JP2013168645A5 - - Google Patents

Description

本願発明は、例えば、凝縮性ガスによって生じる樹脂のパターンの表面粗さを調整することを目的とする。

本発明のインプリント方法は、基板上の光硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
前記空間における前記凝縮性ガスの濃度により前記パターンの表面粗さを調整することを特徴とするインプリント方法である。

本願発明によれば、例えば、凝縮性ガスによって生じる樹脂のパターンの表面粗さを調整することができる。

本実施形態において、樹脂として、光硬化性を有するアクリル系樹脂を使用し、易溶性気体としてペンタフルオロプロパン（凝縮性ガス）を使用し、難溶性気体としてヘリウム（ヘリウムガス）を使用した例を説明する。

Claims (21)

1. 基板上の光硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
   前記空間における前記凝縮性ガスの濃度により前記パターンの表面粗さを調整することを特徴とするインプリント方法。
2. 基板上の硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
   前記空間における前記凝縮性ガスの濃度の調整により前記パターンの表面粗さを調整することを特徴とするインプリント方法。
3. 前記濃度により前記表面粗さおよび離型力を調整することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
4. 基板上の光硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
   前記パターンに許容できる表面粗さに基づいて前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を調整することを特徴とするインプリント方法。
5. 基板上の硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
   前記パターンに許容できる表面粗さに基づいて前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を調整することを特徴とするインプリント方法。
6. 前記表面粗さおよび離型力に基づいて前記濃度を調整することを特徴とする請求項４または請求項５に記載のインプリント方法。
7. 前記表面粗さを４ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１ないし請求項６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
8. 前記凝縮性ガスは、ペンタフルオロプロパンを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
9. 前記工程は、前記凝縮性ガスおよび前記ヘリウムガスの混合ガスを供給することを特徴とする請求項１または請求項４に記載のインプリント方法。
10. 前記工程は、前記ヘリウムガスの代わりに窒素ガスを供給することを特徴とする請求項１、請求項４、請求項９のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
11. 基板上の光硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給する供給部と、
    前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
    前記供給部により供給される前記凝縮性ガスの濃度を制御して前記パターンの表面粗さを調整する制御部と、
    を有することを特徴とするインプリント装置。
12. 基板上の硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスを供給する供給部と、
    前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
    前記供給部により供給される前記凝縮性ガスの濃度を制御して前記パターンの表面粗さを調整する制御部と、
    を有することを特徴とするインプリント装置。
13. 前記制御部は、前記濃度を制御して前記表面粗さおよび離型力を調整することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のインプリント装置。
14. 基板上の光硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給する供給部と、
    前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
    前記パターンに許容できる表面粗さに基づいて、前記供給部により供給される前記凝縮性ガスの濃度を制御する制御部と、
    を有することを特徴とするインプリント装置。
15. 基板上の硬化性の樹脂と型とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスを供給する供給部と、
    前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
    前記パターンに許容できる表面粗さに基づいて、前記供給部により供給される前記凝縮性ガスの濃度を制御する制御部と、
    を有することを特徴とするインプリント装置。
16. 前記制御部は、前記表面粗さおよび離型力に基づいて前記濃度を調整することを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載のインプリント装置。
17. 前記表面粗さを４ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１１ないし請求項１６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
18. 前記供給部は、前記凝縮性ガスとして、ペンタフルオロプロパンガスを供給することを特徴とする請求項１１ないし請求項１７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
19. 前記供給部は、前記凝縮性ガスおよび前記ヘリウムガスの混合ガスを供給することを特徴とする請求項１１または請求項１４に記載のインプリント装置。
20. 前記供給部は、前記ヘリウムガスの代わりに窒素ガスを供給することを特徴とする請求項１１、請求項１４、請求項１９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
21. 請求項１ないし請求項１０のうちいずれか１項に記載のインプリント方法または請求項１１ないし請求項２０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。