JP2013161956A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置100は、半導体チップを放熱するためのヒートシンク200と、ヒートシンク200の一部を露出した状態で、半導体チップおよびヒートシンク200を少なくとも封止する樹脂110とを備える。半導体装置100は、樹脂110が所定方向に注入されて形成される。ヒートシンク200には、所定方向のみに沿って延在する溝210が設けられる。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置100の上面図である。図1において、X,Y,Z方向の各々は、互いに直交する。以下の図に示されるX,Y,Z方向の各々も、互いに直交する。
なお、ヒートシンク200に設けられる溝210は、半導体装置100の内部に設けられる半導体チップと接触しないように設けてもよい。以下、図を用いて説明する。
なお、溝210の短手方向に沿った断面の形状は、四角形に限定されない。例えば、図5に示すように、ヒートシンク200に設けられる溝210の短手方向に沿った断面の形状は、台形としてもよい。この構成により、実施の形態1における構成よりもさらにアンカー効果を向上させることができ、ヒートシンク200と、樹脂110とをさらに強固に密着させることができる。
なお、ヒートシンク200に形成される溝の数は、1つに限定されず、複数であってもよい。以下、図を用いて説明する。
なお、ヒートシンク200の短手方向の端部にもさらに溝を形成してもよい。以下、図を用いて説明する。
Claims (7)
- 半導体装置であって、
半導体チップと、
前記半導体チップを放熱するためのヒートシンクと、
前記ヒートシンクの一部を露出した状態で、前記半導体チップおよび前記ヒートシンクを少なくとも封止する樹脂とを備え、
前記半導体装置は、前記樹脂が所定方向に注入されて形成されるものであり、
前記ヒートシンクには、前記所定方向のみに沿って延在し、かつ、前記樹脂が充填された溝が設けられる
半導体装置。 - 前記溝のうち前記樹脂が注入される側の端部の形状は、テーパ状である
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記樹脂の線膨張係数は、前記ヒートシンクの線膨張係数より小さい
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記溝は、前記半導体チップと接触しない位置に設けられる
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記溝の短手方向に沿った断面の形状は、台形である
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ヒートシンクには、前記溝が複数設けられ、
前記複数の溝の深さは、複数の深さを含む
請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ヒートシンクの側面には、前記ヒートシンクの主面から該主面と反対側の面まで貫通する貫通溝が形成される
請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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