TWI788423B - 帶電粒子束裝置 - Google Patents

Abstract

提供帶電粒子束裝置，自動地重複進行摘出試料片並將其移設至試料片保持器的動作，該試料是藉由基於離子束的試料的加工而形成的。帶電粒子束裝置具有電腦，該電腦對聚焦離子束照射光學系統進行控制，以使得在藉由針保持試料片後，設定包含與試料的加工時的深度方向對應的試料片的厚度方向的底部在內的整形加工區域，對整形加工區域照射聚焦離子束而對試料片進行整形加工。

Description

帶電粒子束裝置

本發明涉及自動進行取樣的帶電粒子束裝置。

以往，已知如下裝置，該裝置摘出藉由對試料照射由電子或離子構成的帶電粒子束而製作的試料片，將試料片加工成適合於掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡等的觀察、分析以及計測等各種工程的形狀(例如，參照專利文獻1)。

以往，已知如下裝置，該裝置在利用裝置內設置的針摘出試料片而將試料片移設至試料片保持器時，藉由使針進行軸旋轉，從而轉換試料片相對於試料片保持器的姿勢，其中，該試料片是對試料照射聚焦離子束而製作的(例如，參照專利文獻2)。在該裝置中，在藉由針的軸旋轉對試料片的姿勢進行轉換後將試料片固定於試料片保持器，因此，能夠提高將試料片加工成適合於掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡等的觀察、分析以及計測等各種工程的形狀時的效率。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-153239號公報

[專利文獻2]日本特開2009-110745號公報

在本說明書中，「取樣」是指，摘出藉由對試料照射帶電粒子束而製作的試料片，將該試料片加工成適合於觀察、分析和計測等各種工程的形狀，更具體而言，是指將藉由聚焦離子束的加工而由試料形成的試料片移設至試料片保持器。

以往，並沒有充分實現能夠自動進行試料片的取樣的技術。

阻礙自動連續地重複取樣的原因如下：在對試料照射聚焦離子束而生成試料片時，以及對固定於試料片保持器的試料片照射聚焦離子束而進行加工時，聚焦離子束的入射方向受到限制，因此有時無法將試料片加工成期望的形狀。

例如，在對試料照射聚焦離子束而生成試料片時，如試料片的底面側等這樣的無法照射聚焦離子束的部位的整形加工是困難的。由此，在使用針將試料片移設至試料片保持器時，在將試料片的底面側等未進行整形加工的部位固定於試料片保持器的情況下，產生無法實現適 當的固定的問題。

此外，例如存在如下問題：在將試料片固定於試料保持器後，在從試料片的底面側照射離子束而對試料片進行精加工的情況下，如果未進行整形加工，則由於底面的形狀的影響而無法均一地對試料片進行加工。

這樣的情況阻礙了作為原本目的的自動連續地重複取樣。

本發明是鑒於上述情況而完成的，其目的在於提供帶電粒子束裝置，能夠自動地執行將試料片摘出而移設至試料片保持器的動作，該試料片是藉由基於離子束的試料的加工而形成的。

為了解決上述課題而達成相關目的，本發明採用了以下的態樣。(1)本發明的一個態樣的帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，具有：帶電粒子束照射光學系統，其照射帶電粒子束；試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片；保持器固定台，其保持試料片保持器，所述試料片被移設至該試料片保持器；以及電腦，其對所述試料片移設手段和所述帶電粒子束照射光學系統進行控制，使得在藉由所述試料片移設手段保持所述試料片後，在對所述試料片照射所述帶電粒子束而得到的圖像中，劃定包含與所述試料的加工時的 深度方向對應的所述試料片的厚度方向的端部在內的整形加工區域，對所述整形加工區域照射所述帶電粒子束，從而對所述試料片進行整形加工。

(2)在上述(1)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統進行控制，使得以與藉由所述試料片移設手段保持的所述試料片的姿勢對應的旋轉角度使得到所述圖像時的所述帶電粒子束的掃描方向旋轉。

(3)在上述(2)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在使所述帶電粒子束的掃描方向旋轉為所述旋轉角度而得到的所述圖像中，對所述試料片的所述端部的邊緣進行辨識，根據該邊緣設定所述整形加工區域。

(4)在上述(2)或(3)所記載的帶電粒子束裝置中，所述試料片移設手段具有：針，其保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片；以及針驅動機構，其對該針進行驅動，所述電腦對所述針驅動機構進行控制，使得藉由使保持所述試料片的所述針進行軸旋轉，從而相對於所述試料片保持器而控制所述試料片的姿勢。

(5)在上述(1)至(4)中的任1項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統進行控制，使得在對所述整形加工區域照射所述帶電粒子束而對所述試料片進行整形加工後，對所述試料片的觀察面照射所述帶電粒子束而對所述觀察面進行加工。

(6)在上述(1)至(5)中的任意1項所記載的帶 電粒子束裝置中，所述電腦對在藉由所述試料片移設手段保持的所述試料片的表面露出的圖案進行辨識，以不與該圖案干涉的方式設定所述整形加工區域。

根據本發明的帶電粒子束裝置，在將試料片移設至試料片保持器之前，對包含試料片的端部的區域進行整形加工，因此，能夠將試料片加工成期望的形狀，將試料片適當地固定於試料片保持器。由此，能夠自動連續地執行將試料片摘出而移設至試料片保持器的取樣動作，該試料片是藉由基於離子束的試料的加工而形成的。

10:帶電粒子束裝置

11:試料室

12:平台(試料平台)

12a:保持器固定台

13:平台驅動機構

13a:移動機構

13b:傾斜機構

13c:旋轉機構

14:聚焦離子束照射光學系統(帶電粒子束照射光學系統)

14a:離子源

14b:離子光學系統

15:電子束照射光學系統(帶電粒子束照射光學系統)

15a:電子源

15b:電子光學系統

16:檢測器

17:氣體供給部

17a:噴嘴

18，18a，18b:針

19:針驅動機構

20:吸收電流檢測器

21:顯示裝置

22:電腦

23:輸入裝置

31:缺口部

32:基部

33:試料台

34:柱狀部

34A:柱狀部34的連接面

34B:柱狀部34的上端面

34a:柱狀部34的原點

34b:柱狀部34的上端面(端面)

34d:柱狀部34的側面

34e:柱狀部34的一方的側面(端面)

34f:柱狀部34的上端面

34s，34t:柱狀部34的邊緣

35:SIM圖像中心

35a，35b:線段

36:接続加工位置

36a，36b:線段

37:平面試料

AP:移動目標位置

C:碳沉積膜DM的殘渣的前端

DM:碳沉積膜

DM1，DM2:沉積膜

DS:器件構造

DX，DY，DZ:距離

E1，E2:邊緣

EB:電子束

F:加工框

FIB:聚焦離子束

G:氣體

H:加工區域

L1:規定距離

L2:空隙

L3:試料片Q的大小

Lb:與試料片Q的表面相距的距離

M:漂移修正標記

P:試料片保持器

Q:試料片

Q1:試料片Q的表面

Q2:試料片Q的底部

Q3:試料片Q的表面

Q4:試料片Q的截面

QA:試料片Q的端面

Qa:試料片Q的支撐部

QB:試料片Q的底部

Qb:試料片Q的上端面

QC:表側截面

Qc:試料片Q的基準點

QD:背側截面

Qs，Qt:試料片Q的邊緣

R:二次帶電粒子

R1，R2:加工框

Ref:參考標記

S:試料

T1，T2:切斷加工位置

Ta，Tb，Tc，Td:加工框

U:柱狀部34的試料片Q的安裝位置

W:鎢的前端

[圖1]本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的構成圖。

[圖2]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的試料上形成的試料片的平面圖。

[圖3]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的試料片保持器的平面圖。

[圖4]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的試料片保持器的側面圖。

[圖5]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的動作的流程圖中的初始設定工程的流程圖。

[圖6]用於說明在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中反覆使用的針的真正的前端的示意圖，特別地，(A)是說明實際的針前端的示意圖，(B)是說明藉由吸收電流訊號而得到的第1圖像的示意圖。

[圖7]本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的針前端的基於電子束照射得到的的二次電子圖像的示意圖，特別地，(A)是示出抽出比背景亮的區域得到的第2圖像的示意圖，(B)是抽出比背景暗的區域得到的第3圖像的示意圖。

[圖8]說明對圖7的第2圖像與第3圖像進行合成得到的第4圖像的示意圖。

[圖9]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的動作的流程圖中的試料片拾取工程的流程圖。

[圖10]用於說明本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中使針與試料片連接時的針的停止位置的示意圖。

[圖11]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的針的前端和試料片的圖。

[圖12]藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的針的前端和試料片的圖。

[圖13]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的包含針和試料片的連接加工位置的加工框的圖。

[圖14]用於說明本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的、將針與試料片連接時的針與試料片之間的位置關係、沉積膜形成區域的示意圖。

[圖15]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的試料和試料片的支撐部的切斷加工位置T1的圖。

[圖16]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的使連接有試料片的針退避的狀態的圖。

[圖17]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的試使平台相對於連接有樣片的針退避的狀態的圖。

[圖18]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像資料中的連接有試料片的針的旋轉角度為0°的接近模式的狀態的圖。

[圖19]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的連接有試料片的針的旋轉角度為0°的接近模式的狀態的圖。

[圖20]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的連接有試料片的針的旋轉角度為90°的接近模式的狀態的圖。

[圖21]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的連接有試料片的針的旋轉角度為90°的接近模式的狀態的圖。

[圖22]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的連接有試料片的針的旋轉角度為180°的接近模式的狀態的圖。

[圖23]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的連接有試料片的針的旋轉角度為180°的接近模式的狀態的圖。

[圖24]示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的針的旋轉角度為90°的接近模式中，藉由使聚焦離子束的掃描方向旋轉-68°的掃描旋轉得到的圖像資料中，連接有試料片的針的狀態的圖。

[圖25]示出根據圖24的圖像資料在試料片的厚度方向的底部抽出的2個邊緣的一例的圖。

[圖26]示出根據圖25的圖像資料中的2個邊緣以包含試料片的底部的方式設定的加工框的一例的圖。

[圖27]示出藉由使用本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束的整形加工而具有與試料片保持器的柱狀部的連接面(例如，側面等)平行的端面的試料片的一例的圖。

[圖28]示出在圖24所示的圖像資料中將用戶指示的與試料片的表面之間的距離作為基準而對試料片設定的加工框的一例的圖。

[圖29]示出藉由對圖28所示的加工框照射聚焦離子束而去除試料片的底部側的部位的整形加工的執行後、具有與試料片保持器的柱狀部的連接面(例如，側面等)平行的端面的試料片的一例的圖。

[圖30]示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的針的旋轉角度為180°的接近模式中，使藉由聚焦離子束 得到的圖像資料中的連接有試料片的針旋轉180°後的狀態的圖。

[圖31]示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的針的旋轉角度為180°的接近模式中，在藉由使聚焦離子束的掃描方向旋轉22°的掃描旋轉得到的圖像資料中，連接有試料片的針的狀態的圖。

[圖32]示出根據圖31的圖像資料、為了去除試料片的不存在器件構造的部位而設定的加工框的一例的圖。

[圖33]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中將試料片固定於柱狀部的狀態的一例的圖。

[圖34]示出使用本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束對試料片進行精加工的狀態的一例的圖。

[圖35]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的柱狀部的漂移修正標記和試料片的加工框的一例的圖。

[圖36]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的柱狀部的試料片的安裝位置的圖。

[圖37]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的柱狀部的試料片的安裝位置的圖。

[圖38]示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的動作的流程圖中的試料片架設工程的流程圖。

[圖39]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝 置的聚焦離子束得到的圖像中的在試料台的試料片的安裝位置周邊停止了移動的針的圖。

[圖40]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的在試料台的試料片的安裝位置周邊停止了移動的針的圖。

[圖41]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的用於將與針連接的試料片連接到試料台的加工框的圖。

[圖42]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的用於對連接針和試料片的沉積膜進行切斷的切斷加工位置的圖。

[圖43]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像資料中的使針退避後的狀態的圖。

[圖44]示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置的電子束得到的圖像中的使針退避後的狀態的圖。

[圖45]示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中，以藉由照射聚焦離子束照射而得到的圖像為基礎的柱狀部與試料片之間的位置關係的說明圖。

[圖46]示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中，以藉由照射電子束照射而得到的圖像為基礎的柱狀部與試料片之間的位置關係的說明圖。

[圖47]示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中，以藉由照射電子束照射而得到的圖像為基礎的利用柱 狀部和試料片的邊緣的樣板的說明圖。

[圖48]對本發明的實施方式的帶電粒子束裝置中示出連接柱狀部和試料片時的位置關係的樣板進行說明的說明圖。

[圖49]用於製作本發明的實施方式的平面試料的說明圖，是示出藉由本發明的帶電粒子束裝置的聚焦離子束得到的圖像中的連接有試料片的針的旋轉角度為90°的接近模式的狀態的圖。

[圖50]示出用於製作本發明的實施方式的平面試料的說明圖，是示出使分離後的試料片與試料片保持器接觸的狀態的圖。

[圖51]用於製作本發明的實施方式的平面試料的說明圖，是使固定於試料片保持器的試料片薄片化而製作了平面試料的狀態的圖。

以下，參照附圖對本發明的實施方式的能夠自動製作試料片的帶電粒子束裝置進行說明。

圖1是本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的構成圖。如圖1所示，本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10具有：能夠將內部維持成真空狀態的試料室11；能夠在試料室11的內部固定試料S和試料片保持器P的平台12；驅動平台12的平台驅動機構13。帶電粒子束裝置10具有聚焦離子束照射光學系統14，該聚焦離子束照射光學系 統14對試料室11的內部的規定的照射區域(即掃描範圍)內的照射對象照射聚焦離子束(FIB)。帶電粒子束裝置10具有電子束照射光學系統15，該電子束照射光學系統15對試料室11的內部的規定的照射區域內的照射物件照射電子束(EB)。帶電粒子束裝置10具有檢測器16，該檢測器16檢測藉由聚焦離子束或電子束的照射而從照射物件產生的二次帶電粒子(二次電子，二次離子)R。帶電粒子束裝置10具有對照射物件的表面供給氣體G的氣體供給部17。具體而言，氣體供給部17是外徑為200μm左右的噴嘴17a等。帶電粒子束裝置10具有：針18，其從固定於平台12的試料S取出微小的試料片Q，保持試料片Q而將其移設至試料片保持器P；針驅動機構19，其驅動針18而對試料片Q進行搬運；吸收電流檢測器20，其檢測流入到針18的帶電粒子束的流入電流(也稱作吸收電流)，將流入電流訊號送到電腦並進行圖像化。

有時將該針18和針驅動機構19一起稱作試料片移設手段。帶電粒子束裝置10具有顯示裝置21、電腦22、輸入裝置23，該顯示裝置21顯示基於由檢測器16檢測到的二次帶電粒子R的圖像資料等。

另外，聚焦離子束照射光學系統14和電子束照射光學系統15的照射物件是固定於平台12的試料S、試料片Q和存在於照射區域內的針18、試料片保持器P等。

該實施方式的帶電粒子束裝置10藉由對照射物件的表面掃描並照射聚焦離子束，能夠執行被照射部的 圖像化、基於濺鍍的各種加工(鑽削、修整加工等)以及沉積膜的形成等。帶電粒子束裝置10能夠執行如下加工：由試料S形成透射電子顯微鏡的透射觀察用的試料片Q(例如，薄片試料、針狀試料等)或電子束利用的分析試料片。帶電粒子束裝置10能夠執行如下加工：使移設至試料片保持器P的試料片Q成為適合於透射電子顯微鏡的透射觀察的期望的厚度(例如，5~100nm等)的薄膜。帶電粒子束裝置10藉由對試料片Q和針18等照射物件的表面掃描並照射聚焦離子束或電子束，從而能夠執行照射物件的表面的觀察。

吸收電流檢測器20具有前置放大器，將針的流入電流放大並送到電腦22。藉由由吸收電流檢測器20檢測到的針流入電流與和帶電粒子束的掃描同步的訊號，能夠在顯示裝置21上顯示針形狀的吸收電流圖像，進行針形狀和前端位置辨明。

圖2是示出在本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10中，將聚焦離子束照射於試料S表面(斜線部)而形成的、從試料S摘出之前的試料片Q的平面圖。符號F表示聚焦離子束的加工框，即聚焦離子束的掃描範圍，其內側(白色部)表示藉由聚焦離子束照射進行濺鍍加工，被鑽削得到的加工區域H。符號Ref是表示形成試料片Q的(未鑽削而保留)位置的參考標記(基準點)，例如，是在後述的沉積膜(例如，每邊1μm的正方形)上藉由聚焦離子束設置例如直徑30nm的微細孔而得到的形狀等，在基於聚焦離子 束或電子束的圖像中能夠對比度良好地進行辨識。欲得知試料片Q的大概位置會利用沉積膜，欲做精密的對位會利用微細孔。在試料S中，關於試料片Q，進行蝕刻加工，以保留與試料S連接的支撐部Qa而刮掉並去除側部側和底部側的周邊部，試料片Q藉由支撐部Qa而懸臂支撐於試料S。試料片Q是長度方向的尺寸例如為10μm、15μm、20μm左右，寬度(厚度)例如為500nm、1μm、2μm、3μm左右的微小的試料片。

試料室11構成為，能夠藉由排氣裝置(圖示省略)進行排氣而使內部成為期望的真空狀態，並且能夠維持期望的真空狀態。

平台12保持試料S。平台12具有對試料片保持器P進行保持的保持器固定台12a。該保持器固定台12a也可以是能夠搭載複數個試料片保持器P的構成。

圖3是試料片保持器P的平面圖，圖4是側面圖。試料片保持器P具有：具有缺口部31的大致半圓形板狀的基部32；固定於缺口部31的試料台33。基部32例如藉由金屬，由直徑3mm和厚度50μm等圓形板狀形成。試料台33例如藉由半導體製造程序而由矽晶圓形成，藉由導電性的接著劑貼附在缺口部31上。試料台33是梳齒形狀，具有隔開間隔配置而突出的複數個(例如，5根、10根、15根、20根等)柱狀部(以下，也稱作支柱)34，試料片Q被移設至柱狀部34。

藉由使各柱狀部34的寬度不同，將移設至各柱狀部34 的試料片Q與柱狀部34的圖像對應起來，進一步與對應的試料片保持器P對應起來記憶在電腦22中，由此，即使在由1個試料S製作了複數個試料片Q的情況下，也能夠無誤地進行辨識，能夠無誤地進行將後續的透射電子顯微鏡等的分析和該試料片Q與試料S上的摘出部位對應起來。各柱狀部34例如將前端部的厚度形成為10μm以下、5μm以下等，保持在前端部上安裝的試料片Q。

另外，基部32不限於上述那樣的直徑3mm和厚度50μm等的圓形板狀，例如也可以是長度5mm、高度2mm、厚度50μm等的矩形板狀。總而言之，基部32的形狀只要是能夠在要導入後續的透射電子顯微鏡的平台12上搭載的形狀、並且使試料台33上搭載的全部試料片Q位於平台12的可動範圍內的形狀即可。根據這種形狀的基部32，能夠利用透射電子顯微鏡觀察在試料台33上搭載的全部試料片Q。

平台驅動機構13以與平台12連接的狀態收容於試料室11的內部，根據從電腦22輸出的控制訊號使平台12相對於規定軸而位移。平台驅動機構13具有移動機構13a，該移動機構13a至少沿著與水平面平行且彼此垂直的X軸和Y軸、以及與X軸和Y軸垂直的鉛直方向的Z軸使平台12平行地移動。平台驅動機構13具有：使平台12繞X軸或Y軸傾斜的傾斜機構13b；以及使平台12繞Z軸旋轉的旋轉機構13c。

聚焦離子束照射光學系統14在試料室11的內 部將射束射出部(圖示省略)以在照射區域內的平台12的鉛直方向上方的位置處與平台12面對且使光軸與鉛直方向平行的方式固定於試料室11。由此，能夠從鉛直方向上方朝向下方對平台12上載置的試料S、試料片Q和存在於照射區域內的針18等照射對象照射聚焦離子束。此外，帶電粒子束裝置10也可以代替上述的聚焦離子束照射光學系統14而具有其他離子束照射光學系統。離子束照射光學系統不限於上述的形成聚焦束的光學系統。離子束照射光學系統例如也可以是投影型的離子束照射光學系統，該投影型的離子束照射光學系統在光學系統內設置具有定型的開口的鏤印光罩(stencil mask)，形成鏤印光罩的開口形狀的成形射束。根據這種投影型的離子束照射光學系統，能夠高精度地形成與試料片Q的周邊的加工區域相當的形狀的成形射束，加工時間縮短。

聚焦離子束照射光學系統14具有：產生離子的離子源14a；使從離子源14a引出的離子聚焦和偏向的離子光學系統14b。離子源14a和離子光學系統14b根據從電腦22輸出的控制訊號而被控制，藉由電腦22控制聚焦離子束的照射位置和照射條件等。離子源14a例如是使用液態鎵等的液體金屬離子源或電漿型離子源、氣體電場電離型離子源等。離子光學系統14b例如具有聚光透鏡等第1靜電透鏡、靜電偏向器、物鏡等第2靜電透鏡等。在使用電漿型離子源作為離子源14a的情況下，能夠實現基於大電流束的高速加工，適合於較大的試料S的摘出。

電子束照射光學系統15在試料室11的內部將射束射出部(圖示省略)以在相對於照射區域內的平台12的鉛直方向傾斜規定角度(例如60°)的傾斜方向上與平台12面對、並且光軸與傾斜方向平行的方式固定於試料室11。由此，能夠從傾斜方向的上方朝向下方對平台12上固定的試料S、試料片Q和存在於照射區域內的針18等的照射對象照射電子束。

電子束照射光學系統15具有：產生電子的電子源15a；使從電子源15a射出的電子聚焦和偏向的電子光學系統15b。電子源15a和電子光學系統15b根據從電腦22輸出的控制訊號而被控制，藉由電腦22控制電子束的照射位置和照射條件等。電子光學系統15b如具有電磁透鏡、偏向器等。

另外，也可以調換電子束照射光學系統15和聚焦離子束照射光學系統14的配置，在鉛直方向上配置電子束照射光學系統15，在與鉛直方向傾斜了規定角度的傾斜方向上配置聚焦離子束照射光學系統14。

檢測器16檢測對試料S和針18等照射對象照射了聚焦離子束或電子束時從照射物件放射的二次帶電粒子(二次電子和二次離子)R的強度(即，二次帶電粒子的量)，輸出二次帶電粒子R的檢測量的資訊。檢測器16在試料室11的內部配置在如下位置而固定於試料室11，該位置是能夠檢測二次帶電粒子R的量的位置，例如是相對於照射區域內的試料S等的照射物件的斜上方的位置等。

氣體供給部17固定於試料室11中，在試料室11的內部具有氣體噴射部(也稱作噴嘴)，配置成與平台12面對。氣體供給部17能夠對試料S供給用於根據試料S的材質而選擇性地促進聚焦離子束對試料S的蝕刻的蝕刻用氣體、以及用於在試料S的表面形成基於金屬或絕緣體等堆積物的沉積膜的沉積用氣體等。例如，針對矽系的試料S，與聚焦離子束的照射一起向試料S供給氟化氙作為蝕刻用氣體，針對有機系的試料S，與聚焦離子束的照射一起向試料S供給水作為蝕刻用氣體等，從而根據材料選擇性地促進蝕刻。此外，例如藉由在照射聚焦離子束的同時將含有鉑、鉑或鎢等的沉積用氣體供給到試料S，能夠使由沉積用氣體分解的固體成分在試料S的表面堆積(沉積)。作為沉積用氣體的具體例，作為含碳的氣體，存在菲、萘、芘等，作為含有鉑的氣體，存在三甲基乙基環戊二烯鉑等，此外，作為包含鎢的氣體，存在六羰基鎢等。此外，根據供給氣體的不同，即使照射電子束，也能夠進行蝕刻、沉積。但是，關於本發明的帶電粒子束裝置10的沉積用氣體，根據沉積速度、試料片Q與針18之間的沉積膜的可靠貼附的觀點，包含碳的沉積用氣體例如菲、萘、芘等是最適合的，使用它們中的任一者。

針驅動機構19以連接有針18的狀態收容在試料室11的內部中，根據從電腦22輸出的控制訊號而使針18位移。針驅動機構19與平台12一體設置，例如當平台12藉由傾斜機構13b而繞傾斜軸(即，X軸或Y軸)旋轉時，與平 台12一體地移動。針驅動機構19具有：使針18沿著三維座標軸的各軸平行移動的移動機構(圖示省略)；使針18繞針18的中心軸旋轉的旋轉機構(圖示省略)。另外，該三維座標軸獨立於試料平台的正交3軸座標系，在具有與平台12的表面平行的二維座標軸的正交3軸座標系中，在平台12的表面處於傾斜狀態、旋轉狀態的情況下，該座標系傾斜並旋轉。

電腦22至少對平台驅動機構13、聚焦離子束照射光學系統14、電子束照射光學系統15、氣體供給部17、針驅動機構19進行控制。

電腦22配置在試料室11的外部，與顯示裝置21、以及滑鼠和鍵盤等輸入裝置23連接，輸入裝置23輸出與操作者的輸入操作對應的訊號。

電腦22藉由從輸入裝置23輸出的訊號或者藉由預先設定的自動運轉控制處理生成的訊號等，統合地控制帶電粒子束裝置10的動作。

電腦22將在掃描帶電粒子束的照射位置的同時由檢測器16檢測到的二次帶電粒子R的檢測量轉換為與照射位置對應的亮度訊號，根據二次帶電粒子R的檢測量的二維位置分佈而生成表示照射物件的形狀的圖像資料。在吸收電流圖像模式中，電腦22一邊掃描帶電粒子束的照射位置一邊檢測流入到針18的吸收電流，由此，根據吸收電流的二維位置分佈(吸收電流圖像)來生成表示針18的形狀的吸收電流圖像資料。電腦22使顯示裝置21顯示所生成 的各圖像資料以及用於執行各圖像資料的放大、縮小、移動和旋轉等操作的畫面。電腦22使顯示裝置21顯示用進行自動的時序控制中的模式選擇和加工設定等各種設定的畫面。

本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10具有上述構成，接著說明該帶電粒子束裝置10的動作。

以下，針對電腦22執行的自動取樣的動作，即自動地將藉由基於帶電粒子束(聚焦離子束)的試料S的加工而形成的試料片Q移設至試料片保持器P的動作，大致分為初始設定工程、試料片拾取工程、試料片架設工程來依次進行說明。

<初始設定工程>

圖5是示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的自動取樣的動作中的初始設定工程的流程的流程圖。首先，電腦22在自動時序的開始時根據操作者的輸入來進行有無後述的姿勢控制模式等的模式選擇、樣板匹配用的觀察條件和加工條件設定(加工位置、尺寸、個數等的設定)、針前端形狀的確認等(步驟S010)。

接著，電腦22生成柱狀部34的樣板(步驟S020至步驟S027)。在該樣板生成中，首先，電腦22進行由操作者在平台12的保持器固定台12a上設置的試料片保持器P的位置註冊處理(步驟S020)。電腦22在取樣處理的最初生成柱狀部34的樣板。電腦22按照每個柱狀部34生成 樣板。電腦22進行各柱狀部34的平台座標取得和樣板生成，將它們以組的方式記憶，在之後的樣板匹配(樣板與圖像的重合)中判定柱狀部34的形狀時使用。作為在樣板匹配中使用的柱狀部34的樣板，電腦22例如預先記憶圖像本身、從圖像抽出的邊緣資訊等。電腦22在後面的處理中，在平台12移動後進行樣板匹配，根據樣板匹配的得分來判定柱狀部34的形狀，從而能夠辨識柱狀部34的準確位置。另外，作為樣板匹配用的觀察條件，當使用與樣板生成用相同的對比度、倍率等觀察條件時，能夠實施準確的樣板匹配，因此是理想的。

在保持器固定台12a上設有複數個試料片保持器P、且在各試料片保持器P上設有複數個柱狀部34的情況下，也可以是，預先決定各試料片保持器P所固有的辨識編碼、以及相應的試料片保持器P的各柱狀部34所固有的辨識編碼，將這些辨識編碼與各柱狀部34的座標和樣板資訊對應起來由電腦22記憶。

此外，也可以是，電腦22與上述辨識編碼、各柱狀部34的座標和樣板資訊一起，將試料S的摘出試料片Q的部位(摘出部)的座標和周邊的試料面的圖像資訊成組地記憶。

此外，例如在岩石礦物和活體試料等不規則的試料的情況下，電腦22也可以將低倍率的寬視野圖像、摘出部的位置座標和圖像等設為組，將這些資訊作為辨識資訊而進行記憶。將該辨識資訊與薄片化的試料S關聯起來，或者 將透射電子顯微鏡像與試料S的摘出位置關聯起來進行記錄。

電腦22在後述的試料片Q的移動之前預先進行試料片保持器P的位置註冊處理，能夠預先確認實際存在適當的形狀的試料台33。

在該位置註冊處理中，首先，作為粗調整的動作，電腦22藉由平台驅動機構13移動平台12，使照射區域在試料片保持器P中與安裝試料台33的位置進行對位。接著，作為微調整的動作，電腦22使用事先根據試料台33的設計形狀(CAD資訊)而生成的樣板，從藉由帶電粒子束(聚焦離子束和電子束各自)的照射而生成的各圖像資料中抽出構成試料台33的複數個柱狀部34的位置。然後，電腦22將所抽出的各柱狀部34的位置座標和圖像作為試料片Q的安裝位置而進行註冊處理(記憶)(步驟S023)。此時，將各柱狀部34的圖像與預先準備的柱狀部的設計圖、CAD圖或柱狀部34的標準品的圖像進行比較，確認各柱狀部34有無變形或缺口、脫落等，如果存在不良，電腦22記憶該柱狀部的座標位置和圖像、以及是不良品的情況。

接著，判定在當前註冊處理的執行中的試料片保持器P上是否不存在要註冊的柱狀部34(步驟S025)。該判定結果為「NO」的情況下，即要註冊的柱狀部34的剩餘數量m為1以上的情況下，將處理返回上述的步驟S023，重複步驟S023和S025，直到柱狀部34的剩餘數量m成為零為止。另一方面，該判定結果為「YES」的情況下，即要註冊的 柱狀部34的剩餘數量m為零的情況下，使處理進入步驟S027。

在保持器固定台12a上設置有複數個試料片保持器P的情況下，將各試料片保持器P的位置座標、相應試料片保持器P的圖像資料與針對各試料片保持器P的編碼號等一起進行記錄，並且，記憶各試料片保持器P的各柱狀部34的位置座標、對應的編碼號以及圖像資料(註冊處理)。電腦22可以按照實施自動取樣的試料片Q的數量依次實施該位置註冊處理。

然後，電腦22判定是否沒有要註冊的試料片保持器P(步驟S027)。該判定結果為「NO」的情況下，即要註冊的試料片保持器P的剩餘數量n為1以上的情況下，使處理返回上述的步驟S020，重複步驟S020至S027，直到試料片保持器P的剩餘數量n成為零為止。另一方面，在該判定結果為「YES」的情況下，即要註冊的試料片保持器P的剩餘數量n為零的情況下，使處理進入步驟S030。

由此，在由1個試料S自動製作數十個試料片Q的情況下，在保持器固定台12a上對複數個試料片保持器P進行位置註冊，對各個柱狀部34的位置進行圖像註冊，因此，能夠馬上在帶電粒子束的視野內調出要安裝數十個試料片Q的特定的試料片保持器P以及特定的柱狀部34。

另外，在該位置註冊處理(步驟S020、S023)中，萬一試料片保持器P本身或柱狀部34變形、破損，而未處於能夠安裝試料片Q的狀態的情況下，與上述的位置座標、圖 像資料編碼號一起對應地預先註冊「不可使用」(表示不能安裝試料片Q的記載)等。由此，電腦22在進行後述的試料片Q的移設時，能夠跳過「不可使用」的試料片保持器P或柱狀部34，使下一個正常的試料片保持器P或柱狀部34移動到觀察視野內。

接著，電腦22生成針18的樣板(步驟S030至S050)。樣板用於後述的使準確地接近試料片時的圖像匹配。

在該樣板生成工程中，首先，電腦22藉由平台驅動機構13使平台12暫時移動。然後，電腦22藉由針驅動機構19使針18移動至初始設定位置(步驟S030)。初始設定位置是如下預先決定的位置：該位置是聚焦離子束和電子束基本能夠照射到同一點，且兩射束的焦點重合的點(疊合點；coincidence point)，藉由之前剛剛進行的平台移動，在針18的背景中不存在試料S等會誤辨識為針18這樣的複雜的構成。該疊合點是能夠藉由聚焦離子束照射和電子束照射從不同的角度對相同的物件物進行觀察的位置。

接著，電腦22藉由基於電子束照射的吸收圖像模式來辨識針18的位置(步驟S040)。

電腦22藉由掃描電子束並對針18進行照射，從而檢測流入到針18的吸收電流，生成吸收電流圖像資料。此時，在吸收電流圖像中，不存在會誤辨識為針18的背景，因此，能夠不被背景圖像影響地辨識針18。電腦22藉由電子束的照射來取得吸收電流圖像資料。關於使用吸收電流像 生成樣板，當針接近試料片時，多數情況下在針的背景中存在試料片的加工形狀和試料表面的圖案等誤辨識為針的形狀，因此，如果使用二次電子像則誤辨識可能性高，為了防止誤辨識，使用不受背景影響的吸收電流像。二次電子像容易受到背景像的影響，誤辨識可能性高，因此不適合作為樣板圖像。這樣，在吸收電流圖像中，無法辨識針前端的碳沉積膜，因此無法得知真正的針前端，但是，根據與樣板的圖案匹配的觀點，吸收電流像是適合的。

這裡，電腦22判定針18的形狀(步驟S042)。

萬一，在由於針18的前端形狀變形或破損等而處於無法安裝試料片Q的狀態的情況下(步驟S042；NG)，從步驟S043跳至圖38的步驟S280的NO側，不執行步驟S050以後的全部步驟，結束自動取樣的動作。即，在針前端形狀不良的情況下，無法執行後面的作業，進入裝置操作者的針更換的作業。關於步驟S042中的針形狀的判斷，例如在每邊200μm的觀察視野內，在針前端位置從規定的位置偏離100μm以上的情況下，判斷為不良品。另外，在步驟S042中判斷為針形狀不良的情況下，顯示裝置21中顯示“針不良”等(步驟S043)，對裝置的操作者進行警告。可以將判斷為不良品的針18更換為新的針18，或者如果是輕微的不良，則藉由聚焦離子束照射而對針前端進行成形。

在步驟S042中，如果針18是預先決定的正常的形狀，則進入接下來的步驟S044。

這裡，對針前端的狀態進行說明。

圖6的(A)是為了說明在針18(鎢針)的前端附著碳沉積膜DM的殘渣的狀態而對針前端部進行放大的示意圖。關於針18，在針18前端附著對試料片Q進行過保持的碳沉積膜DM的殘渣，以使得其前端不會由於聚焦離子束照射而被切除並變形，能夠複數次重複進行取樣操作來使用。藉由重複進行取樣，該碳沉積膜DM的殘渣逐漸變大，成為比鎢針的前端位置稍微突出的形狀。因此，針18的真正的前端座標不是原本的構成針18的鎢的前端W，而成為碳沉積膜DM的殘渣的前端C。關於使用吸收電流像生成樣板，當針18接近試料片Q時，多數情況下在針18的背景中存在試料片Q的加工形狀、試料表面的圖案等會誤辨識為針18的形狀，因此，如果使用二次電子像則誤辨識的可能性高，為了防止誤辨識，使用不受背景影響的吸收電流像。二次電子像容易受到背景像的影響，誤辨識的可能性高，因此不適合作為樣板圖像。這樣，由於吸收電流圖像中無法辨識針前端的碳沉積膜DM，因此，無法得知真正的針前端，但是，根據與樣板的圖案匹配的觀點，吸收電流像是適合的。

圖6的(B)是附著碳沉積膜DM的針前端部的吸收電流像的示意圖。即使在背景中存在複雜的圖案，也不受背景形狀的影響，能夠明確辨識針18。由於背景中照射的電子束訊號不反映到圖像，因此，背景以雜訊水準相同的灰色調表示。另一方面，碳沉積膜DM看起來比背景的灰色調稍暗，可知，藉由吸收電流像無法明確確認碳沉 積膜DM的前端。由於藉由吸收電流像無法辨識包含碳沉積膜DM的真正的針位置，因此，如果僅依靠吸收電流像而使針18移動，則針前端與試料片Q碰撞的可能性高。

因此，以下，根據碳沉積膜DM的前端座標C求出針18的真正的前端座標。另外，這裡，將圖6的(B)的圖像稱作第1圖像。

取得針18的吸收電流像(第1圖像)的工程是步驟S044。

接著，對圖6的(B)的第1圖像進行影像處理，抽出比背景亮的區域(步驟S045)。

圖7的(A)是示出對圖6的(B)的第1圖像進行影像處理而抽出比背景亮的區域的示意圖。當背景與針18的明亮度之差較小時，也可以提高圖像對比度，增大背景與針之間的明亮度的差。這樣，得到強調了比背景亮的區域(針18的一部分)的圖像，這裡，將該圖像稱作第2圖像。將該第2圖像儲存到電腦中。

接著，在圖6的(B)的第1圖像中，抽出比背景的明亮度暗的區域(步驟S046)。

圖7的(B)是示出對圖6的(B)的第1圖像進行影像處理而抽出比背景暗的區域的示意圖。僅針前端的碳沉積膜DM被抽出而顯示。當背景與碳沉積膜DM之間的明亮度的差較小時，也可以提高圖像對比度，在圖像資料上增大背景與碳沉積膜DM之間的明亮度的差。這樣，得到使比背景暗的區域顯現的圖像。這裡，將該圖像稱作第3 圖像，將第3圖像儲存到電腦22中。

接著，對電腦22中記憶的第2圖像和第3圖像進行合成(步驟S047)。

圖8是合成後的顯示圖像的示意圖。但是，在圖像上，為了便於觀察，可以僅對第2圖像中的針18的區域、第3圖像中的碳沉積膜DM的部分的輪廓進行線顯示，背景和針18、碳沉積膜DM的外周以外進行透明顯示，也可以僅背景透明，以相同顏色、相同色調對針18和碳沉積膜DM進行顯示。這樣，第2圖像和第3圖像原本基於第1圖像，因此，只要不是僅對第2圖像或第3圖像的一方進行放大縮小或旋轉等變形，則合成而得到的圖像是反映了第1圖像的形狀。這裡，將合成後的圖像稱作第4圖像，將該第4圖像儲存到電腦中。第4圖像以第1圖像為基礎，實施了對對比度進行調整並強調輪廓的處理，因此，第1圖像和第4圖像中的針形狀完全相同，輪廓變得明確，與第1圖像相比，碳沉積膜DM的前端明確。

接著，根據第4圖像，求出碳沉積膜DM的前端即碳沉積膜DM堆積得到的針18的真正的前端座標(步驟S048)。

從電腦22取出並顯示第4圖像，求出針18的真正的前端座標。針18的軸向上最突出的部位C是真正的針前端，根據圖像辨識自動地進行判斷，將前端座標儲存到電腦22中。

接著，為了進一步提高樣板匹配的精度，將與步驟S044時相同的觀察視野中的針前端的吸收電流圖像作為參 考圖像，在參考圖像資料中，以步驟S048中得到的針前端座標為基準，僅抽出包含針前端的一部分來作為樣板圖像，將該樣板圖像與步驟S048中得到的針前端的基準座標(針前端座標)對應起來註冊到電腦22中(步驟S050)。

接著，電腦22進行如下的處理，作為使針18接近試料片Q的處理。

另外，在步驟S050中，限定為與步驟S044時相同的觀察視野，但是不限於此，只要射束掃描的基準能夠進行管理即可，不限於同一視野。此外，在上述步驟S050的說明中，將樣板設為包含針前端部，但是，只要座標與基準座標對應，則也可以將不包含前端的區域作為樣板。

電腦22將使針18移動之前實際取得的圖像資料作為參考圖像資料，因此，不受到各個針18的形狀的不同所影響，能夠進行高精度的圖案匹配。進而，電腦22在背景不存在複雜的構造物的狀態下取得各圖像資料，因此，能夠求出準確的真正的針前端座標。此外，能夠取得能夠明確掌握排除了背景影響的針18的形狀的樣板。

另外，電腦22在取得各圖像資料時，為了增大物件物的辨識精度而使用預先記憶的理想的倍率、亮度、對比度等圖像取得條件。

此外，上述的生成柱狀部34的樣板的工程(S020至S027)與生成針18的樣板的工程(S030至S050)也可以相反。但是，在先執行生成針18的樣板的工程(S030至S050)的情況下，從後述的步驟S280返回的流程(E)也聯動。

<試料片拾取工程>

圖9是示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10進行的自動取樣的動作中的從試料S拾取試料片Q的工程的流程的流程圖。這裡，拾取是指，藉由基於聚焦離子束的加工和針，將試料片Q從試料S分離並摘出。

首先，電腦22藉由平台驅動機構13使平台12移動，以使作為對象的試料片Q進入帶電粒子束的視野。也可以使用作為目標的參考標記Ref的位置座標來使平台驅動機構13動作。

接著，電腦22使用帶電粒子束的圖像資料，對預先在試料S上形成的參考標記Ref進行辨識。電腦22使用辨識出的參考標記Ref，根據已知的參考標記Ref與試料片Q之間的相對位置關係來辨識試料片Q的位置，以使得試料片Q的位置進入觀察視野的方式進行平台移動(步驟S060)。

接著，電腦22藉由平台驅動機構13驅動平台12，以使得試料片Q的姿勢成為規定姿勢(例如，適合於針18進行取出的姿勢等)的方式，使平台12繞Z軸旋轉與姿勢控制模式對應的角度(步驟S070)。

接著，電腦22使用帶電粒子束的圖像資料來辨識參考標記Ref，根據已知的參考標記Ref與試料片Q之間的相對位置關係來辨識試料片Q的位置，進行試料片Q的對位(步驟S080)。接著，電腦22進行以下的處理，作為使針18接近試料片Q的處理。

電腦22執行藉由針驅動機構19使針18移動的針移動(粗調整)(步驟S090)。電腦22使用基於針對試料S的聚焦離子束和電子束得到的各圖像資料，辨識參考標記Ref(參照上述的圖2)。電腦22使用辨識出的參考標記Ref來設定針18的移動目標位置AP。

這裡，移動目標位置AP為與試料片Q較近的位置。移動目標位置AP例如為與試料片Q的支撐部Qa的相反側的側部接近的位置。電腦22將移動目標位置AP與試料片Q的形成時的加工框F對應為規定的位置關係。電腦22記憶有藉由聚焦離子束的照射在試料S上形成試料片Q時的加工框F與參考標記Ref之間的相對的位置關係的資訊。電腦22使用辨識出的參考標記Ref，使用參考標記Ref、加工框F以及移動目標位置AP(參照圖2)之間的相對的位置關係，使針18的前端位置朝向移動目標位置AP在三維空間內移動。電腦22在使針18三維地移動時，例如，首先，使其在X方向和Y方向上移動，接著在Z方向上移動。

電腦22在使針18移動時，使用在形成試料片Q的自動加工的執行時在試料S上形成的參考標記Ref，藉由從基於電子束和聚焦離子束的不同方向進行觀察，能夠高精度地掌握針18與試料片Q之間的三維的位置關係，能夠適當地使針18移動。

另外，在上述的處理中，電腦22使用參考標記Ref，使用參考標記Ref、加工框F以及移動目標位置AP之間的相對的位置關係，使針18的前端位置朝向移動目標 位置AP在三維空間內移動，但是不限於此。也可以是，電腦22不使用加工框F，而使用參考標記Ref與移動目標位置AP之間的相對的位置關係，使針18的前端位置朝向移動目標位置AP在三維空間內移動。

接著，電腦22執行藉由針驅動機構19使針18移動的針移動(微調整)(步驟S100)。電腦22使用步驟S050中生成的樣板反覆進行圖案匹配，此外，使用步驟S047中得到的針前端座標作為SEM圖像內的針18的前端位置，在對包含移動目標位置AP的照射區域照射了帶電粒子束的狀態下，在三維空間內使針18從移動目標位置AP移動到連接加工位置。

接著，電腦22進行使針18的移動停止的處理(步驟S110)。

圖10是用於說明使針與試料片連接時的位置關係的圖，是對試料片Q的端部進行放大的圖。在圖10中，將要連接針18的試料片Q的端部(截面)配置在SIM圖像中心35，從SIM圖像中心35隔開規定距離L1，例如將試料片Q的寬度的中央的位置設為連接加工位置36。連接加工位置也可以是試料片Q的端面的延長線上(圖10的符號36a)的位置。該情況下，成為沉積膜容易附著的位置，是理想的。電腦22將規定距離L1的上限設為1μm，理想將規定距離L1設為100nm以上且400nm以下。當規定距離L1小於100nm時，在後面的工程中，在將針18和試料片Q分離時無法僅切斷連接的沉積膜，將針18也切除的風險高。針18的切除會使 針18短小化，針前端變得較粗，如果反覆進行該處理，則不得不更換針18，違反了本發明的目的即反覆自動進行取樣。此外，相反地，如果規定距離L1超過400nm，則沉積膜的連接不充分，試料片Q的摘出失敗的風險高，妨礙反覆取樣。

此外，從圖10看不到深度方向的位置，但是，例如預先決定為試料片Q的寬度的1/2的位置。但是，該深度方向也不限於該位置。將該連接加工位置36的三維座標預先儲存到電腦22中。

電腦22指定預先設定的連接加工位置36。電腦22根據位於相同的SIM圖像或SEM圖像內的針18前端和連接加工位置36的三維座標，使針驅動機構19進行動作，將針18移動到規定的連接加工位置36。電腦22在針前端與連接加工位置36一致時，使針驅動機構19停止。

圖11和圖12示出針18接近試料片Q的樣子，是示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像的圖(圖11)，和藉由電子束得到的圖像的圖(圖12)。圖12示出針的微調整前後的樣子，圖12中的針18a示出處於移動目標位置的針18，針18b示出在針18的微調整後，移動到連接加工位置36後的針18，是同一針18。另外，在圖11和圖12中，除了聚焦離子束和電子束中觀察方向不同以外，觀察倍率也不同，但是，觀察物件和針18是相同的。

藉由這種針18的移動方法，能夠使針18高精度且迅速 地接近試料片Q附近的連接加工位置36並停止。

接著，電腦22進行將針18與試料片Q連接的處理(步驟S120)。電腦22在規定的沉積時間範圍內，藉由氣體供給部17對試料片Q和針18的前端表面供給作為沉積用氣體的碳系氣體，並且對在連接加工位置36設定的包含加工框R1的照射區域照射聚焦離子束。由此，電腦22藉由沉積膜將試料片Q和針18連接。

在該步驟S120中，電腦22不使針18與試料片Q直接接觸，而是在隔開間隔的位置處藉由沉積膜進行連接，因此，在後面的工程中，在藉由基於聚焦離子束照射的切斷而使針18和試料片Q分離時，針18不會被切斷。此外，具有如下優點：能夠防止發生由於針18與試料片Q直接接觸而引起的損傷等不良情況。進而，即使針18振動，也能夠抑制該振動傳遞到試料片Q。並且，即使在發生由於試料S的蠕動(creeping)現象而引起的試料片Q的移動的情況下，也能夠抑制針18與試料片Q之間產生過度翹曲。圖13示出該樣子，是示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中，包含針18和試料片Q的連接加工位置在內的加工框R1(沉積膜形成區域)的圖，圖14是圖13的放大說明圖，便於理解針18、試料片Q和沉積膜形成區域(例如，加工框R1)的位置關係。針18將與試料片Q之間具有規定距離L1的間隔的位置作為連接加工位置，接近該連接加工位置並停止。針18、試料片Q、沉積膜形成區域(例如，加工框R1)以跨越針18和試料片Q 的方式設定。沉積膜還在規定距離L1的間隔形成，針18和試料片Q藉由沉積膜連接。

電腦22在將針18與試料片Q連接時，取之後將與針18連接的試料片Q移設至試料片保持器P時與事先在步驟S010中選擇出的各接近模式對應的連接姿勢。電腦22與後述複數個(例如，3個)不同的接近模式分別對應地，取得針18和試料片Q的相對的連接姿勢。

另外，電腦22也可以藉由檢測針18的吸收電流的變化，判定基於沉積膜的連接狀態。也可以是，電腦22在針18的吸收電流達到預先決定的電流值時判定為試料片Q和針18已經藉由沉積膜而連接，不論有無經過規定的沉積時間皆停止沉積膜的形成。

接著，電腦22進行將試料片Q與試料S之間的支撐部Qa切斷的處理(步驟S130)。電腦22使用試料S上形成的參考標記Ref，指定預先設定的支撐部Qa的切斷加工位置T1。

電腦22在規定的切斷加工時間內，對切斷加工位置T1照射聚焦離子束，從而將試料片Q從試料S分離。圖15示出該樣子，是示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中的試料S和試料片Q的支撐部Qa的切斷加工位置T1的圖。

電腦22藉由檢測試料S與針18的導通，從而判定試料片Q是否從試料S切離(步驟S133)。

電腦22在未檢測到試料S與針18的導通的情況下，判 定為試料片Q從試料S切離(OK)，繼續執行以後的處理(即，步驟S140以後的處理)。另一方面，電腦22在切斷加工結束後，即切斷加工位置T1處的試料片Q與試料S之間的支撐部Qa的切斷完成後，檢測到試料S與針18的導通的情況下，判定為試料片Q未從試料S切離(NG)。電腦22在判定為試料片Q未從試料S切離(NG)的情況下，藉由對顯示裝置21的顯示或警告音等來報知該試料片Q與試料S的分離未完成(步驟S136)。然後，停止此後的處理的執行。該情況下，電腦22也可以藉由聚焦離子束照射來切斷連接試料片Q和針18的沉積膜(後述的沉積膜DM2)，將試料片Q和針18分離，使針18返回到初始位置(步驟S060)。返回到初始位置的針18實施下一個試料片Q的取樣。

接著，電腦22進行針退避的處理(步驟S140)。電腦22藉由針驅動機構19使針18向鉛直方向上方(即Z方向的正方向)上升規定距離(例如，5μm等)。圖16示出該樣子，是示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的電子束得到的圖像資料中的使連結有試料片Q的針18退避的狀態的圖。

接著，電腦22進行平台退避的處理(步驟S150)。如圖17所示，電腦22藉由平台驅動機構13使平台12移動規定距離。例如，向鉛直方向下方(即Z方向的負方向)下降1mm、3mm、5mm。電腦22在使平台12下降規定距離後，使氣體供給部17的噴嘴17a遠離平台12。例如，使其上升到鉛直方向上方的待機位置。圖17示出該樣子，是示出藉 由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的電子束得到的圖像資料中的使平台12相對於連接有試料片Q的針18退避的狀態的圖。

接著，電腦22進行試料片Q的姿勢控制的處理(步驟S153)。電腦22能夠藉由針驅動機構19使針18軸旋轉，因此，能夠根據需要來控制試料片Q的姿勢。電腦22使針18上連接的試料片Q繞針18的軸旋轉，相對於試料片保持器P對試料片Q的上下或左右進行變更。例如，電腦22將試料片Q的姿勢設定為，使得試料片Q中的原來的試料S的表面相對於柱狀部34的端面而成為垂直關係或平行關係。由此，電腦22例如能夠確保適合於之後執行的整形加工和精加工的試料片Q的姿勢，並且能夠降低試料片Q的薄片化精加工時產生的簾幕效應(curtain effect)的影響等。簾幕效應是在聚焦離子束照射方向上產生的加工條紋圖案，在藉由電子顯微鏡觀察完成後的試料片Q的情況下，會給出錯誤的解釋，由此，藉由確保試料片Q的適當的姿勢，能夠提高觀察的可靠性。另外，電腦22在使針18進行軸旋轉時進行偏心修正，從而對旋轉進行校正，使得試料片Q不會從實際視野中脫出。

在該姿勢控制中，首先，電腦22藉由針驅動機構19對針18進行驅動，使針18的軸旋轉與接近模式對應的姿勢控制模式的旋轉角度，以使得試料片Q的姿勢成為與接近模式對應的規定姿勢。這裡，與接近模式對應的姿勢控制模式是相對於試料片保持器P而將試料片Q的姿勢 控制成與接近模式對應的規定姿勢的模式。在該姿勢控制模式中，電腦22針對在上述試料片拾取工程中以規定的角度接近試料片Q並連接了試料片Q的針18，使針18的軸旋轉為規定的旋轉角度，從而控制試料片Q的姿勢。接近模式是將藉由姿勢控制模式而控制成規定姿勢的試料片Q向試料片保持器P接近的模式。電腦22在使針18進行軸旋轉時進行偏心修正。圖18~圖23示出該樣子，是分別在複數個(例如，3個)不同的接近模式中示出連接有試料片Q的針18的狀態的圖。

圖18和圖19是示出在針18的旋轉角度為0°的接近模式中，藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中的連接有試料片Q的針18的狀態(圖18)、以及藉由電子束得到的圖像資料中的連接有試料片Q的針18的狀態(圖19)的圖。電腦22在針18的旋轉角度為0°的接近模式中，設定適合於不使針18旋轉而將試料片Q移設至試料片保持器P的姿勢狀態。

圖20和圖21是示出在針18的旋轉角度為90°的接近模式中，藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中的使連接有試料片Q的針18旋轉90°的狀態(圖20)、以及藉由電子束得到的圖像資料中的使連接有試料片Q的針18旋轉90°的狀態(圖21)的圖。電腦22在針18的旋轉角度為90°的接近模式中，設定適合於以使針18旋轉90°的狀態將試料片Q移設至試料片保持器P的姿勢狀態。

圖22和圖23是示出在針18的旋轉角度為180°的接近模式中，藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中的使連接有試料片Q的針18旋轉180°的狀態(圖22)、以及藉由電子束得到的圖像資料中的使連接有試料片Q的針18旋轉180°的狀態(圖23)的圖。電腦22在針18的旋轉角度為180°的接近模式中，設定適合於以使針18旋轉180°的狀態將試料片Q移設至試料片保持器P的姿勢狀態。

另外，關於針18與試料片Q的相對的連接姿勢，預先在上述試料片拾取工程中，在以規定的角度使針18接近試料片Q而將針18與試料片Q連接時，設定為適合於各姿勢控制模式的連接姿勢。

接著，電腦22進行試料片Q的整形加工的處理(步驟S155)。在該整形加工的處理中，首先，電腦22根據需要而進行使聚焦離子束的掃描方向旋轉的掃描旋轉。電腦22藉由掃描旋轉，使掃描方向以使得試料片Q的規定方向與聚焦離子束的掃描方向平行的旋轉角度旋轉，由此，使掃描區域相對於基於聚焦離子束的觀察視野的中心而旋轉。電腦22與在後面的處理中抽出試料片Q的規定方向上的邊緣對應地，使試料片Q的規定方向與聚焦離子束的掃描方向平行，由此，提高圖像資料中的對試料片Q的邊緣抽出的精度。

在本實施方式中，電腦22例如在後面的處理中，將試料片Q的厚度方向上的與連接針18的試料片Q的 表面Q1相反的一側的部位(即，試料片Q的底部Q2)連接到試料片保持器P的柱狀部34的情況下，在試料片Q的底部Q2抽出邊緣。另外，試料片Q的厚度方向對應于原來的試料S的加工時的深度方向。該情況下，電腦22藉由掃描旋轉使聚焦離子束的掃描方向旋轉，以使得與藉由聚焦離子束得到的圖像資料中的試料片Q的厚度方向(即，原來的試料S的加工時的深度方向)平行。由此，電腦22提高之後執行的試料片Q的底部Q2的邊緣抽出和對試料片Q的底部Q2的整形加工的加工框設定的精度。例如，圖24是示出針18的旋轉角度為90°的接近模式中，在藉由使聚焦離子束的掃描方向旋轉-68°的掃描旋轉而得到的圖像資料中連接有試料片Q的針18的狀態的圖。在圖24中，試料片Q的厚度方向(即，原來的試料S的加工時的深度方向)與圖像資料的X軸方向平行，試料片Q的底部Q2的邊緣抽出容易。

接著，電腦22在藉由根據需要執行的掃描旋轉而得到的圖像資料中、或未執行掃描旋轉而藉由聚焦離子束得到的圖像資料中，抽出試料片Q的規定方向上的邊緣。例如，圖25是示出根據圖24的圖像資料，在試料片Q的厚度方向的底部Q2處抽出的2個邊緣E1、E2的一例的圖。

接著，電腦22在圖像資料中，根據在試料片Q的規定方向上抽出的邊緣，設定對試料片Q的整形加工區域進行劃定的加工框Ta。關於基於該加工框Ta的整形後的試料片Q，希望被整形為與柱狀部34接觸的端面與柱狀部34的連 接面基本平行。例如，電腦22設定加工框Ta，該加工框Ta用於藉由試料片Q的整形加工，在試料片Q上形成與試料片保持器P的柱狀部34的連接面(例如，側面等的端面)平行的端面。例如，圖26是示出根據圖25的圖像資料中的2個邊緣E1、E2以包含試料片Q的底部Q2的方式設定的加工框Ta的一例的圖。

接著，電腦22對基於根據圖像資料設定的加工框Ta的整形加工區域照射聚焦離子束，從而進行試料片Q的整形加工。例如，電腦22根據包含試料片Q的底部Q2的加工框Ta而對試料片Q進行蝕刻加工，形成與試料片保持器P的柱狀部34的連接面平行的端面。例如，圖27是示出藉由使用聚焦離子束的整形加工而具有與試料片保持器P的柱狀部34的連接面34A(例如，側面等)平行的端面QA的試料片Q的一例的圖。

另外，電腦22在整形加工的處理中，在用戶輸入了整形後的試料片Q的大小或試料片Q的整形加工位置等與加工框的設定有關的指示的情況下，根據該指示對試料片Q進行整形加工。例如，電腦22受理作為用於設定試料片Q的整形加工的加工位置的基準的與試料片Q的表面相距的距離Lb的輸入。然後，電腦22在試料片Q的規定方向(例如，與原來的試料S的加工時的深度方向對應的厚度方向等)上的與試料片Q的表面(例如，連接針18的表面Q1等)相距距離Lb的位置處設定加工框Tb。例如，圖28是示出在圖24所示的圖像資料中，以用戶指示的與試料片Q 的表面Q1相距的距離Lb為基準而對試料片Q設定的加工框Tb的一例的圖。圖28所示的加工框Tb包含從試料片Q的表面Q1向厚度方向的底部Q2側的距離Lb的位置以後的部位。另外，例如，在事先掌握試料片Q的觀察方向(圖28所示的Y軸方向)的表面(觀察面)Q3側包含觀察物件，不需要試料片Q的厚度方向(圖28所示的X軸方向)的適當的部位等情況下，由使用者輸入距離Lb的指示。

圖29是示出藉由對圖28所示的加工框Tb照射聚焦離子束而執行去除試料片Q的底部Q2側的部位的整形加工後、具有與試料片保持器P的柱狀部34的連接面34A(例如，側面等)平行的端面QA的試料片Q的一例的圖。由此，電腦22容易從後述的樣板進行邊緣抽出，並且，確保適合於後面執行的精加工的試料片Q的形狀。

此外，電腦22在整形加工的執行後，也可以執行清潔加工，以去除由於整形加工而產生的濺鍍粒子附著於試料片Q的觀察面Q3而形成的再沉積。電腦22例如如圖29所示，設定包含觀察面Q3的清潔用加工框Tc，對基於清潔用加工框Tc的加工區域照射聚焦離子束，從而執行清潔加工。

此外，電腦22也可以在整形加工的處理中，根據藉由基於帶電粒子束的試料片Q的觀察像而辨識的試料片Q的器件構造等的圖案，來設定加工框Ta。例如，圖30是示出在針18的旋轉角度為180°的接近模式中，藉由聚焦離子束得到的圖像資料中的使連接有試料片Q的針18旋 轉180°的狀態的圖。圖30所示的試料片Q具有露出器件構造DS的表面(例如，由原來的試料S形成的截面Q4)。

電腦22在整形加工的處理中，首先，進行使聚焦離子束的掃描方向旋轉的掃描旋轉。例如，圖31是示出在針18的旋轉角度為180°的接近模式中，在藉由使聚焦離子束的掃描方向旋轉22°的掃描旋轉得到的圖像資料中連接有試料片Q的針18的狀態的圖。接著，電腦22根據圖31所示的圖像資料，使用預先掌握的圖案等進行圖案匹配，從而辨識在試料片Q的截面Q4露出的器件構造DS。電腦22在試料片Q中的不存在器件構造DS的部位設定加工框Ta，以使得不與器件構造DS干涉。例如，圖32是示出根據圖31的圖像資料，為了去除試料片Q的不存在器件構造DS的部位而設定的加工框Ta的一例的圖。圖32所示的加工框Ta包含從連接針18的試料片Q的表面Q1到厚度方向上的底部Q2側的部位。接著，電腦22對根據圖32所示的圖像資料而設定的加工框Ta的整形加工區域照射聚焦離子束，從而對試料片Q進行蝕刻加工，對試料片Q進行整形。

此外，關於試料片Q的底面QB(底部Q2的表面)的形狀，由於從原來的試料S進行切出加工，而相對於厚度方向的垂直方向傾斜，因此，電腦22藉由整形加工的處理將底面QB整形為平坦(即成為與厚度方向垂直)。例如，圖33是示出以試料片Q的底面成為與柱狀部34的上端面相同的朝向的方式將試料片Q固定於柱狀部34的狀態的一例的圖。圖34是示出使用聚焦離子束對圖33所示的試料 片Q進行精加工的狀態的一例的圖。在圖33和圖34中，以使得試料片Q的底面QB成為與柱狀部34的上端面34B相同的朝向的方式(即以使得試料片Q的表面Q1配置在柱狀部34的根側，試料片Q的底面QB配置在柱狀部34的上端側的方式)，將試料片Q固定於柱狀部34，然後，實施藉由聚焦離子束FB使試料片Q薄片化的精加工。該情況下，當聚焦離子束FB入射的一側即底面QB不平坦時，底面QB與表側截面(從原來的試料S進行切出加工時形成的截面)QC所成的角度不同於底面QB與表側截面(從原來的試料S進行切出加工時形成的截面)QD所成的角度。因此，由於因底部Q2的2個邊緣E1、E2而產生的邊緣效果，試料片Q的表側截面QC與背側截面QD的加工速度會不同，產生無法以均一的速度對試料片Q的表側和背側進行加工的問題。針對這種問題，藉由實施使試料片Q的底面QB平坦的整形加工，上述所成的角度均成為90°，能夠進行以均一的速度對試料片Q的兩面進行切削的精加工。

此外，藉由對試料片Q的底部Q2進行整形加工，邊緣E1、E2的圖像變得鮮明，容易進行圖像辨識。由此，能夠利用後述試料片架設工程中的樣板匹配對試料片Q的位置進行準確辨識。

此外，電腦22藉由對試料片Q的底部Q2進行整形加工，能夠以使得柱狀部34的上端面34B與試料片Q的底面QB成為同一面的方式進行固定。例如，圖35是示出藉由聚焦離子束得到的圖像中，柱狀部34的漂移修正標記M和 試料片Q的加工框Td的一例的圖。由此，在固定後進行精加工的情況下，當將漂移修正標記M形成於柱狀部34的上端面34B，並使用該標記M對試料片Q的底面QB設定加工框Td而進行精加工時，由於漂移修正標記M和加工框Td位於同一面內，因此能夠減輕位置偏離。特別地，在精加工中由於平台傾斜而從傾斜方向對試料片Q進行加工的情況下，如果漂移修正標記M所在的柱狀部34的上端面34B與試料片Q的底面QB之間存在階梯差，則漂移修正標記M與加工框Td的位置關係會產生偏離，存在無法在準確的位置進行加工的問題。針對該問題，以使得漂移修正標記M與加工框Td成為同一面的方式對試料片Q進行固定，由此，即使平台傾斜也不會產生階梯差，能夠進一步減輕加工位置偏離。

在執行整形加工的處理後，電腦22使平台驅動機構13進行動作，使得成為相互連接的針18和試料片Q的背景不存在構成物的狀態。這是為了在後續的處理(步驟170)中生成針18和試料片Q的樣板時，根據藉由聚焦離子束和電子束而分別得到的試料片Q的圖像資料來可靠地辨識針18和試料片Q的邊緣(輪廓)。電腦22使平台12移動規定距離。判斷試料片Q的背景(步驟S160)，如果背景沒有問題，則進入接下來的步驟S170，如果背景有問題，則使平台12再移動規定量(步驟S165)，返回背景的判斷(步驟S160)，重複直到背景沒有問題。

電腦22執行針18和試料片Q的樣板生成(步驟 S170)。電腦22生成根據需要而使固定有試料片Q的針18旋轉後的姿勢狀態(即，在試料台33的柱狀部34上連接試料片Q的姿勢)的針18和試料片Q的樣板。由此，電腦22根據針18的旋轉，根據藉由聚焦離子束和電子束分別得到的圖像資料來三維地辨識針18和試料片Q的邊緣(輪廓)。另外，也可以是，電腦22在針18的旋轉角度為0°的接近模式中，不需要電子束，根據藉由聚焦離子束得到的圖像資料來辨識針18和試料片Q的邊緣(輪廓)。

電腦22在向平台驅動機構13或針驅動機構19指示了使平台12移動到針18和試料片Q的背景中不存在構成物的位置時，在針18未到達實際指示的位置的情況下，使觀察倍率成為低倍率來尋找針18，在沒有找到的情況下，對針18的位置座標進行初始化，使針18移動到初始位置。

在該樣板生成(步驟S170)中，首先，電腦22取得針對試料片Q和連接有試料片Q的針18的前端形狀的樣板匹配用的樣板(參考圖像資料)。電腦22一邊掃描照射位置一邊對針18照射帶電粒子束(聚焦離子束和電子束)。電腦22從藉由帶電粒子束的照射而由針18放出的二次帶電粒子R(二次電子等)的複數個不同方向取得各圖像資料。電腦22藉由聚焦離子束照射和電子束照射來取得各圖像資料。電腦22將從2個不同方向取得的各圖像資料作為樣板(參考圖像資料)而進行記憶。

電腦22將如下的圖像資料作為參考圖像資料，因此能夠不受到試料片Q和針18的形狀影響而進行高精度的圖案 匹配，其中，該圖像資料是針對藉由聚焦離子束實際加工後的試料片Q和連接有試料片Q的針18而實際取得的圖像資料。

另外，電腦22在取得各圖像資料時，使用預先記憶的理想的倍率、亮度、對比度等圖像取得條件，以增大試料片Q和連接有試料片Q的針18的形狀的辨識精度。

接著，電腦22進行針退避的處理(步驟S180)。這是為了在後續的平台移動時防止與平台12非意圖地接觸。電腦22藉由針驅動機構19而使針18移動規定距離。例如，在鉛直方向上方(即Z方向的正方向)上升。相反，使針18在當場停止，使平台12移動規定距離。例如，可以在鉛直方向下方(即Z方向的負方向)下降。針退避方向不限於上述的鉛直方向，可以是針軸方向，也可以是其他的規定退避位置，只要是附著於針前端的試料片Q不會與試料室內的構成物接觸且不會被聚焦離子束照射的預定的位置即可。

接著，電腦22藉由平台驅動機構13使平台12移動，以使得在上述的步驟S020中註冊的特定的試料片保持器P進入基於帶電粒子束的觀察視野區域內(步驟S190)。圖36和圖37示出該樣子，特別地，圖36是藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像的示意圖，是示出柱狀部34的安裝試料片Q的安裝位置U的圖，圖37是藉由電子束得到的圖像的示意圖，是示出柱狀部34的安裝試料片Q的安裝位置U的圖。

這裡，判定期望的試料片保持器P的柱狀部34是否進入觀察視野區域內(步驟S195)，如果期望的柱狀部34進入觀察視野區域內，則進入接下來的步驟S200。如果期望的柱狀部34未進入觀察視野區域內，即，在平台驅動未相對於指定座標而正確地進行動作的情況下，對之前剛剛指定的平台座標進行初始化，返回平台12所具有的原點位置(步驟S197)。然後，再次指定事先註冊的期望的柱狀部34的座標，使平台12驅動(步驟S190)，重複直到柱狀部34進入觀察視野區域內。

接著，電腦22藉由平台驅動機構13使平台12移動來調整試料片保持器P的水準位置，並且，使平台12旋轉和傾斜與姿勢控制模式對應的角度，以使得試料片保持器P的姿勢成為規定姿勢。(步驟S200)。

藉由該步驟S200，能夠進行試料片Q和試料片保持器P的姿勢調整，使得原來的試料S表面端面與柱狀部34的端面成為平行或垂直的關係。特別地，假定藉由聚焦離子束對固定於柱狀部34的試料片Q進行薄片化加工，理想的是，進行試料片Q和試料片保持器P的姿勢調整，使得原來的試料S的表面端面與聚焦離子束照射軸成為垂直關係。此外，理想的是，進行試料片Q和試料片保持器P的姿勢調整，使得柱狀部34上固定的試料片Q的原來的試料S的表面端面與柱狀部34垂直，且位於聚焦離子束的入射方向的下游側。

這裡，判定試料片保持器P中的柱狀部34的形狀是否 良好(步驟S205)。雖然在步驟S023中對柱狀部34的圖像進行了註冊，但是，在之後的工程中，所指定的柱狀部34可能由於不能預期的接觸等而變形、破損、脫落等，該步驟S205用於判定柱狀部34的形狀是否良好。在該步驟S205中，如果判斷為相應柱狀部34的形狀沒有問題而良好，則進入接下來的步驟S210，如果判定為不良，則返回步驟S190，以使得下一個柱狀部34進入觀察視野區域內的方式使平台移動。

另外，電腦22在對平台驅動機構13指示了平台12的移動以使指定的柱狀部34進入觀察視野區域內時，在實際上所指定的柱狀部34未進入觀察視野區域內的情況下，對平台12的位置座標進行初始化，使平台12移動到初始位置。

然後，電腦22使氣體供給部17的噴嘴17a移動到聚焦離子束照射位置附近。例如，從平台12的鉛直方向上方的待機位置朝向加工位置下降。

<試料片架設工程>

這裡所說的“試料片架設工程”是將摘出的試料片Q移設至試料片保持器P的工程。

圖38是示出本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的自動取樣的動作中的，將試料片Q安裝(移設)於規定的試料片保持器P的規定的柱狀部34的工程的流程的流程圖。

電腦22使用藉由聚焦離子束和電子束照射得到的各圖像資料，對上述的步驟S020中記憶的試料片Q的移設位置 進行辨識(步驟S210)。電腦22執行柱狀部34的樣板匹配。電腦22實施樣板匹配，以確認梳齒形狀的試料台33的複數個柱狀部34中的出現在觀察視野區域內的柱狀部34是預先指定的柱狀部34。電腦22使用在生成預先柱狀部34的樣板的工程(步驟S020)中生成的每個柱狀部34的樣板，與藉由聚焦離子束和電子束各自的照射而得到的各圖像資料實施樣板匹配。

此外，電腦22在移動了平台12後實施的每個柱狀部34的樣板匹配中，判定是否斷定柱狀部34存在脫落等問題(步驟S215)。再斷定了柱狀部34的形狀存在問題的情況下(NG)，將用於移設試料片Q的柱狀部34變更為斷定存在問題的柱狀部34的相鄰的柱狀部34，針對該柱狀部34也進行樣板匹配，決定要移設的柱狀部34。如果柱狀部34的形狀不存在問題，以轉移到接下來的步驟S220。

此外，電腦22也可以從規定區域(至少包含柱狀部34的區域)的圖像資料抽出邊緣(輪廓)，將該邊緣圖案作為樣板。此外，電腦22在無法從規定區域(至少包含柱狀部34的區域)的圖像資料抽出邊緣(輪廓)的情況下，再次取得圖像資料。也可以是，將所抽出的邊緣顯示於顯示裝置21，與基於觀察視野區域內的聚焦離子束得到的圖像或基於電子束得到的圖像進行樣板匹配。

電腦22藉由平台驅動機構13驅動平台12，以使得藉由電子束的照射辨識出的安裝位置與藉由聚焦離子束的照射辨識出的安裝位置一致。電腦22藉由平台驅動機 構13驅動平台12，以使得試料片Q的安裝位置U與視野區域的視野中心(加工位置)一致。

接著，電腦22進行以下的步驟S220~步驟S250的處理，作為使與針18連接的試料片Q與試料片保持器P接觸的處理。

首先，電腦22辨識針18的位置(步驟S220)。電腦22檢測藉由針18照射帶電粒子束而流入針18的吸收電流，生成吸收電流圖像資料。電腦22藉由聚焦離子束照射和電子束照射而取得各吸收電流圖像資料。電腦22使用來自2個不同方向的各吸收電流圖像資料，檢測三維空間內的針18的前端位置。

另外，也可以是，電腦22使用檢測到的針18的前端位置，藉由平台驅動機構13驅動平台12，將針18的前端位置設定在預先設定的視野區域的中心位置(視野中心)。

接著，電腦22執行試料片架設工程。首先，電腦22為了準確辨識與針18連接的試料片Q的位置而實施樣板匹配。電腦22使用在預先針18和試料片Q的樣板生成工程(步驟S170)中生成的相互連接的針18和試料片Q的樣板，在藉由聚焦離子束和電子束各自的照射得到的各圖像資料中實施樣板匹配。

另外，電腦22在該樣板匹配中從圖像資料的規定的區域(至少包含針18和試料片Q的區域)抽出邊緣(輪廓)時，將抽出的邊緣顯示於顯示裝置21。此外，電腦22在樣板匹配中無法從圖像資料的規定的區域(至少包含針18和試料片Q 的區域)抽出邊緣(輪廓)的情況下，再次取得圖像資料。

然後，電腦22在藉由聚焦離子束和電子束各自的照射得到的各圖像資料中，使用相互連接的針18和試料片Q的樣板以及作為試料片Q的安裝對象的柱狀部34的樣板進行樣板匹配，計測試料片Q與柱狀部34之間的距離。

然後，電腦22最終僅藉由與平台12平行的平面內的移動，將試料片Q移設于作為試料片Q的安裝對象的柱狀部34。

在該試料片架設工程中，首先，電腦22執行藉由針驅動機構19使針18移動的針移動(步驟S230)。電腦22在藉由聚焦離子束和電子束各自的照射得到的各圖像資料中，使用針18和試料片Q的樣板以及柱狀部34的樣板進行樣板匹配，計測試料片Q與柱狀部34之間的距離。電腦22根據計測出的距離，使針18以朝向試料片Q的安裝位置的方式在三維空間內移動。

接著，電腦22在柱狀部34與試料片Q之間空出預先決定的空隙L2而使針18停止(步驟S240)。電腦22將該空隙L2設為1μm以下，理想將空隙L2設為100nm以上且500nm以下。

在該空隙L2為500nm以上的情況下也能夠進行連接，但是，基於沉積膜進行的柱狀部34與試料片Q的連接所需要的時間比規定值以上長，1μm並不理想。該空隙L2越小，則基於沉積膜進行的柱狀部34與試料片Q的連接所需要的時間越短，但是，重要的是不接觸。

另外，電腦22在設置該空隙L2時，也可以藉由檢測柱狀部34和針18的吸收電流圖像來設置兩者的空隙。

電腦22藉由檢測柱狀部34與針18之間的導通、或者柱狀部34和針18的吸收電流圖像，來檢測在將試料片Q移設至柱狀部34後，試料片Q與針18之間是否切離。

另外，電腦22在無法檢測柱狀部34與針18之間的導通的情況下，對處理進行切換以使得檢測柱狀部34和針18的吸收電流圖像。

此外，電腦22在無法檢測柱狀部34與針18之間的導通的情況下，也可以停止該試料片Q的移設，將該試料片Q從針18切離，執行後述的針修整工程。

接著，電腦22進行將與針18連接的試料片Q與柱狀部34連接的處理(步驟S250)。圖39、圖40分別是提高了圖36、圖37中的觀察倍率的圖像的示意圖。電腦22使針18接近，以使得如圖39那樣，試料片Q的一邊與柱狀部34的一邊成為一直線，並且如圖40那樣，試料片Q的上端面與柱狀部34的上端面成為同一面，當空隙L2成為規定的值時停止針驅動機構19。電腦22在具有空隙L2而停止在試料片Q的安裝位置狀況下，在圖39的基於聚焦離子束得到的圖像中，以包含柱狀部34的端部的方式設定沉積用的加工框R2。電腦22藉由氣體供給部17對試料片Q和柱狀部34的表面供給氣體，並且在規定時間範圍內對包含加工框R2的照射區域照射聚焦離子束。藉由該操作在聚焦離子束照射部形成沉積膜，空隙L2填滿，試料片Q與柱狀部34連 接。電腦22在藉由沉積將試料片Q固定於柱狀部34的工程中，在檢測到柱狀部34與針18之間的導通的情況下結束沉積。

電腦22進行試料片Q與柱狀部34的連接已經完成的判定(步驟S255)。步驟S255例如如下進行。預先在針18與平台12之間設置電阻計，檢測兩者的導通。當兩者隔開間隔(存在空隙L2)時，電阻無限大，但是，隨著兩者被導電性的沉積膜覆蓋而空隙L2被填充，兩者間的電阻值逐漸降低，確認成為預先決定的電阻值以下而判斷為電連接。此外，根據事先的研究，當兩者間的電阻值達到預先決定的電阻值時，沉積膜在力學上具有足夠的強度，能夠判定為試料片Q與柱狀部34充分連接。

另外，要檢測的不限於上述的電阻，只要能夠計測電流、電壓等柱狀部與試料片Q之間的電氣特性即可。此外，如果在預先決定的時間內不滿足預先決定的電氣特性(電阻值、電流值、電位等)，則電腦22延長沉積膜的形成時間。此外，電腦22能夠針對柱狀部34與試料片Q之間的空隙L2、照射射束條件、沉積膜用的氣體種類，預先求出能夠形成最佳的沉積膜的時間，預先記憶該沉積形成時間，在規定的時間停止沉積膜的形成。

電腦22在確認到試料片Q與柱狀部34的連接的時點，停止氣體供給和聚焦離子束照射。圖41示出該樣子，是示出在基於本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中，將與針18連接的試料片Q與柱狀 部34連接的沉積膜DM1的圖。

另外，在步驟S255中，電腦22也可以藉由檢測針18的吸收電流的變化來判定基於沉積膜DM1的連接狀態。

也可以是，電腦22在根據針18的吸收電流的變化而判定為試料片Q和柱狀部34已經藉由沉積膜DM1連接的情況下，無論有無經過規定時間，停止沉積膜DM1的形成。如果能夠確認連接完成，則轉移到接下來的步驟S260，如果連接未完成，則在預先決定的時間停止聚焦離子束照射和氣體供給，藉由聚焦離子束切斷對試料片Q和針18進行連接的沉積膜DM2，丟棄針前端的試料片Q。轉移到使針退避的動作(步驟S270)。

接著，電腦22進行如下處理：切斷對針18和試料片Q進行連接的沉積膜DM2，使試料片Q和針18分離(步驟S260)。

上述圖41示出該樣子，是示出藉由本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像資料中的、用於切斷對針18和試料片Q進行連接的沉積膜DM2的切斷加工位置T2的圖。電腦22將如下位置設定為切斷加工位置T2，該位置是從柱狀部34的側面離開規定距離(即，從柱狀部34的側面到試料片Q的空隙L2與試料片Q的大小L3之和)L、與針18和試料片Q的空隙的規定距離L1(參照圖41)的一半之和(L+L1/2)的位置。此外，也可以將切斷加工位置T2設為離開了規定距離L與針18和試料片Q的空隙的 規定距離L1之和(L+L1)的位置。該情況下，針前端殘存的沉積膜DM2(碳沉積膜)較小，針18的清潔(後述)作業的機會變少，對於連續自動取樣來講是理想的。

電腦22藉由在規定時間範圍內對切斷加工位置T2照射聚焦離子束，能夠將針18從試料片Q分離。電腦22藉由在規定時間範圍內對切斷加工位置T2照射聚焦離子束，從而僅切斷沉積膜DM2，將針18從試料片Q分離，而不會切斷針18。在步驟S260中，僅切斷沉積膜DM2是重要的。由此，進行了1次設置的針18能夠在長時間內反覆使用而不進行更換，因此能夠無人地連續重複自動取樣。圖42示出該樣子，是示出基於本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束的圖像資料的針18從試料片Q被切離的狀態的圖。在針前端附有沉積膜DM2的殘渣。

電腦22藉由檢測試料片保持器P與針18的導通，判定針18是否從試料片Q切離(步驟S265)。電腦22在切斷加工結束後、即為了切斷切斷加工位置T2處的針18與試料片Q之間的沉積膜DM2而進行了規定時間的聚焦離子束照射後還檢測到試料片保持器P與針18的導通的情況下，判定為針18沒有從試料台33切離。電腦22在判定為針18沒有從試料片保持器P切離的情況下，在顯示裝置21中顯示該針18與試料片Q的分離未完成，或者藉由警報音對操作者進行報知。然後，停止這以後的處理的執行。另一方面，電腦22在未檢測到試料片保持器P與針18的導通的情況下，判定為針18從試料片Q切離，繼續執行這以後的 處理。

接著，電腦22進行針退避的處理(步驟S270)。電腦22藉由針驅動機構19使針18從試料片Q遠離規定距離。例如，向鉛直方向上方、即Z方向的正方向上升2mm、3mm等。圖43和圖44示出該樣子，分別是示出使針18從試料片Q向上方退避後的狀態的、基於本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10的聚焦離子束得到的圖像的示意圖(圖43)和基於電子束得到的圖像的示意圖(圖44)。

接著，判斷是否接著從相同的試料S的不同部位繼續取樣(步驟S280)。要取樣的個數的設定在步驟S010中事先進行了註冊，因此，電腦22確認該資料而判斷接下來的步驟。在繼續取樣的情況下，返回步驟S030，如上所述，繼續後續的處理，執行取樣作業，在不繼續取樣的情況下，結束一系列的流程。

另外，步驟S050的針的樣板生成也可以在步驟S280的緊後面進行。由此，是下一次取樣所具有的步驟，在下一次取樣時不需要在步驟S050中進行，能夠簡化工程。

以上，一系列自動取樣動作結束。

另外，上述的從開始到結束的流程僅是一例，只要不對整體的流程造成障礙，則也可以進行步驟的調換和跳過。

電腦22藉由使上述的從開始到結束的流程進行連續動作，從而能夠無人地執行取樣動作。藉由上述的方法，能 夠重複進行試料取樣而不需要更換針18，因此，能夠使用同一針18而對大量的試料片Q進行連續取樣。

由此，帶電粒子束裝置10在從試料S分離並摘出試料片Q時不需要進行相同的針18的成形、且不需要更換針18本身而能夠反覆使用，能夠由一個試料S自動地製作大量的試料片Q。能夠執行取樣而不需要以往那樣實施操作者的手動操作。

如上所述，根據本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10，在將由針18保持的試料片Q移設至試料片保持器P之前，基於包含試料片Q的底部Q2的加工框Ta(或加工框Tb)進行整形加工，因此，能夠在將試料片Q整形加工為期望的形狀後適當地固定於試料片保持器P。由此，能夠自動地連續執行摘出試料片Q並使其移設至試料片保持器P的取樣動作，其中，該試料片Q是藉由基於聚焦離子束的試料S的加工而形成的。

進而，電腦22藉由掃描旋轉，以使得試料片Q的規定方向與聚焦離子束的掃描方向平行的旋轉角度使掃描方向旋轉，因此，能夠使掃描區域相對於基於聚焦離子束的觀察視野的中心而旋轉。由此，在藉由聚焦離子束得到的圖像資料中，能夠使試料片Q的規定方向(例如，與原來的試料S的加工時的深度方向對應的厚度方向等)與圖像資料的座標軸方向平行，能夠提高試料片Q的規定方向上的邊緣抽出的精度。藉由提高試料片Q的邊緣抽出的精度，能夠提高基於所抽出的邊緣的加工框Ta的設定精度。

進而，電腦22根據藉由聚焦離子束得到的圖像資料中辨識出的試料片Q的邊緣來設定加工框Ta，因此，能夠自動地設定包含試料片Q的底部Q2的適當的整形加工區域，能夠容易地進行整形加工。

進而，電腦22在藉由針18保持了試料片Q後，在試料片Q的整形加工之前，藉由針18的軸旋轉來控制試料片Q相對於試料片保持器P的姿勢，因此，能夠自動地設定適合於將試料片Q移設至試料片保持器P的姿勢狀態。

進而，電腦22在執行整形加工後執行清潔加工，以去除由於整形加工而產生的濺鍍粒子附著於試料片Q的觀察面Q3形成的再沉積，因此，能夠提高觀察面Q3的觀察精度。

進而，電腦22藉由圖案匹配來辨識在試料片Q的表面露出的器件構造等的圖案，以使得不與圖案干涉的方式在不存在圖案的部位設定加工框Ta，因此，能夠自動地對試料片Q設定適當的整形加工區域，能夠容易地進行整形加工。

進而，電腦22根據至少由試料片保持器P、針18和試料片Q直接取得的樣板，對聚焦離子束照射光學系統14、電子束照射光學系統15、平台驅動機構13、針驅動機構19和氣體供給部17進行控制，因此，能夠適當地實現將試料片Q移設至試料片保持器P的動作的自動化。

進而，根據在至少試料片保持器P、針18和試料片Q的背景中沒有構成物的狀態下藉由帶電粒子束的照射而取 得的二次電子圖像或吸收電流圖像，來生成樣板，因此，能夠提高樣板的可靠性。由此，能夠提高使用樣板的樣板匹配的精度，能夠根據藉由樣板匹配得到的位置資訊高精度地將試料片Q移設至試料片保持器P。

進而，在指示了成為至少試料片保持器P、針18和試料片Q的背景不存在構成物的狀態時，在實際上未成為指示那樣的情況下，對至少試料片保持器P、針18和試料片Q的位置進行初始化，因此，能夠使各驅動機構13、19恢復到正常狀態。

進而，生成與將試料片Q移設至試料片保持器P時的姿勢對應的樣板，因此，能夠提高移設時的位置精度。

進而，根據至少使用試料片保持器P、針18和試料片Q的樣板的樣板匹配來計測相互間的距離，因此，能夠進一步提高移設時的位置精度。

進而，在針對至少試料片保持器P、針18和試料片Q各自的圖像資料中的規定區域而無法抽出邊緣的情況下，再次取得圖像資料，因此能夠確實地生成樣板。

進而，最終僅藉由與平台12平行的平面內的移動而將試料片Q移設至預先決定的試料片保持器P的位置，因此，能夠適當地實施試料片Q的移設。

進而，在生成樣板前對針18上保持的試料片Q進行整形加工，因此，能夠提高樣板生成時的邊緣抽出的精度，並且，能夠確保適合於之後執行的精加工的試料片Q的形狀。進而，根據與針18之間的距離來設定整形加工的位 置，因此，能夠高精度地實施整形加工。

進而，以使得保持試料片Q的針18成為規定姿勢的方式使針18旋轉時，藉由偏芯修正來校正針18的位置偏離。

此外，根據本發明的實施方式的帶電粒子束裝置10，電腦22檢測針18相對于形成試料片Q時的參考標記Ref的相對位置，從而能夠掌握針18相對於試料片Q的相對位置關係。電腦22藉由逐次檢測針18相對於試料片Q的位置的相對位置，能夠在三維空間內適當(即，不會與其他部件或設備等接觸)地對針18進行驅動。

進而，電腦22藉由使用從至少2個不同方向取得的圖像資料，從而能夠高精度地掌握針18在三維空間內的位置。由此，電腦22能夠三維地對針18進行適當的驅動。

進而，電腦22預先將在使針18移動前一刻實際生成的圖像資料作為樣板(參考圖像資料)，因此，能夠不受到針18的形狀影響而進行匹配精度高的樣板匹配。由此，電腦22能夠高精度地掌握針18在三維空間內的位置，能夠在三維空間內適當地驅動針18。進而，電腦22使平台12退避，在針18的背景不存在複雜構成物的狀態下取得各圖像資料或吸收電流圖像資料，因此，能夠取得能夠排除背景(background)的影響而明確掌握針18的形狀的樣板。

進而，電腦22不使針18與試料片Q接觸而是藉由沉積膜進行連接，因此，在後面的工程中使針18與試料片Q分離時，能夠防止針18被切斷。進而，即使在針18發生振動的情況下，也能夠抑制將該振動傳遞到試料片 Q。進而，即使在因試料S的蠕動現象而發生試料片Q的移動的情況下，也能夠抑制針18與試料片Q之間產生過度的畸變。

進而，電腦22在藉由基於聚焦離子束照射的濺鍍加工而將試料S與試料片Q的連接切斷的情況下，能夠藉由檢測有無試料S與針18之間的導通來確認是否實際上完成了切斷。

進而，電腦22報知實際上試料S與試料片Q的分離未完成，因此，即使接著該工程而自動執行的一系列工程的執行被中斷的情況下，也能夠使裝置的操作者容易地辨識該中斷的原因。

進而，電腦22在檢測到試料S與針18之間的導通的情況下，判斷為試料S與試料片Q的連接切斷實際上未完成，準備接著該工程的針18的退避等的驅動，切斷試料片Q與針18的連接。由此，電腦22能夠防止伴隨針18的驅動而發生試料S的位置偏離或針18的破損等不良情況。

進而，電腦22檢測有無試料片Q與針18之間的導通，從而能夠在確認試料S與試料片Q的連接切斷實際完成之後對針18進行驅動。由此，電腦22能夠防止伴隨針18的驅動而發生試料片Q的位置偏離或針18和試料片Q的破損等不良情況。

進而，電腦22針對連接有試料片Q的針18，將實際的圖像資料作為樣板，因此，能夠不受到和試料片Q連接的針18的形狀影響而進行匹配精度高的樣板匹配。 由此，電腦22能夠高精度地掌握與試料片Q連接的針18在三維空間內的位置，能夠在三維空間內適當驅動針18和試料片Q。

進而，電腦22使用已知的試料台33的樣板來抽出構成試料台33的複數個柱狀部34的位置，因此，能夠在驅動針18之前確認是否存在適當的狀態的試料台33。

進而，電腦22根據連接有試料片Q的針18到達照射區域內的前後的吸收電流的變化，能夠間接地高精度地掌握針18和試料片Q到達了移動目標位置附近的情況。由此，電腦22能夠使針18和試料片Q停止而不與在移動目標位置存在的試料台33等其他的部件接觸，能夠防止發生由於接觸而引起的損傷等不良情況。

進而，電腦22在藉由沉積膜連接試料片Q和試料台33的情況下檢測有無試料台33與針18之間的導通，因此，能夠高精度地確認實際上是否試料片Q和試料台33的連接已經完成。

進而，電腦22檢測有無試料台33與針18之間的導通，從而能夠在確認試料台33與試料片Q的連接實際完成後，切斷試料片Q與針18的連接。

進而，電腦22藉由使實際的針18的形狀與理想的參考形狀一致，能夠在三維空間內驅動針18時，藉由圖案匹配容易地辨識針18，能夠高精度地檢測針18在三維空間內的位置。

以下，對上述的實施方式的第1變形例進行 說明。

在上述的實施方式中，針18不會受到聚焦離子束照射而縮小或變形，因此不需要針前端的成形和針18的更換，但是，也可以是，電腦22在反覆執行自動取樣的動作的情況下的適當的時機，例如在每次重複執行的次數成為預先決定的次數時等，執行針前端的碳沉積膜的去除加工(本說明書中稱作針18的清潔)。例如，每10次自動取樣進行1次清潔。以下，對實施該針18的清潔的判斷方法進行說明。

作為第1方法，首先，在實施自動取樣的前一刻、或定期地，在背景不存在複雜的構成的位置處取得基於電子束照射的針前端的二次電子圖像。二次電子圖像能夠清楚地確認到附著於針前端的碳沉積膜。將該二次電子圖像儲存到電腦22中。

接著，不使針18移動，在相同的視野、相同的觀察倍率下取得針18的吸收電流圖像。在吸收電流圖像中，能夠不能確認碳沉積膜，僅能夠辨識針18的形狀。將該吸收電流圖像也儲存到電腦22中。

這裡，藉由進行從二次電子圖像減去吸收電流圖像的減法處理，針18被消除，使從針前端突出的碳沉積膜的形狀顯現。該顯現出的碳沉積膜的面積超過預先決定的面積時，以使得不對針18進行切削的方式藉由聚焦離子束照射來清潔碳沉積膜。此時，碳沉積膜只要是上述的預先決定的面積以下，則可以殘留。

接著，作為第2方法，也可以是，不判斷上述顯現的碳沉積膜的面積，而是將針18的軸向(長度方向)的碳沉積膜的長度超過了預先決定的長度時判斷為針18的清潔時機。

進而，作為第3方法，記錄上述的電腦所記憶的二次電子圖像中的碳沉積膜前端在圖像上的座標。此外，記憶上述的電腦22所記憶的吸收電流圖像中的針前端在圖像上的座標。這裡，能夠根據碳沉積膜的前端座標和針18的前端座標來計算碳沉積膜的長度。將該長度超過預先決定的值時判斷為針18的清潔時機。

進而，作為第4方法，也可以是，預先生成包含被認為最佳的碳沉積膜的針前端形狀的樣板，將其與反覆複數次進行取樣後的針前端的二次電子圖像重合，藉由聚焦離子束刪除從該樣板露出的部分。

進而，作為第5方法，也可以是，不判斷上述顯現的碳沉積膜的面積，而是將針18的前端的碳沉積膜的厚度超過預先決定的厚度時判斷為針18的清潔時機。

這些清潔方法例如在圖38的步驟S280緊後面進行即可。

另外，雖然藉由上述方法等實施清潔，但是，在即使藉由清潔也無法成為預先決定的形狀的情況下，在預先決定的時間內無法進行清潔的情況下，或者在每個預先決定的期間，也可以對針18進行更換。在更換了針18後，也不變更上述的處理流程，與上述同樣地執行保存針前端形狀 等的步驟。

以下，對上述的實施方式的第2變形例進行說明。

在上述的實施方式中，針驅動機構19與平台12一體設置，但是不限於此。針驅動機構19也可以被設置成與平台12獨立。針驅動機構19例如也可以被固定於試料室11等，從而獨立於平台12的傾斜驅動等而設置。

以下，對上述的實施方式的第3變形例進行說明。

在上述的實施方式中，聚焦離子束照射光學系統14將光軸設為鉛直方向，電子束照射光學系統15將光軸設為相對於鉛直而傾斜的方向，但是不限於此。例如，也可以是，聚焦離子束照射光學系統14向光軸設為相對於鉛直而傾斜的方向，電子束照射光學系統15將光軸設為鉛直方向。

以下，對上述的實施方式的第4變形例進行說明。

在上述的實施方式中，帶電粒子束照射光學系統構成為能夠照射聚焦離子束照射光學系統14和電子束照射光學系統15的2種射束，但是不限於此。例如，也可以是，沒有電子束照射光學系統15而僅是在鉛直方向上設置的聚焦離子束照射光學系統14的構成。該情況下使用的離子為負電荷的離子。

在上述的實施方式中，在上述若干步驟中，針對試料 片保持器P、針18、試料片Q等從不同方向照射電子束和聚焦離子束，取得基於電子束的圖像和基於聚焦離子束的圖像，掌握了試料片保持器P、針18、試料片Q等的位置和位置關係，但是，也可以僅搭載聚焦離子束照射光學系統14，並僅藉由聚焦離子束的圖像而進行。以下，對該實施例進行說明。

例如，在步驟S220中，在要掌握試料片保持器P與試料片Q的位置關係的情況下，在平台12的傾斜為水準的情況和以某個特定的傾斜角從水準傾斜的情況下，以使得試料片保持器P和試料片Q這兩者進入同一視野的方式取得基於聚焦離子束的圖像，能夠根據這兩個圖像掌握試料片保持器P與試料片Q的三維的位置關係。如上所述，針驅動機構19能夠與平台12一體地水準垂直移動、傾斜，因此，即使平台12水準、傾斜，也能夠保持試料片保持器P與試料片Q的相對位置關係。因此，即使帶電粒子束照射光學系統僅有1個聚焦離子束照射光學系統14，也能夠從不同的2個方向對試料片Q進行觀察、加工。

同樣，步驟S020中的試料片保持器P的圖像資料的註冊、步驟S040中的針位置的辨識、步驟S050中的針的樣板(參考圖像)的取得、步驟S170中的試料片Q所連接的針18的參考圖像的取得、步驟S210中的試料片Q的安裝位置的辨識、步驟S250中的針移動停止也同樣地進行即可。

此外，步驟S250中的試料片Q與試料片保持器P的連接中，在平台12為水準狀態下從試料片保持器P和試料片 Q的上端面形成沉積膜而進行連接，進而，能夠使平台12傾斜而從不同的向形成沉積膜，能夠實現可靠的連接。

以下，對上述的實施方式的第5變形例進行說明。

在上述的實施方式中，電腦22自動地執行步驟S010至步驟S280的一系列處理作為自動取樣的動作，但不限於此。電腦22也可以將步驟S010至步驟S280中的至少任意1個處理切換為藉由操作者的手動操作來執行。

此外，電腦22在針對複數個試料片Q執行自動取樣的動作的情況下，也可以是，在試料S上每次形成複數個摘出前一刻的試料片Q中的任意1個時，針對該1個摘出前一刻的試料片Q執行自動取樣的動作。此外，也可以是，電腦22在試料S上形成全部的複數個摘出前一刻的試料片Q後，針對複數個摘出直前的試料片Q分別連續地執行自動取樣的動作。

以下，對上述的實施方式的第6變形例進行說明。

在上述的實施方式中，電腦22使用已知的柱狀部34的樣板來抽出柱狀部34的位置，但是，也可以使用預先根據實際的柱狀部34的圖像資料而生成的參考圖案，來作為該樣板。此外，電腦22可以將執行形成試料台33的自動加工時生成的圖案作為樣板。

此外，在上述的實施方式中，也可以是，電腦22使用在柱狀部34的生成時藉由帶電粒子束的照射而形成的參考 標記Ref，掌握針18的位置相對於試料台33的位置的相對關係。電腦22藉由逐次檢測針18相對於試料台33的位置的相對位置，能夠在三維空間內適當(即，不與其他部件和設備等接觸)地驅動針18。

以下，對上述的實施方式的第7變形例進行說明。

在上述的實施方式中，可以如下進行使試料片Q與試料片保持器P連接的步驟S220至步驟S250的處理。即，是如下處理：根據試料片保持器P的柱狀部34、試料片Q和圖像，求出它們的位置關係(彼此的距離)，使針驅動機構19進行動作，以使得它們的距離成為目標值。

在步驟S220中，電腦22根據基於電子束和聚焦離子束得到的針18、試料片Q、柱狀部34的二次粒子圖像資料或吸收電流圖像資料來辨識它們的位置關係。圖45和圖46是示意地示出柱狀部34與試料片Q的位置關係的圖，圖45是基於藉由聚焦離子束照射得到的圖像的圖，圖46是基於藉由電子束照射得到的圖像的圖。根據這些圖來計測柱狀部34與試料片Q的相對位置關係。如圖45那樣將柱狀部34的一角作為原點34a而決定正交3軸座標(與平台12的3軸座標不同的座標)，根據圖45測定距離DX、DY，作為柱狀部34的原點34a與試料片Q的基準點Qc之間的距離。

另一方面，根據圖46求出距離DZ。但是，如果設為相對於電子束光學軸和聚焦離子束軸(鉛直)而傾斜角度θ(其中，0°<θ≦90°)，則柱狀部34與試料片Q的Z軸方向的 實際距離為DZ/sinθ。

接著，藉由圖45、圖46來說明試料片Q相對於柱狀部34的移動停止位置關係。

設為如下的位置關係：柱狀部34的上端面(端面)34b與試料片Q的上端面Qb為同一面，並且，柱狀部34的側面與試料片Q的截面為同一面，而且，柱狀部34與試料片Q之間存在大約0.5μm的空隙。即，使針驅動機構19進行動作，以使得DX=0、DY=0.5μm、DZ=0，從而能夠使試料片Q到達目標的停止位置。

另外，在電子束光學軸和聚焦離子束光學軸處於垂直(θ=90°)關係的構成中，藉由電子束計測的柱狀部34與試料片Q之間的距離DZ的測定值是實際的兩者的距離。

以下，對上述的實施方式的第8變形例進行說明。

在上述的實施方式的步驟S230中，使針驅動機構19動作而對針18進行驅動，以使得根據圖像計測出的柱狀部34與試料片Q的間隔成為目標值。

在上述的實施方式中，也可以是，如下進行使試料片Q與試料片保持器P連接的步驟S220至步驟S250的處理。即，是如下處理：預先決定試料片Q針對試料片保持器P的柱狀部34的安裝位置作為樣板，在該位置處使試料片Q的圖像進行圖案匹配，使針驅動機構19進行動作。

對表示試料片Q相對於柱狀部34的移動停止位置關係的樣板進行說明。是如下位置關係：柱狀部34的上端面 34b與試料片Q的上端面Qb為同一面，並且，柱狀部34的側面與試料片Q的截面為同一面，而且，柱狀部34與試料片Q之間存在大約0.5μm的空隙。關於這樣的樣板，可以從固定了實際的試料片保持器P和試料片Q的針18的二次粒子圖像、吸收電流圖像資料抽出輪廓(邊緣)部而生成線畫，也可以根據設計圖、CAD圖而生成線畫。

將生成的樣板中的柱狀部34重疊顯示於即時的基於電子束和聚焦離子束的柱狀部34的圖像上，對針驅動機構19發出動作指示，從而使試料片Q朝向樣板上的試料片Q的停止位置移動(步驟S230)。確認到即時的基於電子束和聚焦離子束的圖像與預先決定的樣板上的試料片Q的停止位置重合，進行針驅動機構19的停止處理(步驟S240)。這樣，能夠使試料片Q準確地移動成為相對於預先決定的柱狀部34的停止位置關係。

此外，作為上述的步驟S230至步驟S250的處理的其他方式，也可以如下那樣。關於從二次粒子圖像、吸收電流圖像資料抽出的邊緣部的線畫，僅限定兩者的對位所需要的最低限度的部分。圖47示出該一例，示出柱狀部34、試料片Q和輪廓線(虛線顯示)以及所抽出的邊緣(粗實線顯示)。柱狀部34和試料片Q的關注的邊緣是各自面對的邊緣34s、Qs以及柱狀部34和試料片Q的各上端面34b、Qb的邊緣34t、Qt的一部分。針對柱狀部34利用線段35a和35b，針對試料片Q利用線段36a和36b，各線段是各邊緣的一部分就足夠了。根據這樣的各線段，例如採用T字形狀 的樣板。藉由使平台驅動機構13、針驅動機構19進行動作，從而使對應的樣板移動。關於這些樣板35a、35b和36a、36b，能夠根據相互的位置關係來掌握柱狀部34與試料片Q的間隔、平行度、兩者的高度，能夠容易地使兩者對齊。圖48是與預先決定的柱狀部34和試料片Q的位置關係對應的樣板的位置關係，處於如下的位置關係：線段35a和36a以預先決定的間隔平行，並且，線段35b和36b位於一直線上。使至少平台驅動機構13和針驅動機構19中的任一者動作，當樣板成為圖48的位置關係時，正在動作的驅動機構停止。

這樣，在確認到試料片Q接近規定的柱狀部34後，能夠用於精密的對位。

接著，作為上述的實施方式的第9變形例，對上述的步驟S220至S250的其他方式例進行說明。

在上述的實施方式中的步驟S230中使針18進行移動。如果在步驟S230結束後的試料片Q處於從目的位置大幅偏離的位置關係，則可以進行如下動作。

在步驟S220中，希望移動前的試料片Q的位置在採用各柱狀部34的原點的正交3軸座標系中位於Y>0、Z>0的區域。這樣，在針18的移動過程中試料片Q與柱狀部34碰撞的危險性極低，能夠使針驅動機構19的X、Y、Z驅動部同時動作而安全迅速地到達目的位置。另一方面，在移動前的試料片Q的位置位於Y<0的區域的情況下，如果將試料片Q朝向停止位置同時使針驅動機構19的X、Y、Z驅動部 進行動作，則與柱狀部34碰撞的危險性大。因此，在步驟S220中試料片Q位於Y<0的區域的情況下，使針18藉由避開柱狀部34的路徑到達目標位置。具體而言，首先，僅使針驅動機構19的Y軸進行驅動，使試料片Q移動至Y>0的區域，從而移動至規定的位置(例如關注的柱狀部34的寬度的2倍、3倍、5倍、10倍等的位置)，接著，藉由X、Y、Z驅動部的同時動作，使試料片Q朝向最終的停止位置移動。藉由這樣的步驟，能夠使試料片Q安全且迅速地移動，而不會與柱狀部34碰撞。此外，萬一在根據電子束圖像或/和聚焦離子束圖像確認到試料片Q與柱狀部34的X座標相同、且Z座標位於比柱狀部上端低的位置(Z<0)的情況下，首先，使試料片Q移動至Z>0區域(例如，Z=2μm、3μm、5μm、10μm的位置)，接著，移動至Y>0的區域的規定的位置，接著，藉由X、Y、Z驅動部的同時動作朝向最終的停止位置移動。藉由這樣移動，能夠使試料片Q到達目的位置，而不會使試料片Q與柱狀部34碰撞。

接著，對上述的實施方式的第10的變形例進行說明。

在第10的變形例中說明如下的實施方式，在帶電粒子束裝置10中，利用能夠藉由針驅動機構19而使針18進行軸旋轉來製作平面試料。

平面試料是指，為了觀察試料內部的與試料表面平行的面，對分離摘出的試料片Q進行薄片化以使得與原來的試料表面平行而得到的試料片Q。

圖49是示出分離摘出的試料片Q被固定於針18的前端的狀態的圖，示意地示出基於電子束的像。藉由圖10至圖14所示的方法將針18固定於試料片Q。在針18的旋轉軸被設定在相對於(圖1的XY面)傾斜45°的位置的情況下，藉由使針18旋轉90°，分離摘出的試料片Q的上端面Qb的姿勢從水平面(圖1的XY面)被控制成與XY面垂直的面。

圖50是示出在針18的前端固定的試料片Q以使得與試料片保持器P的柱狀部34接觸的方式移動的狀態的圖。在最終藉由透射電子顯微鏡進行觀察時，柱狀部34的側面34d是成為與電子束的照射方向垂直的位置關係的面，一方的側面(端面)34e是成為與電子束的照射方向平行的位置關係的面。另外，在圖1中，柱狀部34的側面(上端面34f)是處於與聚焦離子束的照射方向垂直的位置關係的面，是柱狀部34的上端面。

在本實施例中，進行移動，使得藉由針18進行姿勢控制後的試料片Q的上端面Qb與試料片保持器P的柱狀部34的側面34d平行，理想成為同一面，使試料片Q的截面與試料片保持器P進行面接觸。在確認到試料片Q與試料片保持器P接觸後，在柱狀部34的上端面34f，在試料片Q與試料片保持器P的接觸部上以與試料片Q和試料片保持器P鉤掛的方式形成沉積膜。

圖51是示出對試料片保持器P上固定的試料片Q照射聚焦離子束而製作了平面試料37的狀態的示意圖。關於位於從試料表面起的預先決定的試料深度的平面試料37，求 出與試料片Q的上端面Qb之間的距離，以與試料片Q的上端面Qb平行而成為預先決定的厚度的方式照射聚焦離子束，從而能夠製作平面試料37。藉由這種平面試料37，能夠與試料表面平行，且知道試料內部的構成、組成分佈。

平面試料37的作制方法不限於此，如果試料片保持器P搭載於能夠在0~90°的範圍傾斜的機構，則藉由平台12的旋轉和試料片保持器P的傾斜，能夠進行製作而不需要使探針旋轉。此外，在針18的傾斜角處於45°以外的0°至90°的範圍內情況下，藉由適當決定樣片保持器P的傾斜角也能夠製作平面試料37。

這樣能夠製作平面試料37，能夠對與試料表面平行且位於規定深度的面進行電子顯微鏡觀察。

另外，在本實施例中，將摘出分離後的試料片Q固定於柱狀部34的側面34d。也考慮固定於柱狀部34的上端部，但是，在基於聚焦離子束進行試料S的薄片加工時，聚焦離子束撞擊柱狀部34的上端部，當場產生的濺鍍粒子附著於薄片部，從而成為不適合顯微鏡觀察的試料片Q，因此希望固定於側面34d。

以下，對其他的實施方式進行說明。

(a1)帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，至少具有：照射帶電粒子束的複數個帶電粒子束照射光學系統(射束照射光學系統)； 試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其具有與從所述試料分離並摘出的所述試料片連接的針，對所述試料片進行搬運；保持器固定台，其保持具有柱狀部的試料片保持器，所述試料片被移設至該柱狀部；氣體供給部，其供給用於藉由所述帶電粒子束的照射而形成沉積膜的氣體；以及電腦，其至少對所述帶電粒子束照射光學系統、所述試料片移設手段、所述氣體供給部進行控制，以計測所述試料片與所述柱狀部之間的電氣特性，並跨越所述柱狀部和與所述柱狀部隔開空隙而靜止的所述試料片來形成所述沉積膜，直到達到預先決定的電氣特性值。

(a2)帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，至少具有：照射帶電粒子束的複數個帶電粒子束照射光學系統(射束照射光學系統)；試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其具有與從所述試料分離並摘出的所述試料片連接的針，對所述試料片進行搬運；保持器固定台，其保持具有柱狀部的試料片保持器，所述試料片被移設至該柱狀部；氣體供給部，其供給用於藉由所述帶電粒子束的照射而形成沉積膜的氣體；以及 電腦，其至少對所述帶電粒子束照射光學系統、所述試料片移設手段、所述氣體供給部進行控制，以計測所述試料片與所述柱狀部之間的電氣特性，並以預先決定的時間，跨越所述柱狀部和與所述柱狀部隔開空隙而靜止的所述試料片來形成所述沉積膜。

(a3)帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，至少具有：照射聚焦離子束的聚焦離子束照射光學系統(射束照射光學系統)；試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其具有與從所述試料分離並摘出的所述試料片連接的針，對所述試料片進行搬運；保持器固定台，其保持具有柱狀部的試料片保持器，所述試料片被移設至該柱狀部；氣體供給部，其供給用於藉由所述聚焦離子束的照射而形成沉積膜的氣體；以及電腦，其至少對所述聚焦離子束照射光學系統、所述試料片移設手段、所述氣體供給部進行控制，以計測所述試料片與所述柱狀部之間的電氣特性，並跨越所述柱狀部和與所述柱狀部隔開空隙而靜止的所述試料片來形成所述沉積膜，直到達到預先決定的電氣特性值。

(a4)帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置， 至少具有：照射聚焦離子束的聚焦離子束照射光學系統(射束照射光學系統)；試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其具有與從所述試料分離並摘出的所述試料片連接的針，對所述試料片進行搬運；保持器固定台，其保持具有柱狀部的試料片保持器，所述試料片被移設至該柱狀部；氣體供給部，其供給用於藉由所述聚焦離子束的照射而形成沉積膜的氣體；以及電腦，其至少對所述聚焦離子束照射光學系統、所述試料片移設手段、所述氣體供給部進行控制，以計測所述試料片與所述柱狀部之間的電氣特性，並以預先決定的時間，跨越所述柱狀部和與所述柱狀部隔開空隙而靜止的所述試料片來形成所述沉積膜。

(a5)在上述(a1)或(a2)所記載的帶電粒子束裝置中，所述帶電粒子束，至少包含聚焦離子束和電子束。

(a6)在上述(a1)至(a4)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電氣特性是電阻、電流、電位中的至少任一者。

(a7)在上述(a1)至(a6)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中， 所述電腦至少對所述射束照射光學系統、所述試料片移設手段、所述氣體供給部進行控制，在所述試料片與所述柱狀部之間的電氣特性在預先決定的所述沉積膜的形成時間內不滿足預先決定的電氣特性值的情況下，以使得所述柱狀部與所述試料片之間的所述空隙進一步減小的方式移動所述試料片，並跨越靜止的所述試料片與所述柱狀部來形成所述沉積膜。

(a8)在上述(a1)至(a6)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦至少對所述射束照射光學系統和所述氣體供給部進行控制，使得在所述試料片與所述柱狀部之間的電氣特性在預先決定的所述沉積膜的形成時間內滿足了預先決定的電氣特性值的情況下，停止所述沉積膜的形成。

(a9)在上述(a1)或(a3)所記載的帶電粒子束裝置中，所述空隙為1μm以下。

(a10)在上述(a9)所記載的帶電粒子束裝置中，所述空隙為100nm以上且200nm以下。

(b1)帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，具有：照射帶電粒子束的帶電粒子束照射光學系統；試料平台，其載置並移動所述試料； 試料片移設手段，其保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片；保持器固定台，其保持具有柱狀部的試料片保持器，所述試料片被移設至該柱狀部；以及電腦，其對所述帶電粒子束照射光學系統和所述試料片移設手段進行控制，以根據藉由照射所述帶電粒子束取得的所述柱狀部的圖像，生成所述柱狀部的樣板，根據藉由使用所述樣板的樣板匹配得到的位置資訊，將所述試料片移設至所述柱狀部。

(b2)在上述(b1)所記載的帶電粒子束裝置中，所述試料片保持器具有隔開間隔配置的複數個所述柱狀部，所述電腦根據所述複數個所述柱狀部各自的圖像，生成所述複數個所述柱狀部的各自的樣板。

(b3)在上述(b2)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統、以及所述試料片移設手段或所述試料平台的移動進行控制，使得進行判定處理，在該判定處理中，藉由使用所述複數個所述柱狀部的各自的樣板的樣板匹配，判定所述複數個所述柱狀部中作為對象的所述柱狀部的形狀是否與預先註冊的規定形狀一致，在作為所述對象的所述柱狀部的形狀與所述規定形狀不一致的情況下，將作為所述物件的所述柱狀部切換為新的其他的所述柱狀部而進行所述判定處理，在作 為所述對象的所述柱狀部的形狀與所述規定形狀一致的情況下，將所述試料片移設至該柱狀部。

(b4)在上述(b2)或(b3)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在以使得將所述複數個所述柱狀部中的作為對象的所述柱狀部配置在規定位置的方式對所述試料平台的移動進行控制時，在作為所述物件的所述柱狀部未被配置在所述規定位置的情況下，對所述試料平台的位置進行初始化。

(b5)在上述(b4)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在以使得將所述複數個所述柱狀部中的作為對象的所述柱狀部配置在規定位置的方式對所述試料平台的移動進行控制時，在所述試料平台的移動後進行判定作為所述對象的所述柱狀部的形狀是否存在問題的形狀判定處理，在作為所述物件的所述柱狀部的形狀存在問題的情況下，將作為所述物件的所述柱狀部切換為新的其他所述柱狀部，以使得將該柱狀部配置在所述規定位置的方式對所述試料平台的移動進行控制並且進行所述形狀判定處理。

(b6)在上述(b1)至(b5)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在從所述試料分離並摘出所述試料片之前，生成所述柱狀部的樣板。

(b7)在上述(b3)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦將所述複數個所述柱狀部各自的圖像、從該圖像抽出的邊緣資訊或者所述複數個所述柱狀部各自的設計資訊作為所述樣板而進行記憶，藉由使用該樣板的樣板匹配的得分來判定作為所述對象的所述柱狀部的形狀是否與所述規定形狀一致。

(b8)在上述(b1)至(b7)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦記憶藉由對被移設了所述試料片的所述柱狀部照射所述帶電粒子束而取得的圖像、以及被移設了所述試料片的所述柱狀部的位置資訊。

(c1)帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，具有：照射帶電粒子束的帶電粒子束照射光學系統；試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片；保持器固定台，其保持具有柱狀部的試料片保持器，所述試料片被移設至該柱狀部；氣體供給部，其供給用於藉由所述帶電粒子束的照射而形成沉積膜的氣體；以及電腦，其對所述帶電粒子束照射光學系統和所述試料 片移設手段進行控制，以使得在將所述試料片移設手段從所述試料片分離後，對附著於所述試料片移設手段的所述沉積膜照射所述帶電粒子束。

(c2)在上述(c1)所記載的帶電粒子束裝置中，所述試料片移設手段複數次重複保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片。

(c3)在上述(c1)或(c2)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統和所述試料片移設手段進行控制，使得在至少包含每次將所述試料片移設手段從所述試料片分離的時間點在內的規定時間點、重複對附著於所述試料片移設手段的所述沉積膜照射所述帶電粒子束。

(c4)在上述(c1)至(c3)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在以使得將從所述試料片分離後的所述試料片移設手段配置在規定位置的方式對所述試料片移設手段的移動進行控制時，在所述試料片移設手段未被配置在所述規定位置的情況下，對所述試料片移設手段的位置進行初始化。

(c5)在上述(c4)所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在對所述試料片移設手段的位置進行初始化 後，在即使對所述試料片移設手段的移動進行了控制、所述試料片移設手段也沒有被配置在所述規定位置的情況下，停止對該試料片移設手段的控制。

(c6)在上述(c1)至(c5)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統和所述試料片移設手段進行控制，使得根據藉由對與所述試料片連接之前的所述試料片移設手段照射所述帶電粒子束而取得的圖像，生成所述試料片移設手段的樣板，根據藉由使用所述樣板的樣板匹配而得到的輪廓資訊，對附著於所述試料片移設手段的所述沉積膜照射所述帶電粒子束。

(c7)在上述(c6)所記載的帶電粒子束裝置中，具有顯示所述輪廓資訊的顯示裝置。

(c8)在上述(c1)至(c7)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述電腦在以使所述試料片移設手段成為規定姿勢的方式使所述試料片移設手段繞中心軸旋轉時，進行偏心修正。

(c9)在上述(c1)至(c8)中的任一項所記載的帶電粒子束裝置中，所述試料片移設手段具有與所述試料片連接的針或鑷子。

另外，在上述的實施方式中，電腦22還包含 軟體功能部或LSI等硬體功能部。

此外，在上述的實施方式中，將削尖的針狀部件作為一例而對針18進行了說明，但是，前端也可以為扁鑿狀等形狀。

此外，在本發明中，至少還能夠應用於摘出的試料片Q由碳構成的情況。使用本發明的樣板和前端位置座標能夠移動至期望的位置。即，在將摘出的試料片Q固定於針18的前端的狀態下向試料片保持器P移設時，能夠使用真正的前端座標(試料片的前端座標)、以及根據帶試料片Q的針18的吸收電流圖像形成的針18的樣板進行控制，使試料片Q以具有規定的空隙的方式與試料片保持器P接近並停止，其中，該真正的前端座標是根據對帶試料片Q的針18照射帶電粒子束得到的二次電子圖像而取得的。

此外，本發明還能夠應用於其他裝置。例如，在使探針接觸而計測微小部的電氣特性的帶電粒子束裝置、特別是在基於帶電粒子束中的電子束的掃描電子顯微鏡的試料室內裝備有金屬探針的裝置中，在使用由於與微細區域的導電部接觸而在鎢探針的前端具有碳奈米管的探針進行計測的帶電粒子束裝置中，如果是通常的二次電子像，則由於佈線圖案等的背景而無法辨識鎢探針前端。因此，雖然藉由吸收電流圖像能夠容易地辨識鎢探針，但是無法辨識碳奈米管的前端，無法使碳奈米管與關鍵的測定點接觸。因此，在本發明中，使用藉由二次電子圖像辨 明針18的真正的前端座標並藉由吸收電流圖像生成樣板的方法，由此，能夠使帶碳奈米管的探針向特定的測定位置移動並與其接觸。

另外，藉由上述的本發明的帶電粒子束裝置10製作的試料片Q也可以導入其他聚焦離子束裝置，由裝置操作者謹慎地進行操作並進行加工，直到適合透射電子顯微鏡解析的薄度。這樣，藉由使本發明的帶電粒子束裝置10和聚焦離子束裝置協作，能夠在夜間無人地將大量的試料片Q固定於試料片保持器P，在白天由裝置操作者謹慎地完成超薄的透射電子顯微鏡用試料。因此，與以往將從試料摘出到薄片加工為止的一系列作業利用一台裝置依靠裝置操作者的操作的情況相比，能夠大幅削減對裝置操作者的身心的負擔，能夠提高作業效率。

另外，上述的實施方式是作為例子而進行了提示，不意圖限定發明的範圍。這些新的實施方式能夠藉由其他各種方式進行實施，在不脫離發明的主旨的範圍內能夠進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包含于發明的範圍和主旨，包含與申請專利範圍書所記載的發明及其均等的範圍。

例如，在本發明的帶電粒子束裝置10中，作為摘出試料片Q的單元而對針18進行了說明，但是不限於此，也可以是微細地進行動作的鑷子。藉由使用鑷子，不需要進行沉積就能夠摘出試料片Q，不擔心前端的損耗等。即使在使用針18的情況下，與試料片Q之間的連接也不限於沉 積，也可以是，在對針18附加靜電力的狀態下使其與試料片Q接觸，進行靜電吸附而進行試料片Q與針18的連接。

10‧‧‧帶電粒子束裝置

11‧‧‧試料室

12‧‧‧平台(試料平台)

12a‧‧‧保持器固定台

13‧‧‧平台驅動機構

13a‧‧‧移動機構

13b‧‧‧傾斜機構

13c‧‧‧旋轉機構

14‧‧‧聚焦離子束照射光學系統(帶電粒子束照射光學系統)

14a‧‧‧離子源

14b‧‧‧離子光學系統

15‧‧‧電子束照射光學系統(帶電粒子束照射光學系統)

15a‧‧‧電子源

15b‧‧‧電子光學系統

16‧‧‧檢測器

17‧‧‧氣體供給部

17a‧‧‧噴嘴

18‧‧‧針

19‧‧‧針驅動機構

20‧‧‧吸收電流檢測器

21‧‧‧顯示裝置

22‧‧‧電腦

23‧‧‧輸入裝置

EB‧‧‧電子束

FIB‧‧‧聚焦離子束

G‧‧‧氣體

P‧‧‧試料片保持器

Q‧‧‧試料片

R‧‧‧二次帶電粒子

S‧‧‧試料

Claims (6)

1. 一種帶電粒子束裝置，係由試料自動地製作試料片之帶電粒子束裝置，其特徵在於，具有：帶電粒子束照射光學系統，其照射帶電粒子束；試料平台，其載置並移動所述試料；試料片移設手段，其保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片；保持器固定台，其保持試料片保持器，所述試料片被移設至該試料片保持器；以及電腦，其對所述試料片移設手段和所述帶電粒子束照射光學系統進行控制，使得在藉由所述試料片移設手段保持所述試料片後，在對所述試料片照射所述帶電粒子束而得到的圖像中，劃定包含與所述試料的加工時的深度方向對應的所述試料片的厚度方向的未被固定於所述試料片保持器的端部在內的整形加工區域，對所述整形加工區域照射所述帶電粒子束，從而對所述試料片進行整形加工。
2. 如申請專利範圍第1項所述的帶電粒子束裝置，其中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統進行控制，使得以與藉由所述試料片移設手段保持的所述試料片的姿勢對應的旋轉角度使得到所述圖像時的所述帶電粒子束的掃描方向旋轉。
3. 如申請專利範圍第2項所述的帶電粒子束裝置，其中，所述電腦在使所述帶電粒子束的掃描方向旋轉為所述旋轉角度而得到的所述圖像中，對所述試料片的所述端部的邊緣進行辨識，根據該邊緣設定所述整形加工區域。
4. 如申請專利範圍第2或3項所述的帶電粒子束裝置，其中，所述試料片移設手段具有：針，其保持並搬運從所述試料分離並摘出的所述試料片；以及針驅動機構，其對該針進行驅動，所述電腦對所述針驅動機構進行控制，使得藉由使保持所述試料片的所述針進行軸旋轉，從而相對於所述試料片保持器控制所述試料片的姿勢。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的帶電粒子束裝置，其中，所述電腦對所述帶電粒子束照射光學系統進行控制，使得在對所述整形加工區域照射所述帶電粒子束而對所述試料片進行整形加工後，對所述試料片的觀察面照射所述帶電粒子束而對所述觀察面進行加工。
6. 如申請專利範圍1至3中的任一項所述的帶電粒子束裝 置，其中，所述電腦對在藉由所述試料片移設手段保持的所述試料片的表面露出的圖案進行辨識，以不與該圖案干涉的方式設定所述整形加工區域。

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