JPWO2017179138A1 - パターン計測装置およびパターン計測方法 - Google Patents
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Abstract
Description
aは、上下ずれ量の変化に対する底部寸法の変化を示す係数であり、このような係数を予め求めておき、実際の底部寸法と上下ずれ量の計測を行うことによって、本来の底部寸法を算出する。また、係数aはずれの方向に応じて符号を変える必要がある。
B´=a×D2+b×D+c+B・・・(式2)
で表すことができる。ここで、a、b、cはあらかじめ求めた定数である。
B´=a×D+B(−D1>D またはD>D1の場合)・・・(式4)
ここで、aはあらかじめ求めた定数である。これらの補正演算は、演算装置で測定毎に演算を行ってもよいし、画像処理装置内でハードウェアのテーブル変換を用いてもよい。また、測定毎ではなく、1試料の測定がすべて終了した時点でまとめて複数点の演算を行ってもよい。ここで、D1の演算に必要なパラメータは、あらかじめ測定して決定しておく。
B´=cosθ×a×D+B・・・(式5)
によって求めることができる。この場合、パターン上部中心と底部中心間のずれ量だけではなく、そのずれの方向をも画像処理を用いて求めることによって、ずれの方向によらず、正確な底部寸法を求めることができる。ずれの方向に応じた寸法値補正法は例えば式2、3、4等にも適用することができる。
Claims (11)
- 荷電粒子線装置にて得られた信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定する演算装置を備えたパターン計測装置において、
前記演算装置は、前記試料に対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られた検出信号から、パターンの第1の部分と当該第1の部分とは異なる高さにある第2の部分とのずれと、前記パターンの寸法値を求め、当該検出信号から求められたずれと、前記パターンの寸法と前記ずれとの関係を示す関係情報を用いて、前記パターンの寸法値を補正することを特徴とするパターン計測装置。 - 請求項1において、
前記演算装置は、前記検出信号から求められたパターンの寸法値に、前記第1の部分と第2の部分のずれに応じた補正値を加算することを特徴とするパターン計測装置。 - 請求項1において、
前記パターンの寸法値は、前記パターンの底部の寸法値であることを特徴とするパターン計測装置。 - 荷電粒子源から放出される荷電粒子ビームの試料への照射に基づいて得られる荷電粒子を検出する検出器と、当該検出器の出力に基づいて前記試料に形成されたパターンの寸法を測定する制御装置を備えたパターン計測装置において、
前記制御装置は、前記試料に対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られた検出信号から、パターンの第1の部分と当該第1の部分とは異なる高さにある第2の部分とのずれと、前記パターンの寸法値を求め、当該検出信号から求められたずれと、前記パターンの寸法と前記ずれとの関係を示す関係情報を用いて、前記パターンの寸法値を補正することを特徴とするパターン計測装置。 - 請求項4において、
前記荷電粒子ビームの理想光軸に対して傾斜した方向から前記試料に対して前記荷電粒子ビームを照射するために前記荷電粒子ビームを偏向する傾斜用偏向器、或いは前記試料を傾斜させる傾斜ステージの少なくとも1つを含む傾斜ビーム照射機構を備え、前記制御装置は、前記傾斜用偏向器、或いは傾斜ステージの少なくとも1つを制御して、複数の傾斜角度におけるパターンの寸法値を測定し、当該複数の傾斜角度におけるパターンの寸法値に基づいて、前記関係情報を生成することを特徴とするパターン計測装置。 - 請求項4において、
前記荷電粒子ビームの理想光軸に対して傾斜した方向から前記試料に対して前記荷電粒子ビームを照射するために前記荷電粒子ビームを偏向する傾斜用偏向器、或いは前記試料を傾斜させる傾斜ステージの少なくとも1つを含む傾斜ビーム照射機構を備え、前記制御装置は、前記ずれと前記荷電粒子ビームの傾斜角度から、前記パターンの傾斜角度を算出することを特徴とするパターン計測装置。 - 請求項4において、
前記検出器は、第1の検出器と、当該第1の検出器より試料側に配置された第2の検出器を含み、前記制御装置は、前記第1の検出器と前記第2の検出器の出力に基づいて、前記第1の部分と前記第2の部分との間のずれを求めることを特徴とするパターン計測装置。 - 請求項4において、
前記制御装置は、前記検出信号に基づいて求められる値が、規定値を超えているか否かを判定することを特徴とするパターン計測装置。 - 荷電粒子線装置にて得られた信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン計測方法において、
前記試料に対する荷電粒子ビームの走査に基づいて得られた検出信号から、パターンの第1の部分と当該第1の部分とは異なる高さにある第2の部分とのずれと、前記パターンの寸法値を求め、当該検出信号から求められたずれと、前記パターンの寸法と前記ずれとの関係を示す関係情報を用いて、前記パターンの寸法値を補正することを特徴とするパターン計測方法。 - 請求項9において、
前記試料に対し、複数の異なる傾斜角度の荷電粒子ビームを照射することによって得られる検出信号に基づいて、前記関係情報を生成することを特徴とするパターン計測方法。 - 請求項9において、
前記検出信号に基づいて求められる値が、規定値を超えているか否かを判定することを特徴とするパターン計測方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/061853 WO2017179138A1 (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | パターン計測装置およびパターン計測方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017179138A1 true JPWO2017179138A1 (ja) | 2018-12-06 |
JP6511193B2 JP6511193B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=60042000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018511808A Active JP6511193B2 (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | パターン計測装置およびパターン計測方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10816332B2 (ja) |
JP (1) | JP6511193B2 (ja) |
KR (1) | KR101986115B1 (ja) |
CN (1) | CN108700412B (ja) |
WO (1) | WO2017179138A1 (ja) |
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- 2016-04-13 CN CN201680082888.5A patent/CN108700412B/zh active Active
- 2016-04-13 KR KR1020187021433A patent/KR101986115B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-13 JP JP2018511808A patent/JP6511193B2/ja active Active
- 2016-04-13 US US16/086,063 patent/US10816332B2/en active Active
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JP6511193B2 (ja) | 2019-05-15 |
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Legal Events
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