JP2001082931A - 穴深さ測定方法及び穴深さ測定装置 - Google Patents
穴深さ測定方法及び穴深さ測定装置Info
- Publication number
- JP2001082931A JP2001082931A JP25620399A JP25620399A JP2001082931A JP 2001082931 A JP2001082931 A JP 2001082931A JP 25620399 A JP25620399 A JP 25620399A JP 25620399 A JP25620399 A JP 25620399A JP 2001082931 A JP2001082931 A JP 2001082931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- depth
- pattern matching
- observed
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高精度・高速度な処理が可能な穴深さ測定方法
を提供すること。 【解決手段】ＳＥＭ画像と穴上面エッジＫｅの基準画像
とのパターンマッチングを行う穴上面パターンマッチン
グ処理部３１と、ＳＥＭ画像からの穴上面エッジＫｅの
形状情報と、基準となる穴上面エッジＫｅの形状情報と
の適合処理により、穴上面Ｋの位置を検出する穴上面位
置検出処理部３２と、ＳＥＭ画像と穴底面エッジＴｅの
基準画像とのパターンマッチングを行う穴底面パターン
マッチング処理部３３と、ＳＥＭ画像からの穴底面エッ
ジＴｅの形状情報と、基準となる穴底面エッジＴｅの形
状情報との適合処理により、穴底面Ｔの位置を検出する
穴底面位置検出処理部３４と、穴上面Ｋと穴底面Ｔとの
距離とに基づいて穴Ｈの深さＤを算出する穴深さ算出部
３５とを備えている。
を提供すること。 【解決手段】ＳＥＭ画像と穴上面エッジＫｅの基準画像
とのパターンマッチングを行う穴上面パターンマッチン
グ処理部３１と、ＳＥＭ画像からの穴上面エッジＫｅの
形状情報と、基準となる穴上面エッジＫｅの形状情報と
の適合処理により、穴上面Ｋの位置を検出する穴上面位
置検出処理部３２と、ＳＥＭ画像と穴底面エッジＴｅの
基準画像とのパターンマッチングを行う穴底面パターン
マッチング処理部３３と、ＳＥＭ画像からの穴底面エッ
ジＴｅの形状情報と、基準となる穴底面エッジＴｅの形
状情報との適合処理により、穴底面Ｔの位置を検出する
穴底面位置検出処理部３４と、穴上面Ｋと穴底面Ｔとの
距離とに基づいて穴Ｈの深さＤを算出する穴深さ算出部
３５とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大規模集積回路
（ＬＳＩ）製造工程中に、ウエハＷに形成された微少な
穴の深さを、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮像し
た画像データに対して、画像処理を用いてこの穴の深さ
を測定するための、穴深さ測定方法及びその装置に関す
る。
（ＬＳＩ）製造工程中に、ウエハＷに形成された微少な
穴の深さを、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮像し
た画像データに対して、画像処理を用いてこの穴の深さ
を測定するための、穴深さ測定方法及びその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程中に形成される微細パタ
ーンの深さ（高さ）方向の寸法を精度よく測定するため
には、ウエハＷを破壊しその断面をＳＥＭにより観察す
る方法がある。
ーンの深さ（高さ）方向の寸法を精度よく測定するため
には、ウエハＷを破壊しその断面をＳＥＭにより観察す
る方法がある。
【０００３】一方、ウエハＷを破壊せずに微細パターン
の三次元形状を把握する方法として、いくつかの方法が
提案されている。例えば、特開平８−７８１８号公報で
は、被観察対象物の傾斜角を徐々に変化させつつ撮像す
ることによって得られた複数の画像に、画像処理を施す
ことによって三次元立体画像を合成している。
の三次元形状を把握する方法として、いくつかの方法が
提案されている。例えば、特開平８−７８１８号公報で
は、被観察対象物の傾斜角を徐々に変化させつつ撮像す
ることによって得られた複数の画像に、画像処理を施す
ことによって三次元立体画像を合成している。
【０００４】また、特開平５−２９９０４８号公報で
は、高さ情報の異なる走査像を取り込むために、照射電
子線のフォーカス条件が異なる走査像を複数取り込み、
これら複数の走査像とフォーカス条件から被観察対象物
の三次元像を構成している。
は、高さ情報の異なる走査像を取り込むために、照射電
子線のフォーカス条件が異なる走査像を複数取り込み、
これら複数の走査像とフォーカス条件から被観察対象物
の三次元像を構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記で説明した従来の
ウエハＷに形成された微細パターンの深さ方向の寸法の
測定方法では、次のような問題があった。すなわち、ウ
エハＷを破壊してその断面を観察する方法は、他の方法
より測定精度はよいが、ウエハＷを破壊してしまうた
め、そのウエハＷはもう使えないという問題がある。ま
た、測定したいホールの断面が観察できるようにウエハ
Ｗを割ることは極めて難しいという問題があった。すな
わち、この方法は、ＬＳＩ製造工程におけるプロセス後
の加工形状の寸法測定に対しては不適であった。
ウエハＷに形成された微細パターンの深さ方向の寸法の
測定方法では、次のような問題があった。すなわち、ウ
エハＷを破壊してその断面を観察する方法は、他の方法
より測定精度はよいが、ウエハＷを破壊してしまうた
め、そのウエハＷはもう使えないという問題がある。ま
た、測定したいホールの断面が観察できるようにウエハ
Ｗを割ることは極めて難しいという問題があった。すな
わち、この方法は、ＬＳＩ製造工程におけるプロセス後
の加工形状の寸法測定に対しては不適であった。
【０００６】また、傾斜角が異なる複数の画像に画像処
理を施す方法（特開平８−７８１８号公報）や、フォー
カス条件が異なる複数の画像に画像処理を施す方法（特
開平５−２９９０４８号公報）等は、ウエハＷを非破壊
で測定でき、大まかな三次元的な形状を把握するのには
向いているが、画像処理方法等その測定手法が複雑であ
り、ホール段差の測定等の特定の測定項目に対して適用
するには測定に手間がかかり現実的ではなかった。
理を施す方法（特開平８−７８１８号公報）や、フォー
カス条件が異なる複数の画像に画像処理を施す方法（特
開平５−２９９０４８号公報）等は、ウエハＷを非破壊
で測定でき、大まかな三次元的な形状を把握するのには
向いているが、画像処理方法等その測定手法が複雑であ
り、ホール段差の測定等の特定の測定項目に対して適用
するには測定に手間がかかり現実的ではなかった。
【０００７】そこで本発明は、より高精度、かつ、高速
度な処理を行うことができる穴深さ測定方法及び穴深さ
測定装置を提供することを目的としている。
度な処理を行うことができる穴深さ測定方法及び穴深さ
測定装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明の穴深さ測定方法及び穴深さ測
定装置は次のように構成されている。
達成するために、本発明の穴深さ測定方法及び穴深さ測
定装置は次のように構成されている。
【０００９】（１）画像取得手段で得られた画像データ
に基づいて被観察対象物上に形成された穴の深さを測定
する穴の深さ測定方法において、前記穴の側面及び底面
が観察できるように、前記被観察対象物を斜めから観察
して得られる前記画像データに対して、予め設定された
穴上面エッジの特徴を有する第１の基準パターンとのパ
ターンマッチングを行う穴上面パターンマッチング処理
工程と、この穴上面パターンマッチング処理工程から得
られる穴上面エッジの形状情報と、予め登録されている
穴上面エッジの形状情報との適合処理により、穴上面の
位置を検出する穴上面位置検出処理工程と、前記画像デ
ータに対し、予め設定された穴底面エッジの特徴を有す
る第２の基準パターンとのパターンマッチングを行う穴
底面パターンマッチング処理工程と、この穴底面パター
ンマッチング処理工程から得られる穴底面エッジの形状
情報と、予め登録されている穴底面エッジの形状情報と
の適合処理により、穴底面の位置を検出する穴底面位置
検出処理工程と、前記穴上面と前記穴底面との距離とに
基づいて前記穴の深さの寸法を算出する穴深さ算出処理
工程とを備えることを特徴とする。
に基づいて被観察対象物上に形成された穴の深さを測定
する穴の深さ測定方法において、前記穴の側面及び底面
が観察できるように、前記被観察対象物を斜めから観察
して得られる前記画像データに対して、予め設定された
穴上面エッジの特徴を有する第１の基準パターンとのパ
ターンマッチングを行う穴上面パターンマッチング処理
工程と、この穴上面パターンマッチング処理工程から得
られる穴上面エッジの形状情報と、予め登録されている
穴上面エッジの形状情報との適合処理により、穴上面の
位置を検出する穴上面位置検出処理工程と、前記画像デ
ータに対し、予め設定された穴底面エッジの特徴を有す
る第２の基準パターンとのパターンマッチングを行う穴
底面パターンマッチング処理工程と、この穴底面パター
ンマッチング処理工程から得られる穴底面エッジの形状
情報と、予め登録されている穴底面エッジの形状情報と
の適合処理により、穴底面の位置を検出する穴底面位置
検出処理工程と、前記穴上面と前記穴底面との距離とに
基づいて前記穴の深さの寸法を算出する穴深さ算出処理
工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】（２）上記（１）に記載された穴深さ測定
方法であって、前記穴深さ算出処理工程は、前記穴上面
と前記穴底面との間の画素数を求め、前記画素数に１画
素に相当する寸法と被観察対象物を観察する角度とに基
づいて行われることを特徴とする。
方法であって、前記穴深さ算出処理工程は、前記穴上面
と前記穴底面との間の画素数を求め、前記画素数に１画
素に相当する寸法と被観察対象物を観察する角度とに基
づいて行われることを特徴とする。
【００１１】（３）上記（１）に記載された穴深さ測定
方法であって、前記画像データは、被観察対象物に対し
て斜めに照射電子線が入射するようにして得られるＳＥ
Ｍデータであることを特徴とする。
方法であって、前記画像データは、被観察対象物に対し
て斜めに照射電子線が入射するようにして得られるＳＥ
Ｍデータであることを特徴とする。
【００１２】（４）画像取得手段で得られた画像データ
に基づいて被観察対象物上に形成された穴の深さを測定
する穴の深さ測定装置において、前記穴の側面及び底面
が観察できるように、前記被観察対象物を斜めから観察
して得られる前記画像データに対して、予め設定された
穴上面エッジの特徴を有する第１の基準パターンとのパ
ターンマッチングを行う穴上面パターンマッチング処理
手段と、この穴上面パターンマッチング処理手段から得
られる穴上面エッジの形状情報と、予め登録されている
穴上面エッジの形状情報との適合処理により、穴上面の
位置を検出する穴上面位置検出処理手段と、前記画像デ
ータに対し、予め設定された穴底面エッジの特徴を有す
る第２の基準パターンとのパターンマッチングを行う穴
底面パターンマッチング処理手段と、この穴底面パター
ンマッチング処理から得られる穴底面エッジの形状情報
と、予め登録されている穴底面エッジの形状情報との適
合処理により、穴底面の位置を検出する穴底面位置検出
処理手段と、前記穴上面と前記穴底面との距離とに基づ
いて前記穴の深さの寸法を算出する穴深さ算出処理手段
とを備えることを特徴とする。
に基づいて被観察対象物上に形成された穴の深さを測定
する穴の深さ測定装置において、前記穴の側面及び底面
が観察できるように、前記被観察対象物を斜めから観察
して得られる前記画像データに対して、予め設定された
穴上面エッジの特徴を有する第１の基準パターンとのパ
ターンマッチングを行う穴上面パターンマッチング処理
手段と、この穴上面パターンマッチング処理手段から得
られる穴上面エッジの形状情報と、予め登録されている
穴上面エッジの形状情報との適合処理により、穴上面の
位置を検出する穴上面位置検出処理手段と、前記画像デ
ータに対し、予め設定された穴底面エッジの特徴を有す
る第２の基準パターンとのパターンマッチングを行う穴
底面パターンマッチング処理手段と、この穴底面パター
ンマッチング処理から得られる穴底面エッジの形状情報
と、予め登録されている穴底面エッジの形状情報との適
合処理により、穴底面の位置を検出する穴底面位置検出
処理手段と、前記穴上面と前記穴底面との距離とに基づ
いて前記穴の深さの寸法を算出する穴深さ算出処理手段
とを備えることを特徴とする。
【００１３】（５）上記（４）に記載された穴深さ測定
装置であって、前記穴深さ算出処理手段は、前記穴上面
と前記穴底面との間の画素数を求め、前記画素数に１画
素に相当する寸法と被観察対象物を観察する角度とに基
づいて行われることを特徴とする。
装置であって、前記穴深さ算出処理手段は、前記穴上面
と前記穴底面との間の画素数を求め、前記画素数に１画
素に相当する寸法と被観察対象物を観察する角度とに基
づいて行われることを特徴とする。
【００１４】（６）上記（４）に記載された穴深さ測定
装置であって、前記画像データは、被観察対象物に対し
て斜めに照射電子線が入射するようにして得られるＳＥ
Ｍ画像データであることを特徴とする。
装置であって、前記画像データは、被観察対象物に対し
て斜めに照射電子線が入射するようにして得られるＳＥ
Ｍ画像データであることを特徴とする。
【００１５】上記手段を講じた結果、次のような作用が
生じる。すなわち、被観察対象物に対して斜めに照射電
子線が入射するようにして得た画像データから穴上面位
置及び穴底面位置を検出することで、穴深さを算出する
ようにしているので、サブミクロンオーダの穴の深さを
精度よく迅速に測定することが可能となる。特に、穴の
側面にテーパがついているような場合のように、穴形状
が円筒形でない場合であっても正確に穴深さを測定でき
ることが可能となる。
生じる。すなわち、被観察対象物に対して斜めに照射電
子線が入射するようにして得た画像データから穴上面位
置及び穴底面位置を検出することで、穴深さを算出する
ようにしているので、サブミクロンオーダの穴の深さを
精度よく迅速に測定することが可能となる。特に、穴の
側面にテーパがついているような場合のように、穴形状
が円筒形でない場合であっても正確に穴深さを測定でき
ることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態に係
る穴深さ測定装置１０の概略構成を示す図である。穴深
さ測定装置１０は、ＬＳＩ製造工程中のウエハ（被観察
対象物）Ｗに形成されたサブミクロンオーダの穴Ｈの深
さＤを測定するものである。なお、説明中Ｔは穴Ｈの底
面部、Ｓは側面、Ｋｅは穴上面エッジ、Ｔｅは穴底面エ
ッジを示している。
る穴深さ測定装置１０の概略構成を示す図である。穴深
さ測定装置１０は、ＬＳＩ製造工程中のウエハ（被観察
対象物）Ｗに形成されたサブミクロンオーダの穴Ｈの深
さＤを測定するものである。なお、説明中Ｔは穴Ｈの底
面部、Ｓは側面、Ｋｅは穴上面エッジ、Ｔｅは穴底面エ
ッジを示している。
【００１７】穴深さ測定装置１０は、走査型電子顕微鏡
２０と、画像取得手段であるパーソナルコンピュータ
（ＰＣ）やエンジニアリングワークステーション（ＥＷ
Ｓ）等の汎用のプロセッサを搭載したコンピュータ３０
と、モニタ９０と、ハードディスク・フロッピーディス
ク・ＭＯディスク等の記録媒体や、画像入カボード・イ
メージスキャナ等から構成された画像入力装置５０とか
ら構成されている。
２０と、画像取得手段であるパーソナルコンピュータ
（ＰＣ）やエンジニアリングワークステーション（ＥＷ
Ｓ）等の汎用のプロセッサを搭載したコンピュータ３０
と、モニタ９０と、ハードディスク・フロッピーディス
ク・ＭＯディスク等の記録媒体や、画像入カボード・イ
メージスキャナ等から構成された画像入力装置５０とか
ら構成されている。
【００１８】電子顕微鏡２０は、ウエハＷを収容する真
空チャンバ２１と、この真空チャンバ２１に取り付けら
れウエハＷに照射電子線Ｕを照射する電子鏡筒２２と、
ウエハＷを支持する支持台２３とを備えている。
空チャンバ２１と、この真空チャンバ２１に取り付けら
れウエハＷに照射電子線Ｕを照射する電子鏡筒２２と、
ウエハＷを支持する支持台２３とを備えている。
【００１９】なお、電子顕微鏡２０はウエハＷを斜めか
ら観察するために、図２，図３の（ａ），（ｂ）に示す
ように構成されている。すなわち、図２に示すように、
支持台２３が電子鏡筒２２に対して揺動自在に取り付け
られている。また、図３の（ａ）に示すように電子鏡筒
２２が真空チャンバ２１に対して揺動自在に取り付けら
れている。また、図３の（ｂ）に示すように照射電子線
Ｕの進行方向を変化させるための偏向コイル２４が取り
付けられている場合もある。
ら観察するために、図２，図３の（ａ），（ｂ）に示す
ように構成されている。すなわち、図２に示すように、
支持台２３が電子鏡筒２２に対して揺動自在に取り付け
られている。また、図３の（ａ）に示すように電子鏡筒
２２が真空チャンバ２１に対して揺動自在に取り付けら
れている。また、図３の（ｂ）に示すように照射電子線
Ｕの進行方向を変化させるための偏向コイル２４が取り
付けられている場合もある。
【００２０】また、ウエハＷと照射電子線Ｕとの角度
は、穴Ｈの側面全体が観察できるように設定する。例え
ば、ウエハＷと照射電子線Ｕとの角度を４５度や、６０
度に設定すると、直径０．５０μｍの穴Ｈであれば、
０．５０μｍ×ｔａｎ４５°＝０．５０μｍ、０．５０
μｍ×ｔａｎ６０°＝０．８７μｍまでの深さを測定で
きる。すなわち、角度が大きいほうがより深い穴の深さ
を測定できる。一方、測定精度を高めるためには、穴Ｈ
の側面Ｓをなるべく広く観察したほうがよいため、角度
は小さいほうがよい。このように角度は、測定したい穴
Ｈの深さＤの範囲と、必要な測定精度を考慮して決定す
る。
は、穴Ｈの側面全体が観察できるように設定する。例え
ば、ウエハＷと照射電子線Ｕとの角度を４５度や、６０
度に設定すると、直径０．５０μｍの穴Ｈであれば、
０．５０μｍ×ｔａｎ４５°＝０．５０μｍ、０．５０
μｍ×ｔａｎ６０°＝０．８７μｍまでの深さを測定で
きる。すなわち、角度が大きいほうがより深い穴の深さ
を測定できる。一方、測定精度を高めるためには、穴Ｈ
の側面Ｓをなるべく広く観察したほうがよいため、角度
は小さいほうがよい。このように角度は、測定したい穴
Ｈの深さＤの範囲と、必要な測定精度を考慮して決定す
る。
【００２１】コンピュータ３０は、図４に示すように、
電子顕微鏡２０から入力された画像データ（以下、「Ｓ
ＥＭ画像」と称する」に対し予め登録された穴上面エッ
ジＫｅを特徴付ける基準画像（基準パターン）とのパタ
ーンマッチングを行う穴上面パターンマッチング部３１
と、穴上面パターンマッチング処理部３１により得られ
た穴上面エッジＫｅの形状情報と予め登録されている穴
上面エッジの形状情報との適合処理により穴上面Ｋの位
置を検出する穴上面位置検出部３２と、入力されたＳＥ
Ｍ画像に対し予め登録された穴底面エッジＴｅを特徴付
ける基準画像とのパターンマッチングを行う穴底面パタ
ーンマッチング処理部３３と、穴底面パターンマッチン
グ部３３により得られた穴底面エッジＴｅの形状情報と
予め登録されている穴底面エッジＴｅの形状情報との適
合処理により穴底面Ｔの位置を検出する穴底面位置検出
部３４と、検出された穴上面Ｋと穴底面Ｔの距離に相当
する画素を算出し、この画素数に１画素に相当する寸法
と照射電子線Ｕの被観察対象物に対する角度とを考慮し
て穴Ｈの深さＤを算出する穴深さ算出部３５と、基準画
像を記憶する基準画像記憶部３６と、形状情報を記憶す
る形状情報記憶部３７とを備えている。
電子顕微鏡２０から入力された画像データ（以下、「Ｓ
ＥＭ画像」と称する」に対し予め登録された穴上面エッ
ジＫｅを特徴付ける基準画像（基準パターン）とのパタ
ーンマッチングを行う穴上面パターンマッチング部３１
と、穴上面パターンマッチング処理部３１により得られ
た穴上面エッジＫｅの形状情報と予め登録されている穴
上面エッジの形状情報との適合処理により穴上面Ｋの位
置を検出する穴上面位置検出部３２と、入力されたＳＥ
Ｍ画像に対し予め登録された穴底面エッジＴｅを特徴付
ける基準画像とのパターンマッチングを行う穴底面パタ
ーンマッチング処理部３３と、穴底面パターンマッチン
グ部３３により得られた穴底面エッジＴｅの形状情報と
予め登録されている穴底面エッジＴｅの形状情報との適
合処理により穴底面Ｔの位置を検出する穴底面位置検出
部３４と、検出された穴上面Ｋと穴底面Ｔの距離に相当
する画素を算出し、この画素数に１画素に相当する寸法
と照射電子線Ｕの被観察対象物に対する角度とを考慮し
て穴Ｈの深さＤを算出する穴深さ算出部３５と、基準画
像を記憶する基準画像記憶部３６と、形状情報を記憶す
る形状情報記憶部３７とを備えている。
【００２２】このように構成された穴深さ測定装置１０
では、例えばウエハＷ上に形成された短径０．３μｍ
（上面位置）の楕円形の穴Ｈの走査型電子顕微鏡の画像
（以下、「ＳＥＭ画像」と称する。）を用いて、次のよ
うにして穴Ｈの深さＤを測定する。なお、図３は穴深さ
測定手順を示すフローチャートである。
では、例えばウエハＷ上に形成された短径０．３μｍ
（上面位置）の楕円形の穴Ｈの走査型電子顕微鏡の画像
（以下、「ＳＥＭ画像」と称する。）を用いて、次のよ
うにして穴Ｈの深さＤを測定する。なお、図３は穴深さ
測定手順を示すフローチャートである。
【００２３】図６の（ａ）に示す画像は、ウエハＷに４
５度で照射電子線Ｕが入射するようにして得られたＳＥ
Ｍ画像である。このＳＥＭ画像から穴Ｈの底面部Ｔと、
側面Ｓが観察できる。また、この穴Ｈは図６の（ｂ）に
示すような断面形状をしており、側面Ｓはテーパ状とな
っている。
５度で照射電子線Ｕが入射するようにして得られたＳＥ
Ｍ画像である。このＳＥＭ画像から穴Ｈの底面部Ｔと、
側面Ｓが観察できる。また、この穴Ｈは図６の（ｂ）に
示すような断面形状をしており、側面Ｓはテーパ状とな
っている。
【００２４】まず、測定前に基準画像の登録（ＳＴ１
０）と形状情報の登録（ＳＴ１１）を行う。基準画像の
登録とは、穴上面パターンマッチング処理、穴底面パタ
ーンマッチング処理を行うための基準となる基準画像を
記憶しておくことであり、形状情報の登録とは、穴上面
位置検出処理、穴底面位置検出処理を行うための穴上面
エッジＫｅの形状情報及び穴底面エッジＴｅの形状情報
を登録しておくことである。
０）と形状情報の登録（ＳＴ１１）を行う。基準画像の
登録とは、穴上面パターンマッチング処理、穴底面パタ
ーンマッチング処理を行うための基準となる基準画像を
記憶しておくことであり、形状情報の登録とは、穴上面
位置検出処理、穴底面位置検出処理を行うための穴上面
エッジＫｅの形状情報及び穴底面エッジＴｅの形状情報
を登録しておくことである。
【００２５】基準画像の登録は次のようにして行う。例
えば、図７の（ａ）の画像において、穴上面エッジＫｅ
を特徴づけるのは、特徴領域４０，４１，４２に示すよ
うに、エッジ部分の濃淡が明確な部分である。これらの
特徴領域４０〜４２では被観察面への照射電子線Ｕの入
射角度の違いによる濃淡の差と、エッジ効果による濃淡
の差が現れている。これらの特徴は、ウエハＷの傾斜角
度が一定であれば、穴Ｈの深さＤが変わっても不変であ
るため、これらの特徴領域４０〜４２における画像を予
め基準画像として登録する。一方、領域４３はエッジ部
分の濃淡の差が不明確であり、基準画像としては不適当
である。図７の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、この穴上面
エッジＫｅの基準画像を示している。
えば、図７の（ａ）の画像において、穴上面エッジＫｅ
を特徴づけるのは、特徴領域４０，４１，４２に示すよ
うに、エッジ部分の濃淡が明確な部分である。これらの
特徴領域４０〜４２では被観察面への照射電子線Ｕの入
射角度の違いによる濃淡の差と、エッジ効果による濃淡
の差が現れている。これらの特徴は、ウエハＷの傾斜角
度が一定であれば、穴Ｈの深さＤが変わっても不変であ
るため、これらの特徴領域４０〜４２における画像を予
め基準画像として登録する。一方、領域４３はエッジ部
分の濃淡の差が不明確であり、基準画像としては不適当
である。図７の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、この穴上面
エッジＫｅの基準画像を示している。
【００２６】同様に、図８の画像で穴底面エッジＴｅを
特徴づけるのは、特徴領域４４，４５，４６に示すよう
なエッジ部分の濃淡が明確な部分である。これらの特徴
領域４４〜４６における画像を予め基準画像として登録
する。図８の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、この穴底面エ
ッジＴｅの基準画像を示している。
特徴づけるのは、特徴領域４４，４５，４６に示すよう
なエッジ部分の濃淡が明確な部分である。これらの特徴
領域４４〜４６における画像を予め基準画像として登録
する。図８の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、この穴底面エ
ッジＴｅの基準画像を示している。
【００２７】一方、形状情報の登録は次のようにして行
う。すなわち、上述した特徴領域４０〜４２及び特徴領
域４４〜４６の位置をそれぞれの左上の基準座標５０〜
５２及び基準座標５４〜５６で示し、さらに、登録した
それぞれの形状の中心基準座標５７，５８を算出する。
そして、これら基準座標５０〜５２，５４〜５６及び中
新基準座標５７，５８を図９の（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに形状情報として登録する。なお、これらの形状情報
は、後述する穴の深さ算出処理で必要となる。
う。すなわち、上述した特徴領域４０〜４２及び特徴領
域４４〜４６の位置をそれぞれの左上の基準座標５０〜
５２及び基準座標５４〜５６で示し、さらに、登録した
それぞれの形状の中心基準座標５７，５８を算出する。
そして、これら基準座標５０〜５２，５４〜５６及び中
新基準座標５７，５８を図９の（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに形状情報として登録する。なお、これらの形状情報
は、後述する穴の深さ算出処理で必要となる。
【００２８】次に実際の穴深さ測定処理について説明す
る。なお、ここで入力されたＳＥＭ画像データは図１０
に示すようなものであり、上述した図６で示した画像と
は深さＤが異なっている。
る。なお、ここで入力されたＳＥＭ画像データは図１０
に示すようなものであり、上述した図６で示した画像と
は深さＤが異なっている。
【００２９】（１）穴上面位置検出処理 最初に穴上面Ｋの位置を検出する。すなわち、図１０の
画像に対し、図７の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示した基
準画像とのパターンマッチング処理工程を行い（ＳＴ
１）、図１１に示すように穴上面エッジＫｅの特徴領域
６０〜６２を抽出する。これら特徴領域６０〜６２の位
置は座標７０〜７２で示される。
画像に対し、図７の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示した基
準画像とのパターンマッチング処理工程を行い（ＳＴ
１）、図１１に示すように穴上面エッジＫｅの特徴領域
６０〜６２を抽出する。これら特徴領域６０〜６２の位
置は座標７０〜７２で示される。
【００３０】次に、座標７０〜７２と、上述した基準座
標５０〜５２との距離がそれぞれ最小となるように、基
準座標５０〜５２を移動し、穴上面位置検出処理を行う
（工程ＳＴ２）。
標５０〜５２との距離がそれぞれ最小となるように、基
準座標５０〜５２を移動し、穴上面位置検出処理を行う
（工程ＳＴ２）。
【００３１】移動方法の一例としては、図１２に示すよ
うに、穴上面Ｋの基準座標ａｉ（ｘ ａｉ，ｙａｉ）（ｉ
＝１…ｎ、ｎ：基準画像の数）をベクトルδ（δｘ，δ
ｙ）だけ移動したときの座標（ｘａｉ＋δｘ，ｙａｉ＋
δｙ）と、抽出された特徴領域の座標ｂｉ（ｘｂｉ，ｙ
ｂｉ）の距離の和、すなわちベクトルの大きさδが最小
になるようにすればよい。ここでベクトルの大きさδ
は、
うに、穴上面Ｋの基準座標ａｉ（ｘ ａｉ，ｙａｉ）（ｉ
＝１…ｎ、ｎ：基準画像の数）をベクトルδ（δｘ，δ
ｙ）だけ移動したときの座標（ｘａｉ＋δｘ，ｙａｉ＋
δｙ）と、抽出された特徴領域の座標ｂｉ（ｘｂｉ，ｙ
ｂｉ）の距離の和、すなわちベクトルの大きさδが最小
になるようにすればよい。ここでベクトルの大きさδ
は、
【００３２】
【数１】
【００３３】で示される。この結果、移動前の中心基準
座標５７に対し移動した距離・方向に基づいて穴上面Ｋ
の中心座標７７が算出される。
座標５７に対し移動した距離・方向に基づいて穴上面Ｋ
の中心座標７７が算出される。
【００３４】（２）穴底面位置検出処理 次に穴底面Ｔの位置を検出する。すなわち、図１０の画
像に対し、図８の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示した基準
画像とのパターンマッチング処理工程を行い（ＳＴ
３）、図１２に示すような穴底面エッジＴｅの特徴領域
６４〜６６を抽出する。これら特徴領域６４〜６６の位
置は座標７４〜７６で示される。
像に対し、図８の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示した基準
画像とのパターンマッチング処理工程を行い（ＳＴ
３）、図１２に示すような穴底面エッジＴｅの特徴領域
６４〜６６を抽出する。これら特徴領域６４〜６６の位
置は座標７４〜７６で示される。
【００３５】次に、座標７４〜７６と、上述した基準座
標５４〜５６との距離がそれぞれ最小となるように、基
準座標５４〜５６を移動し、穴底面位置検出処理を行う
（工程ＳＴ４）。
標５４〜５６との距離がそれぞれ最小となるように、基
準座標５４〜５６を移動し、穴底面位置検出処理を行う
（工程ＳＴ４）。
【００３６】このとき、穴Ｈの底面形状は、穴Ｈの深さ
Ｄによってその大きさが変わることがあるため、基準座
標５４〜５６相互間の距離を拡大縮小させながら移動さ
せる。例えば、図９の（ｂ）に示すような形状情報が登
録されている場合、抽出特徴領域の座標７４〜７６と登
録形状の座標５４〜５６のｘ方向成分が最も近くなるよ
うに拡大、縮小率を決め、その後、穴上面位置検出処理
と同様に拡大縮小後の形状を移動させればよい。この結
果、移動前の中心基準座標５８に対し移動した距離・方
向・拡大縮小率に基づいて穴底面Ｔの中心座標７８が算
出される。
Ｄによってその大きさが変わることがあるため、基準座
標５４〜５６相互間の距離を拡大縮小させながら移動さ
せる。例えば、図９の（ｂ）に示すような形状情報が登
録されている場合、抽出特徴領域の座標７４〜７６と登
録形状の座標５４〜５６のｘ方向成分が最も近くなるよ
うに拡大、縮小率を決め、その後、穴上面位置検出処理
と同様に拡大縮小後の形状を移動させればよい。この結
果、移動前の中心基準座標５８に対し移動した距離・方
向・拡大縮小率に基づいて穴底面Ｔの中心座標７８が算
出される。
【００３７】（３）穴深さ算出処理 求めたい穴Ｈの深さＤは、穴上面Ｋと穴底面Ｔの距離で
あるから、穴上面位置検出処理及び穴底面位置検出処理
より求めた穴上面Ｋの中心座標７７と穴底面Ｔの中心座
標７８の距離を求める。
あるから、穴上面位置検出処理及び穴底面位置検出処理
より求めた穴上面Ｋの中心座標７７と穴底面Ｔの中心座
標７８の距離を求める。
【００３８】これら中心座標７７，７８間の距離（４
０．６画素）に１画素に相当する寸法（０．００３６μ
ｍ）と照射電子線Ｕの被観察対象物に対する角度（４５
度）とを考慮して、深さＤ（４０．６×０．００３６／
ｓｉｎ４５°＝０．１０μｍ）を算出する。
０．６画素）に１画素に相当する寸法（０．００３６μ
ｍ）と照射電子線Ｕの被観察対象物に対する角度（４５
度）とを考慮して、深さＤ（４０．６×０．００３６／
ｓｉｎ４５°＝０．１０μｍ）を算出する。
【００３９】図１７が測定結果画像であり、２つの直線
８０，８１間が、本発明の方法により求めた穴上面Ｋ−
穴底面Ｔ間距離、すなわち、穴Ｈの深さＤを示してい
る。
８０，８１間が、本発明の方法により求めた穴上面Ｋ−
穴底面Ｔ間距離、すなわち、穴Ｈの深さＤを示してい
る。
【００４０】上述したように本実施の形態に係る穴深さ
測定装置１０によれば、ＳＥＭ画像に基づいて穴Ｈの深
さＤを算出することができる。特に、穴Ｈの側面Ｓがテ
ーパ形状の場合のように、穴Ｈが円筒形でない場合で
も、穴上面Ｋと穴底面Ｔの中心座標を検出することによ
り、正確に深さＤを測定できる。
測定装置１０によれば、ＳＥＭ画像に基づいて穴Ｈの深
さＤを算出することができる。特に、穴Ｈの側面Ｓがテ
ーパ形状の場合のように、穴Ｈが円筒形でない場合で
も、穴上面Ｋと穴底面Ｔの中心座標を検出することによ
り、正確に深さＤを測定できる。
【００４１】なお、穴深さ測定装置１０による穴深さ測
定方法をＣ言語により記述し汎用のプロセッサを搭載し
たパソコンで処理すると、数秒で、図１０に示したＳＥ
Ｍ画像（２３０×１４０画素）を図１７に示すように処
理して穴Ｈの深さＤを測定することができた。また、同
じ穴Ｈについてフォーカス、ブライトネスの条件を変え
て数回測定したところ、３σ＝０．００１３μｍと十分
な測定再現性が得られた。
定方法をＣ言語により記述し汎用のプロセッサを搭載し
たパソコンで処理すると、数秒で、図１０に示したＳＥ
Ｍ画像（２３０×１４０画素）を図１７に示すように処
理して穴Ｈの深さＤを測定することができた。また、同
じ穴Ｈについてフォーカス、ブライトネスの条件を変え
て数回測定したところ、３σ＝０．００１３μｍと十分
な測定再現性が得られた。
【００４２】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではない。すなわち、上述した実施の形態では、
穴の深さを測定しているが、溝の深さや凸部の高さの測
定にも適用可能である。この他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
るものではない。すなわち、上述した実施の形態では、
穴の深さを測定しているが、溝の深さや凸部の高さの測
定にも適用可能である。この他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、被観察対象物に対して
斜めに照射電子線が入射するようにして得た画像データ
から穴上面位置及び穴底面位置を検出することで、穴深
さを算出するようにしているので、サブミクロンオーダ
の穴の深さを精度よく迅速に測定することが可能とな
る。特に、穴の側面にテーパがついているような場合の
ように、穴形状が円筒形でない場合であっても正確に穴
深さを測定できることが可能となる。
斜めに照射電子線が入射するようにして得た画像データ
から穴上面位置及び穴底面位置を検出することで、穴深
さを算出するようにしているので、サブミクロンオーダ
の穴の深さを精度よく迅速に測定することが可能とな
る。特に、穴の側面にテーパがついているような場合の
ように、穴形状が円筒形でない場合であっても正確に穴
深さを測定できることが可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る穴深さ測定装置の
概略を示す図。
概略を示す図。
【図２】被観察対象物の傾きを変える方法を示す説明
図。
図。
【図３】照射電子線の被観察対象物への入射角度を変化
させる方法を示す説明図。
させる方法を示す説明図。
【図４】穴深さ測定装置のシステム構成を示すブロック
図。
図。
【図５】本発明の穴深さ測定方法の工程を示すフローチ
ャート。
ャート。
【図６】穴を示す図であって、（ａ）は倍率８万倍の画
像を示す説明図、（ｂ）は断面形状を示す説明図。
像を示す説明図、（ｂ）は断面形状を示す説明図。
【図７】穴上面エッジの基準画像を示す説明図。
【図８】穴底面エッジの基準画像を示す説明図。
【図９】穴上面形状情報及び穴底面形状情報を示す説明
図。
図。
【図１０】穴の倍率８万倍の原画像を示す説明図。
【図１１】穴上面パターンマッチング処理結果を示す説
明図。
明図。
【図１２】穴上面位置検出処理の一例を示す説明図。
【図１３】穴上面位置検出処理結果を示す説明図。
【図１４】穴底面パターンマッチング処理結果を示す説
明図。
明図。
【図１５】穴底面位置検出処理の一例を示す説明図。
【図１６】穴底面位置検出処理結果を示す説明図。
【図１７】測定結果の画像を示す説明図。
１０…穴深さ測定装置 ２０…走査型電子顕微鏡 ３０…コンピュータ １００…画像入力装置
Claims (6)
- 【請求項１】画像取得手段で得られた画像データに基づ
いて被観察対象物上に形成された穴の深さを測定する穴
の深さ測定方法において、 前記穴の側面及び底面が観察できるように、前記被観察
対象物を斜めに観察して得られる前記画像データに対し
て、予め設定された穴上面エッジの特徴を有する第１の
基準パターンとのパターンマッチングを行う穴上面パタ
ーンマッチング処理工程と、 この穴上面パターンマッチング処理工程から得られる穴
上面エッジの形状情報と、予め登録されている穴上面エ
ッジの形状情報との適合処理により、穴上面の位置を検
出する穴上面位置検出処理工程と、 前記画像データに対し、予め設定された穴底面エッジの
特徴を有する第２の基準パターンとのパターンマッチン
グを行う穴底面パターンマッチング処理工程と、 この穴底面パターンマッチング処理工程から得られる穴
底面エッジの形状情報と、予め登録されている穴底面エ
ッジの形状情報との適合処理により、穴底面の位置を検
出する穴底面位置検出処理工程と、 前記穴上面と前記穴底面との距離とに基づいて前記穴の
深さの寸法を算出する穴深さ算出処理工程とを備えるこ
とを特徴とする穴深さ測定方法。 - 【請求項２】前記穴深さ算出処理工程は、前記穴上面と
前記穴底面との間の画素数を求め、前記画素数に１画素
に相当する寸法と被観察対象物を観察する角度とに基づ
いて行われることを特徴とする請求項１に記載の穴深さ
測定方法。 - 【請求項３】前記画像データは、被観察対象物に対して
斜めに照射電子線が入射するようにして得られるＳＥＭ
データであることを特徴とする請求項１に記載の穴深さ
測定方法。 - 【請求項４】画像取得手段で得られた画像データに基づ
いて被観察対象物上に形成された穴の深さを測定する穴
の深さ測定装置において、 前記穴の側面及び底面が観察できるように、前記被観察
対象物を斜めから観察して得られる前記画像データに対
して、予め設定された穴上面エッジの特徴を有する第１
の基準パターンとのパターンマッチングを行う穴上面パ
ターンマッチング処理手段と、 この穴上面パターンマッチング処理手段から得られる穴
上面エッジの形状情報と、予め登録されている穴上面エ
ッジの形状情報との適合処理により、穴上面の位置を検
出する穴上面位置検出処理手段と、 前記画像データに対し、予め設定された穴底面エッジの
特徴を有する第２の基準パターンとのパターンマッチン
グを行う穴底面パターンマッチング処理手段と、 この穴底面パターンマッチング処理手段から得られる穴
底面エッジの形状情報と、予め登録されている穴底面エ
ッジの形状情報との適合処理により、穴底面の位置を検
出する穴底面位置検出処理手段と、 前記穴上面と前記穴底面との距離とに基づいて前記穴の
深さの寸法を算出する穴深さ算出処理手段とを備えるこ
とを特徴とする穴深さ測定装置。 - 【請求項５】前記穴深さ算出処理手段は、前記穴上面と
前記穴底面との間の画素数を求め、前記画素数に１画素
に相当する寸法と被観察対象物を観察する角度とに基づ
いて行われることを特徴とする請求項１に記載の穴深さ
測定装置。 - 【請求項６】前記画像データは、被観察対象物に対して
斜めに照射電子線が入射するようにして得られるＳＥＭ
画像データであることを特徴とする請求項４に記載の穴
深さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25620399A JP2001082931A (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 穴深さ測定方法及び穴深さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25620399A JP2001082931A (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 穴深さ測定方法及び穴深さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001082931A true JP2001082931A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17289361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25620399A Pending JP2001082931A (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 穴深さ測定方法及び穴深さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001082931A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007121147A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム |
| US7795134B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-09-14 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
| US7829976B2 (en) | 2004-06-29 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices |
| US7830018B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | Partitioned through-layer via and associated systems and methods |
| US7863187B2 (en) | 2005-09-01 | 2011-01-04 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| US7884015B2 (en) | 2007-12-06 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
| US7902643B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having interconnects and conductive backplanes, and associated systems and methods |
| US7915736B2 (en) | 2005-09-01 | 2011-03-29 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| JP2011232070A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 凹部深さの測定方法及び検査装置 |
| US8084866B2 (en) | 2003-12-10 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices |
| US8322031B2 (en) | 2004-08-27 | 2012-12-04 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing an interposer |
| WO2013046998A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 基板に形成された形状を計測するための装置 |
| US8536485B2 (en) * | 2004-05-05 | 2013-09-17 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
| WO2017179138A1 (ja) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置およびパターン計測方法 |
| US9991174B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system of measuring semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same |
| WO2021149117A1 (ja) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線画像用解析装置、検査システムおよびプログラム |
-
1999
- 1999-09-09 JP JP25620399A patent/JP2001082931A/ja active Pending
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9653420B2 (en) | 2003-11-13 | 2017-05-16 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices |
| US8084866B2 (en) | 2003-12-10 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices |
| US11177175B2 (en) | 2003-12-10 | 2021-11-16 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices |
| US8748311B2 (en) | 2003-12-10 | 2014-06-10 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for filing vias in microelectronic devices |
| US10010977B2 (en) | 2004-05-05 | 2018-07-03 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
| US9452492B2 (en) | 2004-05-05 | 2016-09-27 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
| US8686313B2 (en) | 2004-05-05 | 2014-04-01 | Micron Technology, Inc. | System and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
| US8664562B2 (en) | 2004-05-05 | 2014-03-04 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
| US8536485B2 (en) * | 2004-05-05 | 2013-09-17 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces |
| US7829976B2 (en) | 2004-06-29 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices |
| US8322031B2 (en) | 2004-08-27 | 2012-12-04 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing an interposer |
| US8008192B2 (en) | 2005-06-28 | 2011-08-30 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
| US9293367B2 (en) | 2005-06-28 | 2016-03-22 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
| US7795134B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-09-14 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
| US7863187B2 (en) | 2005-09-01 | 2011-01-04 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| US12014958B2 (en) | 2005-09-01 | 2024-06-18 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| US11476160B2 (en) | 2005-09-01 | 2022-10-18 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| US7915736B2 (en) | 2005-09-01 | 2011-03-29 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| US7991218B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern matching apparatus and semiconductor inspection system using the same |
| JP2007121147A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング装置およびそれを用いた半導体検査システム |
| US7902643B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having interconnects and conductive backplanes, and associated systems and methods |
| US9099539B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-08-04 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having interconnects and conductive backplanes, and associated systems and methods |
| US9570350B2 (en) | 2006-08-31 | 2017-02-14 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having interconnects and conductive backplanes, and associated systems and methods |
| US8536046B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-09-17 | Micron Technology | Partitioned through-layer via and associated systems and methods |
| US8367538B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-02-05 | Micron Technology, Inc. | Partitioned through-layer via and associated systems and methods |
| US7830018B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | Partitioned through-layer via and associated systems and methods |
| US7884015B2 (en) | 2007-12-06 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
| US8247907B2 (en) | 2007-12-06 | 2012-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
| US9281241B2 (en) | 2007-12-06 | 2016-03-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods |
| JP2011232070A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 凹部深さの測定方法及び検査装置 |
| WO2013046998A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 基板に形成された形状を計測するための装置 |
| US9991174B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system of measuring semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same |
| US10373882B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system of measuring semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same |
| WO2017179138A1 (ja) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置およびパターン計測方法 |
| JPWO2017179138A1 (ja) * | 2016-04-13 | 2018-12-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置およびパターン計測方法 |
| US10816332B2 (en) | 2016-04-13 | 2020-10-27 | Hitachi High-Tech Corporation | Pattern measurement device and pattern measurement method |
| WO2021149117A1 (ja) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線画像用解析装置、検査システムおよびプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001082931A (ja) | 穴深さ測定方法及び穴深さ測定装置 | |
| JP3959355B2 (ja) | 微細パターンの３次元形状測定方法 | |
| JP5059297B2 (ja) | 電子線式観察装置 | |
| JP5202071B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いた画像処理方法 | |
| KR102449376B1 (ko) | 다이 내부 검사에 있어서의 등록 및 설계 주변부에서 야기된 노이즈의 저감 | |
| JPH01311551A (ja) | パターン形状測定装置 | |
| TW201643927A (zh) | 針對自動ｓ／ｔｅｍ擷取及計量學而使用已知形狀的層狀物之型樣匹配 | |
| JP5094033B2 (ja) | パターンマッチング方法、及びパターンマッチングを行うためのコンピュータープログラム | |
| TW201350788A (zh) | Ｘ射線檢查方法及ｘ射線檢查裝置 | |
| US6295384B1 (en) | Removing noise caused by artifacts from a digital image signal | |
| JP5371928B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| JP3816660B2 (ja) | パターン評価方法及びパターン評価装置 | |
| JP2972535B2 (ja) | 基板断面観察装置 | |
| JP2012022903A (ja) | 荷電粒子ビーム応用装置、および荷電粒子ビーム応用装置における基準マークの検出方法 | |
| JP6851262B2 (ja) | 電子顕微鏡像の歪み測定方法および電子顕微鏡 | |
| JP4136883B2 (ja) | 欠陥観察方法 | |
| JP2004294100A (ja) | パターン計測装置、パターン計測方法および半導体装置の製造方法 | |
| US10541108B2 (en) | Method and apparatus for transmission electron microscopy | |
| JP2010085376A (ja) | 走査型電子顕微鏡を用いたパターン計測方法 | |
| JP2001201318A (ja) | 膜厚測定方法及びその装置並びにその記録媒体 | |
| JPH11340115A (ja) | パターンマッチング方法およびそれを用いた露光方法 | |
| JP2001304819A (ja) | ノズル穴計測方法及びその装置 | |
| JP3280525B2 (ja) | 微細構造の構造寸法計測方法 | |
| JP4996206B2 (ja) | 形状観察装置および形状観察方法 | |
| JP2000251824A (ja) | 電子ビーム装置及びそのステージ移動位置合せ方法 |