JPS6139353A - 電子銃 - Google Patents
電子銃Info
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- JPS6139353A JPS6139353A JP15720884A JP15720884A JPS6139353A JP S6139353 A JPS6139353 A JP S6139353A JP 15720884 A JP15720884 A JP 15720884A JP 15720884 A JP15720884 A JP 15720884A JP S6139353 A JPS6139353 A JP S6139353A
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- electron
- wehnelt electrode
- electrode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/248—Components associated with high voltage supply
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子線装置の電子銃に関し、特に、電子線装置
を構成する絶縁体の改良に関するものである。
を構成する絶縁体の改良に関するものである。
電子線装置の電子銃にあっては、電子源から発生した電
子の方向を制御し、加速するウェネルト電極に高電圧が
供給されるため、電子銃と絶縁体との間で微小放電、更
には火花放電を生じて絶縁破壊を起こすことがある。特
に、電子顕微鏡等においては僅かの放電も分解能を低下
させる原因となるため、上記放電をいかに抑えるかが大
きな問題となっている。
子の方向を制御し、加速するウェネルト電極に高電圧が
供給されるため、電子銃と絶縁体との間で微小放電、更
には火花放電を生じて絶縁破壊を起こすことがある。特
に、電子顕微鏡等においては僅かの放電も分解能を低下
させる原因となるため、上記放電をいかに抑えるかが大
きな問題となっている。
電子線装置の電子銃には、従来、特公昭57−5818
5号公報に示されるものがあり、これを第3図を用いて
説明する。
5号公報に示されるものがあり、これを第3図を用いて
説明する。
この電子銃は、熱電子を発生させるフィラメント1と、
その熱電子を加速、制御するウェネルト電極2およびア
ノード電極3が絶縁体であるカップ形、状の電子4に囲
まれており、また電源を供給する高圧ケーブル5は絶縁
体であるケーブルヘッド6と一体にモールドされ、シー
ルド電極7がこれに内蔵されている。そして、上記電子
4とケーブルヘッド6とは絶縁平板8を介して平面的に
接しており、板バネ8によって加圧されているものであ
る。
その熱電子を加速、制御するウェネルト電極2およびア
ノード電極3が絶縁体であるカップ形、状の電子4に囲
まれており、また電源を供給する高圧ケーブル5は絶縁
体であるケーブルヘッド6と一体にモールドされ、シー
ルド電極7がこれに内蔵されている。そして、上記電子
4とケーブルヘッド6とは絶縁平板8を介して平面的に
接しており、板バネ8によって加圧されているものであ
る。
このような電子銃のウェネルト電極2には通常−IQO
KV程度の高電圧がかけられ、フィラメント1から発生
する電子を加速して、アノード電極3の電子線孔10を
通すものである。
KV程度の高電圧がかけられ、フィラメント1から発生
する電子を加速して、アノード電極3の電子線孔10を
通すものである。
この電子銃は、高圧を絶縁する各部分をテーバ面で接触
させる代わりに単一平面同士で接触させることにより加
工性を向上させると共に電子銃をそれ以前のものよりも
小型化し、他方、非真空側においては絶縁平板8を介在
させて、これを板バネ8によって加圧することにより、
また真空側においては電子をカップ形状にして沿面距離
を増大させることにより耐電圧性の向上を図ったもので
ある。
させる代わりに単一平面同士で接触させることにより加
工性を向上させると共に電子銃をそれ以前のものよりも
小型化し、他方、非真空側においては絶縁平板8を介在
させて、これを板バネ8によって加圧することにより、
また真空側においては電子をカップ形状にして沿面距離
を増大させることにより耐電圧性の向上を図ったもので
ある。
しかしながら、以上従来の電子銃にあっては微小放電な
いし火花放電が生じやすく絶縁破壊が起きやすいという
問題がある。
いし火花放電が生じやすく絶縁破壊が起きやすいという
問題がある。
その原因を以下に説明すると、まず第一の原因は、アノ
ード電極3から飛び出す正イオンが電子4を直撃し、電
子面を帯電させることによる。
ード電極3から飛び出す正イオンが電子4を直撃し、電
子面を帯電させることによる。
すなわち、フイラメン)1で生じた熱電子はウェネルト
電極2によって方向が制御され、加速されてアノード電
極3の電子線孔10を通るものであるが、加速された電
子の一部は電子線孔10の周縁部位に衝突して7ノード
電極3から正イオンを飛び出させる。すると、その正イ
オンは電子4に向って直線的に飛散して電子4を直撃し
、電子面を帯電させるため、負の高電位を有するウェネ
ルト電極2と電子4との間で微、小放電が生ずることに
なる。
電極2によって方向が制御され、加速されてアノード電
極3の電子線孔10を通るものであるが、加速された電
子の一部は電子線孔10の周縁部位に衝突して7ノード
電極3から正イオンを飛び出させる。すると、その正イ
オンは電子4に向って直線的に飛散して電子4を直撃し
、電子面を帯電させるため、負の高電位を有するウェネ
ルト電極2と電子4との間で微、小放電が生ずることに
なる。
微小放電が生ずる第二の原因は、ウェネルト電極2と電
子4との接続部J近傍の電界強度の大きさが挙げられる
。
子4との接続部J近傍の電界強度の大きさが挙げられる
。
すなわち、上記接続部Jの電位を一100KVとして第
4図に接続部Jの近傍における等電位面を示すと、その
等電位面の曲率は非常に大きなものなり接続部J近傍の
一100KV地点から10KV電位の異なる電子4の一
110KV電位点ま〒は空間的に極めて短い距離しかな
い。このため電位−100KVの接合部Jと電位の異な
る電子4間との間で微小放電が生ずることになる。
4図に接続部Jの近傍における等電位面を示すと、その
等電位面の曲率は非常に大きなものなり接続部J近傍の
一100KV地点から10KV電位の異なる電子4の一
110KV電位点ま〒は空間的に極めて短い距離しかな
い。このため電位−100KVの接合部Jと電位の異な
る電子4間との間で微小放電が生ずることになる。
そして以上のような理由により微小放電が生ずると電子
顕微鏡の分解能が低下したり、更には火花放電がおこっ
てコンピュータ等の誤動作が生ずるという不具合がある
。
顕微鏡の分解能が低下したり、更には火花放電がおこっ
てコンピュータ等の誤動作が生ずるという不具合がある
。
そこで本発明の技術的課題は、電子銃におけるウェネル
ト電極と電子との間の微小放電ないし火花放電を防止し
、上記不具合を解消する点にある。
ト電極と電子との間の微小放電ないし火花放電を防止し
、上記不具合を解消する点にある。
L記技術的課題を解決するため、本発明の構成は、電子
を発生させる電子源1と、発生した電子を加速し、制御
するウェネルト電極2と、電子線装置の密閉容器Sの内
部を真空部Vと非火真空部V°とに分離し且つ電子源1
およびウェネルト電極2と接地電位との絶縁を保つ絶縁
体4とを有する電子銃において。
を発生させる電子源1と、発生した電子を加速し、制御
するウェネルト電極2と、電子線装置の密閉容器Sの内
部を真空部Vと非火真空部V°とに分離し且つ電子源1
およびウェネルト電極2と接地電位との絶縁を保つ絶縁
体4とを有する電子銃において。
L配給縁体4を円板形状に形成し、絶縁体4の中央部に
は少なくとも真空部V側において光軸13を中心として
円柱部4aを形成し、該円柱部4aの真空部V側には上
記ウェネルト電極2を配設する一方、絶縁体4の円板面
4bには光軸13を同軸とするリング状の凸部ないし凹
部4Cを少なくとも真空部V側において1個所以上形成
し、他方、上記ウェネルト電極2の上端端部2uから絶
縁体4の円板面4bおよびリング状凸部4Cまでの最短
距離長を5m111以上とした電子銃という手段によっ
てなされるものである。
は少なくとも真空部V側において光軸13を中心として
円柱部4aを形成し、該円柱部4aの真空部V側には上
記ウェネルト電極2を配設する一方、絶縁体4の円板面
4bには光軸13を同軸とするリング状の凸部ないし凹
部4Cを少なくとも真空部V側において1個所以上形成
し、他方、上記ウェネルト電極2の上端端部2uから絶
縁体4の円板面4bおよびリング状凸部4Cまでの最短
距離長を5m111以上とした電子銃という手段によっ
てなされるものである。
本発明は、以上のように構成されたものであり、電子源
において発生した電子をウェネルト電極およびアノ−下
電極によって加速し、制御するものであるが、加速され
た電子がアノード電極に衝突することによって生ずる正
イオンが飛散しても、絶縁体は円板形状に形成されてい
るから、従来のカップ形状の絶縁体に比べて正イオンの
直撃を受ける個所が少なくなり、更に、絶縁体とウェネ
ルト電極の異なった電位個所は十分な距離をもって離さ
れているから微小放電が生ずることがない。また、絶縁
体の中央部には少なくとも真空部側において光軸を中心
とする円柱部を形成したから、ウェネルト電極近傍の絶
縁体の電位はウェネルト電位に近づくものであり、また
ウェネルトと絶縁体の接合部近傍における電界強度は従
来の電子銃よりも小さくなる。
において発生した電子をウェネルト電極およびアノ−下
電極によって加速し、制御するものであるが、加速され
た電子がアノード電極に衝突することによって生ずる正
イオンが飛散しても、絶縁体は円板形状に形成されてい
るから、従来のカップ形状の絶縁体に比べて正イオンの
直撃を受ける個所が少なくなり、更に、絶縁体とウェネ
ルト電極の異なった電位個所は十分な距離をもって離さ
れているから微小放電が生ずることがない。また、絶縁
体の中央部には少なくとも真空部側において光軸を中心
とする円柱部を形成したから、ウェネルト電極近傍の絶
縁体の電位はウェネルト電位に近づくものであり、また
ウェネルトと絶縁体の接合部近傍における電界強度は従
来の電子銃よりも小さくなる。
以下、添付図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の実施例を示すものである。
この電子銃は、電子を発生させる電子源であるフィラメ
ント1およびフィラメント1から発生する熱電子の方向
を制御し、加速するウェネルト電極2が設けられた真空
部Vと、上記ウェネルト電極2に電源を供給する高圧ケ
ーブル11および導電体である導電円筒12が設けられ
、絶縁ガスが充填された非真空部V。
ント1およびフィラメント1から発生する熱電子の方向
を制御し、加速するウェネルト電極2が設けられた真空
部Vと、上記ウェネルト電極2に電源を供給する高圧ケ
ーブル11および導電体である導電円筒12が設けられ
、絶縁ガスが充填された非真空部V。
とが絶縁体である円板状の磯子4によって分離されてい
る。この円板状の磯子4は、その中央部において光軸1
3を中心として円柱部4aが形成されており、その内部
に配設された円筒状導電体14が、円柱部4aの非真空
部V°側の上端部に取り付けられ高圧ケーブル11及び
電源(図示せず)に接続された導電円筒12と円柱部4
aの真空部V側の下端部に取り付けられたウェネルト電
極2とを接続している。また、ウェネルト電極2に囲ま
れたフィラメントlはリード線15を介して高圧ケーブ
ル11および電源(図示せず)に接続されている。
る。この円板状の磯子4は、その中央部において光軸1
3を中心として円柱部4aが形成されており、その内部
に配設された円筒状導電体14が、円柱部4aの非真空
部V°側の上端部に取り付けられ高圧ケーブル11及び
電源(図示せず)に接続された導電円筒12と円柱部4
aの真空部V側の下端部に取り付けられたウェネルト電
極2とを接続している。また、ウェネルト電極2に囲ま
れたフィラメントlはリード線15を介して高圧ケーブ
ル11および電源(図示せず)に接続されている。
他方、この磯子4の円板面4bには、十分な沿面距離(
電子とウェネルト電極との接合点Jから磯子と鏡筒Sと
の接合点までの磯子沿面の長さ)を確保して磯子の絶縁
力を増すために、光軸を中心としてリング状凸部4Cが
形成されている。このようなリング状凸部4Cを設ける
ことにより、凸部を設けなかった場合に比べて例えば約
2程度度の沿面距離を確保することができる。
電子とウェネルト電極との接合点Jから磯子と鏡筒Sと
の接合点までの磯子沿面の長さ)を確保して磯子の絶縁
力を増すために、光軸を中心としてリング状凸部4Cが
形成されている。このようなリング状凸部4Cを設ける
ことにより、凸部を設けなかった場合に比べて例えば約
2程度度の沿面距離を確保することができる。
また、ウェネルト電極2の上端端部2uから電子4の円
板面4bまでの最短距離長(図中すで示す)および磯子
4のリング状突出部4Cまでの最短距離長(図中Cで示
す)をいずれも5IIlfl+以上、例えば10mm程
度離し、微小放電が生ずるのを防止している。尚、第1
図中符号Sは密閉容器を示すものである。
板面4bまでの最短距離長(図中すで示す)および磯子
4のリング状突出部4Cまでの最短距離長(図中Cで示
す)をいずれも5IIlfl+以上、例えば10mm程
度離し、微小放電が生ずるのを防止している。尚、第1
図中符号Sは密閉容器を示すものである。
このような電子銃において、今つ・エネルト電極2に一
100KVの電圧がかけられており、フィラメント1か
ら発生する熱電子を加速、制御してアノード電極3の電
子線孔10を通す場合、一部の電子が電子線孔10の周
縁部位に衝突し、その個所から正イオンを生じさせるこ
とがあるが、磯子4は円板形状に形成されているから、
従来のカップ形状の磯子4に比べ、正イオンの直撃を受
けて帯電する個所の範囲は大幅に減少するようになる。
100KVの電圧がかけられており、フィラメント1か
ら発生する熱電子を加速、制御してアノード電極3の電
子線孔10を通す場合、一部の電子が電子線孔10の周
縁部位に衝突し、その個所から正イオンを生じさせるこ
とがあるが、磯子4は円板形状に形成されているから、
従来のカップ形状の磯子4に比べ、正イオンの直撃を受
けて帯電する個所の範囲は大幅に減少するようになる。
従って、この円板形状の電子4によれば、電子4とウェ
ネルト電極2との間の微小放電や火花放電は従来のもの
よりも生じ難いものとなる。尚、飛散する正イオンは第
1図中符号Pで示す範囲に集中するが、密閉容器Sは導
電体であるから、正イオンが帯電することはない。
ネルト電極2との間の微小放電や火花放電は従来のもの
よりも生じ難いものとなる。尚、飛散する正イオンは第
1図中符号Pで示す範囲に集中するが、密閉容器Sは導
電体であるから、正イオンが帯電することはない。
他方、電子は、その中央部に光軸■3を中心として円柱
部4aが形成され、その内部にはウェネルト電極2と同
電位の円筒状導電体14が配設されているため、その近
傍の等電位面は第2図に示すように、ウェネルト電極2
、円筒状導電体14、導電体円筒12に沿って表される
。従って、この電子銃における電界強度は従来のものよ
りも小さく抑えられたことになり、微小放電ないし火花
放電がより生じ難いものとなる。例えば、ウェネルト電
極2°と電子4の円柱部4aとの接合部J近傍の電位を
一100KVトt、、l0KV(7)電位!(7)アル
−90KV電位点までは従来の電子銃よりも空間的に距
離が長くなり、電界強度が小さくなって、それだけ放電
が生じ難くなるものである。
部4aが形成され、その内部にはウェネルト電極2と同
電位の円筒状導電体14が配設されているため、その近
傍の等電位面は第2図に示すように、ウェネルト電極2
、円筒状導電体14、導電体円筒12に沿って表される
。従って、この電子銃における電界強度は従来のものよ
りも小さく抑えられたことになり、微小放電ないし火花
放電がより生じ難いものとなる。例えば、ウェネルト電
極2°と電子4の円柱部4aとの接合部J近傍の電位を
一100KVトt、、l0KV(7)電位!(7)アル
−90KV電位点までは従来の電子銃よりも空間的に距
離が長くなり、電界強度が小さくなって、それだけ放電
が生じ難くなるものである。
また、ウェネルト電極2の上端端部2uと電子4の円板
面4bあるいはリング状凸部4cはそれぞれ大きな電位
差をもって空間的に向き合うものであるが、この電子銃
においては、それらの最短距離長す、cはいずれも10
+am程度とされているため火花放電を生ずることはな
い。なぜなら、一般に高真空中における火花放電電圧は
ギャップ長がlhmのとき250KV程度であるから、
100KV程度の通常の加速電圧下においては10++
+mの距離を離しておけば火花放電を防止するに十分だ
からである。尚、実験によれば、120KVの加速電圧
下においては上述の距離が5txrx以下になると火花
放電現象を起こす場合があることが確かめられている。
面4bあるいはリング状凸部4cはそれぞれ大きな電位
差をもって空間的に向き合うものであるが、この電子銃
においては、それらの最短距離長す、cはいずれも10
+am程度とされているため火花放電を生ずることはな
い。なぜなら、一般に高真空中における火花放電電圧は
ギャップ長がlhmのとき250KV程度であるから、
100KV程度の通常の加速電圧下においては10++
+mの距離を離しておけば火花放電を防止するに十分だ
からである。尚、実験によれば、120KVの加速電圧
下においては上述の距離が5txrx以下になると火花
放電現象を起こす場合があることが確かめられている。
従って、ウェネルト電極2の上端端部2uから電子4の
円板面4bまでの最短距離長およびウェネルト2の上端
端部2uからリング状凸部4Cまでの最短距離長すがい
ずれも5■以上であれば火花放電を生ずることはない。
円板面4bまでの最短距離長およびウェネルト2の上端
端部2uからリング状凸部4Cまでの最短距離長すがい
ずれも5■以上であれば火花放電を生ずることはない。
しかし、実施に際しては10mm程度の距離をと、って
、放電防止を確実ならしめるのが望ましい。尚、電子4
の円柱部4b内にはウェネルト電極2と同電位である円
筒状導電体14が設けられているため、該円柱部4aの
電位はウェネルト電極2の電位と略等しくなり、これら
の間で微小放電が生ずることはない。一方、磯子円柱部
4a内のウェネルト電極2とケーブルとの接続部材は上
述のように円筒状導電体14が好ましいが、これをリー
ド線で形成した場合においても、このリード線はウェネ
ルト電極2と同電位であり、またフィラメント加熱リー
ド線もほぼ同電位であるために接合部Jにおける電界強
度を十分小さくおさえることが可能である。また、非真
空部を例えば比較的高圧の絶縁ガスで形成すればシール
ドのための導電体12を必ずしも設けなくてもよい。
、放電防止を確実ならしめるのが望ましい。尚、電子4
の円柱部4b内にはウェネルト電極2と同電位である円
筒状導電体14が設けられているため、該円柱部4aの
電位はウェネルト電極2の電位と略等しくなり、これら
の間で微小放電が生ずることはない。一方、磯子円柱部
4a内のウェネルト電極2とケーブルとの接続部材は上
述のように円筒状導電体14が好ましいが、これをリー
ド線で形成した場合においても、このリード線はウェネ
ルト電極2と同電位であり、またフィラメント加熱リー
ド線もほぼ同電位であるために接合部Jにおける電界強
度を十分小さくおさえることが可能である。また、非真
空部を例えば比較的高圧の絶縁ガスで形成すればシール
ドのための導電体12を必ずしも設けなくてもよい。
尚、上記実施例においては、電子を発生させる電子源と
してフィラメント1を用いて説明したが、電子を発生さ
せるものであればフィラメントに限定する必要はない。
してフィラメント1を用いて説明したが、電子を発生さ
せるものであればフィラメントに限定する必要はない。
同様に、発生した電子の方向を制御し加速するものであ
れば、名称の如何にかかわらずウェネルト電極2、アノ
ード電極3と同一の制御電極として使用することができ
る。また、上記実施例において密閉容器Sの非真空部V
。
れば、名称の如何にかかわらずウェネルト電極2、アノ
ード電極3と同一の制御電極として使用することができ
る。また、上記実施例において密閉容器Sの非真空部V
。
には絶縁ガスが充填されているが、非真空部V°には絶
縁ガスを充填する代わりに特公昭57−58185号公
報所載の電子銃と同様に絶縁物を詰めても良い。また、
ウェネルト電極2と導電円筒12はリード線等を用いて
接続することもできる。更に、アノード電極3の電子線
孔10周縁部から飛び出す正イオンの直撃による電子4
の帯電を完全に防止するためには、上記電子線孔10の
周縁部位とウェネルト電極2の下端端部2dとを結んで
形成される仮想面よりも上方位置に電子4を配置すれば
よい。
縁ガスを充填する代わりに特公昭57−58185号公
報所載の電子銃と同様に絶縁物を詰めても良い。また、
ウェネルト電極2と導電円筒12はリード線等を用いて
接続することもできる。更に、アノード電極3の電子線
孔10周縁部から飛び出す正イオンの直撃による電子4
の帯電を完全に防止するためには、上記電子線孔10の
周縁部位とウェネルト電極2の下端端部2dとを結んで
形成される仮想面よりも上方位置に電子4を配置すれば
よい。
あるいは、ウェネルト電極2の外形を大きくして、アノ
ード電極からの正イオンが直接磯子4に衝突しないよう
にすることもできる。
ード電極からの正イオンが直接磯子4に衝突しないよう
にすることもできる。
他方、硬゛子4の円板面4bに形成されるリング状凸部
4cは沿面距離を増加して絶縁力を増すために必要なも
のであるから、上記実施例のように1個所に限らず、2
個所あるいはそれ以上設けても良い。また、沿面距離を
増加するためには光軸13を同軸とするリング状凸部4
Cの代わりにリング状の凹部を形成してもよく、凸部と
凹部とを組み合わせた波状の円板面4bとしても良い。
4cは沿面距離を増加して絶縁力を増すために必要なも
のであるから、上記実施例のように1個所に限らず、2
個所あるいはそれ以上設けても良い。また、沿面距離を
増加するためには光軸13を同軸とするリング状凸部4
Cの代わりにリング状の凹部を形成してもよく、凸部と
凹部とを組み合わせた波状の円板面4bとしても良い。
尚、非真空部V′においては正イオンが発生して磯子4
を帯電させることはないから、凸部ないし凹部を形成し
て絶縁力を待つ必要はない。従って、磯子4の非真空部
V°の中央の円柱部4aはなくてもよく、また円板面4
bは平面的であっても支障はないが、製作の都合等によ
って凸部ないし凹部を設けてもかまわない。また、上記
実施例においては絶縁体4として磯子4を用いて説明し
たが、フィラメント1およびウェネルト電極2と設置電
位との絶縁を保つことができる材質であれば電子に限る
ことはない。
を帯電させることはないから、凸部ないし凹部を形成し
て絶縁力を待つ必要はない。従って、磯子4の非真空部
V°の中央の円柱部4aはなくてもよく、また円板面4
bは平面的であっても支障はないが、製作の都合等によ
って凸部ないし凹部を設けてもかまわない。また、上記
実施例においては絶縁体4として磯子4を用いて説明し
たが、フィラメント1およびウェネルト電極2と設置電
位との絶縁を保つことができる材質であれば電子に限る
ことはない。
また、未発明は液体金属イオン源等を用いたイオン銃に
も同様に適用できるものである。
も同様に適用できるものである。
以上説明したように、本発明の電子銃にあっては、電子
等の絶縁体を円板形状としたことにより従来のカップ形
状の絶縁体に比べ、アノード電極の電子線孔の周縁部位
から飛び出す正イオンの直撃を受ける絶縁体の範囲が大
幅に減少し、正イオンの帯電によって生ずる微小放電や
火花放電が起こり難いものとなる。また絶縁体が円板形
状であることから電子銃を小型化することができ、製造
も容易なものとなる。
等の絶縁体を円板形状としたことにより従来のカップ形
状の絶縁体に比べ、アノード電極の電子線孔の周縁部位
から飛び出す正イオンの直撃を受ける絶縁体の範囲が大
幅に減少し、正イオンの帯電によって生ずる微小放電や
火花放電が起こり難いものとなる。また絶縁体が円板形
状であることから電子銃を小型化することができ、製造
も容易なものとなる。
また絶縁体の円板面には1個所あるいはそれ以上の凸部
あるいは凹部を設けたことにより、100KV程度の通
常の電子顕微鏡に使用される比較的小さい径の電子銃室
においても十分な沿面距離をとることができ、絶縁破壊
が生じない。
あるいは凹部を設けたことにより、100KV程度の通
常の電子顕微鏡に使用される比較的小さい径の電子銃室
においても十分な沿面距離をとることができ、絶縁破壊
が生じない。
また、ウェネルト電極の上端端部と絶縁体の円板面およ
びリング状凸部は比較的大きな電位差をもって空間的に
向き合っているが本発明は火花放電電圧を考慮して最短
距離長5mm以上としたから、ウェネルト電極と絶縁体
との間で微小放電あるいは火花放電が生ずることがない
。更に、本発明は絶縁体の中央部に円柱部を形成したか
らウェネルト電極と絶縁体との接合部近傍における電界
強度は従来の電子銃よりも小さなものとなり、ウェネル
ト電極と絶縁体との間でも微小放電は生じ難くなるもの
であり、絶縁破壊や電顕像の分解能の低下あるいはコン
ピュータの誤動作等の問題が解消されるものである。
びリング状凸部は比較的大きな電位差をもって空間的に
向き合っているが本発明は火花放電電圧を考慮して最短
距離長5mm以上としたから、ウェネルト電極と絶縁体
との間で微小放電あるいは火花放電が生ずることがない
。更に、本発明は絶縁体の中央部に円柱部を形成したか
らウェネルト電極と絶縁体との接合部近傍における電界
強度は従来の電子銃よりも小さなものとなり、ウェネル
ト電極と絶縁体との間でも微小放電は生じ難くなるもの
であり、絶縁破壊や電顕像の分解能の低下あるいはコン
ピュータの誤動作等の問題が解消されるものである。
第1図は本発明の実施例を示す断面図、第2図はウェネ
ルト電極近傍の等電位面を示す第1図の部分拡大図、第
3図は従来の電子銃を示す断面図、第4図はウェネルト
電極近傍の等電位面を示す第3図の部分拡大図である。 】・・・フィラメント (電子源) 2・・・ウェネルト電極 2u・・・ウェネルト電極の上端端部 2d・・・ウェネルト電極の下端端部 3・・・7ノード電極 4・・・磯子(絶縁体) 4a・・・円柱部 4b・・・円板面 4C・・・リング状凸部 !0・・・電子線孔 12・・・導電円筒(導電体) 13・・・光軸 S・・・密閉容器 V・・・真空部 Vo・・・非真空部 特許出願人 株式会社国際精工 第 1 図
ルト電極近傍の等電位面を示す第1図の部分拡大図、第
3図は従来の電子銃を示す断面図、第4図はウェネルト
電極近傍の等電位面を示す第3図の部分拡大図である。 】・・・フィラメント (電子源) 2・・・ウェネルト電極 2u・・・ウェネルト電極の上端端部 2d・・・ウェネルト電極の下端端部 3・・・7ノード電極 4・・・磯子(絶縁体) 4a・・・円柱部 4b・・・円板面 4C・・・リング状凸部 !0・・・電子線孔 12・・・導電円筒(導電体) 13・・・光軸 S・・・密閉容器 V・・・真空部 Vo・・・非真空部 特許出願人 株式会社国際精工 第 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)電子を発生させる電子源1と、発生した電子を加速
し、制御するウェネルト電極2と、電子線装置の密閉容
器Sの内部を真空部Vと非真空部V′とに分離し且つ電
子源1およびウェネルト電極2と接地電位との絶縁を保
つ絶縁体4とを有する電子銃において、上記絶縁体4を
円板形状に形成すると共にその中央部には少なくとも真
空部V側において光軸13を中心として円柱部4aを形
成して上記ウェネルト電極2を配設する一方、絶縁体4
の円板面4bには光軸13を同軸とするリング状の凸部
ないし凹部4cを少なくとも真空部V側において1個所
以上形成し、他方、上記ウェネルト電極2の上端端部2
uから絶縁体4の円板面4bおよびリング状凸部4cま
での最短距離長を5mm以上としたことを特徴とする電
子銃。 2)上記絶縁体4の円柱部4aの非真空部V′側には、
ウェネルト電極と同電位を保つ導電体12を配設したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子銃。 3)上記絶縁体4の円柱部4a内に上記ウェネルト電極
と同電位である円筒状導電体14を配設したことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の電子銃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15720884A JPS6139353A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15720884A JPS6139353A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 電子銃 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6139353A true JPS6139353A (ja) | 1986-02-25 |
JPH0212375B2 JPH0212375B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=15644567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15720884A Granted JPS6139353A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 電子銃 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6139353A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105161394A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-12-16 | 北京中科科仪股份有限公司 | 一种场发射电子枪高压电缆的引入装置 |
WO2022244054A1 (ja) * | 2021-05-17 | 2022-11-24 | 株式会社日立ハイテク | 高電圧絶縁構造体、荷電粒子銃および荷電粒子ビーム装置 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15720884A patent/JPS6139353A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105161394A (zh) * | 2015-08-13 | 2015-12-16 | 北京中科科仪股份有限公司 | 一种场发射电子枪高压电缆的引入装置 |
WO2022244054A1 (ja) * | 2021-05-17 | 2022-11-24 | 株式会社日立ハイテク | 高電圧絶縁構造体、荷電粒子銃および荷電粒子ビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0212375B2 (ja) | 1990-03-20 |
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