JP2013175736A - 平滑なウェハの製造方法 - Google Patents
平滑なウェハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013175736A JP2013175736A JP2013057996A JP2013057996A JP2013175736A JP 2013175736 A JP2013175736 A JP 2013175736A JP 2013057996 A JP2013057996 A JP 2013057996A JP 2013057996 A JP2013057996 A JP 2013057996A JP 2013175736 A JP2013175736 A JP 2013175736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- roughness
- rough
- polishing
- front surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract description 142
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 74
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
- H01L21/3247—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering for altering the shape, e.g. smoothing the surface
Abstract
【解決手段】ウェハのおもて面を粗研磨することであって、10μm×10μmのスキャンサイズで測定する場合、該研磨工程は、ウェハのおもて面の粗さを1.3Å以下に減少させないこと;および不活性ガス、水素またはそれらの混合物を含んで成る雰囲気において、少なくとも1050℃の温度で少なくとも5分間の時間、粗研磨したウェハを熱的にアニールする。
【選択図】なし
Description
本発明の1つの要旨は、おもて面および裏面を有する半導体ウェハの表面粗さを減少させる方法を対象とする。その方法は、ウェハのおもて面を研磨することを含むが、約1μm×約1μm〜約100μm×約100μmのスキャンサイズで測定する場合、研磨工程はウェハのおもて面の粗さを約1.5Å以下に減少させない。不活性ガス、水素またはそれらの混合物を含む雰囲気において、少なくとも約1050℃の温度で少なくとも約5分間の時間、その研磨したウェハを熱的にアニールする。
本発明の幾つかの態様では、半導体ウェハの表面を粗研磨および熱的にアニールして、仕上げ研磨せずにグレード1品質のウェハを製造する。幾つかの態様では、図1および図2を参照して、半導体ウェハの表面を研磨するが、“粗”と示す粗さより小さい粗さにはしない。次に、ウェハを熱的にアニールして、限定するわけではなく例えば、図1に “粗&アニール”と印す粗さまで、また、図2に“粗&1200C/Ar”および/または“粗&1200C/25%H2”と印す粗さまで、表面粗さを減少させる。
チョクラルスキー法で製造した単結晶インゴットからスライスした45枚のウェハを両面研磨し(Peter Wolters AC2000P2;ドイツ、レンツブルグ)、サブグループに分けた。両面研磨した22枚のウェハを、アルゴン中において1200℃で1時間アニールした(ASM Model A412;オランダ、ビルソーブン)。両面研磨した23枚のウェハを仕上げ研磨した(Lapmaster LGP−708XJ;イリノイ州マウントプロスペクト)。仕上げ研磨した23枚のウェハ全てを、アルゴン中において1200℃で1時間アニールした(ASM Model A412;オランダ、ビルソーブン)。
チョクラルスキー法で製造した単結晶インゴットからスライスしたウェハを両面研磨し(Peter Wolters AC2000 polisher;ドイツ、レンツブルグ)、サブグループに分けた。2枚のウェハは、アルゴンが75体積%および水素が25体積%の雰囲気において1200℃で1時間アニールし(ASM Model A412;オランダ、ビルソーブン)、2枚は100%アルゴンの雰囲気において1200℃で1時間アニールした(ASM Model A412;オランダ、ビルソーブン)。1枚のウェハは、熱的にアニールをしなかった。図2を参照すると、各ウェハの表面粗さ(RMS)を2ヶ所で、6つの異なるスキャンサイズで測定し、各サブグループ(粗研磨およびアルゴン雰囲気において熱的にアニールしたウェハ(“粗&1200C/Ar”)、粗研磨およびアルゴンが75%水素が25%の雰囲気において熱的にアニールしたウェハ(“粗&1200C/25%H2”)、粗研磨は行なったが、熱的なアニールは行なわなかったウェハ(“粗”))の平均値を求めた。図2は、粗研磨および仕上げ研磨は行なったが、熱的なアニールは行なわなかったウェハ(“仕上げ”)からの以前に得た表面粗さのデータも含んでいる。
チョクラルスキー法で製造した単結晶インゴットからスライスしたウェハを両面研磨した(Peter Wolters AC2000 polisher;ドイツ、レンツブルグ)。チョクラルスキー法で製造した単結晶インゴットからスライスした第2のウェハを両面研磨および仕上げ研磨した(Lapmaster;イリノイ州マウントプロスペクト)。仕上げ研磨中に、表面層から0.1μmより多くの材料を取り除いた。
数セットのウェハを粗研磨し(Peter Wolters AC2000P2;ドイツ、レンツブルグ)、数セットを粗研磨および仕上げ研磨した(LapmasterLGP−708XJ;イリノイ州マウントプロスペクト)。
Claims (14)
- おもて面および裏面を有する半導体ウェハの表面粗さを減少させる方法であって、該方法は:
ウェハのおもて面を粗研磨することであって、10μm×10μmのスキャンサイズで測定する場合、該研磨工程は、ウェハのおもて面の粗さを1.3Å以下に減少させないこと;および
不活性ガス、水素またはそれらの混合物を含んで成る雰囲気において、少なくとも1050℃の温度で少なくとも5分間の時間、粗研磨したウェハを熱的にアニールすること
を含む方法。 - 1μm×1μm〜100μm×100μmのスキャンサイズで測定する場合、粗研磨工程はウェハのおもて面の粗さを1.5Å以下に減少させない、請求項1に記載の方法。
- ウェハを1350℃以下の温度で熱的にアニールする、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 少なくとも1200℃の温度で少なくとも1時間の時間、ウェハを熱的にアニールして、ウェハのおもて面に、少なくとも10μmの厚さのボイドのない領域を形成する、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の方法。
- ウェハを少なくとも1050℃の温度で少なくとも10分間熱的にアニールする、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 1μm×1μm〜30μm×30μmのスキャンサイズで測定する場合、熱アニールは、ウェハのおもて面の粗さを1.9Å以下に減少させる、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の方法。
- 1μm×1μm〜30μm×30μmのスキャンサイズで測定する場合、熱アニールは、ウェハのおもて面の粗さを1.5Å以下に減少させる、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の方法。
- 1μm×1μm〜30μm×30μmのスキャンサイズで測定する場合、熱アニールは、ウェハのおもて面の粗さを0.6Å〜1.9Åの間に減少させる、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の方法。
- 1μm×1μm〜30μm×30μmのスキャンサイズで測定する場合、熱アニールは、ウェハのおもて面の粗さを0.6Å〜1.5Åの間に減少させる、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の方法。
- 1μm×1μm〜30μm×30μmのスキャンサイズで測定する場合、熱アニールは、ウェハのおもて面の粗さを0.7Å〜1.5Åの間に減少させる、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の方法。
- 1μm×1μm〜100μm×100μmのスキャンサイズで測定する場合、粗研磨工程は、ウェハのおもて面の粗さを1.9Å以下に減少させない、請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の方法。
- 粗研磨工程は、ウェハのおもて面の表面の厚さを1μm〜20μm除去する、請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載の方法。
- 粗研磨工程はウェハの裏面を研磨することを含み、1μm×1μm〜30μm×30μmのスキャンサイズで測定する場合、熱アニールはウェハの裏面の粗さを1.9Å以下に減少させる、請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ウェハは、粗研磨工程の後に仕上げ研磨されることがない請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US88239806P | 2006-12-28 | 2006-12-28 | |
US60/882,398 | 2006-12-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009544170A Division JP5231449B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-14 | 平滑なウェハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175736A true JP2013175736A (ja) | 2013-09-05 |
JP5694413B2 JP5694413B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=39400923
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009544170A Active JP5231449B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-14 | 平滑なウェハの製造方法 |
JP2013057996A Active JP5694413B2 (ja) | 2006-12-28 | 2013-03-21 | 平滑なウェハの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009544170A Active JP5231449B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-14 | 平滑なウェハの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8058173B2 (ja) |
EP (1) | EP2097923A1 (ja) |
JP (2) | JP5231449B2 (ja) |
TW (1) | TWI427688B (ja) |
WO (1) | WO2008082920A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021506718A (ja) * | 2017-12-21 | 2021-02-22 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co.,Ltd. | Llsリング/コアパターンを改善する単結晶シリコンインゴットの処理の方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY170436A (en) | 2008-06-30 | 2019-07-31 | Hoya Corp | Substrate for magnetic disk and magnetic disk |
US20110070746A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-24 | Te-Yin Kao | Method of increasing operation speed and saturated current of semiconductor device and method of reducing site flatness and roughness of surface of semiconductor wafer |
US9343379B2 (en) * | 2011-10-14 | 2016-05-17 | Sunedison Semiconductor Limited | Method to delineate crystal related defects |
US8857214B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-10-14 | Sunedison Semiconductor Limited | Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles |
US20130129973A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crucibles with a reduced amount of bubbles and ingots and wafers produced by use of such crucibles |
GB201620680D0 (en) * | 2016-12-05 | 2017-01-18 | Spts Technologies Ltd | Method of smoothing a surface |
CN106784189B (zh) * | 2016-12-26 | 2018-09-21 | 盐城工学院 | 单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法 |
JP7215683B2 (ja) * | 2019-09-09 | 2023-01-31 | 株式会社Sumco | 半導体デバイス |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264552A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエーハの製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3022045B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2000-03-15 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコンウエハの製造方法及びシリコンウエハ |
JP3522482B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2004-04-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | Soi基板の製造方法 |
JPH11307472A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP3478141B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2003-12-15 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ |
JP2000114333A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ表面微細欠陥評価方法 |
JP2000124092A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP2000195768A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Memc Kk | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR20010083771A (ko) * | 1998-12-28 | 2001-09-01 | 와다 다다시 | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 및 실리콘 웨이퍼 |
US6294469B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
DE19938340C1 (de) * | 1999-08-13 | 2001-02-15 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
FR2797713B1 (fr) * | 1999-08-20 | 2002-08-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de substrats pour la microelectronique et substrats obtenus par ce procede |
JP2001326228A (ja) | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶ウエハの製造方法 |
FR2827078B1 (fr) * | 2001-07-04 | 2005-02-04 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de diminution de rugosite de surface |
FR2827423B1 (fr) * | 2001-07-16 | 2005-05-20 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'amelioration d'etat de surface |
JP3994139B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2007-10-17 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコンウエハのグローン・イン欠陥密度の評価方法 |
JP2004247610A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
JP4557505B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2010-10-06 | コバレントマテリアル株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JP4752214B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2011-08-17 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャル層形成用AlN結晶の表面処理方法 |
JP4792802B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の表面処理方法 |
-
2007
- 2007-12-14 EP EP07869313A patent/EP2097923A1/en not_active Withdrawn
- 2007-12-14 JP JP2009544170A patent/JP5231449B2/ja active Active
- 2007-12-14 WO PCT/US2007/087633 patent/WO2008082920A1/en active Application Filing
- 2007-12-19 US US11/960,236 patent/US8058173B2/en active Active
- 2007-12-24 TW TW096149804A patent/TWI427688B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-03-21 JP JP2013057996A patent/JP5694413B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264552A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエーハの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021506718A (ja) * | 2017-12-21 | 2021-02-22 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co.,Ltd. | Llsリング/コアパターンを改善する単結晶シリコンインゴットの処理の方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200847251A (en) | 2008-12-01 |
JP5231449B2 (ja) | 2013-07-10 |
WO2008082920A1 (en) | 2008-07-10 |
JP5694413B2 (ja) | 2015-04-01 |
US20080160788A1 (en) | 2008-07-03 |
EP2097923A1 (en) | 2009-09-09 |
JP2010515261A (ja) | 2010-05-06 |
TWI427688B (zh) | 2014-02-21 |
US8058173B2 (en) | 2011-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5694413B2 (ja) | 平滑なウェハの製造方法 | |
JP5961357B2 (ja) | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
JP5575384B2 (ja) | 高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法 | |
TW501202B (en) | Semiconductor wafer manufacturing process | |
CN110079862B (zh) | 碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 | |
JP2007204286A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2011049496A (ja) | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
US20110204471A1 (en) | Semiconductor wafers with reduced roll-off and bonded and unbonded soi structures produced from same | |
JP5212472B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5795461B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
US8003494B2 (en) | Method for producing a bonded wafer | |
JP4414433B2 (ja) | SiC薄膜におけるエピ前表面処理方法 | |
JP5375768B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
TWI680512B (zh) | 矽晶圓之研磨方法、矽晶圓之製造方法及矽晶圓 | |
Deng et al. | Damage-free and atomically-flat finishing of single crystal SiC by combination of oxidation and soft abrasive polishing | |
JP4075426B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2010040950A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2005109149A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
US20070289947A1 (en) | Method for polishing lithium aluminum oxide crystal | |
JP2008034608A (ja) | シリコンウェーハの加工方法 | |
JP2009200442A (ja) | 単結晶シリコンウエーハの製造方法 | |
JP2011124417A (ja) | CdTe系半導体基板の製造方法及びCdTe系半導体基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5694413 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |