが一体化し、かつ、ＥＳＣ５中に含まれている半田粒子が、溶融・硬化して金属ボールと接合し、異方性導電体の役目をするようになる（工程Ｓ５）。

最後に、接合して一体化した水晶振動子とＩＣ実装基板のシートまたはウエハをダイシングして個片化し、本発明の表面実装用水晶発振器を得る。

製造方法２
この製造方法２では、図９に示すように、工程Ｓ２で、水晶振動子のパッド面へのＥＳＣ５の塗布に代えて、ＩＣ実装基板のＩＣ実装面にＥＳＣ５を塗布する。

さらに、工程Ｓ４で、ＩＣ実装基板のＩＣ実装面へのＥＳＣ５の塗布に代えて、水晶振動子のパッド面にＥＳＣ５を塗布する。

１ 表面実装用水晶発振器
２ 水晶振動子
２ａ，２ｂ 水晶パッケージ用基板
３ 水晶片
３ａ 導電性接着剤
３ｂ 水晶保持端子
４ ＩＣチップ
５ ＩＣ実装用バンプ
６ 金属ボール（導電体）
７ ＩＣ実装基板
７ａ 基板底面
７ｂ ＧＮＤ層
８ リッド
９ 水晶接続端子
９ａ ＩＣ基板に形成した水晶振動子接続端子
９ｂ 水晶振動子に形成した接続端子
２０ 温度センサ回路
２１ 温度補償回路
２３ 水晶発振回路
２４ 出力バッファ回路
２５ 不揮発性メモリ
２６ 自動周波数制御調整回路（ＡＦＣ）
２７ 定電圧回路
３０ 発振器実装端子
５０ ＩＣ端子
６０ 基板
６１ 電極
６２ 熱硬化性樹脂
６３ 半田粒子
６４ 熱圧着具
６５ フレキシブル基板
６６ 接続端子

Claims (16)

1. ＩＣチップを接合したＩＣ実装基板と気密封止された水晶片と水晶パッケージとからなる水晶振動子とを積層・接合して構成した表面実装用水晶発振器において、該ＩＣ実装基板に形成した水晶振動子接続端子と該水晶振動子に形成した接続端子とを半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により形成し、導電体を介して、前記ＩＣ実装基板と前記水晶振動子とを機械的かつ電気的に接続したことを特徴とする表面実装用水晶発振器。
2. 前記導電体が、金属ボールからなることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
3. 前記金属ボールが、コアあり半田ボールからなることを特徴とする請求項２に記載の表面実装用水晶発振器。
4. 前記金属ボールが、コアありＣｕボールからなることを特徴とする請求項２に記載の表面実装用水晶発振器。
5. 前記ＩＣチップが、金バンプにより前記ＩＣ実装基板に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
6. 前記ＩＣチップが、半田バンプにより前記ＩＣ実装基板に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
7. 前記ＩＣチップが、半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により前記ＩＣ実装基板に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
8. 前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂が、少なくとも前記ＩＣ基板に形成した前記水晶振動子接続端子の端子面及び前記水晶振動子に形成した接続端子に対向する面に塗布されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
9. 前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂が、前記ＩＣチップの周縁部まで塗布されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
10. 前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂が、前記水晶振動子の底面全体に塗布されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
11. 前記導電体が、前記半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂により前記ＩＣ実装基板及び前記水晶振動子に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
12. 前記ＩＣ実装基板の内部にＧＮＤ層を埋設して形成したことを特徴とする請求項１に記載の表面実装用水晶発振器。
13. 前記表面実装用水晶発振器が、温度補償型水晶発振器であることを特徴とする請求項１から１２に記載の表面実装用水晶発振器。
14. 前記ＩＣチップが、温度補償電圧を発生させる温度センサ回路と、該温度センサ回路の出力を用いて温度補償電圧を発生させる温度補償回路と、温度補償量を決定するための不揮発性メモリと、水晶発振回路と、該水晶発振回路が出力するアナログ信号を出力するためのバッファ回路と、を格納していることを特徴とする請求項１３に記載の温度補償型水晶発振器。
15. 水晶片を搭載した水晶振動子と、ＩＣチップをフリップチップボンディングしたＩＣ実装基板を準備する工程と、
    前記水晶振動子のパッド面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布し、導電体を前記熱硬化性樹脂の塗布面に載置する工程と、
    加熱・加圧して前記塗布面に載置した前記導電体を前記塗布面に固着する工程と、
    前記ＩＣ実装基板のＩＣ実装面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布する工程と、
    前記熱硬化性樹脂を塗布した面を対向させて前記水晶振動子と前記実装基板とを重ねあわせて加熱・加圧して接合する工程と、
    接合した前記水晶振動子と前記ＩＣ実装基板を個片に切断して表面実装用水晶発振器を得る工程と、
    からなることを特徴とする表面実装用水晶発振器の製造方法。
16. 水晶片を搭載した水晶振動子と、ＩＣチップをフリップチップボンディングしたＩＣ実装基板を準備する工程と、
    前記ＩＣ実装基板のＩＣ実装面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布し、導電体を前記熱硬化性樹脂の塗布面に固着する工程と、
    加熱・加圧して前記塗布面に載置した前記導電体を前記塗布面に固着する工程と、
    前記水晶振動子のパッド面に半田粒子を含んだ熱硬化性樹脂を塗布する工程と、
    前記熱硬化性樹脂を塗布した面を対向させて前記水晶振動子と前記実装基板とを重ねあわせて加熱・加圧して接合する工程と、
    接合した前記水晶振動子と前記ＩＣ実装基板を個片に切断して表面実装用水晶発振器を得る工程と、
    からなることを特徴とする表面実装用水晶発振器の製造方法。

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