JP2013174713A - 光透過部材の形成方法および撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 狭帯域光透過特性を有する光透過部を第1種区域群に形成する第1種工程の後に、光透過部を第2種区域群に形成する第2種工程と、広帯域光透過特性を有する光透過部を第1区域1に形成する第4種工程を行う。
【選択図】 図5
Description
特許文献1には、輝度成分を検出することを目的として白色光透過用の光透過部を設けることが開示されている。特許文献2には、ダイナミックレンジの拡大を目的として白色光透過用の光透過部を設けることが開示されている。特許文献3と特許文献4には、焦点検出を目的として白色光透過用の光透過部を設けることが開示されている。特許文献4では、白色光透過用の光透過部Wに隣り合う、赤色光透過用の光透過部Rや形状に起因した画質の低下が指摘されており、それを解決する技術を提案している。
光透過部材において、広帯域光透過特性を有する光透過部と、狭帯域光透過特性を有する光透過部とが互いに隣り合うと、両者の光透過部の位置や形状によっては、両者が相互に影響し合って、光透過部材の光学特性を低下させる場合がある。
図1、図2を用いて、光透過部材を有する撮像装置の一例を説明する。図1(a)には撮像装置1000としてCMOSイメージセンサを示している。撮像装置1000は撮像領域1100と補助領域1200と周辺領域1300を有することができる。撮像領域1100には光電変換部と画素回路を有する受光画素(有効画素)が行列状に配列されている。補助領域1200には光電変換部と画素回路を有する遮光画素(OB画素)や、画素回路を有し光電変換部を有しない無効画素(NULL画素)を設けることができる。周辺領域1300には画素回路からの信号に対してノイズ除去やAD変換等の信号処理を行う信号処理回路や、画素回路や信号処理回路を駆動する駆動回路、外部との通信を行う電極パッドを設けることができる。本発明はとりわけ撮像領域1100に関する。
光透過部材の形成方法は、大別して、前工程、主工程、後工程を有することができる。前工程は、主工程に備えて基体を用意する工程である。主工程は、複数の区域の各々に光透過部を形成する工程である。後工程は、複数の集光部を形成する工程である。後工程は省略することもできる。
条件(ii) 第4種工程を第1種工程の後に行う。
撮像装置の製造方法は、半導体基板に複数の光電変換部、画素回路、制御回路、信号処理回路を構成するダイオードやトランジスタなどの半導体素子形成する素子工程を有する。素子工程では、イオン注入等の公知の方法を用いることが出来る。このようにして、複数の光電変換部を有する半導体基板500を形成する。また、ダイオードやトランジスタなどを配線で必要に応じてこれらの半導体素子を配線する配線工程を有する。配線工程では、公知の方法で複数の金属層610〜630および複数の層間絶縁層を含む絶縁膜600を形成する。そして、光透過性部材を形成する工程を有する。光透過性部材を上述した光透過性部材の形成方法を用いて形成する。典型的には、光透過性部材を形成する工程は素子工程および配線工程の後に行われるが、必要に応じて、配線工程の一部を光透過性部材の形成後に行ってもよい。
図5(a)〜(f)および図6(a)〜(f)には方法イを採用した場合の一例である第1実施形態を示している。なお、図5(a)〜(f)において、光透過部を形成済の区域を示す符号は□で囲んでいる。図6(a)〜(f)は光透過部材の形成工程における断面図を示している。図6(a)〜(f)において、下段は、図4においてX方向の−X側から+X側にこの順で並んだ、第6区域6と第2区域2と第1区域1と第3区域3と第7区域7を含む領域の断面図である。図6(a)〜(f)において、上段は、図4においてX方向の−X側から+X側にこの順で並んだ、第10区域10と第5区域5と第13区域13を含む領域の断面図である。
図7(a)〜(f)および図8(a)〜(f)には方法リを採用した場合の参考形態を示している。図7(a)〜(f)および図8(b)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)および図6(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
図9(a)〜(f)には方法イ、ロに包含される一例としての第2実施形態を示している。図9(a)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
図10(a)〜(f)には方法チ、ヌに包含される一例としての第3実施形態を示している。図10(a)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
図11(a)〜(f)には方法イ、ロ、ハ、ニ、ホ、ヘに包含される一例としての第4実施形態を示している。図11(a)〜(f)の表現方法は図5(a)〜(f)と同じであるので、説明を省略する。
2 第2区域
3 第3区域
4 第4区域
5 第5区域
6 第6区域
7 第7区域
8 第8区域
9 第9区域
100 第1光透過膜
200 第2光透過膜
300 第3光透過膜
400 第4光透過膜
800 光透過部材
1000 撮像装置
500 半導体基板
Claims (13)
- 所定面内の第1区域と第2区域と第3区域と第4区域と第5区域と第6区域と第7区域と第8区域と第9区域を含む複数の区域の各々に光透過部が配され、
前記所定面内の第1方向において、前記第1区域が前記第2区域と前記第3区域の間にあり、前記第2区域および前記第3区域が前記第6区域と前記第7区域の間にあり、前記第2区域が前記第1区域と前記第6区域に隣り合い、前記第3区域が前記第1区域と前記第7区域に隣り合い、
前記所定面内の前記第1方向に交差する第2方向において、前記第1区域が前記第4区域と前記第5区域の間にあり、前記第4区域および前記第5区域が前記第8区域と前記第9区域の間にあり、前記第4区域が前記第1区域と前記第8区域に隣り合い、前記第5区域が前記第1区域と前記第9区域に隣り合い、
前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に配された光透過部が所定値以上の透過率を示す波長帯域の少なくとも一部において、前記第1区域に配された光透過部が前記所定値以上の透過率を示し、かつ、前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に配された前記光透過部が前記所定値未満の透過率を有する波長帯域の少なくとも一部において、前記第1区域に配された光透過部が前記所定値以上の透過率を示す、光透過部材の形成方法であって、
前記複数の区域の各々に対応する光透過膜を成膜し、成膜された前記光透過膜を前記複数の区域のいずれかに残留させて光透過部を形成する工程を、互いに異なる光透過特性を有する光透過膜を成膜するごとに行う、一連の工程を有し、
前記一連の工程において、前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域に光透過部を形成した後に、前記第1区域と前記第6区域と前記第7区域と前記第8区域と前記第9区域に光透過部を形成することを特徴とする光透過部材の形成方法。 - 前記一連の工程において、前記第1区域に光透過部を形成する工程を最後に行う請求項1に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記複数の区域は、第10区域と第11区域と第12区域と第13区域を含み、前記第1区域が第10区域と第11区域の間にあり、前記第2区域および前記第4区域が前記第10区域に隣り合い、前記第3区域および前記第5区域が前記第11区域に隣り合い、前記第1区域が第12区域と前記第13区域の間にあり、前記第3区域および前記第4区域が前記第12区域に隣り合い、前記第2区域および前記第5区域が前記第13区域に隣り合い、
前記一連の工程において、前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域に光透過部を形成した後に、前記第10区域と前記第11区域と前記第12区域と前記第13区域に光透過部を形成する請求項1または2に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記複数の区域は、第10区域と第11区域と第12区域と第13区域を含み、前記第1区域が第10区域と第11区域の間にあり、前記第2区域および前記第4区域が前記第10区域に隣り合い、前記第3区域および前記第5区域が前記第11区域に隣り合い、前記第1区域が第12区域と前記第13区域の間にあり、前記第3区域および前記第4区域が前記第12区域に隣り合い、前記第2区域および前記第5区域が前記第13区域に隣り合い、
前記一連の工程において、前記第10区域と前記第11区域と前記第12区域と前記第13区域に光透過部を形成した後に、前記第1区域に光透過部を形成する請求項1または2に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記複数の区域は、第10区域と第11区域と第12区域と第13区域を含み、前記第1区域が第10区域と第11区域の間にあり、前記第2区域および前記第4区域が前記第10区域に隣り合い、前記第3区域および前記第5区域が前記第11区域に隣り合い、前記第1区域が第12区域と前記第13区域の間にあり、前記第3区域および前記第4区域が前記第12区域に隣り合い、前記第2区域および前記第5区域が前記第13区域に隣り合い、
前記一連の工程において、前記第1区域に光透過部を形成すると同時に、前記第10区域と前記第11区域と前記第12区域と前記第13区域の少なくともいずれかに光透過部を形成する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記一連の工程において、前記第1区域に光透過部を形成すると同時に、前記第6区域と前記第7区域と前記第8区域と前記第9区域の少なくともいずれかに光透過部を形成する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記所定値は50%である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に形成された光透過部が所定値以上の透過率を示す波長帯域において、前記第1区域に配された光透過部が前記第2区域と前記第3区域と前記第4区域と前記第5区域の各々に配された前記光透過部の透過率の最大値よりも高い透過率を示す請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記一連の工程は、
緑色光の透過率が50%以上であり赤色光と青色光の透過率が50%未満である第1光透過膜を回転塗布法を用いて成膜する成膜段階、および、前記第1光透過膜の一部を少なくとも前記第1区域から除去するパターニング段階を含む工程と、
青色光の透過率が50%以上であり緑色光と赤色光の透過率が50%未満である第2光透過膜を回転塗布法を用いて成膜する成膜段階、および、前記第2光透過膜の一部を少なくとも前記第1区域から除去するパターニング段階を含む工程と、
赤色光の透過率が50%以上であり緑色光と青色光の透過率が50%未満である第3光透過膜を回転塗布法を用いて成膜する段階、および、前記第3光透過膜の一部を少なくとも前記第1区域から除去するパターニング段階を含む工程と、
緑色光と赤色光と青色光の透過率が50%以上である第4光透過膜をその一部が前記第1区域に位置するように回転塗布法を用いて成膜する成膜段階を含む工程と、
を有する請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。 - 前記一連の工程の後、前記一連の工程の内の前記第1区域に光透過部を形成する工程で成膜された光透過膜を挟んで、前記複数の区域の上に複数の集光部を形成する工程を有する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記一連の工程の後、前記複数の区域の境界に溝を設ける工程を有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 前記一連の工程の後、前記複数の区域の上に複数の集光部を形成する工程を有し、前記第1区域の上に形成する集光部の焦点は、前記複数の区域の内の前記第1区域以外の区域の上に形成する集光部の焦点よりも前記所定面に近い請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法。
- 互いに光透過特性の異なる複数の光透過部を有する光透過部材と、
各々が、対応する前記光透過部を透過した光を光電変換する複数の光電変換部を有する半導体基板と、を備えた撮像装置の製造方法において、
前記光透過部材を請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光透過部材の形成方法を用いて形成することを特徴とする撮像装置の製造方法。
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