CN101228608A - 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 - Google Patents
具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101228608A CN101228608A CNA2006800270748A CN200680027074A CN101228608A CN 101228608 A CN101228608 A CN 101228608A CN A2006800270748 A CNA2006800270748 A CN A2006800270748A CN 200680027074 A CN200680027074 A CN 200680027074A CN 101228608 A CN101228608 A CN 101228608A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light pencil
- light
- pencil
- generator
- pattern data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
- H01J2237/31757—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques hybrid, i.e. charged particles and light, X-rays, plasma
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:至少一个细光束光学单元,用于产生多个细光束;至少一个测量单元,用于测量每个细光束的性能;至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述细光束光学单元,所述控制单元操作性耦合至所述测量单元,用于确定具有在所述性能的预定数值范围之外的测量性能值的无效细光束;至少一个致动器,用于引起所述细光束光学单元和所述目标彼此相对地移动,其中所述致动器与所述控制单元操作性耦合,所述控制单元确定所述移动,将有效细光束定位在所述无效细光束的位置,因而用有效细光束代替所述无效细光束。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统(maskless lithography system),以及涉及一种利用无掩模光刻系统用于将图案转移到目标表面上的方法。
背景技术
至今,大多数商业上可获得的光刻系统使用掩模或光栅(reticle)来将图案转移到目标表面上。然而,对于每种新的设计,必须制造这样的光栅。尤其是随着日益增长的分辨率要求,现在为100nm的量级,这已经变成是越来越大的挑战。此外,它降低了芯片生产过程的适应性。因此,正在开发无掩模光刻系统。
一些类型的这些光刻系统是多细光束(multi-beamlet)系统。在利用多个细光束来将图案转移到目标表面上的这样的无掩模光刻系统中,细光束发生器产生多种细光束,如电子细光束、离子细光束、X射线细光束等。这些细光束通常聚焦于目标表面上并且一起或单独地扫描其表面。在这些系统中,每个细光束设计的光斑大小通常小于50nm,并且使用10,000量级的细光束。
然而,在一个或多个细光束将失效的情况下,如统计学上更可能是如此大量细光束变得失效的情况下,使得整个晶片不能立刻使用,其对晶片的成本和制造时间具有较大影响。这可以事实上取消(undo)所谓的大量的多细光束光刻系统在生产量方面的相当大部分的优势。
发明内容
本发明的一个目的是改善上述的光刻系统,尤其是减轻上述缺点部分的至少一部分影响。
本发明的一个目的是进一步降低这些系统中细光束失效的影响。
进一步的目的是提供一种可靠的光刻系统,或改善上述光刻系统的可靠性。
本发明的进一步的目的是提供一种通用的系统,该系统具有校正细光束失效的各种可能性。进一步的目的是设计这样的可以结合这些可能性的系统。
因此本发明提供了一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个细光束光学单元(beamlet optical unit),用于产生多个细光束;
-至少一个测量单元,用于测量每个细光束的性能;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述细光束光学单元,所述控制单元操作性耦合至所述测量单元,用于确定具有在所述性能的预定数值范围之外的测量性能值的无效细光束;
-至少一个致动器,用于引起所述细光束光学单元和所述目标彼此相对地移动,其中所述致动器与所述控制单元操作性耦合,所述控制单元确定所述移动,将有效细光束定位在所述无效细光束的位置,因而用有效细光束代替所述无效细光束。
利用引起细光束和目标彼此相对地移动的这样的致动器,可以补偿失效,即,无效的细光束。上述问题的这种解决方法并不需要导致装置复杂性的增加。此外,使用本发明的装置,可以对无效细光束进行校正并且还可以获得商业上可接受的加工速率。这可以例如下列方式进行。在一种特别的具体实施方式中,在移动以后,本发明的光刻系统再次在表面上扫描细光束。例如,如果仅发射那些占有失效或无效细光束位置的细光束,那么可以写入由于仅仅某些细光束的失效而在其它情况下没有写入的图案的那些部分。因此本发明的光刻系统使在规格(技术要求,specification)之外的细光束的扫描线由与规格一致的细光束来写入。在一种具体实施方式中,在曝光扫描过程中,系统或、尤其是控制单元可以关掉包括无效细光束的某些选择的细光束、或无效的细光束。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元适合于存储确定无效细光束的信息,该无效细光束具有在预定的性能范围之外的测量性能。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束,以及
-至少一个调制单元(调制器单元,modulator unit),对准(alignwith)所述细光束,用于调制每个所述细光束的强度,
并且其中所述控制单元操作性耦合至所述调制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束,以及
-至少一个扫描器,用于在所述表面上扫描所述细光束,
并且其中所述控制单元操作性耦合至所述扫描器,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述扫描器。在这样的一种具体实施方式中,例如,可以在w第一写入扫描中将图案写在基质(substrate)的表面上,以接着进行移动,以及进行另外的扫描以写入由于细光束的失效导致的还没有写入的图案部分。在这样的系统和方法中,优选完全关掉无效的细光束。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束;
-至少一个扫描器,用于在所述表面上扫描所述细光束,以及
-至少一个调制单元,对准所述细光束,用于调制每个所述细光束的强度,
并且其中所述控制单元操作性耦合至所述调制单元,并且所述扫描器用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元和所述扫描器。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元包括光发射器(optical transmitter),用于产生至少一个携带所述图案信息的光束以及将所述至少一个光束投射到所述细光束光学单元中。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述细光束光学单元适合于产生有规则地隔开的细光束,以及所述致动器适合于引起两个细光束相互距离的整数倍数的移动。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元包括计算器,用于根据确定无效细光束的所述信息来计算所述移动,以及计算新的图案数据,用于将无效细光束的图案数据提供给代替无效细光束的有效细光束。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述致动器彼此相对地移动所述细光束光学单元和所述目标的位置。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述致动器相对于所述目标表面移动所述细光束光学单元的位置。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元包括:至少一个数据存储器,用于存储图案数据;至少一个读出单元,用于从数据存储器读出图案数据;至少一个数据转换器,用于将从数据存储器读出的图案数据转换成至少一个调制光束;以及至少一个光发射器,用于将所述至少一个调制光束发射到所述细光束光学单元,其中光刻系统进一步设置有第二致动器,用于彼此相对地移动所述发射器和所述电子光学单元的位置。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述调制单元包括多个调制器,每个调制器设置用于调制细光束,以及所述发射器将所述至少一个调制光束耦合到每个调制器,其中所述致动器彼此相对地移动所述发射器和所述调制单元的位置,使得所述发射器与不同于所述移动之前的调制单元的调制器有关的所述至少一个调制光束相耦合。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述光刻系统进一步包括第一存储器,用于存储信息,使得可以识别所述细光束电子光学单元的所述无效细光束。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元适合于改变其中从数据存储器读出图案数据的次序。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元包括:第一数据存储器,用于存储所述图案数据;第二数据存储器,用于存储所述第一数据存储器的所述图案数据的副本;以及处理装置,用于基于识别无效细光束的所述信息来改变所述第二数据存储器中的所述图案数据。
在本发明的无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述控制单元适合于将控制信号提供给所述细光束光学单元,用于在写入图案时关掉无效细光束。
在另一个方面,本发明涉及一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个第一细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个第二细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个调制单元,包括多个调制器,所述调制单元对准所述第一细光束发生器,用于调制所述第一细光束发生器的每个细光束;
-至少一个细光束控制器,用于控制所述第一细光束发生器的每个细光束的扫描;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元以及用于控制所述细光束控制器;
其中所述第一和第二细光束发生器彼此相对地加以定位,以使所述第二细光束发生器的所述细光束投射到与所述第一细光束发生器的所述细光束相同的位置上。
在该无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述调制单元进一步包括调制器,对准所述第二细光束发生器,还用于调制所述第二细光束发生器的每个细光束。
在另外的光刻系统的一种具体实施方式中,细光束控制器进一步适合于控制所述第二细光束发生器的每个细光束的扫描。
本发明进一步涉及一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个第一细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个第二细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个调制单元,包括多个调制器,所述调制单元对准所述第一细光束发生器,用于调制所述第一细光束发生器的每个细光束;
-至少一个细光束控制器,用于控制所述第一细光束发生器的每个细光束的扫描;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元以及用于控制所述细光束控制器;
其中所述光刻系统进一步包括至少一个致动器,用于彼此相对地移动所述第一细光束发生器和所述第二细光束发生器,以使所述第二细光束发生器的所述细光束投射到所述表面上与所述第一细光束发生器的所述细光束相同的位置上。
在该无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述调制单元进一步包括调制器,对准所述第二细光束发生器,还用于调制所述第二细光束发生器的每个细光束。
在该无掩模光刻系统的一种具体实施方式中,所述细光束控制器进一步适合于控制所述第二细光束发生器的每个细光束的扫描。
本发明进一步涉及一种利用前述权利要求中任一项所述的无掩模光刻系统来将图案转移到目标表面上的方法,其中在所述目标的所述表面的一定区域上扫描所述多个细光束,所述致动器引起所述移动,以及再次在所述区域上扫描所述多个细光束。
本发明进一步涉及一种利用无掩模多细光束光刻系统来将图案转移到目标表面上的方法,包括以下步骤:
-产生多个细光束;
-测量每个细光束的性能;
-通过在所述表面上扫描具有在预定的性能范围之内的测量细光束性能的有效细光束来将所述图案转移到所述表面上,以及防止具有在预定的性能范围之外的测量细光束性能的无效细光束到达所述表面,从而留下未写入的图案元素;
-彼此相对地移动所述表面和至少部分所述光刻系统,以用有效的替代细光束代替每个无效细光束;以及
-通过在所述表面上扫描有效替代细光束来将所述未写入的图案转移到所述表面上。
在一种具体实施方式中,该方法进一步包括以下步骤:
-向控制器提供图案数据;
-存储用于确定所述无效细光束的信息;
-借助于由所述控制器控制的调制器取决于所述图案数据来分别调制每个细光束;
-在不同于所述扫描方向的另一方向上,在与其垂直的情况下,相对地推进所述目标的同时在所述表面上借助于扫描器在扫描方向上扫描所述多个细光束;
-在进行所述移动之后,在所述表面上进行另外的扫描。
优选地仅在检测到产生无效的图案数据的情况下,即,在用于检测包括在系统中的细光束的有效性的传感器上产生无效的图案数据的情况下,进行这样的移动。接着在所述另外的扫描过程中,有效的细光束用于在其位置上扫描所述检测无效的细光束的图案数据。
在该方法的一种具体实施方式中,所述移动的大小使得有效细光束占有每个无效细光束的位置。
在该方法的一种具体实施方式中,所述移动是两个细光束的相互距离的整数倍数。
在该方法的一种具体实施方式中,产生的用于转移图案的细光束的数目小于在光刻系统内可以产生的细光束的数目。在如此布置的系统中细光束位置的另外数目小于1%。例如,在根据本发明的具有13000个细光束的操作基数(operational base)的系统中,可以产生200个另外的细光束。这些细光束相等地分布在包含所述操作基数数量的细光束的所谓的扫描缝隙(scanning slit)的侧面。这样的有限包含显著地增强了成功地移向所述另外的扫描设置(scanning setting),即,有效细光束的可能性,所述有效细光束是在先前扫描之前或之后被确定为无效的所有细光束的范围内。
在具有上述以那种方式定位或允许定位的第二细光束发生器的一种具体实施方式中,可以写入在其它情况下没有写入的图案部分,导致由于维修引起的生产故障或生产延迟。本发明的这种具体实施方式的进一步的优点是,它可以扩大维修之间的时间间隙。第二细光束发生器还允许进行其它校正,并且允许校正其它误差。
可以结合光刻系统和方法的上述特点,以便进一步改善本发明的或上述的光刻系统。
附图说明
在根据本发明的无掩模光刻系统的下列具体实施方式中将进一步说明本发明,其中:
图1示出了本发明的光刻系统的示意性侧剖视图;
图2示出了电光缝隙部分的视图;
图3示出了在第一扫描过程中的晶片;
图4示出了在第二、多余(重复,redundant)扫描过程中的晶片;
图5示出了由细光束失效的结果分析产生的图;
图6示出了由细光束可靠性的影响分析产生的图;
图7A示出了在写入之前测量细光束性能的步骤;
图7B示出了在晶片上写入图案的过程;以及
图8示出了图解说明失效细光束为相邻细光束的概率的曲线图。
具体实施方式
在图1中,示出了可以用于本发明的光刻系统的总侧视图。
光刻系统1包括用虚线(带状线,stripped line)表示的电子光学单元18,该电子光学单元18包括:具有产生光束4的源3的细光束发生器2;用于准直光束4的由透镜5表示的准直光学系统;以及用于将光束分成多个细光束7的分束器6。
获得的多个基本上平行的细光束7被指引向调制单元8,该调制单元8包括偏转板阵列9和用于阻止每个偏转的细光束的细光束制动器阵列10。
利用在调制单元8中的静电偏转板,细光束7被偏转离开系统的光轴0并且细光束7′未偏转地通过调制器阵列。
通过制动器阵列10的细光束7′在偏转板阵列11处在第一写入方向(扫描方向)上被偏转,并且利用投影透镜12,每个细光束的横截面被减小。在写入过程中,目标表面13相对于系统的其余部分在第二写入方向上移动。
此外,光刻系统包括控制单元60,该控制单元60包括数据存储器61、读出单元62以及数据转换器63。控制单元60可以被定位成远离系统的其余部分,例如清洁房间内部之外。利用光导纤维64,保存图案数据的调制光束被发射到投射器65,该投射器65将纤维的末端(示意性地描述在板15中)投射到电子光学单元18中,在这里投射到调制阵列9上。在该具体实施方式中,考虑到将要说明的本发明,用于发送图案数据到电子光学单元18的自由空间耦合提供了某些优点。
来自每根光导纤维末端的调制光束8被投射到调制器阵列9上的调制器的光敏元件上。尤其是,纤维的末端被投射到调制器阵列9上。每个光束14保存一部分图案数据用于控制一个或多个调制器。
图1这样的光刻系统的各种具体实施方式进一步披露在WO-A2-2004/038509中,将其全部内容结合于此作为参考。在那个申请中,描述了利用一个或多个光束来将图案信息递送到电子光学单元18的各种方式。
光刻系统另外包括致动器16,该致动器16可以彼此相对地移动目标表面13和光刻系统的电子光学单元18。尤其是,当细光束被有规则地隔开时,该致动器16适合于相互转移或移动两个细光束相互距离的整数倍数。在一种具体实施方式中,致动器是工作台24,该工作台24用于相对于光刻系统的电子光学单元18移动目标13。为此,工作台24操作性耦合至控制单元60。
如果照射(impinge)到目标表面13上的细光束中的一个在规定的范围之外,例如由于其强度、位置、大小或均匀性(在时间和/或空间上考虑的所有这些参数)在规定的范围之外,则部分图案是不正确的。
为了补偿细光束的失效或补偿并没有在规格(规范,spec)之内操作的细光束,可以发现,存在两种可以结合的主要方法以进一步改善系统的适应性。然而,两种方法均导致系统复杂性的增加。可以发现,为增加可靠性所需要的另外的特点也可以用于改善其它加工方面。此外,结合方法可以在较小增加系统复杂性的情况下导致更好的可靠性。
第一方法是扫描基质的相同表面两次或多次。
另一种方法是通过将多余的细光束加入到光刻系统中来增加细光束的数目。
图2示出了在晶片上处于它们的中性位置的细光束的相互位置,其表示细光束的分布。这里,开圆(空心圆,open circle)表示在规格之内的细光束,而闭圆(closed circle)或实心圆表示在规格之外的细光束。连接细光束的线s相对于扫描方向S1成较小角度α,以便确保表面的整个区域可以被细光束覆盖。扫描方向S1是电子光学系统相对于基质表面的移动。在图2中进一步指出的是每个单独的细光束的扫描方向S2。在图2中,存在三个在规格之外的细光束20。
图3示出了在其上对场22写入图案的晶片21。彼此相对地扫描电子光学单元和晶片表面,并且指出几个位置10′、10″、10″′以便图解说明在晶片21上的扫描。实际上,将移动晶片21,使得可以扫描场22的下一行。晶片21相对于光刻系统的其余部分的移动量将是场22的宽度。
在图3中,说明了利用具有三个如图2所示的在规格之外的细光束20的光刻系统来对晶片写入的效果。碰巧在用附图标号23表示的图案的这三条线(line)上的特点(feature)没有被正确地写在所有的场22上。因此,在仅仅三个细光束在规格之外的情况下,整个晶片可能已经是无用的。
解决该问题的第一种方式是允许另外的扫描,或在光刻系统是单扫描系统的情况下,允许第二扫描,如图4所示。在这种另外的扫描中,电子光学单元18和基质表面的位置以这样的方式彼此相对地移动距离△,使得被图3的第一扫描中的失效细光束覆盖的区域现在可以由实际工作的或在规格之内的细光束所覆盖。该移动用附图标号24表示并且在图2中用S2表示的方向上。这种移动可以是晶片21移动的结果、或例如细光束制动器阵列10移动的结果、或整个电子光学单元18相对于晶片移动的结果。在这种另外的扫描过程中,由于在规格之外的细光束20而导致的没有写入的线23现在利用在规格之内的其它细光束进行写入。在这种情况下,必须以这样的方式确定移动24使得在规格之外的每个细光束20的位置现在被在规格之内的细光束占有。
进行另外的扫描的一种方式是首先扫描场22的第一行,然后经过第一行返回到起点。在反向扫描开始之前,致动器16按照细光束的相互距离的整数倍数彼此相对地移动晶片和光刻系统的其余部分。在行的反向扫描过程中,写入缺少的(missing)线或点。然后晶片分档器或工作台彼此相对地移动晶片和光刻系统的电子光学单元,以便写入场22的下一行。重复这种步骤直到完成完整的晶片。在进行行的第一扫描的时候可以准备用于缺少的线和点的图案数据。可替换地,根据本发明,在进行另外的扫描之前,可以扫描整个晶片。
图5示出了由分析另外的扫描有效性的蒙特卡罗模拟产生的图。该图的X轴表示用于写入图案的光刻系统的细光束的总数,而Y轴表示当另外的扫描不足以补偿每个有缺陷的细光束或每个在规格之外的细光束(因此,被关掉)时,存在于光刻系统中的失效细光束的平均数。
因此,图5表明,在另外的扫描不能补偿缺少的细光束之前,存在于系统中的所有细光束中有多少细光束可以失效。可以看到,当使用例如13,000个细光束时,当根据本发明的一个方面施加第二扫描或另外的扫描时,大约250个细光束的失效可导致至少一个非写入扫描线。
图6示出了当将50、100以及200个额外的细光束加入到细光束发生器的(例如)13,000个细光束中时关于双扫描实施成功的概率分析。在这种分析中,X轴表示在325个小时之后单个细光束失效的概率(%)。不同的符号分别表示50、100以及200个另外的细光束。
图7A和图7B示出了本发明的进一步方面。在图7A中,利用检测器测量电子细光束的性能。通过检测器扫描电子细光束并且收集所有细光束的电子细光束数据。借助于计算器,这里包括在控制器中,从所述数据获得每个细光束的各种性能如光斑大小和位置的值,从而完成了测量。接着,将测量的性能集合中的任何一项的值在所述性能的预定数值范围之外的细光束确定为无效的。这些细光束的位置存储在图1的控制单元60中。在写入过程中,这些细光束被关掉或被永久地取消。
在将图案写入到晶片上之后,利用一次或多次扫描,控制单元计算晶片相对于电子光学单元的移动,其是需要的以确保用在规格之内的细光束代替由于在规格之外而被关掉的每个细光束,或现在写入那些由于细光束被关掉而没有写入的图案部分。接着,进行另外的扫描。
具有图案数据发送的自由空间耦合或投射(projection)的图1的光刻系统提供了另外的机会。如果仅仅图1中用虚线表示的电子光学系统或部件18相对于晶片13移动,则一个光束或多个光束14保持在相对于晶片13的相同位置,但也可以相对于电子光学单元18进行移动。在光刻系统的某些设计中,电子光学单元18具有用于每个细光束的一个或多个静电偏转板。每个偏转板具有光敏元件并且光发射器发射专门用于每个光敏元件的光束。在这样的光刻系统的其它设计中,一个光束包括用于所有的偏转板的图案数据。例如,这样的光束可以保存多个频率多路传输的光束。
在其中利用一个或多个光束将图案数据投射到电子光学单元18中的光刻系统的这些实施例中,控制单元60仅再发射应该由在规格之外的细光束写入的图案部分:电子光学单元18的移动可放置在规格之内的细光束代替在规格之外的细光束。在这种情况下,控制单元60不需要重新载入图案数据,这节省了时间。
在根据本发明的另一种具体实施方式中,工作台24用于移动晶片13。一个优点是,工作台24已经存在于系统中,因而该系统不需要另外的致动器用于彼此相对地重新定位晶片13和电子光学单元18。现在控制单元60计算晶片13所希望的位置并发送指令到晶片工作台24。然而,在这种情况下,根据本发明,存在几种选择以确保适当的图案数据到达正确的细光束,或说得更好地:在晶片13的正确部分上产生图案的正确部分。
用于控制单元60的一种选择是重新计算图案数据的哪一部分需要被发送,以及发送到电子光学单元18的哪一部分。现在控制单元60可以选择正确的光束,并且利用选择的光束发送新的数据。
用于控制单元60的另一种选择是计算在何处细光束现在取代在规格之外的被关掉的细光束。接着,控制单元60计算,投射系统必须以何种方式移动以确保这些细光束接收最初发射到规格之外的细光束的图案数据。控制单元60现在能够再发送仅仅那部分图案数据。
图8示出了表示在具有例如13000个细光束的光刻系统中失效细光束为相邻细光束的概率的曲线图。应当记住,当将根据本发明的另外的扫描用于补偿失效的细光束时,或当将一组另外的细光束加入到系统中时,这将不会完全补偿在实施以下距离范围内的移动时所发生的相邻细光束失效的情况,所述距离仅为相邻细光束的相互距离。因此系统应当具有移动相邻细光束相互距离的整数倍数的适应性。为此,光刻系统优选具有计算装置(computing means),用于发现相邻的失效细光束,确定邻近的失效细光束的最大数目以及计算用于确定整数的平均值。如果,例如,三个邻近的相邻细光束失效,则移动应该是相邻细光束相互距离的至少四倍。
应当理解,所包括的上述描述目的在于说明优选的具体实施方式的操作而不是用于限制本发明的范围。基于上述论述,对本领域技术人员来说显而易见的多种变化仍将由本发明的精神和范围所涵盖。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1. 一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个细光束光学单元,用于产生多个细光束;
-至少一个测量单元,用于测量每个细光束的性能;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述细光束光学单元,所述控制单元操作性耦合至所述测量单元,用于确定具有在所述性能的预定数值范围之外的测量性能值的无效细光束;
-至少一个致动器,用于引起所述细光束光学单元和所述目标彼此相对地移动,其中,所述致动器与所述控制单元操作性耦合,所述控制单元确定所述移动,将有效细光束定位在所述无效细光束的位置,因而用有效细光束代替所述无效细光束,其中,所述控制单元适合于改变其中从所述数据存储器读出所述图案数据的次序,允许识别所述细光束电子光学单元的所述无效细光束。
2. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元适合于存储确定无效细光束的信息,所述无效细光束具有在预定的性能值范围之外的测量性能。
3. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束,以及
-至少一个调制单元,对准所述细光束,用于调制每个所述细光束的强度,
并且其中,所述控制单元操作性耦合至所述调制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元。
4. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束,以及
-至少一个扫描器,用于在所述表面上扫描所述细光束,
并且其中,所述控制单元操作性耦合至所述扫描器,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述扫描器。
5. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束;
-至少一个扫描器,用于在所述表面上扫描所述细光束,以及
-至少一个调制单元,对准所述细光束,用于调制每个所述细光束的所述强度,
并且其中,所述控制单元操作性耦合至所述调制单元,并且所述扫描器用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元和所述扫描器。
6. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括光发射器,用于产生至少一个携带所述图案信息的光束以及将所述至少一个光束投射到所述细光束光学单元中。
7. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括:至少一个数据存储器,用于存储所述图案数据;至少一个读出单元,用于从所述数据存储器读出所述图案数据;至少一个数据转换器,用于将从所述数据存储器读出的所述图案数据转换成至少一个调制光束;以及至少一个光发射器,用于将所述至少一个调制光束发射到所述细光束光学单元,其中,光刻系统进一步设置有第二致动器,用于彼此相对地移动所述发射器和所述电子光学单元的位置。
8. 根据权利要求7所述的无掩模光刻系统,其中,所述调制单元包括多个调制器,每个调制器设置用于调制细光束,以及所述发射器将所述至少一个调制光束耦合到每个调制器,其中,所述致动器彼此相对地移动所述发射器和所述调制单元的所述位置,使得所述发射器与不同于所述移动之前的所述调制单元的调制器有关的所述至少一个调制光束相耦合。
9. 根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括:第一数据存储器,用于存储所述图案数据;第二数据存储器,用于存储所述第一数据存储器的所述图案数据的副本;以及处理装置,用于基于识别无效细光束的所述信息来改变所述第二数据存储器中的所述图案数据。
10. 一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个第一细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个第二细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个调制单元,包括多个调制器,所述调制单元对准所述第一细光束发生器,用于调制所述第一细光束发生器的每个所述细光束;
-至少一个细光束控制器,用于控制所述第一细光束发生器的每个细光束的扫描;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元以及用于控制所述细光束控制器;
其中,所述第一和第二细光束发生器彼此相对地加以定位,以使所述第二细光束发生器的所述细光束投射到与所述第一细光束发生器的所述细光束相同的位置上。
11. 根据前一权利要求所述的无掩模光刻系统,其中,所述调制单元进一步包括调制器,对准所述第二细光束发生器,还用于调制所述第二细光束发生器的每个所述细光束。
12. 根据权利要求10所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束控制器进一步适合于控制所述第二细光束发生器的每个细光束的所述扫描。
13. 一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个第一细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个第二细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个调制单元,包括多个调制器,所述调制单元对准所述第一细光束发生器,用于调制所述第一细光束发生器的每个所述细光束;
-至少一个细光束控制器,用于控制所述第一细光束发生器的每个细光束的扫描;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元以及用于控制所述细光束控制器;
其中,所述光刻系统进一步包括至少一个致动器,用于彼此相对地移动所述第一细光束发生器和所述第二细光束发生器,以使所述第二细光束发生器的所述细光束投射到所述表面上与所述第一细光束发生器的所述细光束相同的位置上。
14. 根据前一权利要求所述的无掩模光刻系统,其中,所述调制单元进一步包括调制器,对准所述第二细光束发生器,还用于调制所述第二细光束发生器的每个所述细光束。
15. 根据权利要求13所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束控制器进一步适合于控制所述第二细光束发生器的每个细光束的扫描。
16. 一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个细光束光学单元,用于产生多个细光束;
-至少一个测量单元,用于测量每个细光束的性能;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述细光束光学单元,所述控制单元操作性耦合至所述测量单元;
-由此建立的系统,用于确定产生的单独的细光束的有效性和无效性;
-至少一个控制单元,用于在曝光扫描过程中关掉选择的细光束,包括所述确定无效的细光束;
-至少一个致动器,用于引起所述细光束光学单元和所述目标彼此相对地移动,其中,所述致动器与所述控制单元操作性耦合并且适合于引起移动,从而将有效细光束定位于在先前扫描过程中被关掉的确定的细光束的位置上。
17. 根据前一权利要求所述的光刻系统,其中,所述控制单元包括存储器,用于存储识别所述确定无效的细光束的信息,所述细光束具有在预定的范围之外的测量性能。
Claims (30)
1.一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个细光束光学单元,用于产生多个细光束;
-至少一个测量单元,用于测量每个细光束的性能;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述细光束光学单元,所述控制单元操作性耦合至所述测量单元,用于确定具有在所述性能的预定数值范围之外的测量性能值的无效细光束;
-至少一个致动器,用于引起所述细光束光学单元和所述目标彼此相对地移动,其中,所述致动器与所述控制单元操作性耦合,所述控制单元确定所述移动,将有效细光束定位在所述无效细光束的位置,因而用有效细光束代替所述无效细光束。
2.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元适合于存储确定无效细光束的信息,所述无效细光束具有在预定的性能值范围之外的测量性能。
3.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束,以及
-至少一个调制单元,对准所述细光束,用于调制每个所述细光束的强度,
并且其中,所述控制单元操作性耦合至所述调制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元。
4.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束,以及
-至少一个扫描器,用于在所述表面上扫描所述细光束,并且其中,所述控制单元操作性耦合至所述扫描器,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述扫描器。
5.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元包括:
-细光束发生器,用于产生多个电子细光束;
-至少一个扫描器,用于在所述表面上扫描所述细光束,以及
-至少一个调制单元,对准所述细光束,用于调制每个所述细光束的所述强度,
并且其中,所述控制单元操作性耦合至所述调制单元,并且所述扫描器用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元和所述扫描器。
6.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括光发射器,用于产生至少一个携带所述图案信息的光束以及将所述至少一个光束投射到所述细光束光学单元中。
7.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束光学单元适合于产生有规则地隔开的细光束,以及所述致动器适合于引起两个细光束相互距离的整数倍数的移动。
8.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括计算器,用于根据确定无效细光束的所述信息来计算所述移动,以及计算新的图案数据,用于将所述无效细光束的所述图案数据提供给代替所述无效细光束的所述有效细光束。
9.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述致动器彼此相对地移动所述细光束光学单元和所述目标的位置。
10.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述致动器相对于所述目标表面移动所述细光束光学单元的所述位置。
11.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括:至少一个数据存储器,用于存储所述图案数据;至少一个读出单元,用于从所述数据存储器读出所述图案数据;至少一个数据转换器,用于将从所述数据存储器读出的所述图案数据转换成至少一个调制光束;以及至少一个光发射器,用于将所述至少一个调制光束发射到所述细光束光学单元,其中,光刻系统进一步设置有第二致动器,用于彼此相对地移动所述发射器和所述电子光学单元的位置。
12.根据权利要求11所述的无掩模光刻系统,其中,所述调制单元包括多个调制器,每个调制器设置用于调制细光束,以及所述发射器将所述至少一个调制光束耦合到每个调制器,其中,所述致动器彼此相对地移动所述发射器和所述调制单元的所述位置,使得所述发射器与不同于所述移动之前的所述调制单元的调制器有关的所述至少一个调制光束相耦合。
13.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述光刻系统进一步包括第一存储器,用于存储信息,使得识别所述细光束电子光学单元的所述无效细光束。
14.根据权利要求13所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元适合于改变其中从所述数据存储器读出所述图案数据的次序。
15.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元包括:第一数据存储器,用于存储所述图案数据;第二数据存储器,用于存储所述第一数据存储器的所述图案数据的副本;以及处理装置,用于基于识别无效细光束的所述信息来改变所述第二数据存储器中的所述图案数据。
16.根据权利要求1所述的无掩模光刻系统,其中,所述控制单元适合于将控制信号提供给所述细光束光学单元,用于在写入所述图案时关掉所述无效细光束。
17.一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个第一细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个第二细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个调制单元,包括多个调制器,所述调制单元对准所述第一细光束发生器,用于调制所述第一细光束发生器的每个所述细光束;
-至少一个细光束控制器,用于控制所述第一细光束发生器的每个细光束的扫描;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元以及用于控制所述细光束控制器;
其中,所述第一和第二细光束发生器彼此相对地加以定位,以使所述第二细光束发生器的所述细光束投射到与所述第一细光束发生器的所述细光束相同的位置上。
18.根据前一权利要求所述的无掩模光刻系统,其中,所述调制单元进一步包括调制器,对准所述第二细光束发生器,还用于调制所述第二细光束发生器的每个所述细光束。
19.根据权利要求17所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束控制器进一步适合于控制所述第二细光束发生器的每个细光束的所述扫描。
20.一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个第一细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个第二细光束发生器,用于产生多个细光束;
-至少一个调制单元,包括多个调制器,所述调制单元对准所述第一细光束发生器,用于调制所述第一细光束发生器的每个所述细光束;
-至少一个细光束控制器,用于控制所述第一细光束发生器的每个细光束的扫描;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述调制单元以及用于控制所述细光束控制器;
其中,所述光刻系统进一步包括至少一个致动器,用于彼此相对地移动所述第一细光束发生器和所述第二细光束发生器,以使所述第二细光束发生器的所述细光束投射到所述表面上与所述第一细光束发生器的所述细光束相同的位置上。
21.根据前一权利要求所述的无掩模光刻系统,其中,所述调制单元进一步包括调制器,对准所述第二细光束发生器,还用于调制所述第二细光束发生器的每个所述细光束。
22.根据权利要求20所述的无掩模光刻系统,其中,所述细光束控制器进一步适合于控制所述第二细光束发生器的每个细光束的扫描。
23.一种利用前述权利要求中任一项所述的无掩模光刻系统来将图案转移到目标表面上的方法,其中,在所述目标的所述表面的一定区域上扫描所述多个细光束,所述致动器引起所述移动,以及再次在所述区域上扫描所述多个细光束。
24.一种利用无掩模多细光束光刻系统来将图案转移到目标表面上的方法,包括以下步骤:
-产生多个细光束;
-测量每个细光束的性能;
-通过在所述表面上扫描具有在预定的性能范围之内的测量细光束性能的有效细光束,来将所述图案转移到所述表面上,以及防止具有在预定的性能范围之外的测量细光束性能的无效细光束到达所述表面,从而留下未写入的图案元素;
-彼此相对地移动所述表面和至少部分所述光刻系统,以用有效的替代细光束代替每个无效细光束;以及
-通过在所述表面上扫描所述有效替代细光束来将所述未写入的图案转移到所述表面上。
25.根据前一权利要求所述的方法,进一步包括以下步骤:
-向控制器提供图案数据;
-存储用于确定所述无效细光束的信息;
-借助于由所述控制器控制的调制器取决于所述图案数据来分别调制每个细光束;
-在不同于所述扫描方向的另一方向上推进所述目标的同时在所述表面上借助于扫描器在扫描方向上扫描所述多个细光束;
-在进行所述移动之后,在所述表面上进行另外的扫描。
26.根据权利要求24所述的方法,其中,所述移动的大小使得有效细光束占有每个无效细光束的位置。
27.根据权利要求24所述的方法,其中,所述移动是两个细光束的相互距离的整数倍数。
28.根据权利要求24所述的方法,其中,产生的用于转移图案的细光束的数目小于在所述光刻系统内可以产生的细光束的数目。
29.一种用于将图案转移到目标表面上的无掩模光刻系统,包括:
-至少一个细光束光学单元,用于产生多个细光束;
-至少一个测量单元,用于测量每个细光束的性能;
-至少一个控制单元,用于产生图案数据并将图案数据递送到所述细光束光学单元,所述控制单元操作性耦合至所述测量单元;
-由此建立的系统,用于确定产生的单独的细光束的有效性和无效性;
-至少一个控制单元,用于在曝光扫描过程中关掉选择的细光束,包括所述确定无效的细光束;
-至少一个致动器,用于引起所述细光束光学单元和所述目标彼此相对地移动,其中,所述致动器与所述控制单元操作性耦合并且适合于引起移动,从而将有效细光束定位于在先前扫描过程中被关掉的确定的细光束的位置上。
30.根据前一权利要求所述的光刻系统,其中,所述控制单元包括存储器,用于存储识别所述确定无效的细光束的信息,所述细光束具有在预定的范围之外的测量性能。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310693649.1A CN103645615B (zh) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US70256105P | 2005-07-25 | 2005-07-25 | |
US60/702,561 | 2005-07-25 | ||
PCT/NL2006/000386 WO2007013802A1 (en) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | Maskless lithography system with improved reliability |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310693649.1A Division CN103645615B (zh) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101228608A true CN101228608A (zh) | 2008-07-23 |
CN101228608B CN101228608B (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=37170203
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310693649.1A Active CN103645615B (zh) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
CN200680027074.8A Expired - Fee Related CN101228608B (zh) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310693649.1A Active CN103645615B (zh) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8890095B2 (zh) |
EP (1) | EP1913623B1 (zh) |
JP (1) | JP5118034B2 (zh) |
KR (1) | KR101422623B1 (zh) |
CN (2) | CN103645615B (zh) |
WO (1) | WO2007013802A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102782798A (zh) * | 2010-01-21 | 2012-11-14 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 具有透镜旋转的光刻系统 |
JP2013197469A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2301059A1 (en) | 2008-05-23 | 2011-03-30 | Mapper Lithography IP B.V. | Imaging system |
WO2009147202A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | Mapper Lithography Ip B.V. | Writing strategy |
KR101636523B1 (ko) * | 2009-05-20 | 2016-07-06 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 듀얼 패스 스캐닝 |
EP2478548B1 (en) | 2009-09-18 | 2017-03-29 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle optical system with multiple beams |
JP5599889B2 (ja) | 2009-10-09 | 2014-10-01 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 高電圧遮蔽配置 |
US20110170608A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Xun Shi | Method and device for video transcoding using quad-tree based mode selection |
US8340188B2 (en) * | 2010-01-08 | 2012-12-25 | Research In Motion Limited | Method and device for motion vector estimation in video transcoding using union of search areas |
US8559519B2 (en) | 2010-01-08 | 2013-10-15 | Blackberry Limited | Method and device for video encoding using predicted residuals |
US8358698B2 (en) * | 2010-01-08 | 2013-01-22 | Research In Motion Limited | Method and device for motion vector estimation in video transcoding using full-resolution residuals |
US8315310B2 (en) | 2010-01-08 | 2012-11-20 | Research In Motion Limited | Method and device for motion vector prediction in video transcoding using full resolution residuals |
KR101202319B1 (ko) | 2010-07-26 | 2012-11-16 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 그 제어 방법 |
KR101725299B1 (ko) | 2010-10-26 | 2017-04-10 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 변조 디바이스 및 이를 사용하는 하전 입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템 |
WO2012062854A1 (en) | 2010-11-13 | 2012-05-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and method of refracting |
US8884255B2 (en) | 2010-11-13 | 2014-11-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Data path for lithography apparatus |
US9305747B2 (en) * | 2010-11-13 | 2016-04-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Data path for lithography apparatus |
JP5683227B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-03-11 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 |
WO2012143541A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Arrangement of optical fibers, and a method of forming such arrangement |
NL2006868C2 (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-03 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle multi-beamlet apparatus. |
JP5859778B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2013069813A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
JP5977941B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2014007327A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Canon Inc | 描画装置、および物品の製造方法 |
NL2010760C2 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-04 | Mapper Lithography Ip Bv | Beam grid layout. |
JP2015119043A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法及び物品の製造方法 |
KR102268192B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2021-06-24 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 중첩 노출 점을 사용한 선량 불균일성의 보상 |
JP2016115946A (ja) * | 2016-02-18 | 2016-06-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6449940B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US10395887B1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-27 | Technische Universiteit Delft | Apparatus and method for inspecting a surface of a sample, using a multi-beam charged particle column |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4467211A (en) * | 1981-04-16 | 1984-08-21 | Control Data Corporation | Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system |
JP3475308B2 (ja) | 1995-03-07 | 2003-12-08 | 大日本印刷株式会社 | パターン描画装置 |
JP2000277410A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
AU1926501A (en) | 1999-11-23 | 2001-06-04 | Ion Diagnostics, Inc. | Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool |
CN101446773A (zh) * | 2001-11-07 | 2009-06-03 | 应用材料有限公司 | 无掩膜光子电子点格栅阵列光刻机 |
US6618185B2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-09-09 | Micronic Laser Systems Ab | Defective pixel compensation method |
JP4308467B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2009-08-05 | 新光電気工業株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
US6768125B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
TWI265550B (en) * | 2002-05-14 | 2006-11-01 | Toshiba Corp | Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device |
JP5112617B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2013-01-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィシステム |
JP4184782B2 (ja) | 2002-12-20 | 2008-11-19 | 株式会社日立製作所 | マルチ電子ビーム装置およびそれに用いられるマルチ電子ビーム電流の計測・表示方法 |
TWI290262B (en) * | 2003-01-14 | 2007-11-21 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for providing optical proximity features to a reticle pattern for deep sub-wavelength optical lithography |
JP4313145B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2009-08-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
GB2409928B (en) * | 2004-01-09 | 2007-03-21 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation |
-
2006
- 2006-07-24 US US11/492,572 patent/US8890095B2/en active Active
- 2006-07-25 EP EP06769403.4A patent/EP1913623B1/en active Active
- 2006-07-25 CN CN201310693649.1A patent/CN103645615B/zh active Active
- 2006-07-25 JP JP2008523818A patent/JP5118034B2/ja active Active
- 2006-07-25 WO PCT/NL2006/000386 patent/WO2007013802A1/en active Application Filing
- 2006-07-25 CN CN200680027074.8A patent/CN101228608B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-25 KR KR1020087003977A patent/KR101422623B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102782798A (zh) * | 2010-01-21 | 2012-11-14 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 具有透镜旋转的光刻系统 |
JP2013197469A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1913623A1 (en) | 2008-04-23 |
US8890095B2 (en) | 2014-11-18 |
WO2007013802A1 (en) | 2007-02-01 |
KR101422623B1 (ko) | 2014-07-24 |
EP1913623B1 (en) | 2020-05-27 |
US20070029507A1 (en) | 2007-02-08 |
JP2009503844A (ja) | 2009-01-29 |
CN103645615A (zh) | 2014-03-19 |
CN101228608B (zh) | 2015-01-21 |
CN103645615B (zh) | 2016-02-24 |
JP5118034B2 (ja) | 2013-01-16 |
KR20080031427A (ko) | 2008-04-08 |
WO2007013802B1 (en) | 2007-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101228608B (zh) | 具有改善的可靠性的无掩模光刻系统 | |
CN103257529B (zh) | 电子束描绘装置以及电子束描绘方法 | |
US6870171B2 (en) | Exposure apparatus | |
CN101546135B (zh) | 带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置 | |
US6835511B2 (en) | Methods and apparatus for detecting and correcting reticle deformations in microlithography | |
US10784080B2 (en) | Multiple charged particle beam writing apparatus, and multiple charged particle beam writing method | |
KR101959945B1 (ko) | 빔렛 위치를 결정하기 위한 방법 및 멀티 빔렛 노출 장치에서 2개의 빔렛들 간의 거리를 결정하기 위한 방법 | |
US20100072403A1 (en) | Pattern forming apparatus and pattern forming method | |
US9373424B2 (en) | Electron beam writing apparatus and electron beam writing method | |
US8859997B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
CA1150861A (en) | Apparatus for writing patterns in a layer on a substrate by means of a beam of electrically charged particles | |
CN104122758A (zh) | 绘画装置和物品的制造方法 | |
US4443703A (en) | Method and apparatus of deflection calibration for a charged particle beam exposure apparatus | |
US4322626A (en) | Method of electron beam exposure | |
US6417516B1 (en) | Electron beam lithographing method and apparatus thereof | |
US6376848B1 (en) | Apparatus and methods for charged-particle-beam microlithography exhibiting reduced aberrations caused by beam deflection to correct errors in stage-position control | |
JP3689097B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
JP3569273B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
JP2021015881A (ja) | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 | |
JP5809912B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
US10157723B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same | |
GB2105958A (en) | Hybrid moving stage and rastered electron beam lithography system employing approximate correction circuit | |
Pearce‐Percy et al. | Dynamic corrections in MEBES 4500 | |
KR101450518B1 (ko) | 전자빔 리소그래피 장치 및 그것의 초점 보정 방법 | |
JP2020205314A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150121 Termination date: 20170725 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |