JP5599889B2 - 高電圧遮蔽配置 - Google Patents
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Description
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]荷電粒子リソグラフィーシステム中で使用するための高電圧遮蔽配置において、
前記配置に含まれ、ある電位に設定されることになる第1の金属部品と、
実質的に薄型の第2の金属部品と
を具備し、
前記第2の金属部品は、前記配置中に含まれ、前記第1の金属部品に比して、相対的に負の電荷をもたらす第2の電位に設定されることになり、
前記第2の金属部品は、前記第1の金属部品に対して、ある距離をおいて位置付けられ、
前記第1の金属部品および前記第2の金属部品の間の前記距離は、電場が存在する放電領域を規定し、
前記第2の金属部品は、1つ以上の端部を含み、
前記配置は、絶縁体をさらに備え、
前記1つ以上の端部が、前記絶縁体によって封じ込められる放電領域に面しており、前記第2の金属部品が導電性被覆として含まれていることを特徴とする、遮蔽配置。
[2]ターゲット上に画像を投影するための投影手段中に含まれている、請求項1記載の遮蔽配置。
[3]荷電粒子リソグラフィーシステムの投影レンズ中に含まれている、請求項1または2のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[4]高電圧投影オプティクスを遮蔽するための投影レンズと、前記投影レンズの外壁との中に含まれている、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[5]前記第1の金属部品は、円形絶縁担体の外端上に導電性被覆として含まれ、前記投影レンズの外壁と接続しており、前記第2の金属部品は、前記円形絶縁担体の中心部上に円形導電性被覆として含まれ、前記絶縁体は、前記第2の金属被覆の端に位置付けられ、前記第2の金属被覆の端を完全に覆うリングとして含まれる、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[6]前記第1の金属部品および第2の金属部品の間の相対的電位差は、1kVから10kVの範囲におけるものである、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[7]前記放電領域中の電場強度は、10kV/mmから30kV/mmの範囲におけるものである、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[8]前記遮蔽配置は、電気的絶縁破壊および/またはエレクトロンクリープを防止する、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[9]前記第1の金属部品は、大地電位に設定される、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の遮蔽配置。
[10]請求項1ないし9のいずれか1項にしたがった遮蔽配置を含む、荷電粒子リソグラフィーマシン。
Claims (12)
- 荷電粒子リソグラフィーシステム中で使用するための投影レンズ5において、
前記投影レンズは、
外壁を有し、ある電位に設定されることになる、前記投影レンズの投影レンズ筐体36の形態にある第1の金属部品36と、
レンズスタック35と、
前記レンズスタック35と電気的に接触している実質的に薄型の第2の金属部品39とを具備し、
前記第2の金属部品39は、前記投影レンズ5中に含まれ、前記第1の金属部品36の電位よりも低い電位に設定されることになり、
前記第2の金属部品39は、前記第1の金属部品36に対してある距離をおいて位置付けられ、1つ以上の端部を含み、
前記第1の金属部品および前記第2の金属部品の間の前記距離は、電界が存在する放電領域を規定し、
前記投影レンズは、絶縁体40をさらに具備し、
前記放電領域は前記第2の金属部品39の平面に配置され、前記放電領域に面している前記1つ以上の端部が前記絶縁体40によって封じ込められ、前記第2の金属部品39が導電性被覆として含まれている投影レンズ。 - 外端上に設けられた絶縁担体37をさらに具備し、導電性被覆38は、前記投影レンズ筐体と接触しており、
前記第2の金属部品39は、前記絶縁担体37の中心部上に円形導電性被覆として含まれ、
前記絶縁体40は、前記第2の金属部品39の外端上に位置付けられて前記第2の金属部品39の外端を完全に覆うリングとして含まれている、請求項1に記載の投影レンズ。 - ターゲット上に画像を投影するための荷電粒子リソグラフィーシステムにおいて、
前記荷電粒子リソグラフィーシステムはエレクトロン光学カラム4を具備し、
前記エレクトロン光学カラムは、
投影レンズスタック35を含む投影レンズ5と、
高電圧遮蔽体とを備え、
前記高電圧遮蔽体は、
前記投影レンズの投影レンズ筐体を形成し、第1の電位に設定される第1の金属部品36と、
前記第1の金属部品36に関して相対的に負の電荷をもたらす第2の電位に設定される実質的に薄型の第2の金属部品39とを含み、前記第2の金属部品は前記投影レンズ筐体内に配置され、1つ以上の端部を含み、
前記第2の金属部品39は、電界が存在する放電領域を規定する、前記第1の金属部品36に対してある距離をおいて位置付けられ、
前記高電圧遮蔽体は電気絶縁体40をさらに含み、前記放電領域は前記第2の金属部品39の平面に配置され、前記放電領域に面している前記1つ以上の端部が前記絶縁体40によって封じ込められており、前記第2の金属部品39が導電性被覆として含まれている、荷電粒子リソグラフィーシステム。 - 前記投影レンズ5は、静電投影レンズ、または、電磁気投影レンズのいずれかのシステムを含む、請求項3に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
- 前記第1の金属部品および前記第2の金属部品の間の相対的電位差は、1kVから10kVの範囲におけるものである、請求項3または4に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
- 前記放電領域中の電界強度は、10kV/mmから30kV/mmの範囲におけるものである、請求項3、4または5のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
- 前記高電圧遮蔽体は、電気的絶縁破壊および/またはエレクトロンクリープを防止する、請求項3ないし6のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
- 前記第1の金属部品は、大地電位に設定される、請求項3ないし7のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
- 絶縁トップカバー34をさらに具備し、
前記投影レンズ筐体と前記絶縁トップカバーが投影レンズ全体を囲んでいる、請求項3ないし8のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。 - 外端上に設けられた円形絶縁担体37をさらに具備し、導電性被覆38は、前記投影レンズ筐体36と接触しており、
前記第2の金属部品39は、前記円形絶縁担体37の中心部上に円形導電性被覆として含まれる、請求項3ないし9のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。 - 前記第2の金属部品39は、前記レンズスタック35と電気的に接触している、請求項3ないし10のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
- 前記絶縁体40は、前記第2の金属部分の外端上に位置付けられて前記第2の金属部品の外端を完全に覆うリングとして含まれている、請求項3ないし11のいずれか1項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
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