JP6316578B2 - 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Description
以下、実施例を図面を用いて説明する。
本発明は、側壁を突き抜けたBSEを検出することで穴底観察を実現しているが、穴が深くアスペクト比が大きくなると、穴の底から放出された電子が側壁を突き抜けて表面に達するのに要する距離が長くなるため、途中でエネルギーを使い果たして突き抜けられなくなる電子の比率が増加する。換言すると、撮像画像上では、穴が深いほど穴部が暗いという関係を用いることで、穴深さを計測(推定)することが可能である。
Claims (14)
- 基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測するシステムであって、
前記基板上に形成されたパターンに対して一次電子線を走査して照射する一次電子線照射手段と、
該一次電子線照射手段により一次電子線が照射された基板から放出される後方散乱電子のうち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する後方散乱電子検出手段と、
該後方散乱電子検出手段で検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成する電子線像生成手段と、
該電子線像生成手段で生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領域との境界領域を求めて、該求めた境界領域の内部の暗部領域の明るさの情報から前記穴パターン又は溝パターンの深さを推定する深さ推定手段と
を有すことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測するシステムであって、
前記基板上に形成されたパターンに対して一次電子線を走査して照射する一次電子線照射手段と、
該一次電子線照射手段により一次電子線が照射された基板から放出される後方散乱電子のうち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する後方散乱電子検出手段と、
該後方散乱電子検出手段で検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成する電子線像生成手段と、
該電子線像生成手段で生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領域との境界領域を求めて、該求めた境界領域を前記穴パターン又は溝パターンのエッジ位置として検出する画像処理手段と、
前記電子線像生成手段で生成した電子線像上の前記明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領域との境界領域を求めて、該求めた境界領域の内部の暗部領域の明るさの情報から前記穴パターン又は溝パターンの深さを推定する深さ推定手段と
を有すことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 請求項1ないし2の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
前記後方散乱電子検出手段は、前記基板上に形成されたパターンに照射する一次電子線の光路を取り囲むようにして配置されて、前記一次電子線を走査して照射した前記基板から放出された後方散乱電子を検出する後方散乱電子検出器を備えていることを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 請求項1または2に記載の走査電子顕微鏡システムであって、
前記深さ推定手段は、予め作成した穴パターン又は溝パターンの深さと電子線像の明るさを関連づける検量線を参照して深さを算出することを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 請求項1ないし2の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
さらに、前記基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出手段と、該二次電子検出手段で検出した二次電子の強度に対応する電子線像を生成する二次電子線像生成手段と、該二次電子線像生成手段で生成した二次電子の電子線像の前記明部領域のエッジ位置に基づき前記穴パターンの上径又は前記溝パターンの幅を計測するパターン幅計測手段を更に含むことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 請求項1ないし2の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
さらに、前記基板から放出される後方散乱電子のうち仰角が5度よりも小さい方向に散乱した後方散乱電子を検出する第二の後方散乱電子検出手段と、該第二の後方散乱電子検出手段で検出した仰角が5度よりも小さい方向に散乱した後方散乱電子強度に対応する電子線像を生成する第二の電子線像生成手段と、該第二の電子線像生成手段で生成した後方散乱電子線像上の前記穴パターン又は前記溝パターンの底相当領域の明るさから、前記穴パターン又は前記溝パターンの底の材料を推定する材料推定手段を更に含むことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 請求項1ないし2の何れかに記載の走査電子顕微鏡システムであって、
前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する前記後方散乱電子検出手段は、前記後方散乱電子を方位別に検出する複数の検出面を有する検出器を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡システム。 - 基板上に形成された穴パターン又は溝パターンを計測する方法であって、
電子顕微鏡で基板上に形成された穴パターン又は溝パターンに対して一次電子線を走査して照射し、
該一次電子線が照射された前記基板から放出される後方散乱電子のうち前記穴パターン又は溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出し、
該検出した後方散乱電子の強度分布に対応する電子線像を生成し、
該生成した電子線像上の明部領域内に存在する暗部領域の前記明部領域との境界領域を求め、
該求めた境界領域を前記穴パターン又は溝パターンのエッジ位置として検出することと、前記求めた境界領域の内部の暗部領域の明るさの情報から前記穴パターン又は溝パターンの深さを推定することの何れか又は両方を行うことを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。 - 請求項8記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、前記電子顕微鏡で、30キロ電子ボルト以上のエネルギーを有する前記一次電子線を前記穴パターン又は溝パターンに照射することを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。
- 請求項8に記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、
前記基板上に形成されたパターンに照射する一次電子線の光路を取り囲むようにして配置された後方散乱電子検出器が、前記一次電子線を走査して照射した前記基板から放出された後方散乱電子を検出することを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。 - 請求項8に記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、
前記穴パターン又は前記溝パターンの前記深さの推定において、予め作成した穴パターン又は溝パターンの深さと電子線像の明るさを関連づける検量線を参照して深さを算出することを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。 - 請求項8に記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、
さらに、前記基板から放出される二次電子を検出して、検出した該二次電子の強度に対応する電子線像を生成し、
生成した該二次電子の電子線像の前記明部領域のエッジ位置に基づき前記穴パターンの上径又は前記溝パターンの幅を計測する
ことを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。 - 請求項8に記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、
さらに、前記基板から放出される後方散乱電子のうち仰角が5度よりも小さい方向に散乱した後方散乱電子を検出し、
検出した該仰角が5度よりも小さい方向に散乱した後方散乱電子強度に対応する電子線像を生成し、
生成した前記後方散乱電子強度に対応する前記電子線像上の前記穴パターン又は前記溝パターンの底相当領域の明るさから、前記穴パターン又は前記溝パターンの底の材料を推定する
ことを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。 - 請求項8に記載の走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法であって、
前記後方散乱電子を方位別に検出する複数の検出面を有する検出器が、前記穴パターン又は前記溝パターンの側壁を突き抜けた後方散乱電子を検出する
ことを特徴とする走査電子顕微鏡システムを用いたパターン計測方法。
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