JP2013197469A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013197469A JP2013197469A JP2012065388A JP2012065388A JP2013197469A JP 2013197469 A JP2013197469 A JP 2013197469A JP 2012065388 A JP2012065388 A JP 2012065388A JP 2012065388 A JP2012065388 A JP 2012065388A JP 2013197469 A JP2013197469 A JP 2013197469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beams
- charged particle
- blankers
- defective
- aperture member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【構成】本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数の第1のブランカーと、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを複数の第1のブランカーの偏向方向と直交する方向に偏向する複数の第2のブランカーと、複数の第1のブランカーと複数の第2のブランカーとのうち少なくとも一方によってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出処理部と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部を有し、複数の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数の第1のブランカーと、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを複数の第1のブランカーの偏向方向と直交する方向に偏向する複数の第2のブランカーと、
複数の第1のブランカーと複数の第2のブランカーとのうち少なくとも一方によってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出処理部と、
を備えたことを特徴とする。
機械的スイッチ機構のリレー回路と、
をさらに備え、
複数の第2のブランカーは、定電圧源とリレー回路とによって駆動されると好適である。
荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の開口部を有するアパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する工程と、
不良ビームがビームOFFに制御された状態で残りのマルチビームのうちの少なくとも1つを用いて、不良ビームの位置が重ならないように位置をずらしながら多重描画を行う工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート214、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、電流量測定部の一例としてのファラディーカップ106と、XYステージ105の位置測定用のミラー210とが配置される。また、ブランキングプレート214の上面には、不良ビームカット用の複数のブランカー212(第2のブランカー)が配置され、下面には、ブランキング偏向を行う複数のブランカー204(第1のブランカー)が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングプレートの上面および下面の一部を示す図である。図4(a)は、ブランキングプレートの上面の一部を示している。図4(b)は、ブランキングプレートの下面の一部を示している。ブランキングプレート214は、アパーチャ部材203の各穴22の配置位置に合わせて通過孔(開口部)が形成され、各通過孔には、上面側にブランカー212が、下面側にブランカー204がそれぞれ配置される。
22,23 穴
24,25,26,27 電極
30 描画領域
32,33 ストライプ領域
34 照射領域
36 ショットパターン
40 部分領域
50 検出処理部
51 設定部
52 描画処理制御部
54 描画データ処理部
56 ずらし幅設定部
58 リスト作成部
60 照射量算出部
62 照射量補正部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
106 ファラディーカップ
110 制御計算機
112 メモリ
120 定電圧電源
122 リレー回路
130,132 偏向制御回路
134,136 DACアンプ
138 電流検出器
139 ステージ位置検出部
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204,212 ブランカー
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
209 検出器
210 ミラー
214 ブランキングプレート
Claims (5)
- 試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部を有し、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数の第1のブランカーと、
前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを前記複数の第1のブランカーの偏向方向と直交する方向に偏向する複数の第2のブランカーと、
前記複数の第1のブランカーと前記複数の第2のブランカーとのうち少なくとも一方によってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する検出処理部と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 上面に前記複数の第2のブランカーが配置され、裏面に前記複数の第1のブランカーが配置され、前記マルチビームのうち対応するビームが通過する複数の開口部が形成されたブランキングプレートをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
- 定電圧源と、
機械的スイッチ機構のリレー回路と、
をさらに備え、
前記複数の第2のブランカーは、前記定電圧源と前記リレー回路とによって駆動されることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームの照射を受けてマルチビームを形成する複数の開口部を有するアパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、不良ビームを検出する工程と、
前記不良ビームがビームOFFに制御された状態で残りのマルチビームのうちの少なくとも1つを用いて、不良ビームの位置が重ならないように位置をずらしながら多重描画を行う工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記不良ビームの位置になり照射されなかった分の照射量を多重描画する他のビームの照射量に加算することを特徴とする請求項4記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012065388A JP6014342B2 (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US13/770,322 US9299533B2 (en) | 2012-03-22 | 2013-02-19 | Multi charged particle beam writing apparatus utilizing multiple staged mutually orthogonal beam blankers |
US15/041,871 US10120284B2 (en) | 2012-03-22 | 2016-02-11 | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012065388A JP6014342B2 (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016028702A Division JP2016115946A (ja) | 2016-02-18 | 2016-02-18 | マルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013197469A true JP2013197469A (ja) | 2013-09-30 |
JP6014342B2 JP6014342B2 (ja) | 2016-10-25 |
Family
ID=49212143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012065388A Active JP6014342B2 (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9299533B2 (ja) |
JP (1) | JP6014342B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197468A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2015056668A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 補正プレートを有する荷電粒子多重ビーム装置 |
KR20150054700A (ko) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 |
JP2016054291A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びマルチ荷電粒子ビームの不良ビーム遮蔽方法 |
JP2016082106A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2017143187A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成形アパーチャアレイの評価方法 |
JP2017168574A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビームのブランキング方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2018041920A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイ装置、荷電粒子ビーム描画装置、および電極テスト方法 |
US9991086B2 (en) | 2016-01-14 | 2018-06-05 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing method and multi charged particle beam writing apparatus |
US10020165B2 (en) | 2015-10-07 | 2018-07-10 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus |
JP2019033117A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US10340120B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-07-02 | Nuflare Technology, Inc. | Blanking aperture array, method for manufacturing blanking aperture array, and multi-charged particle beam writing apparatus |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015023286A (ja) | 2013-07-17 | 2015-02-02 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置 |
JP6211435B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-10-11 | 株式会社アドバンテスト | 半導体装置の製造方法 |
EP2913838B1 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool |
JP6262024B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US9443699B2 (en) | 2014-04-25 | 2016-09-13 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-beam tool for cutting patterns |
EP3358599B1 (en) | 2014-05-30 | 2021-01-27 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of dose inhomogeneity using row calibration |
JP6892214B2 (ja) | 2014-07-10 | 2021-06-23 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 |
NL2013411B1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-09-27 | Univ Delft Tech | Multi electron beam inspection apparatus. |
US9568907B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-02-14 | Ims Nanofabrication Ag | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer |
JP6383228B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2018-08-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US9653263B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-05-16 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension |
EP3096342B1 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | Bi-directional double-pass multi-beam writing |
US10410831B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-09-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Multi-beam writing using inclined exposure stripes |
DE102015013698B9 (de) * | 2015-10-22 | 2017-12-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops |
KR102358009B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 빔 투사 장치 및 빔 투사 장치를 이용하여 빔을 투사하는 방법 |
US9997329B2 (en) | 2015-11-26 | 2018-06-12 | Nuflare Technology, Inc. | Evaluation method, correction method, recording medium and electron beam lithography system |
US10325756B2 (en) | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
JP6589758B2 (ja) * | 2016-07-04 | 2019-10-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2018098268A (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキング偏向器及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US10325757B2 (en) | 2017-01-27 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced dose-level quantization of multibeam-writers |
US10522329B2 (en) | 2017-08-25 | 2019-12-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus |
US11569064B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-01-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for irradiating a target using restricted placement grids |
JP7074639B2 (ja) * | 2017-11-03 | 2022-05-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビームの個別ビーム検出器、マルチビーム照射装置、及びマルチビームの個別ビーム検出方法 |
CN108240435B (zh) * | 2018-01-05 | 2021-04-16 | 巢湖市华鑫输送设备有限公司 | 一种用于链条传动的电磁可调节的非接触式张紧装置 |
US10651010B2 (en) | 2018-01-09 | 2020-05-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction |
US10840054B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering |
EP3576128A1 (en) * | 2018-05-28 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method |
JP7232057B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2023-03-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置、及びマルチ電子ビーム照射方法 |
JP7180515B2 (ja) * | 2019-04-11 | 2022-11-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US11099482B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Ims Nanofabrication Gmbh | Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers |
KR20210132599A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 대전 입자 소스 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58206931A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-12-02 | ザルトリウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子秤 |
JP2004333942A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Hoya Corp | パターン描画方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP2005116743A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2005322918A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | 粒子ビーム処理のための新型のパターン画定法 |
JP2006080276A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム描画装置 |
CN101228608A (zh) * | 2005-07-25 | 2008-07-23 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
JP2012527766A (ja) * | 2009-05-20 | 2012-11-08 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | デュアルパス走査 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04313145A (ja) | 1991-04-11 | 1992-11-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 情報処理機器 |
JP3299632B2 (ja) * | 1994-06-24 | 2002-07-08 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
US6566664B2 (en) * | 2000-03-17 | 2003-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method |
US20030132382A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-17 | Sogard Michael R. | System and method for inspecting a mask |
US6803582B2 (en) * | 2002-11-29 | 2004-10-12 | Oregon Health & Science University | One dimensional beam blanker array |
US7928404B2 (en) * | 2003-10-07 | 2011-04-19 | Multibeam Corporation | Variable-ratio double-deflection beam blanker |
GB2414857B (en) * | 2004-06-03 | 2009-02-25 | Nanobeam Ltd | Apparatus for blanking a charged particle beam |
US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
JP4761508B2 (ja) | 2005-03-16 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4843679B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-12-21 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 荷電粒子ビーム曝露システム |
US7550739B2 (en) * | 2006-03-30 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Limited | Static electricity deflecting device, electron beam irradiating apparatus, substrate processing apparatus, substrate processing method and method of manufacturing substrate |
JP2008176984A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工装置 |
NL2001369C2 (nl) * | 2007-03-29 | 2010-06-14 | Ims Nanofabrication Ag | Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. |
CN102017052B (zh) * | 2008-02-26 | 2013-09-04 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 投影透镜装置 |
DE102008062450B4 (de) * | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
JP5199896B2 (ja) | 2009-01-06 | 2013-05-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画方法及び描画装置 |
JP5634052B2 (ja) | 2009-01-09 | 2014-12-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法 |
US8115168B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-02-14 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle apparatus package having an embedded heater |
KR101244525B1 (ko) | 2010-04-20 | 2013-03-18 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2012065388A patent/JP6014342B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-19 US US13/770,322 patent/US9299533B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-11 US US15/041,871 patent/US10120284B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58206931A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-12-02 | ザルトリウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子秤 |
JP2004333942A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Hoya Corp | パターン描画方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP2005116743A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2005322918A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | 粒子ビーム処理のための新型のパターン画定法 |
JP2006080276A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム描画装置 |
CN101228608A (zh) * | 2005-07-25 | 2008-07-23 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
JP2009503844A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | マスクレスリソグラフィシステムの信頼性の改良 |
JP2012527766A (ja) * | 2009-05-20 | 2012-11-08 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | デュアルパス走査 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197468A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2015056668A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 補正プレートを有する荷電粒子多重ビーム装置 |
KR20150054700A (ko) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 |
KR101660872B1 (ko) | 2013-11-12 | 2016-09-28 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 |
JP2016054291A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びマルチ荷電粒子ビームの不良ビーム遮蔽方法 |
JP2016082106A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US9543120B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-01-10 | Nuflare Technology, Inc. | Blanking device for multi charged particle beams, and multi charged particle beam writing apparatus |
US10020165B2 (en) | 2015-10-07 | 2018-07-10 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus |
US9991086B2 (en) | 2016-01-14 | 2018-06-05 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing method and multi charged particle beam writing apparatus |
JP2017143187A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成形アパーチャアレイの評価方法 |
JP2017168574A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビームのブランキング方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
US10340120B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-07-02 | Nuflare Technology, Inc. | Blanking aperture array, method for manufacturing blanking aperture array, and multi-charged particle beam writing apparatus |
JP2018041920A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイ装置、荷電粒子ビーム描画装置、および電極テスト方法 |
US10068750B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-09-04 | Nuflare Technology, Inc. | Blanking aperture array apparatus, charged particle beam lithography apparatus, and electrode testing method |
JP2019033117A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7002243B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-01-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10120284B2 (en) | 2018-11-06 |
US9299533B2 (en) | 2016-03-29 |
US20130252145A1 (en) | 2013-09-26 |
JP6014342B2 (ja) | 2016-10-25 |
US20160161849A1 (en) | 2016-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6014342B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5977941B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2016115946A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6293435B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6545437B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5484808B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
US10483088B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method | |
JP5977550B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR101934320B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치, 및 멀티 하전 입자빔의 불량빔 차폐 방법 | |
JP2013055144A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6653125B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6013089B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2017107959A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム装置及びマルチ荷電粒子ビーム像の形状調整方法 | |
JP6403045B2 (ja) | マルチビーム描画方法およびマルチビーム描画装置 | |
KR20180098152A (ko) | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 그 조정 방법 | |
JP2013128031A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2017168574A (ja) | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビームのブランキング方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6449940B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR20220023701A (ko) | 멀티 전자 빔 묘화 장치 및 멀티 전자 빔 묘화 방법 | |
JP2018137358A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
US20190385812A1 (en) | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same | |
JP7316127B2 (ja) | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 | |
WO2022209517A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビームの測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6014342 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |