JP2013140998A - 小ビームブランカ構成体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムであって、複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器と、複数の小ビームをパターン化するための小ビームブランカと、ターゲットの表面上にパターン化された複数の小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、を具備し、このシステムは、偏向デバイスを具備し、前記偏向デバイスは、複数のメモリセルを有し、各メモリセルには、記憶素子が設けられており、各メモリセルは、偏向器のスイッチング電極に接続されている。
【選択図】図7
Description
御線36Aにある制御信号は、スイッチング素子131を通過して、記憶素子132にロードされる。その後、第2の制御線36Bの電圧が取り除かれたとき、スイッチング素子131が開く。記憶素子132は、この例ではキャパシタであり、スイッチング素子131の出力とグランド線との間に結合されている。キャパシタ132は、増幅器133に固有の寄生キャパシタであることができるが、代わって、内部金属(intermetal)キャパシタ、又はMOSトランジスタのタイプのキャパシタのような他のタイプであってもよい。このタイプの記憶素子132では、制御信号は、増幅器133の入力に継続的に供給される。制御信号は、偏向器30のスイッチング電極に偏向電圧を与えるように、増幅器133に使用される。1つの実行では、増幅器133は、インバータを有する。記憶素子132から読み出された制御信号が十分に高い限り、偏向電圧は偏向器のスイッチング電極に与えられる。この実行は、記憶素子132から読み出された制御信号が効果的にデジタル化されるという利点を有することがわかる。結果として、増幅器133は、スイッチング電極に偏向電圧を与えるか、偏向電圧を全く与えないかのどちらかである。記憶素子132から出力された制御信号は、漏電によりアナログプロフィールを有してもよいことが気付かれる。
Claims (34)
- 複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステムであって、
複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器と、
前記複数の小ビームをパターン化するための小ビームブランカと、
前記ターゲットの表面上に前記パターン化された複数の小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、を具備し、
このシステムは、偏向デバイスを具備し、
前記偏向デバイスは、複数のメモリセルを有し、
各メモリセルには、記憶素子が設けられており、各メモリセルは、偏向器のスイッチング電極に接続されているシステム。 - 前記メモリセルは、増幅器をさらに具備し、
前記記憶素子は、前記増幅器の入力に結合されている請求項1のシステム。 - 前記増幅器は、インバータを有する請求項2のシステム。
- 前記記憶素子は、キャパシタを有する請求項1のシステム。
- 前記メモリセルは、前記記憶素子に信号をロードするための少なくとも1つのスイッチング素子を有する請求項1又は4のシステム。
- 前記複数のメモリセルは、アドレス可能なアレイに組織化されている請求項1のシステム。
- 前記複数のメモリセルは、第1及び第2の制御線の交差点に設けられている請求項6のシステム。
- 前記アレイは、電圧供給チャネルと、クロック分配チャネルと、の少なくとも一方をさらに具備する請求項6又は7のシステム。
- 前記記憶素子のローディングは、制御装置によって制御され、
前記制御装置からの信号が、好ましくは、前記偏向デバイス中の光感知素子に伝送される請求項1のシステム。 - 中間メモリが、複数の前記信号の一時的な記憶のためにある請求項1又は9のシステム。
- 前記偏向器の前記電極の少なくとも1つは、凹形状を有する請求項1のシステム。
- 異なるメモリセルの第1及び第2の偏向器は、互いに異なる方向に偏向させるように配置されている請求項1のシステム。
- 前記第1及び第2の偏向器の前記偏向の方向は、互いに対向する方向である請求項12のシステム。
- 前記小ビームは、前記偏向デバイスに対して所定の入射角を有し、
前記入射角は、前記偏向デバイスに直角に規定されており、
前記偏向器は、さらに、前方に前記小ビームを偏向し、かくして、前記入射角を増加させる請求項1、12又は13のシステム。 - 第2の小ビームが、後方に偏向され、かくして、前記第2の小ビームの前記入射角を減少させる請求項14のシステム。
- 複数のメモリセルを具備し、
各セルには、記憶素子が設けられており、各セルは、偏向器に接続されている偏向デバイス。 - 少なくとも1つの荷電粒子の小ビームを偏向する方法であって、
偏向器に制御信号を伝送する工程と、
前記制御信号に基づいて前記小ビームを偏向させる工程と、を具備し、
前記制御信号が、前記偏向器に接続されたメモリセルの記憶素子に伝送される方法。 - 前記制御信号を前記記憶素子に周期的に伝送することをさらに具備する請求項17の方法。
- 制御期間中、前記記憶素子から前記制御信号を継続的に与えることをさらに具備する請求項17又は18の方法。
- 前記記憶素子中の前記制御信号を増幅することと、
前記偏向器のスイッチング電極に駆動電圧として前記増幅された制御信号を与えることと、をさらに具備する請求項17又は19の方法。 - 前記増幅器は、前記制御信号を評価するためのインバータを有し、
前記増幅器は、デジタル出力を有する請求項20の方法。 - 前記制御信号は、好ましくは、制御装置から前記メモリセルに電気的に結合された光感知素子に伝送される請求項17の方法。
- 少なくとも1つの荷電粒子の小ビームを使用してターゲットの表面にパターンを転写する方法であって、
前記少なくとも1つの荷電粒子の小ビームを発生させる工程と、
前記小ビームをパターン化するように、所定の変調パターンに従って前記小ビームを偏向する工程と、
前記ターゲット面に前記パターン化された小ビームを投影する工程と、を具備し、
前記偏向する工程は、請求項18ないし23のいずれか1のように実行される方法。 - マスクレスリソグラフィシステムでの使用のための小ビームブランカであって、
複数のアパーチャが設けられた基板と、
所定の変調パターンに従って前記複数のアパーチャの1つを通過する小ビームを偏向するための第1及び第2の電極を備えた複数の偏向器と、を具備し、
前記電極の少なくとも一方は、凹形状を有する小ビームブランカ。 - 前記凹形状は、前記電極間に延びた前記アパーチャの形状に一致する請求項24の小ビームブランカ。
- マスクレスリソグラフィシステムでの使用のための小ビームブランカであって、
複数のアパーチャが設けられた基板と、
第1及び第2の偏向器と、を具備し、
前記第1及び第2の偏向器の各々には、所定の変調パターンに従って前記複数のアパーチャの1つを通過する小ビームを偏向するための1組の第1及び第2の電極が設けられ、 前記第1の偏向器の前記1組の電極は、前記第2の偏向器での偏向とは異なる方向に偏向するように配置されている小ビームブランカ。 - マスクレスリソグラフィシステムでの使用のための小ビームブランカであって、
複数のアパーチャが設けられた基板と、
第1及び第2の偏向器と、を具備し、
前記第1及び第2の偏向器の各々には、所定の変調パターンに従って前記複数のアパーチャの1つを通過する小ビームを偏向するための1組の第1及び第2の電極が設けられ、 前記小ビームは、前記偏向デバイスに対して所定の入射角を有し、
前記入射角は、前記偏向デバイスに対して直角に規定されており、
前記第1の偏向器は、小ビームをさらに前方に偏向し、かくして、前記小ビームの入射角を増加させ、また、前記第2の偏向器は、小ビームを後方に偏向し、かくして、前記小ビームの入射角を減少させる小ビームブランカ。 - 複数の荷電粒子の小ビームを発生させるためのビーム発生器と、
前記複数の小ビームをパターン化するための小ビームブランカと、
前記ターゲットの表面上に前記パターン化された複数の小ビームを投影するための小ビームプロジェクタと、を具備し、
前記小ビームブランカは、請求項24ないし27のいずれか1のような小ビームブランカを有する荷電粒子マルチ小ビームリソグラフィシステム。 - 複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムであって、
1つの荷電粒子ビームを発生させるための少なくとも1つの荷電粒子源と、
発生された前記ビームから個々の小ビームを発生させるためのアパーチャアレイと、 小ビームを制御可能にブランキングするための小ビームブランカと、
前記ターゲットの表面上に小ビームを投影するための複数の投影レンズ系のアレイと、を具備し、
前記小ビームブランカは、グループ状に配置されたサブアレイの複数の偏向器を有するシステム。 - 各偏向器には、前記偏向器のスイッチング電極を制御するためのメモリセルが設けられている請求項29のシステム。
- 各メモリセルは、2つの制御線に電気的に接続されており、
各制御線は、グループのメモリセルの列又は行に共通に接続されている請求項30のシステム。 - 前記小ビームをブランキングするために前記小ビームが偏向される方向は、小ビームの1つのグループ中の異なる小ビームに対して異なる請求項29のシステム。
- 前記ブランキングの方向は、ビーム停止アレイの位置でのブランキングされた小ビームの質量の中心が、前記位置でブランキングされていない小ビームの位置とほぼ同じである請求項32のシステム。
- 前記ブランキングされた小ビームの偏向の方向は、ビーム停止アレイの位置でのブランキングされた小ビームの質量の中心が、前記位置でブランキングされていない小ビームの位置とほぼ同じであるように、動的に変更される請求項32のシステム。
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