JP2013174713A - 光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 - Google Patents
光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013174713A JP2013174713A JP2012038881A JP2012038881A JP2013174713A JP 2013174713 A JP2013174713 A JP 2013174713A JP 2012038881 A JP2012038881 A JP 2012038881A JP 2012038881 A JP2012038881 A JP 2012038881A JP 2013174713 A JP2013174713 A JP 2013174713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- light transmission
- zone
- light
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 534
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 351
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 249
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 53
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 46
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 170
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 63
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZYECOAILUNWEAL-NUDFZHEQSA-N (4z)-4-[[2-methoxy-5-(phenylcarbamoyl)phenyl]hydrazinylidene]-n-(3-nitrophenyl)-3-oxonaphthalene-2-carboxamide Chemical compound COC1=CC=C(C(=O)NC=2C=CC=CC=2)C=C1N\N=C(C1=CC=CC=C1C=1)/C(=O)C=1C(=O)NC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 ZYECOAILUNWEAL-NUDFZHEQSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/407—Optical elements or arrangements indirectly associated with the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8053—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
【解決手段】 狭帯域光透過特性を有する光透過部を第1種区域群に形成する第1種工程の後に、光透過部を第2種区域群に形成する第2種工程と、広帯域光透過特性を有する光透過部を第1区域1に形成する第4種工程を行う。
【選択図】 図5
Description
特許文献1には、輝度成分を検出することを目的として白色光透過用の光透過部を設けることが開示されている。特許文献2には、ダイナミックレンジの拡大を目的として白色光透過用の光透過部を設けることが開示されている。特許文献3と特許文献4には、焦点検出を目的として白色光透過用の光透過部を設けることが開示されている。特許文献4では、白色光透過用の光透過部Wに隣り合う、赤色光透過用の光透過部Rや形状に起因した画質の低下が指摘されており、それを解決する技術を提案している。
光透過部材において、広帯域光透過特性を有する光透過部と、狭帯域光透過特性を有する光透過部とが互いに隣り合うと、両者の光透過部の位置や形状によっては、両者が相互に影響し合って、光透過部材の光学特性を低下させる場合がある。
図1、図2を用いて、光透過部材を有する撮像装置の一例を説明する。図1(a)には撮像装置1000としてCMOSイメージセンサを示している。撮像装置1000は撮像領域1100と補助領域1200と周辺領域1300を有することができる。撮像領域1100には光電変換部と画素回路を有する受光画素(有効画素)が行列状に配列されている。補助領域1200には光電変換部と画素回路を有する遮光画素(OB画素)や、画素回路を有し光電変換部を有しない無効画素(NULL画素)を設けることができる。周辺領域1300には画素回路からの信号に対してノイズ除去やAD変換等の信号処理を行う信号処理回路や、画素回路や信号処理回路を駆動する駆動回路、外部との通信を行う電極パッドを設けることができる。本発明はとりわけ撮像領域1100に関する。
光透過部材の形成方法は、大別して、前工程、主工程、後工程を有することができる。前工程は、主工程に備えて基体を用意する工程である。主工程は、複数の区域の各々に光透過部を形成する工程である。後工程は、複数の集光部を形成する工程である。後工程は省略することもできる。
条件(ii) 第4種工程を第1種工程の後に行う。
撮像装置の製造方法は、半導体基板に複数の光電変換部、画素回路、制御回路、信号処理回路を構成するダイオードやトランジスタなどの半導体素子形成する素子工程を有する。素子工程では、イオン注入等の公知の方法を用いることが出来る。このようにして、複数の光電変換部を有する半導体基板500を形成する。また、ダイオードやトランジスタなどを配線で必要に応じてこれらの半導体素子を配線する配線工程を有する。配線工程では、公知の方法で複数の金属層610〜630および複数の層間絶縁層を含む絶縁膜600を形成する。そして、光透過性部材を形成する工程を有する。光透過性部材を上述した光透過性部材の形成方法を用いて形成する。典型的には、光透過性部材を形成する工程は素子工程および配線工程の後に行われるが、必要に応じて、配線工程の一部を光透過性部材の形成後に行ってもよい。
図5(a)〜(f)および図6(a)〜(f)には方法イを採用した場合の一例である第1実施形態を示している。なお、図5(a)〜(f)において、光透過部を形成済の区域を示す符号は□で囲んでいる。図6(a)〜(f)は光透過部材の形成工程における断面図を示している。図6(a)〜(f)において、下段は、図4においてX方向の−X側から+X側にこの順で並んだ、第6区域6と第2区域2と第1区域1と第3区域3と第7区域7を含む領域の断面図である。図6(a)〜(f)において、上段は、図4においてX方向の−X側から+X側にこの順で並んだ、第10区域10と第5区域5と第13区域13を含む領域の断面図である。
図7(a)〜(f)および図8(a)〜(f)には方法リを採用した場合の参考形態を示している。図7(a)〜(f)および図8(b)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)および図6(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
図9(a)〜(f)には方法イ、ロに包含される一例としての第2実施形態を示している。図9(a)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
図10(a)〜(f)には方法チ、ヌに包含される一例としての第3実施形態を示している。図10(a)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
図11(a)〜(f)には方法イ、ロ、ハ、ニ、ホ、ヘに包含される一例としての第4実施形態を示している。図11(a)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
2 第2区域
3 第3区域
4 第4区域
5 第5区域
6 第6区域
7 第7区域
8 第8区域
9 第9区域
100 第1光透過膜
200 第2光透過膜
300 第3光透過膜
400 第4光透過膜
800 光透過部材
1000 撮像装置
500 半導体基板
Claims (13)
- 所定面内の第1区域と第2区域と第3区域と第4区域と第5区域と第6区域と第7区域と第8区域と第9区域を含む複数の区域の各々に光透過部が配され、
前記所定面内の第1方向において、前記第1区域が前記第2区域と前記第3区域の間にあり、前記第2区域および前記第3区域が前記第6区域と前記第7区域の間にあり、前記第2区域が前記第1区域と前記第6区域に隣り合い、前記第3区域が前記第1区域と前記第7区域に隣り合い、
前記所定面内の前記第1方向に交差する第2方向において、前記第1区域が前記第4区域と前記第5区域の間にあり、前記第4区域および前記第5区域が前記第8区域と前記第9区域の間にあり、前記第4区域が前記第1区域と前記第8区域に隣り合い、前記第5区域が前記第1区域と前記第9区域に隣り合い、
前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に配された光透過部が所定値以上の透過率を示す波長帯域の少なくとも一部において、前記第1区域に配された光透過部が前記所定値以上の透過率を示し、かつ、前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に配された前記光透過部が前記所定値未満の透過率を有する波長帯域の少なくとも一部において、前記第1区域に配された光透過部が前記所定値以上の透過率を示す、光透過部材の形成方法であって、
前記複数の区域の各々に対応する光透過膜を成膜し、成膜された前記光透過膜を前記複数の区域のいずれかに残留させて光透過部を形成する工程を、互いに異なる光透過特性を有する光透過膜を成膜するごとに行う、一連の工程を有し、
前記一連の工程において、前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域に光透過部を形成した後に、前記第1区域と前記第6区域と前記第7区域と前記第8区域と前記第9区域に光透過部を形成することを特徴とする光透過部材の形成方法。 - 前記一連の工程において、前記第1区域に光透過部を形成する工程を最後に行う請求項1に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記複数の区域は、第10区域と第11区域と第12区域と第13区域を含み、前記第1区域が第10区域と第11区域の間にあり、前記第2区域および前記第4区域が前記第10区域に隣り合い、前記第3区域および前記第5区域が前記第11区域に隣り合い、前記第1区域が第12区域と前記第13区域の間にあり、前記第3区域および前記第4区域が前記第12区域に隣り合い、前記第2区域および前記第5区域が前記第13区域に隣り合い、
前記一連の工程において、前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域に光透過部を形成した後に、前記第10区域と前記第11区域と前記第12区域と前記第13区域に光透過部を形成する請求項1または2に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記複数の区域は、第10区域と第11区域と第12区域と第13区域を含み、前記第1区域が第10区域と第11区域の間にあり、前記第2区域および前記第4区域が前記第10区域に隣り合い、前記第3区域および前記第5区域が前記第11区域に隣り合い、前記第1区域が第12区域と前記第13区域の間にあり、前記第3区域および前記第4区域が前記第12区域に隣り合い、前記第2区域および前記第5区域が前記第13区域に隣り合い、
前記一連の工程において、前記第10区域と前記第11区域と前記第12区域と前記第13区域に光透過部を形成した後に、前記第1区域に光透過部を形成する請求項1または2に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記複数の区域は、第10区域と第11区域と第12区域と第13区域を含み、前記第1区域が第10区域と第11区域の間にあり、前記第2区域および前記第4区域が前記第10区域に隣り合い、前記第3区域および前記第5区域が前記第11区域に隣り合い、前記第1区域が第12区域と前記第13区域の間にあり、前記第3区域および前記第4区域が前記第12区域に隣り合い、前記第2区域および前記第5区域が前記第13区域に隣り合い、
前記一連の工程において、前記第1区域に光透過部を形成すると同時に、前記第10区域と前記第11区域と前記第12区域と前記第13区域の少なくともいずれかに光透過部を形成する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記一連の工程において、前記第1区域に光透過部を形成すると同時に、前記第6区域と前記第7区域と前記第8区域と前記第9区域の少なくともいずれかに光透過部を形成する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記所定値は50%である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に形成された光透過部が所定値以上の透過率を示す波長帯域において、前記第1区域に配された光透過部が前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に配された前記光透過部の透過率の最大値よりも高い透過率を示す請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記一連の工程は、
緑色光の透過率が50%以上であり赤色光と青色光の透過率が50%未満である第1光透過膜を回転塗布法を用いて成膜する成膜段階、および、前記第1光透過膜の一部を少なくとも前記第1区域から除去するパターニング段階を含む工程と、
青色光の透過率が50%以上であり緑色光と赤色光の透過率が50%未満である第2光透過膜を回転塗布法を用いて成膜する成膜段階、および、前記第2光透過膜の一部を少なくとも前記第1区域から除去するパターニング段階を含む工程と、
赤色光の透過率が50%以上であり緑色光と青色光の透過率が50%未満である第3光透過膜を回転塗布法を用いて成膜する段階、および、前記第3光透過膜の一部を少なくとも前記第1区域から除去するパターニング段階を含む工程と、
緑色光と赤色光と青色光の透過率が50%以上である第4光透過膜をその一部が前記第1区域に位置するように回転塗布法を用いて成膜する成膜段階を含む工程と、
を有する請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記一連の工程の後、前記一連の工程の内の前記第1区域に光透過部を形成する工程で成膜された光透過膜を挟んで、前記複数の区域の上に複数の集光部を形成する工程を有する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記一連の工程の後、前記複数の区域の境界に溝を設ける工程を有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記一連の工程の後、前記複数の区域の上に複数の集光部を形成する工程を有し、前記第1区域の上に形成する集光部の焦点は、前記複数の区域の内の前記第1区域以外の区域の上に形成する集光部の焦点よりも前記所定面に近い請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 互いに光透過特性の異なる複数の光透過部を有する光透過部材と、
各々が、対応する前記光透過部を透過した光を光電変換する複数の光電変換部を有する半導体基板と、を備えた撮像装置の製造方法において、
前記光透過部材を請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法を用いて形成することを特徴とする撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012038881A JP5950618B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 |
US13/773,281 US8748213B2 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-21 | Light transmission member, image pickup device, and method of manufacturing same |
CN201310056470.5A CN103296041B (zh) | 2012-02-24 | 2013-02-22 | 光透射构件、图像拾取装置和及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012038881A JP5950618B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013174713A true JP2013174713A (ja) | 2013-09-05 |
JP2013174713A5 JP2013174713A5 (ja) | 2015-04-09 |
JP5950618B2 JP5950618B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=49003298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012038881A Active JP5950618B2 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748213B2 (ja) |
JP (1) | JP5950618B2 (ja) |
CN (1) | CN103296041B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015151790A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および撮像方法 |
JP2017022207A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | キヤノン株式会社 | 積層型固体撮像素子 |
JP2018098345A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
JPWO2021085367A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118281017A (zh) * | 2015-12-25 | 2024-07-02 | 株式会社尼康 | 拍摄装置 |
CN107040724B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-05-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 双核对焦图像传感器及其对焦控制方法和成像装置 |
JP6927098B2 (ja) * | 2018-03-13 | 2021-08-25 | 日本電信電話株式会社 | レンズ集積受光素子及びその検査方法 |
KR20210052724A (ko) * | 2019-10-30 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
WO2022004652A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタおよび表示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295125A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ |
JP2007034250A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-02-08 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | カラーフィルタの製造方法 |
JP2007281296A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置、および電子カメラ |
US20090021629A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Yamada Tomoki | Solid state imaging device |
JP2009049117A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット |
WO2012120705A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子 |
WO2013100038A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100649023B1 (ko) * | 2004-11-09 | 2006-11-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
JP4867160B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2012-02-01 | ソニー株式会社 | 光電変換素子及び光電変換装置 |
JP4835065B2 (ja) | 2005-08-05 | 2011-12-14 | 凸版印刷株式会社 | 撮像素子の製造方法 |
WO2007043521A1 (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | エンコーダ及びエンコーダ用受光装置 |
JP2008042122A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報読み取りセンサ |
JP4747154B2 (ja) | 2007-11-22 | 2011-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像素子、及び撮像装置 |
JP5241355B2 (ja) | 2008-07-10 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置とその制御方法 |
JP5109982B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2012-12-26 | 日立電線株式会社 | ミラー付き光伝送体の製造方法 |
TWI422020B (zh) | 2008-12-08 | 2014-01-01 | Sony Corp | 固態成像裝置 |
JP4626706B2 (ja) | 2008-12-08 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP4873001B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2012-02-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置 |
JP5532599B2 (ja) | 2008-12-17 | 2014-06-25 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子の製造方法及び撮像装置 |
US8324602B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-12-04 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
US8232541B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-07-31 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
JP2010288150A (ja) | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP5585208B2 (ja) | 2010-05-20 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
US9022584B2 (en) * | 2010-11-24 | 2015-05-05 | Raytheon Company | Protecting an optical surface |
US9036059B2 (en) * | 2011-11-01 | 2015-05-19 | Sony Corporation | Imaging apparatus for efficiently generating multiple forms of image data output by an imaging sensor |
-
2012
- 2012-02-24 JP JP2012038881A patent/JP5950618B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-21 US US13/773,281 patent/US8748213B2/en active Active
- 2013-02-22 CN CN201310056470.5A patent/CN103296041B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295125A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ |
JP2007034250A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-02-08 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | カラーフィルタの製造方法 |
JP2007281296A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置、および電子カメラ |
US20090021629A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Yamada Tomoki | Solid state imaging device |
JP2009026808A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
JP2009049117A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子のカラーフィルタ形成方法及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子用パターンマスクセット |
WO2012120705A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子 |
WO2013100038A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015151790A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、電子機器、および撮像方法 |
US10181485B2 (en) | 2014-03-31 | 2019-01-15 | Sony Corporation | Solid-state image sensor, electronic apparatus, and imaging method |
JP2017022207A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | キヤノン株式会社 | 積層型固体撮像素子 |
JP2018098345A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
WO2018110573A1 (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び電子機器 |
US11181672B2 (en) | 2016-12-13 | 2021-11-23 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
JPWO2021085367A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | ||
WO2021085367A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 富士フイルム株式会社 | 光学素子、光学装置、及び撮像装置 |
CN114616495A (zh) * | 2019-10-30 | 2022-06-10 | 富士胶片株式会社 | 光学元件、光学装置及摄像装置 |
JP7290742B2 (ja) | 2019-10-30 | 2023-06-13 | 富士フイルム株式会社 | 光学素子、光学装置、及び撮像装置 |
US11796722B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-10-24 | Fujifilm Corporation | Optical element, optical device, and imaging apparatus for acquiring multispectral images |
CN114616495B (zh) * | 2019-10-30 | 2023-11-14 | 富士胶片株式会社 | 光学元件、光学装置及摄像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103296041B (zh) | 2015-10-21 |
US8748213B2 (en) | 2014-06-10 |
JP5950618B2 (ja) | 2016-07-13 |
CN103296041A (zh) | 2013-09-11 |
US20130224897A1 (en) | 2013-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5950618B2 (ja) | 光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 | |
US12087787B2 (en) | Solid-state image-capturing device and production method thereof, and electronic appliance | |
JP7171652B2 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
KR102471261B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법, 전자 기기 | |
US7666705B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
TWI549273B (zh) | 用於具彩色濾光片之分割影像感測器之鏡片陣列 | |
CN102881699A (zh) | 固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置 | |
JP2012238774A (ja) | 撮像装置 | |
JP2011096732A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 | |
JP6330812B2 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
US12072624B2 (en) | Method for forming color filter array and method for manufacturing electronic device | |
JP2014022649A (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、及び電子機器 | |
JP2007273586A (ja) | 固体撮像素子 | |
KR101473720B1 (ko) | 컬러 필터 어레이 및 컬러 필터 제조 방법, 및 상기 컬러필터 어레이를 포함하는 이미지 촬상 장치 | |
JP2013118295A (ja) | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子情報機器 | |
JP5825398B2 (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器 | |
JP2023037557A (ja) | 固体撮像素子 | |
US20240085678A1 (en) | Flat optics camera module for high quality imaging | |
JP2013030652A (ja) | 撮像素子およびその製造方法 | |
JP2011165923A (ja) | カラー固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP6126190B2 (ja) | 撮像素子 | |
WO2023135988A1 (ja) | 撮像装置 | |
KR100835114B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP2016072899A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150224 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160607 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5950618 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |