JP2013140997A - 投影レンズ構成体 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 25
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 description 22
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 20
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
【解決手段】複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムであって、荷電粒子ビームを発生させるための少なくとも1つの荷電粒子源1と、発生されたビームから個々の小ビームを規定するアパーチャアレイ4と、小ビームのグループを各グループの共通の収束点に向かって収束させるための小ビームマニピュレータと、小ビームのグループ中の小ビームを制御可能にブランキングするための小ビームブランカ6と、ターゲットの表面上に小ビームのグループのブランキングされていない小ビームを投影するための複数の投影レンズ系10のアレイと、を具備する。小ビームマニピュレータは、これら投影レンズ系の1つに対応する点に向かって小ビームのグループの各々を収束させる。
【選択図】図3
Description
Claims (46)
- 複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムであって、 荷電粒子ビームを発生させるための少なくとも1つの荷電粒子源と、
発生された前記ビームから個々の小ビームを規定するアパーチャアレイと、
前記小ビームの複数のグループを、各グループの共通の収束点に向かって収束させるための小ビームマニピュレータと、
前記小ビームの前記複数のグループ中の小ビームを制御可能にブランキングするための小ビームブランカと、
前記ターゲットの表面上に、前記小ビームの前記複数のグループのブランキングされていない小ビームを投影するための複数の投影レンズ系のアレイと、を具備し、
前記小ビームマニピュレータは、前記複数の投影レンズ系の1つに対応する点に向かって、前記小ビームの前記複数のグループの各々を収束させるように構成されているシステム。 - 前記小ビームマニピュレータは、グループ偏向器アレイを有する請求項1のシステム。
- 前記グループ偏向器アレイは、非均一な偏向動作を果す個々の偏向器要素のグループ状の構成体を有する請求項2のシステム。
- 各グループの前記ブランキングされていない小ビームは、単一の収束点に偏向され、 小ビームの各グループは、異なる収束点に向かって導かれる請求項2又は3のシステム。
- 前記グループ偏向器アレイは、前記小ビームブランカと一体化され、
一体化された前記グループ偏向器/小ビームブランカは、各グループのブランキングされていない小ビームを共通点に収束させ、かつ、ブランキングされた小ビームを前記共通点に収束させないように構成されている請求項2ないし4のいずれか1のシステム。 - 前記グループ偏向器アレイは、
中に形成された複数のアパーチャを有するプレートと、
各アパーチャと関連している複数の電極と、を有し、
前記電極は、前記アパーチャを通過する小ビームを偏向させるように、電気信号を受信する請求項2ないし5のいずれか1のシステム。 - 前記複数の小ビームを成形するための成形アパーチャアレイをさらに具備する請求項2ないし6のいずれか1のシステム。
- 前記アパーチャアレイは、前記小ビームを成形するための成形アパーチャアレイを有し、 前記アパーチャアレイは、複数のサブビームを規定するように構成されており、
前記成形アパーチャアレイは、前記複数のサブビームから複数の小ビームを発生させるように構成されており、
前記アパーチャアレイと前記成形アパーチャアレイとは、単一のユニットに一体化されている請求項2ないし7のいずれか1のシステム。 - 前記小ビームマニピュレータは、グループ偏向器アレイを有し、
前記グループ偏向器アレイと前記成形アパーチャアレイとは、単一のユニットに一体化されている請求項2ないし8のいずれか1のシステム。 - 前記小ビームマニピュレータは、コンデンサレンズアレイと、成形アパーチャアレイと、を有する請求項1のシステム。
- 前記コンデンサレンズアレイは、投影レンズ系に対応する点に各サブビームを集束させるように構成されている請求項10のシステム。
- 前記成形アパーチャアレイは、集束された各サブビームから複数の小ビームを発生させるための複数のアパーチャを有し、
前記複数の小ビームのブランキングされていない小ビームは、投影レンズ系に対応する点に収束する請求項10又は11のシステム。 - 前記アパーチャアレイは、複数のサブビームを規定するように構成されており、
前記成形アパーチャアレイは、複数の小ビームを発生させるように構成されており、 前記アパーチャアレイと前記成形アパーチャアレイとは、単一のユニットに一体化されている請求項10ないし12のいずれか1のシステム。 - 前記小ビームマニピュレータは、第1及び第2のコンデンサレンズアレイと、成形アパーチャアレイと、を有する請求項1のシステム。
- 前記第1のコンデンサレンズアレイは、前記第2のコンデンサレンズアレイの前の共通面に前記複数のサブビームを集束させるように構成されており、
前記第2のコンデンサレンズアレイは、前記複数の投影レンズ系の1つに対応する点に各サブビームを集束させるように構成されている請求項14のシステム。 - 前記成形アパーチャアレイは、前記第2のコンデンサレンズアレイによって集束された各サブビームから複数の小ビームを発生させるための複数のアパーチャを有し、
前記複数の小ビームのブランキングされていない小ビームは、前記複数の投影レンズ系の1つに対応する点に収束する請求項14又は15のシステム。 - このシステムで発生される前記小ビームの数が、投影レンズ系の数よりも多い請求項1ないし16のいずれか1のシステム。
- このシステムは、少なくとも10,000の投影レンズ系を有する請求項1ないし17のいずれか1のシステム。
- このシステムで発生される前記小ビームの数は、投影レンズ系の数の少なくとも3倍である請求項1ないし18のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームの数は、投影レンズ系の数の10ないし200倍である請求項19のシステム。
- 前記小ビームブランカは、小ビームの1つのグループの小ビームをそれぞれブランキングするように構成されている請求項1ないし20のいずれか1のシステム。
- 単一の投影レンズ系が、前記ターゲット上に小ビームの1つのグループのブランキングされていないビームの全てを投影するように構成されている請求項1ないし21のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームブランカは、ブランキング偏向器アレイと、ビーム停止アレイと、を有し、 前記ビーム停止アレイは、前記小ビームブランカによって偏向された小ビームをブロックする請求項1ないし22のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームブランカは、ブランキング偏向器アレイと、ビーム停止アレイと、を有し、 前記ビーム停止アレイは、前記小ビームブランカによって偏向されていない小ビームをブロックする請求項1ないし23のいずれか1のシステム。
- 前記複数の小ビームを規定するための前記アレイのアパーチャは、前記ビームブランカのアパーチャよりも小さい請求項1ないし24のいずれか1のシステム。
- ブランカ偏向器アレイとアパーチャアレイとの少なくとも一方には、前記アレイの面から上向きに延びた複数の壁が設けられている請求項1ないし25のいずれか1のシステム。
- 複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムであって、 荷電粒子ビームを発生させるための少なくとも1つの荷電粒子源と、
発生された前記ビームから複数のサブビームを発生させるための第1のアパーチャアレイと、 前記複数のサブビームを集束させるためのコンデンサレンズアレイと、
各集束されたサブビームから複数の小ビームを発生させるための第2のアパーチャアレイと、 複数の小ビームを制御可能にブランキングするための小ビームブランカと、
前記ターゲットの表面上に複数の小ビームを投影するための投影レンズ系のアレイと、を具備し、 前記コンデンサレンズアレイは、前記投影レンズ系の1つに対応する点に各サブビームを集束させるように構成されているシステム。 - 複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムであって、 荷電粒子ビームを発生させるための少なくとも1つの荷電粒子源と、
発生された前記ビームから複数のサブビームを発生させるための第1のアパーチャアレイと、 集束された各サブビームから複数の小ビームを発生させるための第2のアパーチャアレイと、 前記複数の小ビームを集束させるためのコンデンサレンズアレイと、
前記ターゲットの表面上に複数の小ビームを投影するための投影レンズ系のアレイと、を具備し、 前記コンデンサレンズアレイは、前記投影レンズ系の1つに対応する点に、各サブビームから形成された前記複数の小ビームを集束させるように構成されているシステム。 - 前記第1及び第2のアパーチャアレイは、単一のユニットに組み込まれている請求項28のシステム。
- 前記第1のアパーチャアレイは、比較的大きな複数のアパーチャを有し、
前記第2のアパーチャアレイは、前記第1のアパーチャアレイの各大きなアパーチャに対応する比較的小さな複数のアパーチャのグループを有し、
前記大きな複数のアパーチャの壁は、前記第2のアパーチャアレイの面から上向きに延びている請求項29のシステム。 - 前記大きな複数のアパーチャの前記壁は、前記第2のアパーチャアレイの前記小さな複数のアパーチャのグループを収容している領域を囲んでいる請求項30のシステム。
- 前記大きな複数のアパーチャの前記壁は、前記第2のアパーチャアレイの厚さと比較してかなり上向きに延びている請求項30又は31のシステム。
- 前記第2のアパーチャアレイは、前記小ビームブランカと組み合わせられる請求項27ないし32のいずれか1のシステム。
- 複数の小ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子マルチ小ビームシステムであって、 前記複数の小ビームを形成するために、中に形成された複数の孔のアレイを有する少なくとも1つのプレートと、
少なくとも1つのプレートと、少なくとも1つの投影レンズのアレイと、を有する投影レンズ構成体と、を具備し、
各プレートは、中に形成された複数のアパーチャのアレイを有し、前記複数のアパーチャの位置に形成された前記投影レンズを備え、
前記少なくとも1つの投影レンズのアレイは、投影レンズ系のアレイを形成しており、 各投影レンズ系は、前記少なくとも1つの投影レンズのアレイの対応する点に形成された少なくとも1つの投影レンズを有し、
前記投影レンズ系の数は、各投影レンズ系が、前記ターゲット上に複数の小ビームを投影するように、小ビームの数よりも少ないシステム。 - 前記小ビームブランカは、源からターゲットへの方向に、前記小ビームマニピュレータの後に配置されている請求項1ないし34のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームブランカ及び前記小ビームマニピュレータは、ブランキングされていない小ビームの一定の収束の効果を与えるように、近接して配置されている請求項1ないし35のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームブランカ及び前記小ビームマニピュレータは、単一のユニットに一体化されている請求項1ないし36のいずれか1のシステム。
- 単一の源から全ての小ビームが発生される請求項1ないし37のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームの複数のグループの各々の前記収束点は、ビーム停止を有するレンズ系内に位置されている請求項1ないし38のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームの複数のグループの各々の前記収束点は、投影系の有効レンズ領域に位置されている請求項1ないし39のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームの複数のグループの各々の前記収束点は、投影系の有効面レンズに位置されている請求項1ないし40のいずれか1のシステム。
- 前記小ビームの複数のグループの各々の収束の仮想点は、投影系の有効面レンズに位置されている請求項1ないし41のいずれか1のシステム。
- 前記複数の小ビームは、ターゲットの焦点面に前記複数の小ビームを投影するように、レンズ系によってターゲット上に投影される請求項41又は42のシステム。
- 前記小ビームの複数のグループの小ビームの影響を受ける電子光学素子が、このシステムの全ての小ビーム及び小ビームの複数のグループに共通の静電素子として構成されている請求項1ないし43のいずれか1のシステム。
- 前記複数の小ビームの複数のグループは、単一の源から発生される請求項1ないし44のいずれか1のシステム。
- このシステムは、共通静電電子光学素子を使用した複数の源を有する請求項1ないし45のいずれか1のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4524308P | 2008-04-15 | 2008-04-15 | |
US61/045,243 | 2008-04-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011504449A Division JP5268170B2 (ja) | 2008-04-15 | 2009-04-15 | 投影レンズ構成体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013140997A true JP2013140997A (ja) | 2013-07-18 |
JP5475155B2 JP5475155B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=40786929
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011504449A Active JP5268170B2 (ja) | 2008-04-15 | 2009-04-15 | 投影レンズ構成体 |
JP2011504450A Pending JP2011517131A (ja) | 2008-04-15 | 2009-04-15 | 小ビームブランカ構成体 |
JP2013024799A Active JP5475155B2 (ja) | 2008-04-15 | 2013-02-12 | 投影レンズ構成体 |
JP2013024809A Active JP5384759B2 (ja) | 2008-04-15 | 2013-02-12 | 小ビームブランカ構成体 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011504449A Active JP5268170B2 (ja) | 2008-04-15 | 2009-04-15 | 投影レンズ構成体 |
JP2011504450A Pending JP2011517131A (ja) | 2008-04-15 | 2009-04-15 | 小ビームブランカ構成体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013024809A Active JP5384759B2 (ja) | 2008-04-15 | 2013-02-12 | 小ビームブランカ構成体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (3) | EP2402979B1 (ja) |
JP (4) | JP5268170B2 (ja) |
KR (4) | KR101678823B1 (ja) |
CN (2) | CN102067272B (ja) |
AT (1) | ATE535932T1 (ja) |
TW (3) | TWI474360B (ja) |
WO (2) | WO2009127658A1 (ja) |
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- 2009-04-15 JP JP2011504449A patent/JP5268170B2/ja active Active
- 2009-04-15 AT AT09733141T patent/ATE535932T1/de active
- 2009-04-15 KR KR1020157021939A patent/KR101678823B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-15 EP EP11183370.3A patent/EP2402979B1/en active Active
- 2009-04-15 WO PCT/EP2009/054467 patent/WO2009127658A1/en active Application Filing
- 2009-04-15 EP EP09733141A patent/EP2279515B1/en active Active
- 2009-04-15 EP EP09732178A patent/EP2281296A2/en not_active Withdrawn
- 2009-04-15 CN CN200980122616.3A patent/CN102067272B/zh active Active
- 2009-04-15 KR KR1020107025645A patent/KR20110015555A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-15 TW TW98112444A patent/TWI474360B/zh active
- 2009-04-15 WO PCT/EP2009/054468 patent/WO2009127659A2/en active Application Filing
- 2009-04-15 CN CN200980122615.9A patent/CN102067271B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-15 KR KR1020107025644A patent/KR101605865B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-15 TW TW104101464A patent/TWI534849B/zh active
- 2009-04-15 TW TW098112445A patent/TW201003713A/zh unknown
- 2009-04-15 JP JP2011504450A patent/JP2011517131A/ja active Pending
- 2009-04-15 KR KR1020157020023A patent/KR101638766B1/ko active IP Right Grant
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- 2013-02-12 JP JP2013024799A patent/JP5475155B2/ja active Active
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KR101638766B1 (ko) | 2016-07-13 |
WO2009127659A2 (en) | 2009-10-22 |
TW201003711A (en) | 2010-01-16 |
TWI474360B (zh) | 2015-02-21 |
EP2402979A2 (en) | 2012-01-04 |
JP5268170B2 (ja) | 2013-08-21 |
JP2011517130A (ja) | 2011-05-26 |
KR101678823B1 (ko) | 2016-11-23 |
JP2011517131A (ja) | 2011-05-26 |
EP2279515B1 (en) | 2011-11-30 |
KR20150099617A (ko) | 2015-08-31 |
JP2013140998A (ja) | 2013-07-18 |
JP5384759B2 (ja) | 2014-01-08 |
EP2281296A2 (en) | 2011-02-09 |
CN102067272A (zh) | 2011-05-18 |
EP2279515A1 (en) | 2011-02-02 |
KR101605865B1 (ko) | 2016-03-24 |
WO2009127658A1 (en) | 2009-10-22 |
EP2402979A3 (en) | 2012-06-27 |
KR20110015555A (ko) | 2011-02-16 |
TW201515044A (zh) | 2015-04-16 |
WO2009127659A3 (en) | 2009-12-10 |
CN102067271B (zh) | 2014-05-21 |
EP2402979B1 (en) | 2013-10-23 |
KR20150091417A (ko) | 2015-08-10 |
JP5475155B2 (ja) | 2014-04-16 |
TWI534849B (zh) | 2016-05-21 |
KR20110007199A (ko) | 2011-01-21 |
TW201003713A (en) | 2010-01-16 |
CN102067271A (zh) | 2011-05-18 |
CN102067272B (zh) | 2014-04-30 |
ATE535932T1 (de) | 2011-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5475155 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |