JP2005322918A - 粒子ビーム処理のための新型のパターン画定法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒子ビーム処理装置において、複数のアパーチャ(21)がパターン画定フィールド(pf)中に並べられており、前記アパーチャ(21)の位置は互いに、走査方向に対して垂直又は平行な方向(X、Y)に沿って取られたアパーチャの実効幅(w)の整数倍だけではなく前記実効幅の整数分数の整数倍だけオフセットされる。パターン画定フィールド(pf)は、多くのジグザグライン(pl)を成すアパーチャで構成されるいくつかのドメイン(D)に分割され、走査方向に対して垂直な方向に沿って、あるドメインのアパーチャは、実効幅(w)の整数倍だけ互いにオフセットされ、一方、異なったドメインのアパーチャのオフセット量はその幅の整数分数である。
【選択図】図8
Description
+ 基板に対して平行に放出することが可能なサブビームの数と領域当たり配置することが可能なアパーチャの密度とがかなり増加し、その結果、粒子のソースに対する要件が緩和される;
+ 単一ビームブランキングが、連続したデータストリームと簡略化されたデータラインのアーキテクチャによって達成されるが、ここでたった一つのアパーチャ行(=ライン数×1つのアパーチャ)を一クロックサイクル毎にPDフィールドに供給することになっており、これで、PDフィールド上を信号がシフトレジスタによって伝わる;
+ 空間電荷の影響が減少するが、これはビーム電流が、広いビームを用いているために大きい断面積上に分布されるからである;
+ (ライン毎のアパーチャで)部分的露光を多数実行し、これで、所望の露光照射量を累積することによって高度の冗長性が得られ、これで、一回の通過走査でグレースケールを生成することが可能である。
− 従来技術、特にアライらとBerryらによるBAAで利用可能な物理的アドレスグリッドを用いると、リソグラフィ要件(45nmのノードに対して1nmのアドレスグリッド)を満足するためには一回の通過露光で達成されるグレースケールのレベルの数は不十分でしかないが、それは大フィールドの投射系では、PDフィールドのサイズは限られるからである。その結果、プロセスの許容度が劣化し、ラインエッジの粗さの値が許容不可能な値となるがこれは物理アドレスグリッドに関連しており、さらにパターン配置精度が不満足となり、また、マルチパス戦略の場合、スループットが減少して、好ましくない整合誤差が発生する;
− 大きいパターンフィールドを歪みのないように結像する必要性があり、その結果、(高い冗長性を利用するために)走査プロセス中に数千ものアパーチャを重複させなければならなくなる;
− 避けられない電流依存性(=パターン依存性)の画像歪みとピンボケを処理することによって、利用可能な電流が制限され、パターンの均質化が必要となるが、これには時間のかかるデータ前処理が伴う。
以下に検討する本発明の好ましい実施形態は、イオンビーム処理装置で用いられる米国特許第6,768,125号に開示されているパターン画定(PD)システムに基づいている。以下では、このPDシステムの技術的背景を、本発明に関連する限りにおいて、最初に図1〜5(米国特許第6,768,125号のそれに対応するが、適宜修正されている)を参照して検討し、次にPDシステムでの本発明の実施形態を検討する。本発明は以下の実施形態に制限されることはなく、これらは単に、本発明の可能な実施例の一部を表しているだけであることを理解すべきである。
上記した最新のレイアウトによれば、正規のグリッドはあるスポットサイズを持つスポットによって形成され、そのスポットの距離は双方の方向でこのスポットサイズに等しい(図2と図3)。このような正規の架空のグリッドによるアパーチャの位置は以下の説明では基本的グリッドと呼ばれる。
1) 45nmと32nmというライン幅を持つラインを必要とされる1nm(仮想グリッド)という精度でウエハ上に配置することが可能である(25nmのスポット、22.5nmのブレ、14%の背景と16のグレーレベルで計算された)。
グレースケールという用語は、最小(「黒色」)や最大(「白色」)の露光照射量だけではなく中間レベルの値も持つ露光レベルで対象物のところにある画素が照射される可能性のことである。グレー値をアドレス指定するある複合したアプローチが用いられるが、これは米国特許第6,768,125号に概括されている原理に基づいており、本書では複数のインタロッキンググリッド用に、すなわち、(i)重ね合わせによる、すなわち、同じ画素を、さまざまな「透明度」で、すなわちさまざまな偏向状態で操作される複数のアパーチャを介して照射することによるグレースケーリングと、(ii)わずかな照射によるグレースケーリング、すなわち、個々の照射サイクルのわずかな間だけでアパーチャをスイッチオンすることによるグレースケーリングとに適応されている。
本発明のある変更例(ここでは図示せず)では、データ転送の取り扱いは、特にオーバレイするアパーチャ(ブランキング開口部)の数が四つより大きい場合、アパーチャを重ね合わすことによって生成されたグレースケールのコーディングでのグレーグループ戦略を用いて容易化することが可能であることを言及すべきである。合計で所与の強度に達するようにある判明な回数だけ露光を実施するためには、線形のカラーインクレメントの代わりに二進法のカラーインクレメントを用いればよいが、この場合、たとえば4ビット画素は四つのグレーチャネルで構成され、これらのチャネルは各々がN*2n個のアパーチャを含むが、ここでnはグレーカラーチャネル1〜4(又はこれ以上)に対応しており、Nは最も低い(非ゼロ)グレーレベルのアパーチャの数である。これで、4ビット範囲に含まれるいかなるグレーレベルも簡単な二進数で表すことが可能である。たとえば、“0”と“15”の間のグレー値を生成するには、それぞれ1、2、4及び8個のブランキング開口部から成る「グレーグループ」から成る線形の独立した基礎を用いる。
各画素を八つのグレーレベルで書き込むとすると、全ての像スポットは3x8=24ビット(3ビットのグレー情報掛ける各スポットでオーバレイしているドメインの数)に相当する情報を必要とする。データ転送を軽減するには、次の二つの方法がある:
1) 使用するグレーレベルの数を減らす
2) 使用するグリッドの数を減らす
グレーレベルの数を減らすと、1nmという必要とされる仮想グリッドを達成するのが困難となる。
図14〜17に、対象物として用いられる半導体基板上での溝スパッタリングプロセスの進行の様子を示す。このスパッタリングプロセスの目的は、600nmの幅と200nmの深さを持つ長いダブテール溝の形成であるが、この溝は、その全長に渡って直線で一様であるものと仮定される。図14にドメインの第一のシーケンスDa1〜Da8のアパーチャを介して露出した後のプロセスを示し、図15に第二のシーケンスDb1〜Db8の後のプロセスの様子を示し、図16に第三のシーケンスDc1〜Dc8の後のプロセスの様子を示し、図17に完了したスパッタリングプロセスの結果を示すが、この結果は、四つのドメインすべてに対する露出の累積結果である。この基板はシリコンウエハであり、これに、基板上の各スポットの0.75mA/cm2という電流密度を持つ30keVのエネルギでアルゴンイオンで照射されるが、スパッタリング時間は四つのシーケンスの各々に対して3.65秒である。
特に100keV電子を用いるリソグラフィで最高の解像度を達成するのに適している高電圧電子ビームリソグラフィの場合、ウエハ(すなわち対象物)からの後方散乱によって好ましくない照射量分布(近接効果)が発生する。100keVの後方散乱電子は一般的には、レジストでカバーされた表面に達する前に約300ミクロンというディメンジョンにまでかなり拡散する。それと比較して、低エネルギで優勢となる前方散乱は小さい貢献度しか持たない。100keV電子によってもたらされた近接効果を補正するためには、この問題を平滑な背景照射量補正の内の一つとすればよく、実際には特定の特徴形状とは無関係である。
グレースケーリングの文脈で考えられる欠陥や他の問題を考慮に入れるには、ライン毎の欠陥の数によってイネーブルされたりディスエーブルされたりするスペアのブランキング開口部を含めばよい。このオプションを提供するには、必要以上のアパーチャを一部の又は全てのチャネルに対して構造化すれば、又は、より有用そうな方法としては、さらなる「余分のアパーチャ」グループを各ライン上に追加して、ライン毎に特定の数のアパーチャを、必要に応じて、たとえば対応する接続ラインを収束したイオンビームで修正することによって物理的に又は実現されたロジックを用いてソフトウエア制御されたスイッチングによって「起動する」ようにすればよい。詳細は、本出願者のAT 755/2003とそれから誘導された特許出願に見受けられる。
インタロッキンググリッドを実現する他の方法が存在することは注意に値する。一例を図19と20に示すが、これはすなわち、三角形の対象物グリッド(図20)をアドレス指定するためにPDフィールド(図19)中の六角形(又は六角形に似た形状、たとえば円形)のアパーチャの並べ方である。アパーチャ(すなわちブランキング開口部)が三つのドメインhm1、hm2及びhm3中に並べられている。上記の考慮にしたがってグレーグループに分割されている各ドメイン内で、アパーチャは六角形配列(これは走査方向に伸ばされている)にしたがって互いに位置付けされているが、ここで、隣同士のラインはこの六角形の長さaの側長の3/2だけ分離しており、隣同士のライン上のアパーチャのオフセットhoの適切な値はho=(k+1/2)・a・√3であり、ここで、k≧1は整数である。一般に、オフセットラインに対して適切な信号位相変換がなされればいかなるオフセットも可能である。異なったドメイン同士のアパーチャ間の距離d12とd23は、オフセットho又は(k’+1/2)・a・√3又は、一般に、それぞれのドメインに属すグループのそれぞれの最初のアパーチャに対して適切な信号位相変換が応用されればいかなるオフセットにでも等しいものとして選ばれる。距離d12とd23は通常は互いに等しいが、また、異なる値を取ることもありえる。これらの値によって、図19の六角形のアパーチャは、図20に示す三角形対象物グリッドhgによる正規の分布を発生するのに適切である。この図で、点は対象物上の物理的アクセスグリッド(露光ドットの中心)を表し、実線は三つのドメインhm1、hm2、hm3全てのアパーチャの幾何学的スポットの包絡線を示している。
Claims (19)
- 粒子ビーム処理装置(100)中で用いられるパターン画定デバイス(102)であり、前記デバイスは帯電した粒子のビーム(lp、bp)で照射され、また、ビームが複数のアパーチャだけを通過させるようになっており、前記同一形状のアパーチャ(21、230)が前記アパーチャを透過するビームレット(bm)の形状を画定し、前記アパーチャ(21)はパターン画定フィールド(pf)内に並べられている、前記デバイスにおいて、
前記アパーチャとは対応するブランキング開口部(220)が関連しており、前記開口部は、前記ビームレット(bm)の各々がそれぞれ前記ビームレットを確定するアパーチャに対応するブランキング開口部を横断するように置かれており、
各ブランキング開口部(220)は、二つの偏向状態、すなわち、偏向手段が開口部を通って放射された粒子が所望の経路(p1)を伝わることを許容される第一の状態(「スイッチオン」)と前記偏向手段が前記経路から離れたところにある開口部を通って放射された粒子を偏向させている第二の状態(「スイッチオフ」)を持つブランキング信号(911)によって制御することが可能であり、
走査方向に対して垂直な方向(Y)及び/又は前記走査方向に対して平行な方向に対して取られた方向(X)に対して取られた前記パターン確定フィールド(pf)中での前記アパーチャ(21)の位置が、前記方向に沿って取られたアパーチャの実効幅(w)の整数倍だけではなく前記実効幅の整数分数のさらなる整数倍(「分数オフセット」)だけ互いにオフセットされ、
前記走査方向(sd)が、対象物表面上で前記ビームによって形成されたアパーチャの像が照射プロセス中に前記対象物表面上を移動する方向を示している、
前記デバイス。 - 多くのビームレットを形成するアパーチャ配列手段(203)と選択されたビームレットの通過を制御するブランキング手段(202)とを備え、
前記アパーチャ手段(203)が、前記アパーチャを透過するビームレット(bm)の形状を画定する同一形状の複数のアパーチャ(21、230)を有し、前記アパーチャ(21)は、前記走査方向に対して垂直な方向(Y)及び/又は前記走査方向に対して平行な方向に対して取られた方向(X)に対して取られた前記アパーチャ(21)の位置が、前記方向に沿って取られたアパーチャの実効幅の整数倍だけではなく前記実効幅の整数分数のさらなる整数倍(「分数オフセット」)だけ互いにオフセットされ、
前記ブランキング手段(202)が、前記アパーチャ配列手段(203)のアパーチャ(230)に対応する並べ方で並べられた複数のブランキング開口部(220)を有する、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記分数オフセットが1/2Nの整数倍掛けるアパーチャの実効幅であり、Nが正の整数、望ましくは1より大きいい、請求項1又は2に記載のデバイス。
- 前記パターン確定フィールド(pf)がいくつかのドメイン(D)に分割され、各ドメインが、走査方向に沿って流れるアパーチャから成る複数のジグザグライン(pl)から構成されており、前記アパーチャが前記ライン内でアパーチャの実効幅(w)の整数倍だけ互いに分離されており、また、隣同士のライン間で前記整数倍の幅の分数(mw)だけオフセットされており、走査方向に対して垂直な方向に沿って、あるドメインのアパーチャは互いに、アパーチャの実効幅(w)の整数倍だけオフセットされ、一方、異なったドメインのアパーチャのオフセットは分数オフセットである、請求項1から3のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記ドメインのアパーチャの並べ方が、各ドメイン内のアパーチャの相対的な位置に関して対応している、請求項4に記載のデバイス。
- 前記ドメインが同じ数のアパーチャを有する、請求項5に記載のデバイス。
- 前記分数オフセットが1/2Nの整数倍掛けるアパーチャの実効幅であり、Nが1より大きい正の整数であり、さまざまな分数オフセットを持つドメインの数が22N−1である、請求項4から6のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記分数オフセットが1/2Nの整数倍掛けるアパーチャの実効幅であり、Nが1より大きい正の整数であり、さまざまな分数オフセットを持つドメインの数が2Nであり、前記分数オフセットがアパーチャのベースの形状の対角線上にある、請求項4から6のいずれか一項に記載のデバイス。
- ブランキング信号が前記パターン画定フィールド(pf)の、走査方向に対して平行な側に対して部分的に、また、垂直な側に対して部分的に供給される、請求項1から8のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記アパーチャの形状が平面の連続的カバーリングの二次元の幾何学的ベース形状に実質的に等しい、請求項1から9のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記ベース形状が方形である、請求項10に記載のデバイス。
- 構造的修正によって前記デバイスの表面上でアクセス可能であり、また、前記構造的修正によって処理されると電子的な接続状態と遮断状態を持つそれぞれのブランキング信号のその透過率を変化させるようになっているコンポーネントを備える、前記ブランキング信号を供給するラインを持つブランキング開口部を備える、請求項1から11のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記コンポーネントは、電気的に良好な伝導状態と非伝導状態の間を不可逆的に変更されるようになっているコンダクタセグメントとして実現される、請求項12に記載のデバイス。
- ブランキング信号がフィードラインから誘導され、各フィードラインは、多くのブランキング開口部に対してブランキング信号を供給し、前記信号は一連のシフトレジスタを伝播して、各々のブランキング開口部に対して一つずつ付いている中間バッファ手段のシーケンスに入力され、すると、前記バッファ手段に含まれているデータが共通トリガー信号によって起動される、請求項1から13のいずれか一項に記載のデバイス。
- 各ブランキング開口部に対する前記ブランキング信号がマルチビット信号であり、前記信号が、一回の露光時間内でそれぞれのアパーチャがスイッチオンされている持続時間をコーディングする、請求項14に記載のデバイス。
- 前記偏向手段が、スイッチオフ状態では、粒子ビームの方向から見て前記デバイスの背後に搭載されている前記露光装置(100)の吸収表面(204)に向けて粒子を偏向させるようになっている、請求項1から15のいずれか一項に記載のデバイス。
- 前記アパーチャの形状が、丸められた及び/又は傾斜付きのエッジを持つ、平面の連続的カバーリングの二次元多角形ベース形状に等しい、請求項10に記載のデバイス。
- 前記アパーチャの形状の面積が、オリジナルの多角形ベース形状のそれと同じである、請求項17に記載のデバイス。
- 前記アパーチャの形状がコーナーを丸めた方形である、請求項17又は18に記載のデバイス。
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