JP2013194281A - めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 - Google Patents

めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板を効率的かつ均一に加熱することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する第１吐出機構３０と、基板２の上方に配置され、開口部２２が形成されたトッププレート２１と、を備えている。第１吐出機構３０は、基板２に向けてめっき液を吐出する第１吐出部３３を有している。第１吐出部３３は、めっき液を吐出する際に位置する吐出位置と、めっき液を吐出しない際に位置する待機位置と、の間で移動可能となっている。また第１吐出部３３は、吐出位置にある際にトッププレート２１の開口部２２と重なるよう構成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板の表面にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体に関する。
一般に、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するための配線が施されている。この配線は、アルミニウム素材に替わって、電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになってきている。一般に、Ｃｕ配線を基板上に形成するには、絶縁膜に配線を埋め込むためのビアやトレンチなどの凹部をエッチングにより基板に形成し、それらの中にＣｕ配線を埋め込むダマシン法が用いられている。さらには、Ｃｕ配線を有する基板の表面にＣｏＷＢ（コバルト・タングステン・ホウ素）やＣｏＷＰ（コバルト・タングステン・リン）などを含むめっき液を供給し、キャップメタルと称される金属膜を無電解めっきによりＣｕ配線上に形成して、半導体デバイスのＥＭ耐性の向上を図る試みがなされている。
例えば特許文献１において、基板を回転させる基板回転機構と、基板上にめっき液を吐出するノズルと、を備えためっき処理装置が提案されている。特許文献１に記載のめっき処理装置によれば、基板を回転させながらめっき液を供給することで、基板の表面上にめっき液の均一な流れが形成される。これによって、基板の表面全域にわたって均一にめっき処理が施される。
無電解めっきによるめっき処理は、めっき液の組成、温度などの反応条件による影響を受けることが知られている。ところで、基板を回転させながらめっき液を供給する場合、めっき液は基板の中心部から周縁部に向かって流れることになる。従って、基板上のめっき液の温度は、基板の中心部から周縁部に向かうにつれて低くなっていると考えられる。このため、めっき液の反応条件が、基板の中心部と基板の周縁部とで異なってしまうことが考えられる。このような反応条件のばらつきを防ぐため、特許文献１においては、基板の中心部と基板の周縁部との間でノズルを移動させながらめっき液を吐出する方法が提案されている。
特開２００９−２４９６７９号公報
基板周囲の雰囲気温度がめっき液の温度よりも低くなっている場合、基板に到達しためっき液の熱は、基板周囲の雰囲気によって奪われる。このため、ノズルを移動させながらめっき液を吐出する場合であっても、ノズルから吐出されて基板上に到達したばかりのめっき液の温度に比べて、それよりも前に基板上に到達しためっき液の温度は低くなっている。このため、めっき液の反応条件が基板上の位置によって異なってしまい、この結果、形成されるめっき層の厚みが不均一になってしまうことが考えられる。
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体を提供する。
本発明の第１の観点によれば、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、前記基板を保持して回転させる基板保持機構と、前記基板保持機構に保持された基板に向けてめっき液を吐出する第１吐出機構と、基板の上方に配置され、開口部が形成されたトッププレートと、を備え、前記第１吐出機構は、基板に向けてめっき液を吐出する第１吐出部を有し、前記第１吐出部は、めっき液を吐出する際に位置する吐出位置と、めっき液を吐出しない際に位置する待機位置と、の間で移動可能となっており、前記第１吐出部は、前記吐出位置にある際に前記トッププレートの前記開口部と重なるよう構成されている、めっき処理装置が提供される。
本発明の第２の観点によれば、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、基板保持機構によって基板を保持する工程と、基板の上方に、開口部が形成されたトッププレートを配置する工程と、基板に向けて前記開口部からめっき液を吐出するめっき工程と、を備え、前記めっき工程の際、前記トッププレートの前記開口部から前記基板へ向かう気体の流れが阻害される、めっき処理方法が提供される。
本発明の第３の観点によれば、めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、前記めっき処理方法は、基板保持機構によって基板を保持する工程と、基板の上方に、開口部が形成されたトッププレートを配置する工程と、基板に向けて前記開口部からめっき液を吐出するめっき工程と、を備え、前記めっき工程の際、前記トッププレートの前記開口部から前記基板へ向かう気体の流れが阻害される方法からなっている、記憶媒体が提供される。
本発明によれば、トッププレートと、トッププレートの開口部に重なるよう配置された第１吐出機構の第１吐出部とによって、基板周囲の雰囲気を保温することができる。このため、基板に向けて吐出されためっき液の温度が低下することを効率的に抑制することができる。これによって、めっき液の温度が基板上の位置によって異なることを抑制することができ、このことにより、均一な厚みを有するめっき層を形成することができる。
図１は、本発明の一実施の形態によるめっき処理システムの全体構成を示す平面図。 図２は、本発明の一実施の形態によるめっき処理装置を示す側面図。 図３（ａ）（ｂ）は、図２に示すめっき処理装置の平面図。 図４は、図３（ａ）の第１吐出機構の第１吐出部およびトッププレートをIV−IV方向から見た断面図。 図５（ａ）〜（ｄ）は、第１吐出部およびトッププレートの変形例を示す図。 図６は、本発明の一実施の形態によるトッププレートを示す断面図。 図７Ａ（ａ）（ｂ）は、基板保持機構によって基板を保持する工程を示す図。 図７Ｂ（ａ）（ｂ）は、プリウェット工程を示す図。 図７Ｃ（ａ）（ｂ）は、めっき工程を示す図。 図７Ｄ（ａ）（ｂ）は、リンス処理工程を示す図。 図８（ａ）（ｂ）は、リンス処理工程の変形例を示す図。 図９（ａ）（ｂ）は、めっき工程の変形例を示す図。 図１０（ａ）（ｂ）は、めっき工程の変形例を示す図。 図１１（ａ）（ｂ）は、リンス処理工程の変形例を示す図。 図１２（ａ）〜（ｄ）は、トッププレートに形成される開口部の変形例を示す図。
以下、図１乃至図７Ｄを参照して、本発明の一実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるめっき処理システム１の全体構成について説明する。
めっき処理システム
図１に示すように、めっき処理システム１は、基板２（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）収容するキャリア３を載置し、基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室５と、基板２のめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室６と、を含んでいる。基板搬入出室５と基板処理室６とは、隣接して設けられている。
（基板搬入出室）
基板搬入出室５は、キャリア載置部４、搬送装置８を収容した搬送室９、基板受渡台１０を収容した基板受渡室１１を有している。基板搬入出室５においては、搬送室９と基板受渡室１１とが受渡口１２を介して連通連結されている。キャリア載置部４は、複数の基板２を水平状態で収容するキャリア３を複数個載置する。搬送室９では、基板２の搬送が行われ、基板受渡室１１では、基板処理室６との間で基板２の受け渡しが行われる。
このような基板搬入出室５においては、キャリア載置部４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台１０との間で、搬送装置８により基板２が所定枚数ずつ搬送される。
（基板処理室）
また基板処理室６は、中央部において前後に伸延する基板搬送ユニット１３と、基板搬送ユニット１３の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板２にめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置２０と、を有している。
このうち基板搬送ユニット１３は、前後方向に移動可能に構成した基板搬送装置１４を含んでいる。また基板搬送ユニット１３は、基板受渡室１１の基板受渡台１０に基板搬入出口１５を介して連通している。
このような基板処理室６においては、各めっき処理装置２０に対して、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４により、基板２が、１枚ずつ水平に保持した状態で搬送される。そして、各めっき処理装置２０において、基板２が、１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理される。
各めっき処理装置２０は、用いられるめっき液などが異なるのみであり、その他の点は略同一の構成からなっている。そのため、以下の説明では、複数のめっき処理装置２０のうち一のめっき処理装置２０の構成について説明する。
めっき処理装置
以下、図２および図３（ａ）（ｂ）参照して、めっき処理装置２０について説明する。図２は、めっき処理装置２０を示す側面図であり、図３（ａ）（ｂ）は、めっき処理装置２０を示す平面図である。
めっき処理装置２０は、図２に示すように、ケーシング１０１の内部で基板２を保持して回転させる基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板２の表面に向けてめっき液を吐出する第１吐出機構３０と、第１吐出機構３０に接続され、第１吐出機構３０にめっき液を供給するめっき液供給機構７１と、基板２の上方に配置されたトッププレート２１と、を備えている。めっき処理装置２０は、基板２の表面に向けて処理液などを吐出する第２吐出機構４０をさらに備えていてもよい。
ケーシング１０１内には、ＦＦＵ（ファンフィルタユニット）５１からＮ２ガス（窒素ガス）やクリーンエア等のガスが供給される気体導入部５０が設けられている。気体導入部５０内のガスは、整流板５２を介してダウンフローで基板２に向けて送られる。
基板保持機構１１０の周囲には、基板２から飛散しためっき液や処理液などの液体を受ける第１開口部１２１および第２開口部１２６を有する排液カップ１２０と、気体を引き込む開口部１０６を有する排気カップ１０５と、が配置されている。排液カップ１２０の第１開口部１２１および第２開口部１２６によって受けられた液体は、第１排液機構１２２および第２排液機構１２７によって排出される。排気カップ１０５の開口部１０６に引き込まれた気体は、排気機構１０７によって排出される。また、排液カップ１２０は昇降機構１６４に連結されており、この昇降機構１６４は、排液カップ１２０を上下に移動させることができる。このため、基板２から飛散した液の種類に応じて排液カップ１２０を上下させることにより、液が排出される経路を液の種類の応じて異ならせることができる。
（基板保持機構）
基板保持機構１１０は、図２に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸部材１１１と、回転軸部材１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板２を支持するウエハチャック１１３と、回転軸部材１１１に連結され、回転軸部材１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。
このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転軸部材１１１を回転駆動させ、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板２が回転される。この場合、制御機構１６０は、回転機構１６２を制御することにより、回転軸部材１１１およびウエハチャック１１３を回転させ、あるいは停止させることができる。また、制御機構１６０は、回転軸部材１１１およびウエハチャック１１３の回転数を上昇させ、下降させ、あるいは一定値に維持させるように制御することが可能である。
（第１吐出機構）
次に第１吐出機構３０について説明する。第１吐出機構３０は、基板２に向けてめっき液を吐出するための第１吐出部３３を有している。図２に示す例において、第１吐出部３３は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口が設けられた吐出ヘッドとして構成されている。この場合、第１吐出部３３内には、めっき液供給機構７１から供給されためっき液を吐出口に導くための配管や、めっき液を保温するための熱媒を循環させるための配管などが収納されている。
めっき液の種類が特に限られることはなく、用途に応じて様々なめっき液が第１吐出機構３０から吐出され得る。例えば、Ｃｕ配線を有する基板の表面に金属膜を形成するためのＣｏＷＢ（コバルト・タングステン・ホウ素）やＣｏＷＰ（コバルト・タングステン・リン）などを含むめっき液が用いられてもよい。また、絶縁膜中にＣｕが拡散することを防止するため、Ｃｕ配線が形成される前に基板の表面や基板の凹部の表面に設けられるバリア膜を形成するためのめっき液、例えばＣｏＷＢやＴａ（タンタル）を含むめっき液が用いられてもよい。
第１吐出部３３は、上下方向および水平方向に移動可能となるよう構成されている。例えば第１吐出部３３は、アーム３２の先端部に取り付けられており、このアーム３２は、上下方向に延伸可能であるとともに回転機構１６５により回転駆動される支持軸３１に固定されている。このような駆動機構１６５および支持軸３１を用いることにより、第１吐出部３３を、基板２に向けてめっき液を吐出する際に位置する吐出位置と、めっき液を吐出しない際に位置する待機位置との間で移動させることができる。待機位置は、例えば、第１吐出部３３が基板２に対して水平方向に退避された位置となっている。
第１吐出部３３は、第１吐出口３４を含んでいる。この第１吐出口３４は、第１吐出部３３が後述する吐出位置にある際、吐出されためっき液が基板２の中心部に到達するよう構成されている。基板２の中心部に到達しためっき液は、基板２の回転に起因する遠心力によって基板２の周縁部に向かって流れる。
第１吐出部３３は、図２に示すように、基板２の中心部から基板２の周縁部までの長さ、すなわち基板２の半径の長さに対応するよう延びていてもよい。この場合、第１吐出部３３は、上述の第１吐出口３４に加えて、所定の方向に沿って並べられた複数の第２吐出口３５をさらに含んでいてもよい。第２吐出口３５は、第１吐出部３３が吐出位置にある際、各第２吐出口３５が基板２の半径方向に沿って並ぶよう構成されている。このため、基板２の中心部から周縁部に至る所定範囲内の領域に対してめっき液を、第１吐出部３３の各吐出口３４，３５から直接供給することができる。ここで「直接供給する」とは、めっき液が基板２上の所定領域に到達するまでの経路が、当該所定領域よりも基板２の中心側に滴下されためっき液が基板２の回転に起因する遠心力によって当該所定領域に到達するという経路ではなく、当該所定領域上にめっき液が滴下されるという経路になっていることを意味している。
一般に、基板２周囲の雰囲気温度または基板２の温度は、第１吐出部３３から吐出されるめっき液の温度よりも低くなっている。このため、基板２の中心部または中心部近傍に滴下されためっき液が基板２上で遠心力により外方に流れる際、めっき液の温度は、基板２の周縁側に向かうにつれて低くなると考えられる。このため、基板２の中心部または中心部近傍にのみめっき液を滴下し、当該めっき液を遠心力によって基板２全域にいきわたらせるというめっき処理の場合、基板２上のめっき液の温度は、基板２の中心部から周縁部に向かうにつれて低くなっていると考えられる。
ここで、第１吐出部３３が上述のように複数の第２吐出口３５を含む場合、基板２上の領域のうち基板２の半径方向における所定範囲内の領域に対してめっき液を直接供給することができる。このため、基板２上の領域のうち基板２の中心部よりも周縁側の領域に到達するめっき液の温度と、基板の中心部に到達するめっき液の温度との間に差が生じることを抑制することができる。
なお図２に示す例において、各吐出口３４，３５は、第１吐出部３３の吐出ヘッドから下方に突出するよう設けられた複数のノズルの先端に形成されている。しかしながら、各吐出口３４，３５の形態が図２に示す形態に限られることはない。例えば、図２に示すような下方に突出するノズルが第１吐出部３３に設けられていなくてもよい。例えば、各吐出口３４，３５は、第１吐出部３３の吐出ヘッドに形成された開口部として構成されていてもよい。なお、各吐出口３４，３５の形状が特に限られることはなく、丸穴やスリットなどの形状が適宜採用される。
特に第１吐出部３３の吐出口３５は、基板２の半径方向に沿って延びる、例えばスリット口のような形状を有していてもよい。この場合、第１吐出部３３に設けられる吐出口３５の数が単一または少数の場合であっても、基板２の半径方向における所定範囲内の領域に対してめっき液を直接供給することができる。
（第２吐出機構）
次に第２吐出機構４０について説明する。第２吐出機構４０は、基板２に向けて処理液などを吐出する第２吐出部４３を有している。第２吐出部４３は、上下方向および水平方向に移動可能となるよう構成されている。例えば第１吐出部３３の場合と同様に、第２吐出部４３は、アーム４２の先端部に取り付けられており、このアーム４２は、上下方向に延伸可能であるとともに回転機構１６６により回転駆動される支持軸４１に固定されている。
図２に示す例において、第２吐出部４３は、第１吐出部３３の場合と同様に、基板２に向けて処理液やめっき液などの液体を吐出する第１吐出口４４，第２吐出口４５および第３吐出口４６が設けられた吐出ヘッドとして構成されている。処理液としては、例えば、基板２のリンス処理を実施するためのＤＩＷなどのリンス処理液、基板２の洗浄処理を実施するためのＭＥＬなどの洗浄処理液、基板２の乾燥処理を実施するためのＩＰＡなどの乾燥処理液が挙げられる。めっき液としては、上述の第１吐出機構３０から吐出されるめっき液と同様のものが挙げられる。各吐出口４４，４５，４６から吐出される液体が特に限られることはなく、用途に応じて適宜選択され得る。例えば、第１吐出口４４には、リンス処理液を供給するリンス処理液供給機構７３が接続されており、第２吐出口４５には、めっき液を供給するめっき液供給機構７４が接続されており、第３吐出口４６には、洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給機構７５が供給されている。
なお図２に示す例において、各吐出口４４，４５，４６は、第１吐出部３３の各吐出口３４，３５の場合と同様に、第２吐出部４３の吐出ヘッドから下方に突出するよう設けられた複数のノズルの先端に形成されている。しかしながら、各吐出口４４，４５，４６の形態が図２に示す形態に限られることはない。例えば、図２に示すような下方に突出するノズルが第２吐出部４３に設けられていなくてもよい。例えば、各吐出口４４，４５，４６は、第２吐出部４３の吐出ヘッドに形成された開口部として構成されていてもよい。
（トッププレート）
次にトッププレート２１について説明する。トッププレート２１は、基板２の周囲雰囲気がめっき処理装置２０の内部に拡散されることを防ぐためのものである。このようなトッププレート２１を用いることにより、基板２の周囲雰囲気に含まれる様々な物質がめっき処理装置２０の構成要素に付着し、これによってパーティクルが発生してしまうことを防ぐことができる。また後述するように、基板２の周囲の気体が流動することを抑制することができ、これによって、基板２周囲の雰囲気の熱が外方に逃げてしまうことを抑制することができる。
トッププレート２１は、上下方向に移動可能となるよう構成されている。例えば図２に示すように、トッププレート２１は支持部２５の一端に取り付けられており、この支持部２５の他端は可動部２４に取り付けられている。可動部２４は、上下方向に延びる支持軸２３に沿って、駆動機構１６７によって動かされるよう構成されている。このような駆動機構１６７，支持軸２３，可動部２４および支持部２５を用いることにより、状況に応じて基板２とトッププレート２１との間の距離を変化させることができる。例えば、トッププレート２１が基板２の近傍に位置する第１位置と、第１位置よりも上方にある、後述する第２位置および第３位置との間で、トッププレート２１を移動させることができる。
トッププレート２１には開口部２２が形成されている。以下、図３（ａ）（ｂ）を参照して、トッププレート２１の開口部２２について説明する。図３（ａ）（ｂ）はそれぞれ、トッププレート２１、第１吐出機構３０および第２吐出機構４０を示す平面図である。また図３（ａ）（ｂ）において、トッププレート２１によって上方から覆われている基板２が点線で示されている。
図３（ａ）において、上述の待機位置に配置された第１吐出機構３０が点線で示されており、上述の吐出位置に配置された第１吐出機構３０が実線で示されている。また図３（ａ）において、第２吐出機構４０は待機位置に配置されている。図３（ａ）に示すように、トッププレート２１の開口部２２は、トッププレート２１の中心部からトッププレート２１の外周端縁に至るまで延びるよう形成されている。一方、第１吐出機構３０の第１吐出部３３は、吐出位置にある際にトッププレート２１の開口部２２と重なるよう構成されている。ここで「重なるよう構成されている」とは、トッププレート２１の上方から開口部２２を通ってトッププレート２１の下方へ至る気体の流れが第１吐出部３３によって阻害されるよう、第１吐出部３３が構成されていることを意味している。例えば図３（ａ）においては、トッププレート２１の法線方向から見た場合にトッププレート２１の開口部２２の輪郭と第１吐出部３３の輪郭とが略一致している例が示されている。
図４を参照して、トッププレート２１の開口部２２と第１吐出部３３との関係について詳細に説明する。図４は、図３（ａ）の第１吐出部３３およびトッププレート２１をIV−IV方向から見た断面図である。図４に示すように、第１吐出部３３は、トッププレート２１の端部２１ａとの間に間隙ｓを空けた状態で開口部２２を塞ぐよう構成されている。これによって、開口部２２を通る気体の流路の幅を間隙ｓに制限することができる。このため、気体が開口部２２を通る際のインピーダンスを大きくすることができる。すなわち、基板２とトッププレート２１との間の空間における気体の流れＦを抑制することができる。このことにより、基板２，基板２上のめっき液や基板２とトッププレート２１との間の空間に蓄積されている熱が外方に逃げてしまうことを抑制することができる。このため、基板２に向けて吐出されためっき液の温度が低下することを効率的に抑制することができる。
トッププレート２１と第１吐出部３３との間の間隙ｓの具体的な値が特に限られることはなく、用途に応じて適宜設定されるが、例えば間隙ｓは０．３〜３．０ｍｍの範囲内となっている。
トッププレート２１を構成する材料は特には限られないが、例えばセラミック材料や、アルミニウムなどの金属材料が用いられ得る。
好ましくは、トッププレート２１は、第１吐出部３３と干渉することなく基板２に向けて移動可能となるよう構成されている。例えば第１吐出部３３は、上方から開口部２２に挿入されるよう構成されている。この場合、トッププレート２１の下方への移動が第１吐出部３３によって阻害されることがない。このため、トッププレート２１を基板２に限りなく近接させることが可能となる。従って、トッププレート２１の下方に第１吐出部３３が配置される場合に比べて、トッププレート２１と基板２との間の距離を小さくすることができる。このことにより、基板２，基板２上のめっき液や基板２とトッププレート２１との間の空間に蓄積されている熱が外方に逃げてしまうことをさらに抑制することができる。
なお、トッププレート２１の開口部２２と第１吐出部３３との関係が図４に示される例に限られることはなく、様々な変形例が考えられる。例えば図５（ａ）に示すように、トッププレート２１の端部２１ａに、第１吐出部３３に向かって水平方向に突出する側方突出部２１ｂが形成されていてもよい。また図５（ｂ）に示すように、トッププレート２１の端部２１ａに、上方に向かって突出する上方突出部２１ｃが形成されていてもよい。また図５（ｃ）に示すように、第１吐出部３３に、トッププレート２１の上方突出部２１ｃの上面に沿うよう側方に突出する側方突出部３３ｂが形成されていてもよい。さらに図５（ｄ）に示すように、上方突出部２１ｃの側面に沿うようトッププレート２１に向かって側方突出部３３ｂから下方に突出する下方突出部３３ｃがさらに第１吐出部３３に形成されていてもよい。また、トッププレート２１と第１吐出部３３との間の所定の間隙ｓは、基板２の首位雰囲気に到達する気体の流路の全体を構成するものであってもよく、流路の一部分を構成するものであってもよい。これらの変形例を採用することにより、気体が開口部２２を通る際のインピーダンスをより大きくすることができる。
なお図４および図５（ａ）〜（ｄ）においては、トッププレート２１と第１吐出部３３との間に所定の間隙ｓが設けられる例を示した。すなわち、トッププレート２１と第１吐出部３３とが接触しない例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１吐出部３３によって開口部２２を塞ぐ際にトッププレート２１と第１吐出部３３とが接触していてもよい。これによって、より強固に開口部２２を塞ぐことができる。なお、トッププレート２１と第１吐出部３３とが接触しない場合、接触によって何らかのパーティクルが発生し、これによって基板２が汚染されるという懸念を無くすことができる。
次に図３（ｂ）を参照して、トッププレート２１の開口部２２と第２吐出機構４０との位置関係について説明する。図３（ｂ）においては、第２吐出部４３が支持軸４１を回転軸として回転方向Ｒ２において動かされている様子が示されている。第２吐出機構４０の第２吐出部４３は、第２吐出部４３が吐出位置にある際であってもトッププレート２１の上方から開口部２２を通ってトッププレート２１の下方へ気体が十分に流れることができるよう構成されている。例えば図３（ｂ）に示すように、トッププレート２１の法線方向から見た場合の第２吐出部４３の輪郭は、トッププレート２１の開口部２２の輪郭に比べて十分に小さくなっている。
好ましくは、第２吐出機構４０は、第２吐出部４３が回転方向Ｒ２において水平に動く際に第２吐出部４３がトッププレート２１の開口部２２上を通るよう構成されている。これによって、トッププレート２１が第２吐出機構４０のアーム４２よりも下方に配置された状態で、第２吐出部４３を水平方向に動かしながら基板２に向けて第２吐出部４３から処理液やめっき液などを吐出することが可能となる。
次に図２および図６を参照して、トッププレート２１の構造についてさらに詳細に説明する。図２および図６に示すように、トッププレート２１には、基板２に向けて処理液、めっき液または処理流体などを吐出する第１吐出口２６および第２吐出口２７が形成されていてもよい。処理液としては、基板２のリンス処理を実施するためのＤＩＷなどのリンス処理液、基板２の洗浄処理を実施するためのＭＥＬなどの洗浄処理液、基板２の乾燥処理を実施するためのＩＰＡなどの乾燥処理液が挙げられる。めっき液としては、上述の第１吐出機構３０から吐出されるめっき液と同様のものが挙げられる。処理流体としては、基板２を乾燥させるためのＮ２ガスやドライエアなどが挙げられる。例えば図２に示すように、第１吐出口２６には、めっき液を供給するめっき液供給機構７６が接続されており、第２吐出口２７には、ドライエアを供給するエア供給機構７７が接続されている。
図６に示すように、トッププレート２１にヒーター２８が設けられていてもよい。ヒーター２８は、トッププレート２１と基板２との間の空間を加熱するよう構成されたものであってもよい。このようなヒーター２８としては、例えば、抵抗体に電流を流すことによる発熱を利用するヒーターや、外部から供給される熱媒をトッププレート２１の内部や近傍で循環させるよう構成されたヒーターなどが挙げられる。またヒーター２８は、基板２を加熱し、これによって基板２上のめっき液やトッププレート２１と基板２との間の空間の気体を加熱するよう構成されたものであってもよい。このようなヒーター２８としては、例えば、赤外線ヒーターやＬＥＤヒーターが挙げられる。
ヒーター２８を利用することにより、トッププレート２１と基板２との間の雰囲気をより高温で維持し、基板２上のめっき液の温度をより高温で維持することができる。このため、基板２に向けて吐出されためっき液３７の温度が低下することをさらに抑制することができる。
以上のように構成されるめっき処理装置２０を複数含むめっき処理システム１は、制御機構１６０に設けた記憶媒体１６１に記録された各種のプログラムに従って制御機構１６０により駆動制御され、これにより基板２に対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１６１は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１６１としては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。
めっき処理方法
本実施の形態において、めっき処理システム１およびめっき処理装置２０は、記憶媒体１６１に記録されためっき処理プログラムに従って、基板２にめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、一のめっき処理装置２０において、基板２に向けてＣｏＷＢめっき液を吐出し、これによって基板２の表面にＣｏＷＢめっき層を形成する方法について、図７Ａ（ａ）（ｂ）〜図７Ｄ（ａ）（ｂ）および図８を参照して説明する。図７Ａ（ａ）（ｂ）〜図７Ｄ（ａ）（ｂ）において、（ａ）に示される図は、側方から見た場合のトッププレート２１や吐出機構３０，４０などを表しており、（ｂ）に示される図は、上方から見た場合のトッププレート２１や吐出機構３０，４０などを表している。
（基板保持工程）
まず、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４を用いて、１枚の基板２を基板受渡室１１からめっき処理装置２０に搬入する。
めっき処理装置２０においては、はじめに、排液カップ１２０が所定位置まで降下され、次に、搬入された基板２が基板保持機構１１０のウエハチャック１１３によって保持される。このとき、図７Ａ（ａ）に示すように、トッププレート２１は駆動機構１６７によって第３位置まで上昇されている。第３位置において、基板２とトッププレート２１との間の距離ｈ３は例えば８０ｍｍとなっている。その後、排液カップ１２０の第２開口部１２６と基板２の外周端縁とが対向する位置まで排液カップ１２０が昇降機構１６４により上昇させられる。このとき、図７Ａ（ｂ）に示すように、第１吐出機構３０および第２吐出機構４０はそれぞれ待機位置に配置されている。
気体導入部５０からクリーンエア等のガスが常にダウンフローで送られ、このガスが排気カップ１０５を介して排気機構１０７によって排出されている。これによって、めっき処理装置２０の内部の雰囲気を常に置換し続けることができ、このことにより、めっき処理装置２０内部の安全性を確保することができる。
（プリウェット工程）
次に、めっき工程の前に基板２に向けてＤＩＷなどのリンス処理液を吐出する、いわゆるプリウェット工程を実施する。この場合、はじめに図７Ｂ（ａ）に示すように、駆動機構１６７によってトッププレート２１を、第３位置よりも下方の第２位置まで下降させる。第２位置において、基板２とトッププレート２１との間の距離ｈ２は例えば２０ｍｍとなっている。次に基板保持機構１１０によって基板２を回転させ、また、図７Ｂ（ｂ）に示すように、第２吐出機構４０の第２吐出部４３を回転方向Ｒ２に沿って待機位置から吐出位置へ水平移動させる。その後、第２吐出部４３を基板２の中心部から基板２の周縁部へ水平方向に移動させながら、若しくは、第２吐出部４３を基板２の周縁部から基板２の中心部へ水平方向に移動させながら、基板２の表面に向けて第２吐出部４３の第１吐出口４４からリンス処理液４８を吐出する。基板２から飛散されたリンス処理液４８は、排液カップ１２０の第２開口部１２６を介して第２排液機構１２７によって排出される。
図８は、プリウェット工程において第１吐出口４４から基板２に向けて吐出されるリンス処理液４８の液滴４８ａを示す図である。本工程においては、上述のように、第２吐出部４３は、リンス処理液４８の液滴４８ａを吐出しながら水平方向に移動される。このため、基板２の凹部２ａには、第１吐出口４４から吐出された液滴４８ａが直接到達する。若しくは、基板２の凹部２ａには、液滴４８ａの運動エネルギーに起因する物理エネルギーが伝達する。このため、従来のように基板２の回転に起因する遠心力によってのみリンス処理液４８が各凹部２ａに到達する場合に比べて、凹部２ａの隅々にまでリンス処理液４８を行き渡らせることができる。
（めっき工程）
次に、基板２に向けて第１吐出機構３０からめっき液を吐出するめっき工程を実施する。このめっき工程は、好ましくは、基板２上にリンス処理液４８が残っている間に開始される。このように、基板２が乾燥していない状態でめっき工程を開始することで、基板２の被めっき面が酸化してしまい良好にめっき処理できなくなることを防止することができる。
めっき工程においては、はじめに図７Ｃ（ａ）に示すように、駆動機構１６７によってトッププレート２１を、第２位置よりも下方の第１位置まで下降させる。第１位置において、基板２とトッププレート２１との間の距離ｈ１は例えば１０ｍｍとなっている。また第１吐出機構３０の第１吐出部３３を、開口部２２を第１吐出部３３によって塞ぐことができる吐出位置に移動させる。例えば、はじめに第１吐出部３３を待機位置から上昇させ、次に図７Ｃ（ｂ）に示すように、第１吐出部３３が開口部２２と重なるまで、回転方向Ｒ１に沿って水平移動させる。その後、図７Ｃ（ａ）に示すように、第１吐出部３３および吐出口３４，３５をトッププレート２１の開口部２２の空間まで下降させる。また、排液カップ１２０の第１開口部１２１と基板２の外周端縁とが対向する位置まで排液カップ１２０が昇降機構１６４により上昇させられる。なお吐出口３４，３５の先端の位置が特に限られることはなく、適宜設定され得る。例えば、吐出口３４，３５の先端の位置が、トッププレート２１の下面の位置よりも下方となっていてもよく、上方となっていてもよい。
次に、基板２に向けて、トッププレート２１の開口部２２からめっき液３７を吐出する。この際、めっき液３７の温度は、めっき液供給機構７１によって適切に調整されている。例えばめっき液３としてＣｏＷＢめっき液が用いられる場合、めっき液３７の温度が６０〜８０度の範囲内に調整されている。基板２から飛散されためっき液３７は、排液カップ１２０の第１開口部１２１を介して第１排液機構１２２によって排出される。
なお「開口部２２からめっき液３７を吐出する」とは、基板２に到達するめっき液３７の経路が、開口部２２を通る経路となっていることを意味している。例えば図７Ｃ（ａ）に示す例においては、めっき液３７がめっき液供給機構７１から第１吐出部３３に供給された後、めっき液３７が第１吐出部３３内の配管を通って吐出口３４，３５に到達するまでの間に、めっき液３７が開口部２２を通っている。なお図７Ｃ（ａ）に示す場合とは異なり、第１吐出部３３の各吐出口３４，３５が開口部２２の空間よりも上方に配置された状態で各吐出口３４，３５からめっき液３７が吐出される場合、各吐出口３４，３５から吐出された後のめっき液３７が、基板２に到達するまでの間に開口部２２を通ることになる。
ここで本実施の形態によれば、上述のように、第１吐出部３３がトッププレート２１の開口部２２と重なるよう構成され配置されている。このため、気体がトッププレート２１の開口部２２を通る際のインピーダンス（図７Ｃ（ａ）において矢印Ｆ２で示される経路のインピーダンス）を、気体がトッププレート２１の外周端縁近傍を通る際のインピーダンス（図７Ｃ（ａ）において矢印Ｆ１で示される経路のインピーダンス）に比べて大きくすることができる。この結果、排気機構１０７によって排出される気体がトッププレート２１の近傍を通る際の経路は、主に矢印Ｆ１で示される経路となる。これによって、めっき処理装置２０の内部における雰囲気の置換を継続させながら、トッププレート２１の開口部２２から基板２へ向かう気体の流れを阻害または抑制し、これによって、基板２とトッププレート２１との間の空間における気体の流れを阻害または抑制することができる。このことにより、基板２，基板２上のめっき液３７や基板２とトッププレート２１との間の空間に蓄積されている熱が外方に逃げてしまうことを抑制することができる。このため、基板２に向けて吐出されためっき液３７の温度が低下することを効率的に抑制することができる。これによって、基板２上のめっき液３７の温度分布を位置に依らず略均一にすることができ、このことにより、めっき層の成長を基板２の面内で均一にすることができる。
好ましくは、基板２に向けて吐出口３４，３５からめっき液３７を吐出する間、トッププレート２１に設けられたヒーター２８によってトッププレート２１と基板２との間の空間や基板２が加熱されている。これによって、基板２上のめっき液３７の温度をより高温で維持することができる。このため、基板２上のめっき液３７の温度分布をより均一にすることができる。
（リンス処理工程）
次に、基板２に向けてＤＩＷなどのリンス処理液を供給するリンス処理工程を実施する。この場合、はじめに図７Ｄ（ａ）に示すように、駆動機構１６７によってトッププレート２１を第２位置まで上昇させる。また、排液カップ１２０の第２開口部１２６と基板２の外周端縁とが対向する位置まで排液カップ１２０を上昇させる。その後、基板２に向けて第１吐出口４４からリンス処理液４８を吐出する。この際、好ましくは図７Ｄ（ｂ）に示すように、第２吐出部４３を基板２の中心部から基板２の周縁部へ水平方向に移動させながら、若しくは、第２吐出部４３を基板２の周縁部から基板２の中心部へ水平方向に移動させながら、基板２の表面に向けて第２吐出部４３の第１吐出口４４からリンス処理液４８を吐出する。これによって、凹部２ａの隅々にまでリンス処理液４８を行き渡らせることができる。基板２から飛散されたリンス処理液４８は、排液カップ１２０の第２開口部１２６を介して第２排液機構１２７によって排出される。
ここで本実施の形態によれば、トッププレート２１には開口部２２が形成されており、また第２吐出機構４０の第２吐出部４３の輪郭は、トッププレート２１の開口部２２の輪郭に比べて十分に小さくなっている。このため図７Ｄ（ａ）に示すように、気体がトッププレート２１の開口部２２を通る際のインピーダンスを小さくすることができる。またトッププレート２１は、めっき工程の際の第１位置よりも上方の第２位置に配置されており、これによって、気体が基板２とトッププレート２１との間の空間を通る際のインピーダンスを小さくすることができる。このため、リンス処理工程においては、めっき工程の場合に比べて、基板２とトッププレート２１との間の空間において基板２の中心部から基板２の周縁部へ向かう気体の流量を十分に確保することができる。少なくとも、リンス処理工程の際にトッププレート２１の開口部２２を通る気体の流量を、上述のめっき工程の際にトッププレート２１の開口部２２を通る気体の流量よりも大きくすることができる。この結果、基板２や基板２の周囲雰囲気を清浄に保つことができる。例えば、基板２上における気体の流れを形成することにより、基板２から飛散されて排液カップ１２０や排気カップ１０５に衝突した液が再び基板２に付着してしまうことを防ぐことができる。このことにより、基板２上にパーティクルなどの不純物が形成されることを防ぐことができる。
リンス処理工程は、好ましくは、基板２上にめっき液３７が残っている間に開始される。このように、基板２が乾燥していない状態でリンス処理工程を開始することで、高い品質のめっき層を得ることができる。
（乾燥処理工程）
次に、基板２に向けてＩＰＡなどの乾燥処理液を吐出する乾燥処理工程を実施する。例えば、第２吐出部４３を基板２の中心部から基板２の周縁部へ水平方向に移動させながら、若しくは、第２吐出部４３を基板２の周縁部から基板２の中心部へ水平方向に移動させながら、基板２の表面に向けて第２吐出部４３の第３吐出口４６からＩＰＡを吐出する。この際、トッププレート２１に形成された第２吐出口２７から基板２に向けてドライエアを吐出してもよい。これによって、基板２の乾燥を促進することができる。なお乾燥工程において、トッププレート２１は、上述の第２位置に配置されていてもよく、若しくは、第３位置などのその他の位置に配置されていてもよい。
その後、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４を用いて、基板２をめっき処理装置２０から搬出する。搬出された基板２は、さらなる処理を実施するためにその他のめっき処理装置２０に搬入されてもよい。
このように本実施の形態によれば、基板２の上方に配置されるトッププレート２１に開口部２２が形成されている。まためっき工程の際、基板２に向けてトッププレート２１の開口部２２からめっき液３７が吐出される。従って、第１吐出機構３０の第１吐出部３３を、吐出位置にある際にトッププレート２１の開口部２２に重ねることができる。このため、めっき工程の際、基板２や基板２の周囲に蓄積されている熱が外方に逃げてしまうことを抑制することができ、このことにより、基板２に向けて吐出されためっき液の温度が低下することを効率的に抑制することができる。
また本実施の形態によれば、熱が外方に逃げてしまうことを抑制することができるため、基板２や基板２の周囲に入力される単位時間あたりの熱量の所要量を小さくすることができる。例えば、めっき液３７を介して入力される熱量の所要量を小さくすることができ、これによって、単位時間あたりに基板２に向けて吐出されるめっき液３７の量を少なくすることができる。この結果、第１吐出機構３０の第１吐出部３３の長さを従来よりも短くすることができる。例えば上述のように、基板２の直径ではなく半径に対応する距離だけ延びる第１吐出部３３から吐出されるめっき液３７によって、必要とされる熱量を確保することができる。このことにより、めっき液３７の消費量を少なくすることができ、これによって製造コストを低減することができる。また、第１吐出部３３の長さを短くすることにより、第１吐出部３３に対応するよう形成される、トッププレート２１の開口部２２の寸法を小さくすることができる。このことにより、気体が開口部２２を通る際のインピーダンスをより大きくすることができるという、さらなる相乗効果を生じさせることができる。
さらに本実施の形態によれば、リンス処理液４８を吐出する第１吐出口４４が設けられた第２吐出部４３の輪郭は、トッププレート２１の開口部２２の輪郭に比べて十分に小さくなっている。このためリンス処理工程などのめっき工程以外の工程においては、基板２の中心部から基板２の周縁部へ向かう気体の流量を十分に確保することができ、この結果、基板２や基板２の周囲雰囲気を清浄に保つことができる。このように本実施の形態によれば、トッププレート２１に開口部２２を形成し、かつ、めっき工程で用いられる第１吐出部３３の形状とリンス処理工程において用いられる第２吐出部４３の形状とを適切に設定することにより、めっき工程における保温性とリンス処理工程における雰囲気置換性とを両立させることができる。
変形例
以下、本実施の形態の各変形例について説明する。
上記実施の形態では、リンス処理工程の際、トッププレート２１が第２位置に配置される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図９（ａ）（ｂ）に示すように、リンス処理工程の際、トッププレート２１を、第２位置よりも上方の第３位置に配置してもよい。これによって、気体がトッププレート２１の開口部２２を通る際のインピーダンスをさらに小さくすることができる。このことにより、基板２や基板２の周囲雰囲気をより清浄に保つことができる。
また上記実施の形態では、プリウェット工程の後、基板２に向けて第１吐出機構３０からめっき液３７が吐出される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、第１吐出機構３０からめっき液３７を吐出するよりも前に、第１めっき工程として、第２吐出機構４０の第２吐出口４５から基板２に向けてめっき液４９を吐出してもよい。ここで、第２吐出口４５、および、プリウェット工程において用いられる第１吐出口４４はいずれも第２吐出部４３に設けられている。このため、基板２上にリンス処理液４８が残っている間に、基板２に向けてめっき液４９の吐出を開始するということを容易に実現することができる。この際、図１０（ｂ）に示すように、第２吐出部４３が水平方向に移動されながらめっき液４９が吐出されてもよい。また図１０（ｂ）に示すように、第２吐出部４３に設けられた第１吐出口４４がめっき液４９を吐出している間に、第１吐出機構３０の第１吐出部３３が回転方向Ｒ１に沿って開口部２２に向けて移動されていてもよい。その後、第１吐出機構３０の吐出口３４，３５から基板２に向けてめっき液３７を吐出する工程が、第２めっき工程として実施される。
第１めっき工程において、トッププレート２１の配置が特に限られることはない。例えば図１０（ａ）に示すように、トッププレート２１の配置がプリウェット工程の際の第２位置のままであってもよく、若しくは図示はしないが、トッププレート２１が第１位置に配置されていてもよい。
また上記実施の形態では、めっき工程の後、基板２に向けて第２吐出機構４０からリンス処理液４８が吐出される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、第２吐出機構４０からリンス処理液４８を吐出するよりも前に、第１リンス処理工程として、トッププレート２１に形成された第１吐出口２６から基板２に向けてリンス処理液２６ａを吐出してもよい。これによって、基板２上にめっき液３７が残っている間に、基板２に向けてリンス処理液２６ａの吐出を開始するということを容易に実現することができる。この際、図１１（ｂ）に示すように、トッププレート２１に形成された第１吐出口２６がリンス処理液２６ａを吐出している間に、第２吐出機構４０の第２吐出部４３が回転方向Ｒ２に沿って開口部２２に向けて移動されていてもよい。その後、第２吐出機構４０の第１吐出口４４から基板２に向けてリンス処理液４８を吐出する工程が、第２リンス処理工程として実施される。
上述の第１リンス処理工程において、トッププレート２１の配置が特に限られることはない。例えば図１１（ａ）に示すように、トッププレート２１の配置がめっき工程の際の第１位置のままであってもよく、若しくは図示はしないが、トッププレート２１が第２位置や第３位置に配置されていてもよい。
また上記実施の形態では、トッププレート２１の開口部２２が、トッププレート２１の中心部からトッププレート２１の外周端縁に至るまで延びるよう形成されている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、単位時間あたりに必要とされるめっき液の量や、求められる保温性などに応じて、様々な形状の開口部２２が選択され得る。例えば図１２（ａ）に示すように、開口部２２は、基板２の中心部に対応する領域において、基板２の周縁部に対応する領域よりも大きな幅を有していてもよい。これによって、基板２の中心部に向けて吐出されるめっき液の量をより多くすることができる。また開口部２２がトッププレート２１の外周端縁に達している形態だけでなく、図１２（ｂ）に示すように、開口部２２がトッププレート２１の中心部にのみ形成される形態が選択されてもよい。また図１２（ｃ）に示すように、開口部２２がトッププレート２１の一方の外周端縁から他方の外周端縁に至るまで延びていてもよい。いずれの形態においても、第１吐出機構３０の第１吐出部３３は、吐出位置にある際にトッププレート２１の開口部２２と重なるよう構成されている。
また、上記実施の形態で説明されていないその他の工程をさらに実施してもよい。例えばリンス処理工程の後であって、乾燥処理工程の前に、基板２に向けて洗浄処理液を吐出する洗浄処理工程、いわゆる後洗浄工程をさらに実施してもよい。洗浄処理液は、例えば、第２吐出機構４０の第３吐出口４６から基板２に向けて吐出されてもよい。また同様の洗浄処理工程が、めっき工程の前に、いわゆる前洗浄工程として実施されてもよい。
また上記実施の形態では、第２吐出部４３を基板２の中心部から基板２の周縁部へ水平方向に移動させながら、若しくは、第２吐出部４３を基板２の周縁部から基板２の中心部へ水平方向に移動させながら、基板２の表面に向けて第２吐出部４３の第３吐出口４６からＩＰＡを吐出するようにしたが、これに限ることはなく、第２吐出部４３を基板２の略中心部に移動し停止させ、略中心部から基板２の表面に向けて第２吐出部４３の第３吐出口４６からＩＰＡを吐出するようにしてもよい。
また上記実施の形態では、第１吐出部３３が、吐出口が設けられるとともに、めっき液を吐出口に導くための配管などが収納された吐出ヘッドとして構成される例を示した。しかしながら、吐出位置にある際に第１吐出部３３がトッププレート２１の開口部２２と重なる構造を有する限りにおいて、第１吐出部３３の具体的な構成が特に限られることはない。例えば第１吐出部３３は、めっき液が通る配管と、当該配管に接続された吐出口とを含む吐出ノズルとして構成されていてもよい。第２吐出部４３についても同様に、具体的な構成が特に限られることはない。
なお、上記実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
２ 基板
２０ めっき処理装置
２１ トッププレート
２２ 開口部
３０ 第１吐出機構
３３ 第１吐出部
１１０ 基板保持機構

Claims (18)

  1. 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
    前記基板を保持して回転させる基板保持機構と、
    前記基板保持機構に保持された基板に向けてめっき液を吐出する第１吐出機構と、
    基板の上方に配置され、開口部が形成されたトッププレートと、を備え、
    前記第１吐出機構は、基板に向けてめっき液を吐出する第１吐出部を有し、
    前記第１吐出部は、めっき液を吐出する際に位置する吐出位置と、めっき液を吐出しない際に位置する待機位置と、の間で移動可能となっており、
    前記第１吐出部は、前記吐出位置にある際に前記トッププレートの前記開口部と重なるよう構成されていることを特徴とするめっき処理装置。
  2. 前記トッププレートにヒーターが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
  3. 前記トッププレートの前記開口部は、前記トッププレートの中心部から前記トッププレートの外周端縁に至るまで延びるよう形成されており、
    前記第１吐出機構の前記第１吐出部は、基板の半径方向に沿って並べられ、基板に向けてめっき液を吐出する複数の吐出口を含む、または、基板の半径方向に沿って延びる吐出口を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のめっき処理装置。
  4. 前記基板保持機構に保持された基板に向けて処理液を吐出する第２吐出機構をさらに備え、
    前記第２吐出機構は、基板に向けて処理液を吐出する第２吐出部を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
  5. 前記第２吐出機構の前記第２吐出部は、処理液を吐出しながら水平方向に移動可能となるよう構成されていることを特徴とする請求項４に記載のめっき処理装置。
  6. 前記トッププレートは、第１位置と、第１位置よりも上方の第２位置との間で移動可能となるよう構成されており、
    前記第１吐出機構が基板に向けてめっき液を吐出するとき、前記トッププレートは前記第１位置に配置され、前記第２吐出機構が基板に向けて処理液を吐出するとき、前記トッププレートは前記第２位置に配置されることを特徴とする請求項４または５に記載のめっき処理装置。
  7. 前記トッププレートに、基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
  8. 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
    基板保持機構によって基板を保持する工程と、
    基板の上方に、開口部が形成されたトッププレートを配置する工程と、
    基板に向けて前記開口部からめっき液を吐出するめっき工程と、を備え、
    前記めっき工程の際、前記トッププレートの前記開口部から前記基板へ向かう気体の流れが阻害されることを特徴とするめっき処理方法。
  9. 前記めっき工程において、第１吐出部から基板に向けてめっき液が吐出され、
    前記第１吐出部は、めっき液を吐出する際に前記トッププレートの前記開口部と重なるよう構成されていることを特徴とする請求項８に記載のめっき処理方法。
  10. 前記トッププレートにヒーターが設けられていることを特徴とする請求項８または９に記載のめっき処理方法。
  11. 前記トッププレートの前記開口部は、前記トッププレートの中心部から前記トッププレートの外周端縁に至るまで延びるよう形成され、
    前記めっき工程において、第１吐出部から基板に向けてめっき液が吐出され、
    前記第１吐出部は、基板の半径方向に沿って並べられ、基板に向けてめっき液を吐出する複数の吐出口を含む、または、基板の半径方向に沿って延びる吐出口を含むことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
  12. 基板に向けて第２吐出部から処理液を吐出する処理液吐出工程をさらに備えたことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
  13. 前記処理液吐出工程において、前記第２吐出部は、水平方向に移動しながら処理液を吐出することを特徴とする請求項１２に記載のめっき処理方法。
  14. 前記処理液吐出工程の際に前記トッププレートの前記開口部を通る気体の流量が、前記めっき工程の際に前記トッププレートの前記開口部を通る気体の流量よりも大きくなっていること特徴とする請求項１２または１３に記載のめっき処理方法。
  15. 前記トッププレートは、第１位置と、第１位置よりも上方の第２位置との間で移動可能となるよう構成されており、
    前記めっき工程において、前記トッププレートは前記第１位置に配置され、前記処理液吐出工程において、前記トッププレートは前記第２位置に配置されることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
  16. 前記トッププレートに、基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口が形成されており、
    前記めっき処理方法は、前記めっき工程の後、前記トッププレートが前記第１位置に配置されたままの状態で、基板に向けて前記トッププレートの前記処理液吐出口から処理液を吐出するリンス処理工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１５に記載のめっき処理方法。
  17. 前記第２吐出部は、基板に向けて処理液を吐出する第１吐出口と、基板に向けてめっき液を吐出する第２吐出口と、を含み、
    前記処理液吐出工程は、前記めっき工程の前に基板に向けて前記第２吐出部の前記第１吐出口から処理液を吐出するプリウェット工程を含み、
    前記めっき工程は、前記プリウェット工程の後に基板に向けて前記第２吐出部の前記第２吐出口からめっき液を吐出する第１めっき工程と、前記第１めっき工程の後に基板に向けて前記第１吐出部からめっき液を吐出する第２めっき工程と、含むことを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載のめっき処理方法。
  18. めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
    前記めっき処理方法は、
    基板保持機構によって基板を保持する工程と、
    基板の上方に、開口部が形成されたトッププレートを配置する工程と、
    基板に向けて前記開口部からめっき液を吐出するめっき工程と、を備え、
    前記めっき工程の際、前記トッププレートの前記開口部から前記基板へ向かう気体の流れが阻害される、方法からなっていることを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020026839A1 (ja) * 2018-07-31 2021-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置および基板液処理方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9758896B2 (en) * 2015-02-12 2017-09-12 Applied Materials, Inc. Forming cobalt interconnections on a substrate
KR101909188B1 (ko) * 2016-06-24 2018-10-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20220154342A1 (en) * 2019-03-28 2022-05-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7253955B2 (ja) * 2019-03-28 2023-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159291A (en) * 1997-08-11 2000-12-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP2002226974A (ja) * 2000-11-28 2002-08-14 Ebara Corp 無電解Ｎｉ−Ｂめっき液、電子デバイス装置及びその製造方法
TW554069B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
JP4010791B2 (ja) * 2001-08-10 2007-11-21 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び無電解めっき方法
JP4053800B2 (ja) * 2002-03-25 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6875333B2 (en) * 2002-02-14 2005-04-05 Electroplating Engineers Of Japan Limited Plating apparatus for wafer
CN100334691C (zh) * 2002-05-17 2007-08-29 株式会社荏原制作所 衬底加工设备和衬底加工方法
US7875158B2 (en) * 2003-03-11 2011-01-25 Ebara Corporation Plating apparatus
JP2007154298A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置および無電解めっき方法
JP4940066B2 (ja) * 2006-10-23 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、洗浄方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US20080241387A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asm International N.V. Atomic layer deposition reactor
CN101772833B (zh) * 2008-02-20 2012-04-18 东京毅力科创株式会社 气体供给装置
JP4547016B2 (ja) * 2008-04-04 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法
KR101123705B1 (ko) * 2008-04-04 2012-03-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020026839A1 (ja) * 2018-07-31 2021-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置および基板液処理方法
JP7090710B2 (ja) 2018-07-31 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置および基板液処理方法

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