JP2013191834A - 光センサ装置 - Google Patents
光センサ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013191834A JP2013191834A JP2013011326A JP2013011326A JP2013191834A JP 2013191834 A JP2013191834 A JP 2013191834A JP 2013011326 A JP2013011326 A JP 2013011326A JP 2013011326 A JP2013011326 A JP 2013011326A JP 2013191834 A JP2013191834 A JP 2013191834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical sensor
- sensor device
- substrate
- columns
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
Abstract
【解決手段】 光センサ素子3は、フィルター機能を有するガラス基板1と、キャビティを有する基板2により構成されたパッケージ内に実装される。キャビティを有する基板2は、キャビティを有する面側と裏面側に金属層により設けられた配線パターン6、7を有し、貫通電極5により電気的に接続されており、光センサ素子3は、キャビティを有する基板2の有底部分中央に設けられた複数の柱状の支柱9の上面と接着剤10により固着された構造からなることを特徴とする光センサ装置とする。
【選択図】 図1
Description
また、前記キャビティを有する基板は、ガラス基板、またはセラミックス基板、または樹脂基板を用いることとした。
また、前記キャビティを有する基板は、金属のリードフレームが埋め込まれたものからなる構造とした。
また、前記キャビティを有する基板と、前記金属のリードフレームが埋め込まれたキャビティを有する基板は、有底部に複数の柱状の支柱が設けられた素子マウント部を有し、支柱の上に塗布された接着剤により素子を固着する構造とした。
また、前記フィルター機能を有するガラス基板とキャビティを有する基板とは、接着剤により固着される構造とした。
フィルター機能を有するガラス基板はガラス自体が特定の波長をカットする機能を有したガラスである。または透明ガラスに金属酸化膜の多層膜を成膜したガラスである。
図1は、本実施例の光センサ装置13の模式図であり、縦断面を示している。図2は光センサ装置13のキャビティの正面図である。キャビティを有する基板2には光センサ素子3が実装され、フィルター機能を有するガラス基板1と勘合され一体化された構造である。キャビティを有する基板2の有底側には金属層によって配線パターン6が形成されている。光センサ素子3は、キャビティを有する基板2の有底部中心に実装され、配線パターン6とワイヤー5によって電気的に接続される。キャビティを有する基板2の裏面側には配線パターン7が形成されており、配線パターン7は貫通電極8を通じて配線パターン6とは電気的に接続されており、外部端子として機能する。キャビティを有する基板2の有底部には複数の柱状の支柱9が設けられており、光センサ素子3は、柱状の支柱9の上面に塗布された接着剤10によって支柱上に固着しマウントされた中空構造となっている。
2 キャビティを有する基板
3 光センサ素子
4 接着剤
5 ワイヤー
6、7 金属層から形成された配線パターン
8 貫通電極
9 支柱
10 接着剤
11 導電性接着剤
12 リードフレーム
13 光センサ装置
Claims (14)
- フィルター機能を有するガラス基板と、
前記ガラス基板と中空構造をなすよう勘合接着されたキャビティを有する基板と、
前記キャビティを有する基板の、前記キャビティを有する主面側およびその反対面となる裏面側とに、金属層によりそれぞれ設けられた配線パターンと、
前記基板に設けられ、前記主面側の配線パターンと前記裏面側の配線パターンとを電気的に接続している貫通電極と、
前記主面側の有底部分中央に設けられた複数の柱状の支柱と、
前記複数の柱状の支柱の上面にマウントされ、接着剤により固着された光センサ素子と、
を有する光センサ装置。 - 前記複数の柱状の支柱は、マウントされる素子サイズ未満に収まる寸法範囲内に設けられ、その上面は平坦となっており、
前記光センサ素子の裏面と前記上面とが前記接着剤により固着されることにより、
前記光センサ素子の裏面の一部には前記支柱の高さ相当の空間が設けられることを特徴とする請求項1に記載の光センサ装置。 - 前記複数の柱状の支柱は、前記光センサ素子の厚み寸法以下の高さからなり、全ての支柱高さは同じ高さを有することを特徴とする請求項1または2に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱は、互いに一定の距離を空けて隣接して設けられており、円柱状あるいは角柱状あるいは錐台状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記キャビティを有する基板はガラスまたはセラミックスまたは樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱は、支柱の側面から上面にかけて金属層から形成されており、隣接する金属層から形成された支柱は電気的に接続され、前記主面側に設けられた配線パターンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱の上面と前記光センサ素子の裏面との接着は、前記上面にのみ前記接着剤を塗布し固着した箇所と、支柱と支柱の間へ前記接着剤を支柱高さ相当量に塗布し固着した箇所と、両塗布された前記箇所と前記光センサ素子との固着箇所とからなることを特徴とする請求項1または2に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱は、金属層のみにより設けられており、前記金属層のみにより設けられた隣接する支柱は電気的に接続された構造であることを特徴とする請求項1または2に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱は、金属またはセラミックまたは樹脂またはガラスにより作成された支柱が埋め込まれて、又は固着されて設けられており、前記支柱は前記有底部厚み内に一部が埋設している構造であるか、又は前記有底部の裏面まで貫通して一部が裏面から露出している構造であることを特徴とする請求項1または2に記載の光センサ装置。
- 前記フィルター機能を有するガラス基板はガラス自体が特定の波長をカットする機能を有したガラスまたは透明ガラスに金属酸化膜の多層膜を成膜したガラスであることを特徴とする請求項1または2に記載の光センサ装置。
- フィルター機能を有するガラス基板と、
前記ガラス基板と中空構造をなすよう勘合接着されたキャビティを有する基板と、
前記キャビティを有する主面側からはインナーリードを露出し、その反対面となる裏面側からはアウターリードを露出している、前記キャビティを有する基板に埋め込まれたリードフレームと、
前記主面側の有底部分中央に設けられた複数の柱状の支柱と、
前記複数の柱状の支柱の上面にマウントされ、接着剤により固着された光センサ素子と、
前記インナーリードと前記光センサ素子とを電気的に接続するワイヤーと、
を有する光センサ装置。 - 前記複数の柱状の支柱は、支柱の側面から上面にかけて金属層から形成されており、隣接する金属層から形成された支柱は電気的に接続され、前記主面側に露出した前記インナーリードと電気的に接続されていることを特徴とする請求項11に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱は、金属層のみにより設けられており、隣接する、前記金属層のみにより設けられた前記複数の柱状の支柱は電気的に接続された構造であることを特徴とする請求項11または12に記載の光センサ装置。
- 前記複数の柱状の支柱は、金属またはセラミックまたは樹脂またはガラスにより作成された支柱が埋め込まれて、又は固着されて設けられており、前記支柱は前記有底部厚み内に一部が埋設している構造であるか、又は前記有底部の裏面まで貫通して一部が裏面から露出している構造であることを特徴とする請求項11または12に記載の光センサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013011326A JP6110673B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-01-24 | 光センサ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012032727 | 2012-02-17 | ||
JP2012032727 | 2012-02-17 | ||
JP2013011326A JP6110673B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-01-24 | 光センサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013191834A true JP2013191834A (ja) | 2013-09-26 |
JP6110673B2 JP6110673B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=49391753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013011326A Expired - Fee Related JP6110673B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-01-24 | 光センサ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6110673B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015125564A1 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
JP2016181683A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 光センサ装置及び光センサ装置の製造方法 |
KR20170040191A (ko) | 2014-07-31 | 2017-04-12 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광센서 |
JP2017092320A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光センサ装置 |
WO2022004574A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | 京セラ株式会社 | 電子素子収納用パッケージ、電子装置及び電子モジュール |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03195065A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JPH11145489A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線センサーおよびその製造方法 |
JPH11330617A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Nec Corp | 光半導体素子の実装構造 |
JP2000164634A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2001244280A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002270647A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体チップ実装基板およびその製造方法 |
JP2002324819A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Ic実装用基板及びその製造方法 |
JP2004253638A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光部品とその製造方法 |
JP2005129721A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2007140179A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよびその製造方法 |
JP2007324466A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体パッケージ |
JP2007324244A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008091516A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気変換装置 |
JP2008103742A (ja) * | 2003-09-09 | 2008-05-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサic |
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2013011326A patent/JP6110673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03195065A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JPH11145489A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線センサーおよびその製造方法 |
JPH11330617A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Nec Corp | 光半導体素子の実装構造 |
JP2000164634A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
JP2001244280A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002270647A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体チップ実装基板およびその製造方法 |
JP2002324819A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Ic実装用基板及びその製造方法 |
JP2004253638A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光部品とその製造方法 |
JP2008103742A (ja) * | 2003-09-09 | 2008-05-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサic |
JP2005129721A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2007140179A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよびその製造方法 |
JP2007324244A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007324466A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体パッケージ |
JP2008091516A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気変換装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015125564A1 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
JP2015173254A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-10-01 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
CN106062969A (zh) * | 2014-02-18 | 2016-10-26 | 精工半导体有限公司 | 光传感器装置 |
US9773926B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-09-26 | Sii Semiconductor Corporation | Optical sensor device |
CN106062969B (zh) * | 2014-02-18 | 2017-12-08 | 精工半导体有限公司 | 光传感器装置 |
TWI642198B (zh) * | 2014-02-18 | 2018-11-21 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
KR20170040191A (ko) | 2014-07-31 | 2017-04-12 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광센서 |
US10260939B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-04-16 | Nitto Denko Corporation | Optical sensor having light entrance portion smaller than light-receiving element |
JP2016181683A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 光センサ装置及び光センサ装置の製造方法 |
JP2017092320A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光センサ装置 |
WO2022004574A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | 京セラ株式会社 | 電子素子収納用パッケージ、電子装置及び電子モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6110673B2 (ja) | 2017-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8946664B2 (en) | Optical sensor device having wiring pattern within cavity housing optical sensor element | |
JP5763682B2 (ja) | Mems及びasicを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法 | |
JP5985452B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6110673B2 (ja) | 光センサ装置 | |
TWI550835B (zh) | Light sensor device | |
US10720370B2 (en) | Sensor package structure | |
US20140080256A1 (en) | Method for manufacturing package structure with electronic component | |
JP4466552B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
TWI648848B (zh) | 光學元件封裝結構 | |
US9923020B2 (en) | Camera module and method of manufacturing the same | |
JP2011165774A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP5055798B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2014192442A (ja) | 気密封止体及び気密封止方法 | |
KR20150039402A (ko) | 외부접속단자부, 이를 이용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2011003818A (ja) | モールドパッケージ | |
JP2010273087A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008091671A (ja) | 光結合装置 | |
TW201541585A (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
JP5908627B2 (ja) | 光センサ装置 | |
JP5921090B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019201121A (ja) | プリモールド基板とその製造方法および中空型半導体装置とその製造方法 | |
KR101358215B1 (ko) | 발광 소자용 기판과, 발광 소자용 모듈 및 발광 소자용 기판의 제작 방법 | |
JP2007042702A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010177600A (ja) | 光学デバイス | |
JP5825854B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151106 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6110673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |