JP2013170941A - 試料作製方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料7の断面7bのSEM像を表示画面に表示しつつ、断面を集束イオンビームの走査照射でエッチング加工し、断面7bを露出させる工程と、新たな断面のSEM像を表示画面に表示しつつ、集束イオンビームを走査照射しながら、集束イオンビームの走査方向31aを変更させ、断面7bをエッチング加工し、断面7fを露出させる工程と、からなる試料作製方法を提供する。
【選択図】図3
Description
(1)本発明に係る試料作製方法は、走査電子顕微鏡観察中の試料の断面の観察像を表示画面に表示しつつ、断面を集束イオンビームの走査照射でエッチング加工し、新たな断面を露出させる工程と、走査電子顕微鏡観察中の新たな断面の観察像を表示画面に表示しつつ、集束イオンビームを走査照射しながら、集束イオンビームの走査方向を変更させ、新たな断面をエッチング加工し、所望の断面を露出させる工程と、を有する。
これにより、試料内部のデバイスパターンの配列方向に沿った断面を露出させることができる。集束イオンビームの走査方向の調整を走査電子顕微鏡でリアルタイムに観察しながら実施することができるので、デバイス同士の間隔が数十nmオーダーで配列するデバイスパターンであっても、断面の形成方向とデバイスパターンの配列方向を正確に揃えることができる。
これにより、表示部に表示される加工中の断面の観察像を見ながら、集束イオンビームの走査方向を調整することができる。
本実施形態の試料作製装置は、図1に示すように、EB鏡筒1と、FIB鏡筒2と、試料室3を備えている。試料室3内に収容された試料7にEB鏡筒1から電子ビーム8を、FIB鏡筒2からイオンビーム9を照射する。
デバイスパターンを有する試料の内部にある構造を解析する断面加工観察に関する本実施形態の試料作製方法について図2から図4を用いて説明する。
図2(a)は試料7を表面7a側から見た図である。まず、試料7の表面7a側からイオンビーム9を走査照射し、表面7aの一部に加工溝21を形成する。図2(b)は図2(a)の断面b−bの図である。加工溝21の作製により露出した断面7bを観察するため、電子ビーム8aを断面7bに走査照射する。これにより表示部17に断面7bのSEM像が表示される。
ただし、デバイスパターンを有する試料において、その構造を解析する場合には、デバイスパターンの配列方向に沿った断面を露出させなければならない。デバイスパターン本来の形状を現した断面の観察像でなければ、デバイスの構造を解析することができないからである。
図4は表示部17の表示画面の構成図である。本実施形態の試料作製装置は電子ビーム8とイオンビーム9を独立に走査照射することができ、入力部10を介した電子ビームの照射ボタン43とイオンビームの照射ボタン44の操作により、それぞれのビームの照射開始と停止を制御することができる。電子ビーム8とイオンビーム9の両方を照射している場合、SEM像41とSIM像42はそれぞれの観察像をリアルタイムに表示画面に表示することができる。
また、上記の実施例ではSEM像を用いて説明したが、SEM像の代わりに反射電子像を用いることも可能である。
TEM観察用試料に関する本実施形態の試料作製方法について図5と図6を用いて説明する。
図5(a)は半導体ウエハの試料7の図である。TEM観察用試料を作製するためにイオンビーム9により試料7から試料7の一部である薄片試料51を切り出す加工を行う。図5(b)は薄片試料51周辺の拡大図である。イオンビーム9により薄片試料51の両側に加工溝52を形成する。そして、図5(c)に示すように、薄片試料51が所望の膜厚になるようにさらなる薄片化加工を行い、TEM観察用の薄片試料51を作製する。
2…FIB鏡筒
3…試料室
4…二次電子検出器
5…反射電子検出器
6…試料台
7…試料
7a、7b、7c、7d、7e、7f…断面
8、8a、8b、8c、8d…電子ビーム
9、9a、9b、9c…イオンビーム
10…入力部
11…制御部
12…EB制御部
13…FIB制御部
14…像形成部
15…走査方向制御部
16…試料台制御部
17…表示部
21…加工溝
31a、31b…走査方向
32…デバイスパターン
32a、32b、32c…デバイス構造
33…配列方向
41…SEM像
42…SIM像
43…電子ビームの照射ボタン
44… イオンビームの照射ボタン
45…回転角度表示部
51…薄片試料
51a…断面
52…加工溝
53a、53b、53c…素子分離(STI)領域
54a、54b…デバイス
55…配列方向
Claims (6)
- 走査電子顕微鏡観察中の試料の断面の観察像を表示画面に表示しつつ、前記断面を集束イオンビームの走査照射でエッチング加工し、新たな断面を露出させる工程と、
走査電子顕微鏡観察中の前記新たな断面の観察像を前記表示画面に表示しつつ、前記集束イオンビームを走査照射しながら、前記集束イオンビームの走査方向を変更させ、前記新たな断面をエッチング加工し、所望の断面を露出させる工程と、からなる試料作製方法。 - 前記集束イオンビームの走査方向の変更は、前記走査方向を前記試料のデバイスパターンの配列方向に対し平行にする変更である請求項1に記載の試料作製方法。
- 請求項1または2に記載の試料作製方法により形成された前記所望の断面を有する薄片試料を作製する試料作製方法。
- 試料を載置する試料台と、
前記試料の断面を露出させるために集束イオンビームを走査照射する集束イオンビーム鏡筒と、
前記断面に電子ビームを走査照射する電子ビーム鏡筒と、
前記電子ビームの照射により前記断面から放出される荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、
前記荷電粒子検出器の検出信号から形成される前記断面の観察像を表示する表示部と、
前記集束イオンビームの走査方向の回転角度を入力する入力部と、
前記入力部で入力した回転角度に基づき前記断面の加工及び観察中に前記集束イオンビームの走査方向を変更させる走査方向制御部と、からなる試料作製装置。 - 前記表示部は、前記断面のSEM像または反射電子顕微鏡像と、
前記試料のSIM像と、
前記集束イオンビームの照射開始と停止を指示する表示部と、
前記電子ビームの照射開始と停止を指示する表示部と、
前記前記回転角度を入力する回転角度表示部と、を有する表示画面を表示する請求項4に記載の試料作製装置。 - 前記荷電粒子検出器は反射電子検出器または二次電子検出器である請求項4または5に記載の試料作製装置。
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