JP6330812B2 - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents
固体撮像装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6330812B2 JP6330812B2 JP2015530838A JP2015530838A JP6330812B2 JP 6330812 B2 JP6330812 B2 JP 6330812B2 JP 2015530838 A JP2015530838 A JP 2015530838A JP 2015530838 A JP2015530838 A JP 2015530838A JP 6330812 B2 JP6330812 B2 JP 6330812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- transparent layer
- solid
- imaging device
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 92
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 121
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 77
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/133—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing panchromatic light, e.g. filters passing white light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
1.第1の実施の形態(市松配置したW画素と、RBの有色画素とを有する例)
2.第2の実施の形態(製造方法:W画素と、RGBの有色画素とを有する例)
3.第3の実施の形態(製造方法:CMPを用いる製造方法の例)
4.第4の実施の形態(遮光壁を有する例)
5.固体撮像装置の全体構成例
6.適用例(電子機器の例)
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成を表したものである。この固体撮像装置1は、デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ等の電子機器に用いられるCMOSイメージセンサであり、撮像画素領域(後述の画素部110)に、複数の有色画素10および複数の白色画素20が2次元配置されたものである。固体撮像装置1は、裏面照射型または表面照射型のいずれであってもよいが、ここでは裏面照射型の構造を例として説明する。
透明層22を透明樹脂により構成する場合には、1μm以下のような微細な加工が困難となるおそれがある。感光性材料は、良く知られているように、マスクパターンが矩形であっても、光の回折により感光性材料中の露光光の光強度分布が生じ、矩形パターンの角部は丸くなってしまう。また、透明層22の形成に用いられる感光性樹脂は、一般的にカラーフィルタ材料と同様なネガ型の感光性材料が用いられるとともに、屈折率を高くするために、無機顔料が分散されているものもある。透明層22のパターンの微細化性能は、使用する樹脂のリソグラフィ性能と分散されている顔料濃度などにより決まる。顔料分散型感光性樹脂は、図2に示したように、現像時に矩形パターンの角部22Cが削られる傾向があり、通常のリソグラフィ用フォトレジストに対して微細加工性能が劣る傾向にある。更に、図3に示したように画素を微細化すると、角部22Cの削られる部分が画素面積に占める比率が大きくなり、パターンの矩形性が大きく低下し、矩形の透明層22を精度よく形成することが難しくなる。
白色画素20は有色フィルタ12をもたないので、一般に、白色画素20を通る光の量はRGBの有色画素10よりも多くなる。これにより、図4に示したように、白色画素20から隣接する有色画素10への混色L1が起こりやすくなる。本実施の形態では、透明層22と有色フィルタ12との間に屈折率差をつけることにより、図4に示したように、透明層22と有色フィルタ12との境界付近に入射した光L2を、透明層22と有色フィルタ12との界面Pで反射させ(反射光L3)、有色フィルタ12に入射してしまう光L1を減少させることが可能となる。
透明層22が層間絶縁膜50と同じ材料により構成されている場合には、有機材料よりなる有色フィルタ12の形成後に無機材料である透明層22を成膜・加工することは難しい。そのため、有色フィルタ12よりも先に透明層22を形成する。その場合、透明層22を層間絶縁膜50と同じ材料を用いて形成すると、異方性プラズマドライエッチングの加工装置に一般的なエンドポイントディテクタを用いることは難しく、ドライエッチング加工量は時間で調整することになる。エッチングチャンバの状態など設備状態がエッチング速度を変動させ、エッチング量に影響を及ぼし、その影響により加工ばらつきを生じる可能性がある。また、ウェットエッチングを用いる場合は、等方的に膜をエッチングしていくので、パターンサイズの制御のため、より精度の高いエッチング量制御を行うことが望ましい。ウェットエッチングは、薬液濃度、液温などによりエッチング速度の変動があり、一般的に異方性プラズマドライエッチングよりもエッチング量制御が困難であり、微細加工性に劣るため、微細な画素への適用は難しい。
次に、本開示の第2の実施の形態に係る固体撮像装置1の製造方法について説明する。この製造方法は、図20に示したように、RGBベイヤー配列における右下の緑色画素10Gを白色画素20に置き換えた単位配列U2を有する固体撮像装置1を製造する場合に関するものである。
以下、本開示の第3の実施の形態に係る固体撮像装置1の製造方法について説明する。この製造方法は、図31に示したように、RGBベイヤー配列における二つの緑色画素10Gを白色画素20に置き換えた単位配列U1を有する固体撮像装置1を製造する場合に関するものである。
図41は、本開示の第4の実施の形態に係る固体撮像装置1Aの断面構成を表したものである。本実施の形態では、有色画素10および白色画素20の境界線Mに沿って、層間絶縁膜50の光入射側に、遮光壁60を設けることにより、混色を更に確実に抑制するようにしている。このことを除いては、この固体撮像装置1Aは、上記第1の実施の形態の固体撮像装置1と同様の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図44は、上記実施の形態において説明した固体撮像装置1の全体構成を表す機能ブロック図である。この固体撮像装置1は、撮像画素領域としての画素部110を有すると共に、例えば行走査部131、水平選択部133、列走査部134およびシステム制御部132からなる回路部130を有している。回路部130は、画素部110の周辺領域に設けられていてもよいし、画素部110と積層されて(画素部110に対向する領域に)設けられていてもよい。
上記実施の形態等の固体撮像装置1は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図45に、その一例として、電子機器2(カメラ)の概略構成を示す。この電子機器2は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、例えば、固体撮像装置1と、光学系(撮像レンズ)310と、シャッタ装置311と、固体撮像装置1およびシャッタ装置311を駆動する駆動部313(上記回路部130を含む)と、信号処理部312と、ユーザインターフェイス314と、モニタ315とを有する。
(1)
第1光電変換素子および有色フィルタを有する有色画素と、
第2光電変換素子および透明層を有する白色画素と、
前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子と、前記有色フィルタおよび前記透明層との間に設けられた層間絶縁膜と
を備え、
前記有色フィルタは、前記第1光電変換素子の光入射側に設けられ、
前記透明層は、前記第2光電変換素子の光入射側に設けられ、前記有色フィルタの屈折率よりも高い屈折率を有すると共に前記層間絶縁膜とは異なる材料よりなる無機誘電体膜により構成されている
固体撮像装置。
(2)
前記透明層の厚みは、前記有色フィルタの厚みと同じ、または前記有色フィルタの厚みよりも厚い
前記(1)記載の固体撮像装置。
(3)
前記層間絶縁膜は酸化シリコン膜、前記透明層は窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜により構成されている
前記(1)または(2)記載の固体撮像装置。
(4)
前記有色画素および前記白色画素の境界線に沿って、前記層間絶縁膜の光入射側に、遮光壁が設けられている
前記(1)ないし(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5)
前記遮光壁の高さは、前記有色フィルタの厚みおよび前記透明層の厚みよりも低い
前記(4)記載の固体撮像装置。
(6)
前記遮光壁は、タングステン、チタン、アルミニウムまたは銅により構成されている
前記(4)または(5)記載の固体撮像装置。
(7)
前記有色画素は、赤色画素と、青色画素とを含み、
前記白色画素は、市松配置され、
二つの前記白色画素と、一つの前記赤色画素と、一つの前記青色画素とが、2行×2列の単位配列を構成している
前記(1)ないし(6)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(8)
前記有色画素は、赤色画素と、青色画素と、緑色画素とを含み、
一つの前記白色画素と、一つの前記赤色画素と、一つの前記青色画素と、一つの前記緑色画素とが、2行×2列の単位配列を構成している
前記(1)ないし(6)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(9)
固体撮像装置を備え、
前記固体撮像装置は、
第1光電変換素子および有色フィルタを有する有色画素と、
第2光電変換素子および透明層を有する白色画素と、
前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子と、前記有色フィルタおよび前記透明層との間に設けられた層間絶縁膜と
を備え、
前記有色フィルタは、前記第1光電変換素子の光入射側に設けられ、
前記透明層は、前記第2光電変換素子の光入射側に設けられ、前記有色フィルタの屈折率よりも高い屈折率を有すると共に前記層間絶縁膜とは異なる材料よりなる無機誘電体膜により構成されている
電子機器。
Claims (9)
- 第1光電変換素子および有色フィルタを有する有色画素と、
第2光電変換素子および透明層を有する白色画素と、
前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子と、前記有色フィルタおよび前記透明層との間に設けられた層間絶縁膜と
を備え、
前記有色フィルタは、前記第1光電変換素子の光入射側に設けられ、
前記透明層は、前記第2光電変換素子の光入射側に設けられ、前記有色フィルタの屈折率よりも高い屈折率を有すると共に前記層間絶縁膜とは異なる材料よりなる無機誘電体膜により構成されている
固体撮像装置。 - 前記透明層の厚みは、前記有色フィルタの厚みと同じ、または前記有色フィルタの厚みよりも厚い
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記層間絶縁膜は酸化シリコン膜、前記透明層は窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜により構成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記有色画素および前記白色画素の境界線に沿って、前記層間絶縁膜の光入射側に、遮光壁が設けられている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記遮光壁の高さは、前記有色フィルタの厚みおよび前記透明層の厚みよりも低い
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記遮光壁は、タングステン、チタン、アルミニウムまたは銅により構成されている
請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記有色画素は、赤色画素と、青色画素とを含み、
前記白色画素は、市松配置され、
二つの前記白色画素と、一つの前記赤色画素と、一つの前記青色画素とが、2行×2列の単位配列を構成している
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記有色画素は、赤色画素と、青色画素と、緑色画素とを含み、
一つの前記白色画素と、一つの前記赤色画素と、一つの前記青色画素と、一つの前記緑色画素とが、2行×2列の単位配列を構成している
請求項1記載の固体撮像装置。 - 固体撮像装置を備え、
前記固体撮像装置は、
第1光電変換素子および有色フィルタを有する有色画素と、
第2光電変換素子および透明層を有する白色画素と、
前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子と、前記有色フィルタおよび前記透明層との間に設けられた層間絶縁膜と
を備え、
前記有色フィルタは、前記第1光電変換素子の光入射側に設けられ、
前記透明層は、前記第2光電変換素子の光入射側に設けられ、前記有色フィルタの屈折率よりも高い屈折率を有すると共に前記層間絶縁膜とは異なる材料よりなる無機誘電体膜により構成されている
電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013164062 | 2013-08-07 | ||
JP2013164062 | 2013-08-07 | ||
PCT/JP2014/070040 WO2015019913A1 (ja) | 2013-08-07 | 2014-07-30 | 固体撮像装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015019913A1 JPWO2015019913A1 (ja) | 2017-03-02 |
JP6330812B2 true JP6330812B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=52461251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015530838A Expired - Fee Related JP6330812B2 (ja) | 2013-08-07 | 2014-07-30 | 固体撮像装置および電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9595551B2 (ja) |
JP (1) | JP6330812B2 (ja) |
KR (1) | KR102223515B1 (ja) |
CN (1) | CN105453268B (ja) |
WO (1) | WO2015019913A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10930710B2 (en) * | 2017-05-04 | 2021-02-23 | Apple Inc. | Display with nanostructure angle-of-view adjustment structures |
JP2019113604A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電磁波処理装置 |
CN109166871B (zh) * | 2018-08-21 | 2021-07-06 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制作方法 |
CN110225319B (zh) * | 2019-06-11 | 2022-01-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种图像传感器、图像处理方法及存储介质 |
CN110444552A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-12 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005294647A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2006317776A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Sony Corp | カラーフィルタの製造方法、および固体撮像装置の製造方法 |
JP2007199386A (ja) | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 |
JP2008172580A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
JP2009026808A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
JP2009080313A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 |
JP2011077410A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP5585208B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2014-09-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
CN102270646A (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-07 | 格科微电子(上海)有限公司 | 背面照光的cmos图像传感器 |
JP5442571B2 (ja) | 2010-09-27 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JP2012074521A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器 |
US9570492B2 (en) * | 2011-03-25 | 2017-02-14 | Pixart Imaging Inc. | Pixel array of image sensor and method of fabricating the same |
JP5845856B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-01-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP5942901B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2016-06-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2014011304A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP5740054B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2015-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及び画像処理方法 |
WO2014007282A1 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | 富士フイルム株式会社 | カラー撮像素子及び撮像装置 |
-
2014
- 2014-07-30 US US14/908,989 patent/US9595551B2/en active Active
- 2014-07-30 CN CN201480042997.5A patent/CN105453268B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-30 KR KR1020157035396A patent/KR102223515B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-30 JP JP2015530838A patent/JP6330812B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-30 WO PCT/JP2014/070040 patent/WO2015019913A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102223515B1 (ko) | 2021-03-04 |
KR20160040459A (ko) | 2016-04-14 |
JPWO2015019913A1 (ja) | 2017-03-02 |
US9595551B2 (en) | 2017-03-14 |
US20160197108A1 (en) | 2016-07-07 |
CN105453268B (zh) | 2019-02-05 |
CN105453268A (zh) | 2016-03-30 |
WO2015019913A1 (ja) | 2015-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7171652B2 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP6103301B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6060851B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR102352333B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
US7799491B2 (en) | Color filter array and imaging device containing such color filter array and method of fabrication | |
WO2017073321A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5556122B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 | |
WO2015174297A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US10510787B2 (en) | Structures and methods of creating clear pixels | |
KR100751524B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
JP6330812B2 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
JP2010267770A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
JP2013115335A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、電子機器、並びに固体撮像素子用組成物 | |
US20130293751A1 (en) | Imaging systems with separated color filter elements | |
KR20100109401A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP5298617B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2010062417A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US20230230992A1 (en) | Solid-state imaging device and electronic device | |
JP5825398B2 (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器 | |
JP2008193008A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170628 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180327 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180409 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6330812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |