JP2013191658A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁膜上に露出する導電部を覆うシード層を選択的に除去するためのエッチングマスクの配置が所定箇所からたとえずれても、前記導電部に接続される配線路に従来のような大きな電気抵抗の増大を招くことなく、断線を招き難い配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に露出する導電部を覆うシード層を選択的に除去するためのエッチングマスクを形成する露光マスクとして、該露光マスクの開口領域が、該開口領域の中央部から配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備える露光マスクを用いる。
【選択図】図４

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に関し、特に、プローブカード内に電気的中継のために組み込まれるインタポーザとして用いるのに好適な多層配線基板及びその製造方法に関する。

多層配線基板では、層間絶縁層の両面に形成された両配線路は、必要に応じて、前記層間絶縁膜を貫通して形成される導電部を経て相互に接続される。このような多層配線基板の製造方法の一つに、例えば特許文献１に開示されていような方法がある。

この方法によれば、例えば図６（ａ）に示すように、ポリイミドのような絶縁体からなる下方基板５０上にシード層５２を介して堆積された導電材料によって、下方基板５０上に下方配線路５４が形成される。

次に、下方配線路５４を覆うように、下方基板５０の上面に絶縁性のボンディングシート５６が結合される（図６（ｂ）参照）。ボンディングシート５６の上面には、ポリイミドのような絶縁体が上方基板５８として固着されている。この上方基板５８及びボンディングシート５６を経て下方配線路５４上に開放するビア開口６０が開けられる（図６（ｃ）参照）。このビア開口６０内への導電材料の堆積により、下方配線路５４上に導電部６２が形成され、該導電部はボンディングシート５６及び上方基板５８で構成される層間絶縁膜内を経てその上方基板５８上に露出する（図６（ｄ）参照）。

その後、導電部６２及び上方基板５８の上面を覆うように、シード層６４が形成される（図６（ｅ）参照）。シード層６４は、上方配線路のための導電材料の上方基板５８上への堆積を促進する。このシード層６４には、エッチングマスク６８を用いた選択エッチング処理により、シード層６４の直下の導電部６２に開放する開口６６が形成される（図６（ｆ）参照）。

また、シード層６４上には、エッチングマスク６８の除去後に形成される新たなマスク７０を用いた導電材料の選択的な堆積により、開口６６を埋め込んでシード層６４上に伸びる上方配線路７２が形成される（図６（ｇ））。マスク７０の除去後、シード層６４の、上方配線路７２から露出する部分が除去される（図６（ｈ））。

これにより、図６（ｈ）に示したような層間絶縁膜（５６、５８）内を通る導電部６２を経て相互に接続された下方配線路５４及び上方配線路７２を有する多層配線基板７４が形成される。

この多層配線基板７４によれば、図６（ｆ）に示したように、上方配線路７２の形成に先立ってシード層６４に導電部６２に至る開口６６が形成されることから、導電部６２と上方配線路７２との間にシード層６４が介在することはない。したがって、導電部６２と上方配線路７２との結合が弱められることはなく、両者６２、７２を強固に結合することができる。

ところで、導電部６２と上方配線路７２との直接の結合を許す開口６６をシード層６４に形成するために、図６（ｆ）に沿って説明したように、エッチングマスク６８が利用される。

図７（ａ）及び（ｂ）は、図６（ｆ）に示した工程の平面図を示す。図７（ａ）及び（ｂ）に示す例では、導電部６２は矩形横断面形状を有し、シード層６４上に形成されるエッチングマスク６８には、配置誤差を考慮したマージンでもって導電部６２の横断面形状に相似な開口６８ａが形成されている。例えば、導電部６２の横断面における縦寸法（Ｙ）及び横寸法（Ｘ）がそれぞれ３０μｍ及び４０μｍであり、エッチングマスク６８の開口の縦寸法（ｙ）及び横寸法（ｘ）がそれぞれ２０μｍ及び３０μｍであるとき、エッチングマスク６８の配置に関して、配線路７２の伸長方向であるその長手方向及びこれと直角な幅方向にはそれぞれ１０μｍの許容誤差が与えられる。

したがって、この許容誤差内でマスク６８が形成されると、図７（ａ）に示すように、エッチングマスク６８の開口６８ａは導電部６２の横断面に対応した領域内に配置されることから、エッチングマスク６８を用いた選択エッチング処理により、シード層６４に形成される開口６６は、確実に導電部６２に対応する領域で開放する。これにより、引き続く上方配線路７２のための導電材料の堆積では、該導電材料が導電部６２の開口６６に露出する領域及び開口６６の周辺のシード層６４上に確実に堆積する。したがって、図７（ａ）に破線で示すように、導電材料が充実した一様な幅寸法の上方配線路７２が形成される。

しかしながら、図７（ｂ）に示すように、エッチングマスク６８の形成工程で、該エッチングマスクの開口６８ａの一方の辺６８ａ−１が導電部６２の対応する辺６２ａで示される縁を越えて上方配線路７２の伸長方向へずれるような配置誤差を生じることがある。このような配置誤差が生じると、前記したシード層６４のエッチング処理で、シード層６４はエッチングマスク６８の開口６８ａに対応した領域が除去されることから、導電部６２の対応する辺６２ａを越えてシード層６４が除去されることとなる。その結果、シード層６４下の上方基板５８が、導電部６２の対応する辺６２ａを越えた両辺６２ａ及び６８ａ−１で挟まれる領域Ａで、露出する。

上方基板５８が露出した領域Ａ上には、上方配線路７２のための導電材料が適正に堆積しないことから、引き続く上方配線路７２のための導電材料の堆積によって形成される上方配線路７２には、上方基板５８の前記露出領域Ａに対応した空所が形成される。この空所は、上方配線路７２を横断する方向に伸び、しかも開口６６の一辺６６ａのほぼ全長に伸びることから、上方配線路７２の電気抵抗値を大きく高め、また上方配線路７２に断線を生じ易くする。

特開２０１１−２５８６６３号公報

したがって、本発明の目的は、絶縁膜上に露出する導電部を覆うシード層を選択的に除去するためのエッチングマスクの配置がたとえ所定箇所からずれても、前記導電部に接続される配線路に従来のような大きな電気抵抗の増大を招くことなく、断線を招き難い配線基板及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁膜の厚さ方向に該絶縁膜の内部を伸長し該絶縁膜の面上に端面を一致させて導電部を形成すること、導電材料が前記絶縁膜の面上に堆積することを促進するシード層を前記導電部の前記端面及び前記絶縁膜の前記面上に形成すること、前記シード層上にエッチングマスクを形成し、前記シード層の前記エッチングマスクの開口部に対応する部分をエッチング処理で除去して前記導電部の前記端面に開放する開口を前記シード層に形成すること、及び前記エッチングマスクの除去後、前記シード層に形成された前記開口内に位置する前記導電部の前記端面から前記シード層に沿って該シード層上を一方向に伸長する配線路のための導電材料を前記導電部の前記端面及び前記シード層上に堆積することを含み、前記エッチングマスクの開口部が、該開口部の中央部から前記配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備えることを特徴とする。

本発明に係る前記方法では、前記シード層下の前記導電部の前記端面を露出させるための前記エッチングマスクの開口部は、その中央部から前記二つの辺に沿って前記配線路の伸長方向へ先細る輪郭を有する。

このことから、前記エッチングマスクの配置誤差によって前記エッチングマスクが適正位置から前記配線の伸長方向へずれ、そのために、たとえ前記開口部の一部が前記導電部の縁を越えてはみ出しても、前記シード層は、前記エッチング処理で図７（ｂ）で示した従来技術におけるような開口部の幅寸法のほぼ全域で除去されることはなく、これにより前記シード層下の前記絶縁膜が前記開口部の幅寸法のほぼ全域で露出することはない。

したがって、前記シード層は、前記エッチング処理で前記開口部の輪郭に沿って前記開口部のはみ出した領域に対応する僅かな部分が除去されるに過ぎず、前記導電材料の堆積によって形成される前記配線路にその幅寸法のほぼ全域に伸びるような従来のような大きな空所が形成されることはない。その結果、前記配線路の断線を確実に防止し、前記空所による配線路の抵抗値の増大を抑制することができる。

前記エッチングマスクの開口部は、前記二つの辺間で、前記配線路の伸長方向と直角な前記開口部の幅寸法を前記配線の伸長方向へ向けて漸減させることができる。

前記エッチングマスクは、前記シード層上に感光性のレジストを塗布した後、露光マスクを通して前記感光性レジストを露光及び現像処理することによって形成することができる。この場合、前記露光マスクとして、該露光マスクの開口領域は、該開口領域の中央部から前記配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備えた露光マスクを用いることができる。

前記導電部は対向する一対の辺が前記配線路の伸長方向に沿う矩形断面形状又は円形断面形状を有することができる。この場合、前記エッチングマスクの前記開口領域は多角形断面形状を有することができる。

前記多角形断面形状は、四辺形、六角形又は八角形のいずれか一つとすることができる。

前記絶縁膜は層間絶縁膜であり、この場合、前記配線基板は多層配線基板である。

本発明に係る配線基板は、絶縁膜の厚さ方向に該絶縁膜の内部を伸長し該絶縁膜の面上に端面を一致させて形成された導電部と、導電材料が前記絶縁膜の前記面上に堆積することを促進すべく該面上に形成され、前記導電部の前記端面に開放する開口を有するシード層と、前記シード層の前記開口内及び前記シード層上に堆積された導電材料によって形成され、該シード層の前記開口を貫通して前記導電部の前記端面に連続し、前記シード層上を一方向に伸長する配線路とを含み、前記シード層の前記開口は、該開口の中央部から前記配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備える。

そのため、前記シード層の前記開口は中央部から前記二つの辺に沿って前記配線路の伸長方向へ先細る輪郭を有し、この先細り部分が前記シード層下の前記導電部から前記配線路の伸長方向へはみ出すように前記シード層の前記開口が形成されても、このはみ出し部分に対応して形成される前記配線路の空所は、該配線路の幅寸法のほぼ全域にわたって伸びることはない。したがって、前記空所による前記配線路の断線や大きな抵抗増加を招くことが無い配線基板が提供される。

本発明に係る前記配線基板は多層基板とすることができる。この多層配線基板は、半導体ウエハに作り込まれた多数のＩＣ回路の電気特性を各ＩＣチップに分離するに先立って一括的あるいは複数個のＩＣ毎に試験するための従来よく知られたプローブカードのインタポーザとして用いることができる。すなわち、プローブカードは、配線基板と、該配線基板に形成された配線路に対応する配線路及び該配線路に接続された多数のプローブが設けられたプローブ基板とを備え、本発明に係る前記多層配線基板は、前記配線基板と前記プローブ基板との間に挿入され、対応する両配線路を電気的に接続するインタポーザとして用いることができる。

本発明では、前記したように、絶縁膜上に露出する導電部を覆うシード層を選択的に除去するためのエッチングマスクの配置が所定箇所からたとえ前記配線路の伸長方向へずれても、前記導電部に接続される配線路に従来のような大きな空所による大きな欠陥が導入されることはない。したがって、本発明によれば、この欠陥による電気抵抗の増大を招くことなく、断線を招き難い配線基板及びその製造方法を提供することができる。

本発明に係る多層配線基板の製造工程を示す各工程図（ａ）〜（ｉ）である。 本発明に係る多層配線基板の製造工程を示す図１の工程図（i）に引き続く各工程図（ｊ）〜（ｐ）である。 図２の工程図（ｋ）に示されたエッチングマスクを形成すべくフォトレジスト膜を選択的に露光するための露光マスクの一例を示す平面図である。 図３に示された露光マスクを用いて形成されるエッチングマスクの一部を示す平面図である。 本発明の他の実施態様を示す図４と同様な図面である。 従来の多層配線基板の製造工程を示す各工程図（ａ）〜（ｈ）である。 図６（ｆ）の従来の製造工程に示されたエッチングマスクの平面図であり、図７（ａ）は適正に配置されたエッチングマスクを示し、図７（ｂ）は適正位置から配線路の伸長方向へずれて配置されたエッチングマスクを示す。

図１（ａ）〜図１（ｉ）及び図２（ｊ）〜図２（ｐ）図は、本発明に係る多層配線基板の製造方法の各工程を示す。

本発明に係る前記方法は、例えばポリイミドのような電気絶縁体からなる第１の基板１０が準備され、基板１０の一方の面１０ａ上には、そのほぼ全域にわたって、シード層１２が形成される（図１（ａ）参照）。シード層１２は、従来よく知られているように、基板１０上に後述する配線路のための例えば銅のような導電材料の堆積の促進を目的として形成される。シード層１２には、例えばチタンのような金属材料が適宜選択され、この金属材料を例えば無電解メッキ法（スパッタ法）を用いて基板１０の面１０ａ上に堆積することにより、シード層１２を形成することができる。

シード層１２上に前記金属材料を選択的に堆積するためのマスクを形成すべく、感光性レジストが例えばスピンコート法を用いてシード層１２上に堆積され、レジスト層１４が形成される（図１（ｂ）参照）。レジスト層１４は、従来よく知られているように、図示しない配線パターンを有する露光マスクを通して選択露光を受けた後、現像及び乾燥処理を受ける。これにより、レジスト層１４には配線パターン１４ａが転写される（図１（ｃ）参照）。

レジスト層１４を堆積マスクとして、その配線パターン１４ａに沿って例えば銅のような導電材料（１６）が堆積される（（図１（ｄ）参照）。この導電材料（１６）の堆積に電解メッキ法を用いる場合、電解メッキの適用を可能とすべく、従来よく知られているように、レジスト層１４の形成に先立ってシード層１２上に導電材料（１６）の薄膜が無電解メッキ法（スパッタ法）で形成される。

配線パターン１４ａに沿って導電材料（１６）を堆積した後、レジスト層１４が除去され、基板１０上には、シード層１２を介して配線路１６が形成される（図１（ｅ）参照）。この配線路１６の形成後、該配線路をエッチングマスクとして、シード層１２の配線路１６から露出した部分がエッチング処理により除去される（図１（ｆ）参照）。

次に、配線路１６を覆うように、粘着剤層を有する絶縁シートからなるボンディングシート１８が基板１０の面１０ａに接着され、またボンディングシート１８の上面１８ａには例えばポリイミドからなる第２の基板２０が固着される（図１（ｇ）参照）。

従来よく知られたフォトリソグラフィ法びエッチング処理でもって、第２の基板２０及びボンディングシート１８を経て下方基板１０上の配線路１６に開放するビア開口２２が形成される（図１（ｈ）参照）。ビア開口２２内には、例えば電解メッキ法を用いて銅のような導電材料（２４）が堆積され、これによりビア開口２２を充填する導電部２４が形成される（図１（ｉ）参照）。導電部２４は、その下端で配線路１６と一体的に接続される。導電部２４は、配線路１６から、ボンディングシート１８及び上方基板２０で構成される層間絶縁膜をその厚さ方向へ伸長し、また上方基板となる第２の基板２０の上面２０ａに露出して該上面に一致する上端面２４ａを有する。

導電部２４の形成後、該導電部の上端面２４ａ及び上方基板２０の上面２０ａを覆うように、再び前記したと同様なシード層２６が形成される（図２（ｊ）参照）。必要に応じて、シード層２６上に前記したと同様な導電材料の薄膜を無電解メッキ法で形成することができる。

シード層２６上には、該シード層の直下の導電部２４に対応する領域で開口する開口部２８ａを有するエッチングマスク２８が形成される。その後、エッチングマスク２８を用いたエッチング処理により、シード層２６には、該シード層の直下の導電部２４の上端面２４ａに開放する開口２６ａが形成される（図２（ｋ）参照）。

このエッチングマスク２８は、従来よく知られているように、例えばスピンコート法により感光性レジストをシード層２６上に塗布し、前記レジストに露光マスク３０（図３参照）を用いた選択露光後、現像及び乾燥処理を施すことにより、形成することができる。この露光マスク３０及びエッチングマスク２８については、後で図３から図５に沿って詳細に説明する。

エッチングマスク２８をシード層２６上から除去した後、従来よく知られた感光性レジストが、シード層２６の開口２６ａから露出する導電部２４の上端面２４ａ及びシード層２６の上面を覆うように塗布され、これによりシード層２６上にレジスト層３２が形成される（（図２（ｌ）参照））。レジスト層３２は、図示しないが上方配線路のための配線パターンを有する露光マスクを用いて選択露光を受けた後、現像及び乾燥処理を受ける。これにより、レジスト層３２には、上方配線路のための配線パターン３２ａが転写される（（図２（ｍ）参照））。この配線パターン３２ａは、シード層２６の開口２６ａに重複する。

上方配線路のための配線パターン３２ａが転写されたレジスト層３２を堆積マスクとして、例えば電解メッキ法により、配線パターン３２ａに沿って配線路のための導電材料（３４）が堆積される。このとき、前記したように配線パターン３２ａがシード層２６の開口２６ａに重複することから、配線パターン３２ａに沿ったた前記導電材料の堆積によって、導電部２４の上端面２４ａに一体的に連なりシード層２６の面上を導電部２４から一方向に伸長する配線路３４が形成される（（図２（ｎ）参照））。

堆積マスクとして用いられたレジスト層３２がシード層２６上から除去されると（（図２（ｏ）参照）、シード層２６の配線路３４から露出する部分がエッチング処理により除去される（図２（ｐ）参照）。シード層２６上への導電材料の前記した電解メッキを可能とするための無電解メッキによる前記薄膜がシード層２６上に形成されている場合、該薄膜の配線路３４から露出する部分はシード層２６を除去する前記エッチング処理によって該シード層と共に除去される。

これにより、図２（ｐ）に示したような層間絶縁膜（１２、２０）内を通る導電部２４を経て相互に接続された下方配線路１６及び上方配線路３４を有する多層配線基板３６が形成される。

さらに、上方配線路３４が形成された上方基板２０上に、前記した図１（ｆ）から図２（ｐ）に示した工程を反復することにより、所望の階層に積層された３層以上の多層基板が形成される。

図２（ｋ）は、前記したように、導電部２４の上端面２４ａに開放する開口２６ａをシード層２６に形成する工程を示す。この図２（ｋ）及び該図に示されたエッチングマスク２８の平面図を示す図４を参照して、このエッチングマスク２８を詳細に説明する。

図４に示す例では、導電部２４は矩形横断面形状を有し、その横断面における縦寸法（Ｙ）及び横寸法（Ｘ）は例えばそれぞれ３０μｍ及び４０μｍである。他方、エッチングマスク２８に形成される開口部２８ａは、例えば配線路３４の幅方向に沿った縦寸法（ｙ１）及び配線路３４の伸長方向に沿った横寸法（ｘ１）がそれぞれ２０μｍ及び３０μｍで描かれる矩形３８を仮想すると、この仮想の矩形３８の各隅部を４本の直線辺３８ａ_１、３８ａ_２、３８ａ_３及び３８ａ_４で面取して形成される八角形の輪郭を描く。

すなわち、開口部２８ａは、配線路３４の伸長方向に沿った一対の互いに平行な辺３８ｂ_１、３８ｂ_２と、配線路３４の伸長方向と直角な配線路３４の幅方向に沿った一対の互いに平行な辺３８ｃ_１、３８ｃ_２と、前記した４本の辺３８ａ_１、３８ａ_２、３８ａ_３及び３８ａ_４とで構成される八角形の輪郭を有する。

エッチングマスク２８の開口部２８ａは、エッチングマスク２８下のシード層２６を部分的に露出させ、このシード層２６の、開口部２８ａから露出する部分は、引き続くエッチング処理で除去される。したがって、エッチング処理により、シード層２６下の導電部２４の上端面２４ａは、該面積領域下でシード層２６から露出する。

この上端面２４ａと、該上端面に連続して形成される配線路３４との確実な結合に必要とされる接合面積は、導電部２４及び配線路３４の材料によって異なるが、両者を銅で構成した場合の一例では、例えば５５０μｍ^２以上であり、望ましくは開口部２８ａの面積がその２０％増の６６０μｍ^２に成るように、辺３８ａ_１、３８ａ_２、３８ａ_３及び３８ａ_４が設定される。図示の例では、辺３８ａ_１、３８ａ_２、３８ａ_３及び３８ａ_４が隣接する辺３８ｂ_１、３８ｂ_２、３８ｃ_１、３８ｃ_２と４５度の角度をなす。この角度及び辺３８ａ_１、３８ａ_２、３８ａ_３及び３８ａ_４の長さは、適宜設定することができる。また、開口部２８ａの前記縦横寸法（ｙ１及びｘ１）は、導電部２４の縦寸法（Ｙ）及び横寸法（Ｘ）との間で十分なマージンを確保できる範囲内で、必要に応じて増減することができる。

図４に示す例では、開口部２８ａには、４つの面取り辺３８ａ_１、３８ａ_２、３８ａ_３及び３８ａ_４が形成されている。このため開口部２８ａには、その中央部から配線路３４の伸長方向の側に向けて幅寸法を漸減する先細り部が辺３８ａ_１と辺３８ａ_２との間に形成され、また該先細り部と反対側にあって配線路３４の伸長方向と逆の方向へ向けて幅寸法を漸減する先細り部が辺３８ａ_３と辺３８ａ_４との間に形成されている。さらに、開口部２８ａには、配線路３４の幅方向で見て両外方へ向けてそれぞれ先細る先細り部が辺３８ａ_４と辺３８ａ_１との間及び辺３８ａ_２と辺３８ａ_３との間にそれぞれ形成されている。

このような八角形の開口部２８ａを有するエッチングマスク２８は、例えば図３に示すような露光マスク３０を用いて、前記したように感光性レジストを選択的に露光、現像及び乾燥処理を施すことにより、形成することができる。

図３に示す例では、露光マスク３０は、図中左方へ伸びる一対の配線路３４ａ、３４ａのための開口部２８ａに対応した一対の開口領域３０ａ、３０ａと、図中右方に伸びる配線路３４ｂのために、一対の開口領域３０ａ、３０ａ間に形成された一つの開口領域３０ａとが設けられている。各開口領域３０ａは、開口部２８ａに相似の八角形状を有する。

露光マスク３０の開口領域３０ａは、エッチングマスク２８のためのフォトレジストがポジ型である場合、該フォトレジストの露光を受ける部分が現像処理によって除去されるように、透光領域で構成される。逆に、エッチングマスク２８のためのフォトレジストがネガ型である場合、該フォトレジストの非露光部分が現像処理によって除去されるように、開口領域３０ａは遮光領域で構成される。

エッチングマスク２８の形成のために、例えば図３に示したような露光マスク３０を用いて、シード層２６上の感光性レジストが前記したように選択露光を受ける。このとき、露光マスク３０の基板１０に対する配置が例えば図３の配線路３４ｂの伸長方向にずれ、そのために図４に示すように、前記した露光後の現像及び乾燥処理によって形成されたエッチングマスク２８の配置が、配線路３４の伸長方向にずれると、エッチングマスク２８の開口部２８ａの辺３８ａ１が導電部２４の対応する辺４０からはみ出すことがある。

この場合、引き続く前記したエッチング処理でシード層２６はエッチングマスク２８の開口部２８ａに対応する領域で除去されることから、開口部２８ａの導電部２４の辺４０からはみ出す領域では、シード層２６下に位置する上方基板２０が露出する。シード層２６の選択エッチング処理の後、図２（ｎ）に沿って説明したとおり、配線路３４のための導電材料が堆積されるが、この上方基板２０が露出した部分には、導電部２４の上端面２４ａ及びシード層２６上への堆積のようには前記導電材料が堆積することはない。そのため、前記したように、前記導電材料の堆積によって形成される配線路３４には、導電部２４の上方基板２０が露出した部分に空所の様な欠陥が生じる。

しかしながら、本発明に係る前記方法によれば、図４に示すように、エッチングマスク２８の開口部２８ａは、その辺３８ａ_１及び３８ａ_２間で配線路３４の伸長方向に先細る領域Ｂで示す先端部分が導電部２４からはみ出すに過ぎない。そのため、図７（ｂ）に示したはみ出す領域Ａがほぼ上方配線路７２の幅方向の全域に広がるのに比較して、はみ出し領域Ｂは僅かに配線路３４の中央部に存在するに過ぎない。

そのため、エッチングマスク２８のずれに起因して配線路３４に導入される前記空所による欠陥の縮小化を図り、それにより配線路３４の断線やその大きな抵抗増加を抑制することができる。

図４に示した一対の面取りの辺３８ａ_３及び３８ａ_４を不要とし、開口部２８ａの平面形状を六角形状にすることができる。この場合、図４で見て、開口部２８ａは右方にのみ前記した先細り部が形成される。このエッチングマスク２８は、図３に示す一方向へ伸びる配線路３４ｂの導電部２４に対しては前記したと同様な効果を発揮する。

しかしながら、図３に示すように、多層配線基板３６には、一般的には配線路３４ｂと逆方向へ伸びる配線路３４ａも形成されている。そのため、図４に示したように、各開口部２８ａの辺３８ａ_１と辺３８ａ_２との間及び３８ａ_３と辺３８ａ_４との間で形成される左右に一対の先細り部を有する多角形の輪郭を与えることにより、相互に逆方向に伸びる配線路３４ａ、３４ｂに対して対応することができる。したがって、相互に逆方向に伸びる配線路３４ａ、３４ｂに対しても、本願発明の所定の効果を発揮することができる。さらに、図４に示すように各開口部２８ａの辺３８ａ_４と辺３８ａ_１との間及び３８ａ_２と辺３８ａ_３との間で形成される上下に一対の先細り部を設けることにより、基板１０に平行な面上で多層配線基板３６を左右上下の四方向に伸びる配線路３４に対応可能となる。

本願発明に係るエッチングマスク２８は、図５に示すように、円形横断面形状を有する導電部２４との組合せにも適用することができる。この場合、導電部２４とのより広い接合面積を確保する上で、開口部２８ａは四つの辺３８ａ_５、３８ａ_６、３８ａ_７、３８ａ_８で構成される正四辺形の輪郭を有することが望ましい。一対の対向する頂点を結ぶ対角線は配線路３４の長手方向に沿わせて配置され、他の一対の対向する頂点を結ぶ対角線は配線路３４の幅方向に沿わせて配置される。

図５に示したエッチングマスク２８は、図４に示した例におけると同様に、基板１０に平行な面上で多層配線基板３６を左右上下の四方向に伸びる配線路３４に対応可能となる。

本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。例えば、エッチングマスクの開口部の輪郭には、前記した例に限らず正六角形や正八角形等を適宜選択することができる。

１０、２０ 基板
１２、２６ シード層
１４、３２ レジスト層
１６、３４（３４ａ、３４ｂ） 配線路
１８ ボンディングシート（層間絶縁膜）
２２ ビア開口
２４ 導電部
２８ エッチングマスク
３０ 露光マスク
３６ 多層配線基板

Claims (12)

1. 絶縁膜の厚さ方向に該絶縁膜の内部を伸長し該絶縁膜の面上に端面を一致させて形成された導電部と、
   導電材料が前記絶縁膜の前記面上に堆積することを促進すべく該面上に形成され、前記導電部の前記端面に開放する開口を有するシード層と、
   前記シード層の前記開口内及び前記シード層上に堆積された導電材料によって形成され、該シード層の前記開口を貫通して前記導電部の前記端面に連続し、前記シード層上を一方向に伸長する配線路とを含み、前記シード層の前記開口が、該開口の中央部から前記配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備える配線基板。
2. 前記シード層の開口は、前記二つの辺間で、前記配線路の伸長方向と直角な前記開口の幅寸法を前記配線の伸長方向へ向けて漸減する、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記導電部は対向する一対の辺が前記配線路の伸長方向に沿う矩形断面形状又は円形断面形状を有し、前記シード層の前記開口は多角形断面形状を有する、請求項１に記載の配線基板。
4. 前記多角形断面形状は、四辺形、六角形又は八角形のいずれか一つである、請求項３に記載の配線基板。
5. 前記絶縁膜は層間絶縁膜であり、前記配線基板は多層配線基板である請求項１に記載の配線基板。
6. 請求項５に記載の多層配線基板をインタポーザとして組み込んだプローブカード。
7. 絶縁膜の厚さ方向に該絶縁膜の内部を伸長し該絶縁膜の面上に端面を一致させて導電部を形成すること、
   導電材料が前記絶縁膜の面上に堆積することを促進するシード層を前記導電部の前記端面及び前記絶縁膜の前記面上に形成すること、
   前記シード層上にエッチングマスクを形成し、前記シード層の前記エッチングマスクの開口部に対応する部分をエッチング処理で除去して前記導電部の前記端面に開放する開口を前記シード層に形成すること、及び
   前記エッチングマスクの除去後、前記シード層に形成された前記開口内に位置する前記導電部の前記端面から前記シード層に沿って該シード層上を一方向に伸長する配線路のための導電材料を前記導電部の前記端面及び前記シード層上に堆積することを含み、
   前記エッチングマスクの開口部が、該開口部の中央部から前記配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
8. 前記エッチングマスクの開口部は、前記二つの辺間で、前記配線路の伸長方向と直角な前記開口部の幅寸法を前記配線の伸長方向へ向けて漸減する、請求項７に記載の製造方法。
9. 前記エッチングマスクは、前記シード層上に感光性のレジストを塗布した後、露光マスクを通して前記感光性レジストを露光及び現像処理することによって形成され、前記露光マスクとして、該露光マスクの開口領域が、該開口領域の中央部から前記配線路の伸長方向へ進むに伴い相近づく二つの直線に沿った二つの辺を有する輪郭を備えた露光マスクを用いる、請求項７に記載の製造方法。
10. 前記導電部は対向する一対の辺が前記配線路の伸長方向に沿う矩形断面形状又は円形断面形状を有し、前記エッチングマスクの前記開口部は多角形断面形状を有する、請求項７に記載の製造方法。
11. 前記多角形断面形状は、四辺形、六角形又は八角形のいずれか一つである、請求項１０に記載の製造方法。
12. 前記絶縁膜は層間絶縁膜であり、前記配線基板は多層配線基板である請求項７に記載の製造方法。

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