JP2013153107A - ボンディングワイヤの製造方法及びボンディングワイヤ - Google Patents

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wire
coating
alcohol
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Shintaro Nakajima
慎太郎 中島
Toshiyuki Goshima
敏之 五島
Shigeru Obinata
茂 小日向
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PI R&D Co Ltd
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Abstract

【課題】金属細線に、絶縁性、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を、ピンホールが生じないように均一に非常に薄く被覆することができ、かつ、燃焼時に燃焼残渣物がほとんど発生しないボンディングワイヤを得ることができる、ボンディングワイヤの製造方法及び該方法により製造されたボンディングワイヤを提供すること。
【解決手段】ポリイミドで絶縁被覆されたボンディングワイヤの製造方法は、Siを含まず、イオン性官能基を有するポリイミドと、複素環式塩基である中和剤と、前記ポリイミドを溶解又は懸濁する液体媒体とを含む電着液中で、金属細線を一方の電極として用いて電着を行うことにより、前記金属細線を厚さ10nm〜100nmの前記ポリイミドで被覆することを含み、前記電解液中には、前記中和剤が、前記イオン性官能基に対して1当量を超え、2当量以下の量含まれる。
【選択図】なし

Description

本発明は、ボンディングワイヤの製造方法及び該方法により製造されたボンディングワイヤに関する。
電子電気機器では、高密度・薄層化・小型化・高速化の要求が加速している。半導体素子についても例外ではなく、接続する配線数の増加に伴い、より狭い面積に多くの本数のボンディングワイヤを接続する必要に迫られるようになった。その結果、隣接するボンディングワイヤ同士のボンディング後の僅かな外力による変形や、パッケージに使用されるモールド樹脂の成型時の熱、圧力、樹脂流動等によるワイヤ変形、などの影響のためボンディングワイヤと半導体素子が接触し、短絡の原因となっていた。特に、近年はモールド樹脂に対して、人体安全性や難燃性が求められるようになり、そのモールディング条件も多様になってきたことから、ワイヤ変形の問題も大きくなっている。これらの問題を解決するため、ボンディングワイヤの表面を絶縁被覆で覆う方法が考えられている。
ボンディングワイヤに使用される絶縁被膜はアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂など多様にあるが、より耐熱性が求められるようになりポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂の使用が必須となってきた。また、塗布方法は浸漬法、スプレー塗装法、蒸着法、電着塗装法など、種々の方法があるが、塗膜の仕上がり、生産性などに一長一短がある。
例えば、特許文献1には絶縁被覆材料がポリアミドイミドとポリエーテルイミドの混合樹脂又はポリアミドイミドとポリアミドの混合樹脂であることを特徴とするボンディングワイヤが開示されている。しかし、被覆方法が樹脂溶液をフェルトに含ませ、その間に金線を通すことで塗布する方法であるため、フェルトの表面粗さと摩擦の揺らぎにより塗布膜の凹凸が発生しその荒さは数μmにもなり、フェルトに由来するゴミが付着しやすい、などの問題があった。この塗布膜の凹凸は、通電時に電荷集中による絶縁信頼性を低下させるため、そのばらつきを考慮し必然的に厚膜にしなければならず、そのため絶縁樹脂そのものが異物となりワイヤボンド時のトーチ加熱によりボール(ボンディングワイヤの先端がトーチにより溶けボール状になる)が満足できなかったり、煤が残ってしまいワイヤのプル強度が出なかったり、ワイヤボンダを汚染するガスが発生したりするなど、いくつかの問題がある場合が多く、十分満足できるものではなかった。このように、上記のような塗布方法や浸漬法は、連続生産性が優れているものの、ばらつきを考慮したある程度の膜厚が必要なこと、フェルトの粗さにより凸凹が生じやすいこと、被膜厚さの制御がしにくいことなどからボンディングワイヤの表面被覆方法としては、あまり向いていない。
特許文献2には、接合性に優れたボンディングワイヤを形成するために照射硬化性を有する樹脂を用いることを特徴とするボンディングワイヤが開示されている。しかし、硬化前のオリゴマー又はプレポリマーを塗布する方法は、特許文献1と同じであるために、同様の問題が残ったままである。
特許文献3には、耐熱ポリウレタン樹脂溶液を微細液滴粒子状にして、スプレー又は超音波等の方法でボンディングワイヤの表面に付着させる方法が開示されている。この方法は、厚みばらつきの少ない絶縁被膜を形成できる。しかし、所望の膜厚にするためには何度も吹き付け・乾燥工程を行なわなければならず、同じ工程を繰り返すことによる装置占有時間の増加を伴うため生産性が劣っている問題がある。
特許文献4には、蒸着重合法によりワイヤ表面にポリイミドを付着させる方法が開示されている。ここで用いられる装置は、従来のようなバッチ式の蒸着装置ではなく、連続的に蒸着できる装置である。しかし、蒸着による膜生成速度は非常に遅く、ラインスピードを低くしなければならないことから生産性が劣っている問題がある。また、蒸着装置であるため、温度、真空度の制御が重要であり、単純に製造ラインを長くすることは困難であるため、著しい生産性の改善は望めない。
一方、電着塗装法は電線の絶縁被覆にも採用されるように、連続生産性が優れている。また、大掛かりな設備を必要とせず経済的であり、ボンディングワイヤの被覆法としては適していると推測される。特許文献5には、アニオン性基を有するシロキサン変性ポリイミド電着組成物を用いたことを特徴とする絶縁電線が開示されている。しかし、用途は、銅または銅合金からなる絶縁コイルを想定しており、絶縁被膜の厚さは1.5〜30μmと厚いので、特許文献1について先に述べたようにポリイミド樹脂そのものが異物となる。また、シロキサンか加熱燃焼することでシロキサンからシリカになり燃焼残渣物の発生原因となり絶縁不良にもなるので本願が対象とする高速ボンディング用のワイヤとして適応することは困難である。
また、特許文献6には、例えば金からなる直径5〜50μmの導体ワイヤの周面を電着ポリイミドで被覆する絶縁層を備え、さらにその外周面をメッキで被覆する金属導体層(シールド層)からなる極細同軸ワイヤが開示されている。インピーダンス特性を向上させるべく、絶縁層の厚さは1μm以上と記載されている。しかし、係る同軸ワイヤはボンディング前にシールド層と絶縁層を化学的に除去しており、本願が対象とする高速ボンディング用のワイヤとしては使用できない。
特許文献7は、適度の耐熱性・耐摩耗性を有し、金属ボールの形成時に炭化物が残渣として残ることを抑止した接合性および非ワイヤ解れ性に優れた絶縁被覆金属細線を提供するものであって、ブロック共重合型ポリイミド樹脂の前駆体( 株式会社ピーアイ技研製、QVR−X0478 、平均分子量31,500)を合成させた有機薄膜で浸漬塗布被覆したボンディングワイヤを開示する。この絶縁被覆ワイヤはボールボンディング時に炭化物や残渣として残ることがない。このため、絶縁被覆金属細線として、接合性およびワイヤ解れ性に優れている。また、耐湿性に優れ、被覆にピンホールが発生することがないため、絶縁被覆金属細線として、絶縁性の面でも優れている。実施例における表面の凹凸は、15nm以下、同塗布厚さは5μm以下、同ピンホールは、SEMによる観察で許容範囲と記されているが、ボンディングワイヤの製造方法は特許文献1と同じくフェルト法であるため同様の問題を抱えている。
特許文献8は、導体表面に電着によってポリイミド樹脂膜を形成する方法において、電極間の印加電圧を一定にし、電流値が一定値未満になった時点を電着の終点とする技術を開示している。実施例では銅回路配線基板上に10μm厚さのブロック共重合ポリイミドを(ピーアイ技術研究所製『キューピロン』)形成した例を示している。しかし、この技術にはポリイミド粒子の大きさが0.1μmと大きく、またポリイミド樹脂の電着液での溶解度が低いため環境のわずかな変化(NMPの吸湿、ポリイミド樹脂の固形分の減少)により電着特性が大きく変わってしまい、連続生産には不向きである。
特許文献9は、被膜の膜厚制御技術に関するもので、インクの腐食作用からヒートシンクを保護するために印刷ヘッドヒートシンクの上に耐インク被覆を形成するサーマルインクジェット印刷装置を提供するものである。同発明の実施例1において、亜鉛基板上に電気泳動的にポリエーテルスルホン被覆を形成するにおいて、N−メチルピロリドン中に溶解させたポリエーテルスルホンは、アセトン中で負に帯電されたミセルからなるコロイド状乳濁液となり、約50ボルトの印加された電界の影響下で、陽極である亜鉛基板上に移動し堆積する。印加された電界の下で通過するクーロン量を測定することによって被覆の厚さを制御し、8から9ミクロン厚さを有する、厳密に均一な被覆を得た、と開示している。
特開2000−216189号公報 特開2000−195892号公報 特開平11−54538号公報 特開2007−242905号公報 特開2005−174561号公報 特開2008−227126号公報 特開2009−16319号公報 特開2000−212796号公報 特開平10−86372号公報
ボンディングワイヤの絶縁被膜として必要な特性は、絶縁性、耐熱性が優れていることである。また、ボンディングワイヤの接合時に燃焼残渣物(煤)、アウトガスの発生により通電異常、汚染等が生じないように、これらの対策も必要がある。これまでの絶縁被膜の厚さは、0.1μm〜5μmが適しているとされたが、煤やアウトガスの問題を考えると、より薄膜であることが好ましい。すなわち、100nm以下の膜厚でも絶縁性が十分満足できるならば、機器の汚染も無く、接合強度も優れた絶縁被覆ボンディングワイヤとなる。従来の技術においては絶縁被膜の厚さは0.1〜5μmであるため今後のボンディングワイヤの高機能化を達成するためにはより薄くする必要がある。薄くする方法としてはディップ法、フェルト法においては繰り返し回数を減らすことで薄くすることができる。ただし、薄くするとフェルト法ではフェルトの表面粗さ、ディップ法では重力による被膜ばらつきが大きくなる。そのため0.1μm以下では被膜厚さは達成できるが、その被膜と同程度のばらつきを受容しなければならず、その場合凸凹から生じるリーク電流により絶縁性が損なわれてしまう。また、μm単位の厚さになると電流熱による被膜の焼き切れにおいて完全に炭化させ、ガス化させるのにある程度の電流量が必要であり、その電流量が不十分だと炭化で終わってしまいガス化まで行かずに燃焼残渣物になってしまう、そのためボンディング後の清浄性を高めるためにも皮膜は薄いほうが有利である。
一方、電着塗装は電流密度が低いと電着速度がそれに比例して遅くなるため、細線のように細くなるほど電着速度が遅くなって生産性が低下し、また、被膜が薄くなるほどピンホールが発生しやすくなる。このため、上記した公知技術を単に組み合わせることによっては、ピンホールを生じることなく均一に、高い生産性で、金属細線をポリイミド樹脂の薄膜で被覆し、かつ、ボンディングワイヤの接合時の燃焼によって燃焼残渣物(煤)が生じないようにすることはできない。
本発明の目的は、金属細線に、絶縁性、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を、ピンホールが生じないように均一に非常に薄く被覆することができ、かつ、燃焼時に燃焼残渣物がほとんど発生しないボンディングワイヤを得ることができる、ボンディングワイヤの製造方法及び該方法により製造されたボンディングワイヤを提供することである。
本願発明者らは、鋭意研究の結果、ポリイミドとして、Siを含まずイオン性官能基を有するポリイミドを採用すると共に、複素環式塩基である中和剤の存在下で、金属細線を一方の電極として用いて電着を行うことにより、ポリイミド樹脂を、ピンホールが生じないように均一に非常に薄く被覆することができ、かつ、燃焼時に燃焼残渣物がほとんど発生しないボンディングワイヤを得ることができることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、Siを含まず、イオン性官能基を有するポリイミドと、複素環式塩基である中和剤と、前記ポリイミドを溶解又は懸濁する液体媒体とを含む電着液中で、金属細線を一方の電極として用いて電着を行うことにより、前記金属細線を厚さ10nm〜100nmの前記ポリイミドで被覆することを含み、前記電解液中には、前記中和剤が、前記イオン性官能基に対して1当量を超え、2当量以下の量含まれる、前記ポリイミドで絶縁被覆されたボンディングワイヤの製造方法を提供する。また、本発明は、上記本発明の方法によりポリイミド被膜が被覆されたボンディングワイヤを提供する。
本発明によれば、金属細線に、絶縁性、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を、ピンホールが生じないように均一に極めて薄く被覆することができ、かつ、燃焼時に燃焼残渣物がほとんど発生しないボンディングワイヤを得ることができる。従って、本発明の方法により製造したボンディングワイヤを有する半導体を実装する際に、燃焼残渣物がほとんどなく、アウトガスの発生も少なく、かつ、得られたボンディングワイヤは、ポリイミド樹脂が有する絶縁性、耐熱性を発揮すると共に、ピンホールがないため信頼性が高く、また、ポリイミド樹脂被覆物が極めて薄いので狭い面積により多くの本数のボンディングワイヤを接続することができる。
実施例において耐電圧を測定した方法を説明するための模式図である。 実施例において行った、絶縁性の評価方法を説明するための模式図である。 実施例において行った、ワイヤーループ性の評価方法を説明するための模式図である。
上記の通り、本発明の方法では、ポリイミドとして、Siを含まず、イオン性官能基を有するものが用いられる。Siを含有するポリイミドは、基体との密着性が高いので、何らかの基体を被覆するポリイミドフィルムを形成する場合にしばしば用いられている。本願発明者らは、ポリイミドがSiを含まない場合には、ボンディングワイヤを燃焼して接続する際に燃焼残渣がほとんど生成しないことを見出した。
イオン性官能基は、電着に必要なものであり、電着性能の観点からカルボキシル基及びヒドロキシル基が好ましく、カルボキシル基が特に好ましい。
本発明で用いられるポリイミドを構成するテトラカルボン酸二無水物成分としては、Siを含まないものであれば特に限定されないが、好ましい例として、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビスフタル酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレンビス(トリメリテート)二無水物、p−フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)等の芳香族テトラカルボン酸二無水物や1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物等の脂環族のテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独又は2種類以上を組み合わせて用いられる。
本発明で用いられるポリイミドを構成するジアミン成分は、耐熱性の観点から芳香族ジアミンが好ましく、好ましい具体例として、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、3,5−ジアミノ安息香酸、2,6−ジアミノピリジン、2,6−ジアミノ−4−メチルピリジン、4,4’−--ジアミノ−2,2’−ジメチル−1,1’−ビフェニル、4,4’−--ジアミノ−3,3’−ジメチル−1,1’−ビフェニル、4,4’−--ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−1,1’−ビフェニル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン−3,3’−ジカルボン酸、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、α,α−ビス(4−アミノフェニル)−1,3−ジイソプロピルベンゼン、α,α−ビス(4−アミノフェニル)−1,4−ジイソプロピルベンゼン、[3−(4−アミノベンゾイル)オキシフェニル]−4−アミノベンゾエート、[4−(4−アミノベンゾイル)オキシフェニル]−4−アミノベンゾエート、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、4,4’−(9−フルオレニリデン)ジアニリン、5(6)−アミノ−1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、4,4’−--ジアミノ−2,2’−ジトリフルオロメチル−1,1’−ビフェニル、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができる。これらのうち、4,4'-ジアミノジフェニルメタン-3,3'-ジカルボン酸が、ポリイミドの電着性能及び形成されたポリイミドの特性から特に好ましい。これらのジアミンは単独又は2種類以上を組み合わせて用いられる。
なお、上記の通り、ポリイミドは、イオン性官能基を有している必要があるので、テトラカルボン酸二無水物成分及びジアミン成分の少なくともいずれか1つは、カルボキシル基やヒドロキシル基のようなイオン性官能基を有しているものから選択される。
ジアミンとテトラカルボン酸ジ無水物との重縮合反応は、通常、有機溶媒中で実施される。この反応系の有機溶媒としては、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチル尿素、1−オキシド(スルホランともいう)等を挙げることができる。これらの有機溶媒は単独で、又はそれぞれのモノマーの溶解度によっては2種以上を混合して使用することができる。前記重縮合反応における反応原料の濃度は、通常、5〜40重量%、好ましくは10〜30重量%である。5重量%以下となると電着液化したときのポリイミド濃度が低くなりすぎ、40重量%を超えるとポリイミド溶液自身の粘度が高く作業性に劣る傾向がある。
イミド化の触媒としては、酸触媒を用いることができ、酸触媒としては、硫酸、p−トルエンスルホン酸等の酸触媒が使用可能であるが、これらの酸触媒は反応終了後もポリイミド溶液中に残存するため、ポリイミド製品の劣化要因となり、ポリイミドを沈殿、再溶解してこれらの触媒をポリイミド製品から分離する必要がある。この問題を回避するため、イミド化は、ジアミンとテトラカルボン酸ジ無水物との直接イミド化反応は、ラクトンと塩基と水との次の平衡反応を利用した触媒系を用いて行なうこともできる(米国特許5502143等)。
{ラクトン}+{塩基}+{水} = {酸基}{塩基}-
この{酸基}{塩基}-系を触媒として、150〜220℃、好ましくは160〜200℃に加熱してポリイミド溶液を得ることができる。イミド化反応により生成する水は、トルエン、キシレン、テトラヒドロナフタリン等と共沸させて反応系外へ除く。反応系のイミド化が終了した時点で、{酸基}{塩基}はラクトンと塩基になり、触媒作用を失うと同時にトルエン、キシレン、テトラヒドロナフタリン等と共に反応系外へ除かれる。この方法によるポリイミド溶液は、上記触媒物質が、反応後のポリイミド溶液に含まれないため高純度のポリイミド溶液として、そのまま工業的に使用可能となる。上記イミド化反応に使われる反応溶媒は、上記したトルエンに加え、上記した、N−メチルー2―ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、テトラメチル尿素等の極性の有機溶媒が使用される。また、ラクトンとしてはγ−バレロラクトンが好ましく、塩基としてはピリジン及び/又はメチルモルフォリンが好ましい。
また、逐次反応を利用して、ブロック共重合ポリイミドにすることによって改質された多成分系共重合ポリイミドの合成が可能である。このように多成分系共重合ポリイミドとすることで密着性、寸法安定性、耐薬品性を向上させることができる(米国特許5502143等)。
上記の通り、本発明の方法において電着に供される電着液は、複素環式塩基である中和剤を含む。液体媒体(後述)中に溶解又は懸濁したポリイミド樹脂溶液を塩基性化合物で中和することにより、部分的な水溶性または水分散性を保持すると共に電着性能の向上を行う。このとき、中和剤として複素環式塩基を配合することが必要である。塩基として、強塩基の脂肪族系の化合物を用いると後に添加する溶媒との相性が悪くすぐゲル化してしまうことがしばしあった。そのため、その塩基性を低下させてなおかつ溶媒の親和性を上げること、環境管理基準、より法規制の少ない中和剤として、複素環式化合物が用いられ、好ましくは窒素含有複素環式化合物が用いられる。好ましい具体例として、五員複素環化合物であるピロール、ピラゾール、トリアゾール、イミダゾール及びそれら化合物の誘導体、並びに六員複素環化合物であるピペリジン、ピペラジン、モルホリンおよびそれらの誘導体を挙げることができる。なお、ここで言う「誘導体」は、これらの化合物の環に炭素数1〜4の低級アルキル基等の、発明の効果に悪影響を与えない置換基が結合したものを意味する。これらの中和剤は、単独で用いることもできるし、2種以上を組み合わせて用いることもできる。環境負荷と塩基性の強さのバランスを考えるとピペリジンが好適である。
中和剤の電着液中の含量は、ポリイミド樹脂が水−極性溶液中で溶解または安定的に分散でき、形成されるポリイミド皮膜の耐電圧性能が良好で、被膜にピンホールやボイドがなく、被膜が均一であるという点から、前記イオン性官能基に対して1当量を超え、2当量以下の量含まれる。
本発明で用いられる電着液は、前記ポリイミドを溶解又は懸濁する液体媒体を媒体として含む。この液体媒体としては、5〜40重量%のアルコールと、0〜20重量%の水と、極性溶媒とを含むものが好ましい。
ここで、アルコールとしては、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、メチルセルソルブ、シクロヘキシルアルコール、イソプロピルアルコール、メトキシプロパノール、ブトキシプロパノールなどを例示することができる。アルコールは、電着後の被塗物に析出したポリイミド樹脂のフロー性を高め、塗膜の平滑性を向上させる点で効果がある。アルコール量が40重量%よりも多いと樹脂分の電着によらない析出等が起こることがあり、また5重量%よりも少ない場合では、電着液組成のポリイミド樹脂への溶解度が高くなるため電着によるポリイミドの析出量が少なくなることがある。アルコールは、単独で用いることもできるし、2種以上を組み合わせて用いることもできる。
水は、電気伝導度の調整のために投入されるもので水の電気分解により表面が酸化する導電体については水を加えなくても絶縁被膜を析出させることができる。水の濃度が20重量%よりも高い場合には、水分散またはエマルジョンの安定性が低下又は塗膜の平滑性が損なわれるなどの問題が生ずる傾向がある。水としては、イオン交換水が好ましい。
極性溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルアセトアミド、スルホラン、またはこれらの混合物などが挙げられる。これらは、単独で用いることもできるし、2種以上を組み合わせて用いることもできる。なお、これらの極性溶媒は、ポリイミドの合成に用いられる極性溶媒と共通しており、ポリイミドの合成に用いた極性溶媒をそのまま利用することもできる。ポリイミドの合成には、反応速度が速いN-メチル-ピロリドンを用いることが好ましく、従って、電着液に用いる極性溶媒としても、N-メチル-ピロリドンを好ましく用いることができる。
電着液中のポリイミド樹脂の固形分濃度を0.1〜10重量%に調節することが好ましい。固形分については薄膜にする場合には濃度が低いほうが同一電圧での電着時間が長くなり、微調整ができるためできるだけ低濃度のほうが好ましい。固形分が10重量%を超えると電着時間が1秒以下になってしまい、被膜厚さ制御が難しくなる傾向がある。
本発明の方法では、上記電着液中で、金属細線を一方の電極として用いて電着を行う。電着方法自体は、従来知られている方法をそのまま用いることができる。なお、本発明の方法では、被膜の厚さが非常に薄いため、その導電体に沿った保持装置および正確に電流値を測定する電圧―電流管理設備が必要となる。印加電圧については0.1〜50Vが実用範囲であるが、固形分が少ないほど高電圧にして電着被膜厚さを電圧と固形分を制御することで一定にすることができる。ただし、0.1V未満では電着として電気泳動を起こす起電力にならないため電着が困難になる。
具体的な電着塗装の方法としては、導電性被塗物を陽極として本発明のポリイミド電着液に浸漬し、電極間の印加を1〜50Vの間の適当な条件で一定にし、積算クーロン数が規定値になった時点を電着の終点とすることが望ましい。このようにして被膜したポリイミド樹脂膜を風乾の後、120〜220℃の範囲で加熱することでポリイミド被覆ボンディングワイヤを得ることができる。具体的な温度、乾燥時間は、使用する溶剤、塗膜厚等を考慮して適宜選択することができる。
電着により被覆するポリイミド被膜の厚さは10nm〜100nmであり、好ましくは15nm〜60nmである。10nm未満では、ワイヤボンド特性は良好だが耐電圧特性が劣り、逆に100nmを超えると耐電圧特性は良好だがワイヤボンド時の熱で分解が良好に行われず塗膜が残り1st、2nd側ともワイヤープル強度が弱くなるという欠点が生ずる。このように極めて薄いポリイミド被膜を、ピンホールなしに均一に形成することは本発明以前には困難であった。本発明の方法により製造されるボンディングワイヤは、ポリイミド被膜の厚さが10nm〜100nmと極めて薄いので、より狭い面積に多くの本数のボンディングワイヤを接続することができ、ボンディングワイヤ燃焼時の生成残渣やアウトガスがほとんどないという優れた効果が奏される。
電着に供する金属細線の太さ(直径)は5μm〜100μmが好ましく、さらに好ましくは5μm〜50μmである。また、金属細線の材質は、ボンディングワイヤに用いられているものであればよいが、Cu、Ag若しくはAuである11族の元素、又はNi、Pd若しくはPtの10族の元素の単体若しくはこれらの合金から成る金属細線、又はこれらの元素で表面がメッキされた金属細線であることが好ましい。これらの金属元素は電着時に副反応として発生する水の電気分解による酸素の発生を抑制することができるため極薄被膜での電着が可能である。
以下、本発明を実施例に基づきより具体的に説明する。もっとも、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
実施例1
1. ポリイミド合成
ステンレス製の碇型攪拌器を取り付けた3リットルのセパラブル3つ口フラスコに、水分分離トラップを備えた玉付冷却管を取り付ける。3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)73.56g(250ミリモル)、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン82.10g(200ミリモル)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)529g、トルエン50g、γ−バレロラクトン4.3g(43ミリモル)、ピリジン6.8g(86ミリモル)を仕込む。窒素雰囲気下、200rpm、180℃で3時間反応させた。反応中、トルエン−水の共沸分を除いた。ついで、室温に冷却し3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)58.00(180ミリモル)、4,4’−ジアミノジフェニルメタン−3,3’−ジカルボン酸37.22g(130ミリモル)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン29.23g(100ミリモル)、NMP529g、トルエン50g、を加え、180℃、200rpmで攪拌しながら6時間反応させた。還流物を系外に除くことにより20%濃度のポリイミド樹脂溶液を得た。
2. 電着液の調製
1で作製したポリイミド樹脂溶液200gにNMP1137g、中和剤としてピペリジンを3.2g(モル当量で150%)加え、1時間攪拌した。その後、メトキシプロパノールを420g加え、よくかくはんした後、純水240gを白濁しないようにゆっくりと加えながら攪拌した。さらに1時間攪拌し電着液とした。電着液は薄黄色のわずかに縣濁した溶液であり、そのとき合成された固形分は2.0wt%、pH7.1、粘度10cp(25℃)の溶液であった。クーロン収量はCu箔に対して0.57mg/Cであった。作製した電着液は10℃冷暗所で保管した場合、1ヶ月後も電着塗料溶液の物性には影響なく、3ヶ月後では若干のクーロン効率の低下が見られるが、絶縁性能、耐熱性能には問題なく、保存安定性が高い電着液を作製することができた。
比較例1(電着液の作製)(実施例1と同じポリイミド樹脂溶液で黄色色透明電着液)
実施例1で得られた20wt%ポリイミド樹脂溶液100gにNMP40gを加え、中和剤としてトリエチルアミン10.33g(モル当量150%)を加えよく攪拌しながら、シクロヘキサノン76g、アセトフェノン76gを加えた。よく攪拌した後、エトキシエタノール48gを白濁しないように加えた。白濁したときには70℃に液温をあげることにより白濁は消失する。だたし、トリエチルアミンが蒸発霧消しないよう密閉した容器で行う。その後、純水48g、フェノキシエタノール12gを白濁しないよう加えた。白濁消失後6時間攪拌したものを電着塗料用溶液とした。そのとき合成された固形分は5.0wt%、pH8.0、粘度41cp(25℃)の溶液であった。クーロン収量はCu箔に対して、19.3mg/Cであった。作製した電着塗料溶液は15℃冷暗所で保管した場合、1ヶ月後でクーロン収量が低下し電着塗膜特性も低下した。
比較例2(電着液の作製)(実施例1と同じポリイミド樹脂溶液でモル当量が100%未満の懸濁電着液)
実施例1で作製したポリイミド樹脂溶液200gにNMP1137g、中和剤としてピペリジンを1.6g(モル当量で75%)加え、1時間攪拌した。その後、メトキシプロパノールを420g加えよくかくはんした後、純水240gを白濁しないようにゆっくりと加えながら攪拌した。さらに1時間攪拌し電着液とした。電着液は薄黄色のわずかに縣濁した溶液であり、そのとき合成された固形分は2.0wt%、pH7.1、粘度23cp(25℃)の溶液である。クーロン収量はCu箔に対して1.12mg/Cであった。作製した電着塗料溶液は10℃冷暗所で保管した場合、1ヶ月後も電着塗料溶液の物性には影響なく、3ヶ月後では懸濁度が上がり不透明な電着液となり、底面部には若干のポリイミド沈殿物が見られる、保存安定性がやや悪い電着液を作製することができた。
比較例3
1. ポリイミド主鎖にシロキサン結合を有するブロック共重合ポリイミド
実施例1と同様の装置を用いた。BPDA29.42g(100ミリモル)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン21.62g(50ミリモル)、バレロラクトン2.0g(20ミリモル)、ピリジン3.2g(40ミリモル)、NMP265gおよびトルエン40gを入れ、室温、窒素雰囲気下で180rpm30分攪拌した後、180℃に昇温して1時間攪拌した。反応中、トルエン−水の共沸分を除いた。ついで、室温に冷却しBTDA32.22g(100ミリモル)、信越化学工業社製KF−8010(アミン価415) 41.50g(50ミリモル)、3,5−ジアミノ安息香酸15.22g(100ミリモル)、NMP266g、トルエン40gを加え、180℃、180rpmで攪拌しながら8時間反応させた。還流物を系外に除くことにより20%濃度のポリイミド溶液を得た。
2. ポリイミド主鎖にシロキサン結合を有する電着液白色縣濁液
得られた20wt%ポリイミド樹脂溶液200gにNMP68gを加え、中和剤としてピペリジンを4.0(モル当量150%)g加え1時間攪拌する。その後、メトキシプロパノール62gを加え1時間攪拌する、その後純水111g加え2時間攪拌したものを電着液として使用する、そのとき合成された固形分は9.0wt%、pH7.4、粘度8cp(25℃)の溶液である。クーロン収量はCu箔に対して119mg/Cであった。作製した電着塗料溶液は10℃冷暗所で保管した場合、1ヶ月後も電着塗料溶液の物性には影響なく、3ヶ月後においても安定したクーロン収量、塗膜特性の変わらない安定性が高い電着液である。
比較例4 (電着液の作製(比較例3と同じポリイミド樹脂溶液で黒色透明電着液))
比較例3で得られた20wt%ポリイミド樹脂溶液100gにNMP40gを加え、中和剤としてトリエチルアミン10.32(モル当量150%)g加えよく攪拌しながら、シクロヘキサノン76g、アセトフェノン76gを加える。よく攪拌した後、エトキシエタノール48gを白濁しないように加える。白濁したときには70℃に液温をあげることにより白濁は消失する。だたし、トリエチルアミンが蒸発霧消しないよう密閉した容器で行う。その後、純水48g、フェノキシエタノール12gを白濁しないよう加える。白濁消失後6時間かくはんしたものを電着塗料用溶液とする。そのとき合成された固形分は5.0wt%、pH7.8、粘度41cp(25℃)の溶液である。クーロン収量はCu箔に対して、19.3mg/Cであった。作製した電着塗料溶液は15℃冷暗所で保管した場合、1ヶ月後でクーロン収量が低下し電着塗膜特性も低下し、保存安定性が低い電着液であった。
比較例5(市販品のポリイミド電着液を用いたもの)
シミズ社製のエレコートPI(カチオン型ポリイミド電着液)を用いて電着をおこなった。
比較例6 (ポリイミド樹脂以外の電着液を使用したもの)
アクリル樹脂電着塗料を用いて電着を行った。
以下に評価方法を説明する。
電着実験装置概要
株式会社千代田製の定電圧直流パルス発生器を用い500mlビーカーに上記で調整した電着液に液温を20℃に維持しながらφ20μm、長さ200mmの金線を陽極とし、100mm×50mm×0・05mmのSUS304を陰極として、所定電圧を印加後、所定のクーロン値(クーロンメータ/北斗電工(株))で電着することにより、厚さ5〜100nmの電着被膜を作製した。電着槽は硬質塩化ビニルを使用し、その内側に電極として銅を張りつけた。ワイヤはAu細線を使い、浸漬させる方法にて電着を行った(図1参照)。
(評価方法)
(優→◎、良→○、可→△、不可→×)
(1) 有機物塗布厚み
ミクロトーム((株)日立製製作所)で被覆ワイヤの断面をカットし電子顕微鏡(SEM/(株)日立製作所)により観察した。
5〜15mm/△、16〜40nm/◎、41〜65nm/○ 66〜100nm/△、101nm〜/×
(2) 表面の凹凸
被覆ワイヤをそのままレーザ顕微鏡((株)キーエンス)により表面を測定した。
〜1nm/◎、2〜5nm/○、6〜9nm/△、10nm〜/×
(3) ワイヤープル強度(1ST側) 51g〜/◎、41〜50g/○、31〜40g/△、〜30g/×
(4) ワイヤープル強度(2nd側)測定器(メーカ:デイジ社 型式:シリーズ4000) 5g以上/○、3〜5g未満/△、3g未満/×
(5) 耐電圧(絶縁破壊電圧)
絶縁性については、図2に示すように、プラスチック基板上にダイボンディングされたアルミパッドを有するテストチップと、基板上の金メッキリードとの間でワイヤボンディングを行う際に、2本毎に外側ループを内側ループよりも50μm低くしてクロスボンディングを行い一対とし、2本のリード間で5Vの電圧を印加し、絶縁が破壊して電流が流れたワイヤ対の個数を観察した。
90%未満/×、90以上〜100%未満/△、100%/○
(6) 燃焼残渣:ボールボンド時にボールの面積に対し燃焼残渣(煤)の付着面積
測定器 SEM(メーカ:キーエンス 型式:VE8800 )
10%未満/◎、10〜30%未満/○、30〜50%未満/△、50%以上/×
(7) アウトガス(基板に付着ガス) ワイヤボンド後、ボンディング面積に対する被着体(リードフレーム)の変色域面積(被着体変色域面積/ボンディング面積)
測定器 SEM(メーカ:キーエンス 型式:VE8800 )
1/1未満:○、1/1〜1/2未満:△、1/2以上:×
(8) 連続ワイヤボンディング性 測定器(メーカ:(株)新川 型式:UTC1000super)
連続ボンディング本数
3万本以上:○、3万本未満〜1万本以上:△、1万本未満:×
(9) 分解温度:MACサイエンス株式会社 DSC3100SおよびTG-DTA010S
200〜400℃/〇、150〜199℃、401〜450℃/△、それ以外/×
(10)ワイヤーループ性:ループ形状 測定器(メーカ:(株)カイジョー 型式:Wi−110F)23um径のワイヤを100μm間隔で3mmの長さでボンディングし、ループの最大湾曲の幅Xを測定した(図3)。
23μm未満:◎、46μm未満:○、69μm未満:△、92μm以上:×
(11) 電着液安定性:製作した電着液の経時変化(pH、電気伝導度、分離、吸湿)
pH計測器 東京硝子機械株式会社製 型式 FPH91
電気伝導度計 TOA製 CM-14P
<電着液保管条件>pHの数値が8以下であり、電気伝導度の上昇率が初期値から10%未満、分離、吸湿白化なき事
良/4ヶ月以上〇、可/2ヶ月以上4ヶ月未満△、不可/2ヶ月未満×
結果を表1及び表2に示す。
Figure 2013153107
Figure 2013153107
表の説明
実施例1:ブロック共重合ポリイミドを用いて最適化された電着条件にて製造されたボンディングワイヤでの評価結果。
比較例1:実施例1と同じブロック共重合ポリイミド樹脂を用いて中和剤を塩基性の強い脂肪族系アミンに変更し電着液性状を変えてその電着液で最適化された電着条件にて製造されたボンディングワイヤでの評価結果。
比較例2:実施例1のポリイミド電着液での中和率を半分にして製造された電着液を用いて最適電着条件で電着したボンディングワイヤでの評価結果。
比較例3:ブロック共重合ポリイミド合成法を用いてポリイミドの骨格にシロキサン基を導入させて柔軟にしたポリイミド樹脂を電着化して作製した電着液を用いて最適化させた電着条件で電着したボンディングワイヤでの評価結果。
比較例4ブロック共重合ポリイミド合成法を用いてポリイミドの骨格にシロキサン基を導入させて柔軟にしたポリイミド樹脂を電着化して、中和剤に塩基性の強い脂肪族系アミンを用いて作製した電着液を用いて最適化させた電着条件で電着したボンディングワイヤでの評価結果。
比較例5:ポリアミック酸タイプのポリイミドを界面活性剤にて水中に分散させた電着液を用いて最適化した電着条件で電着したボンディングワイヤでの評価結果。
比較例6:アクリル樹脂を用いて界面活性剤を用いて水中に分散させた電着液を用いて最適化した電着条件で電着したボンディングワイヤでの評価結果。
本発明によれば、耐熱性、分解性、燃焼残渣性および電気絶縁性に優れ、平滑で膜厚が均一な塗膜を形成する新規な絶縁被覆ワイヤを提供することができる。また、使用上も従来のボンディング作業(非絶縁被覆ボンディングワイヤ)を逸脱すること無く使用でき、安価で簡便かつ量産性・安定性に優れた被覆金属細線を提供するものである。さらに、アニオン電着ブロック共重合ポリイミドは液保存安定性が従来の電着液より良好である。本発明の絶縁被覆ワイヤは、電気電子材料の分野における導電接続材料として極めて有効である。
4 絶縁被覆金属ワイヤ
5 絶縁被覆金属ワイヤ
6 テストチップ
7 アルミパッド
8 金メッキリード
9 電圧計
10プラスチック基板

Claims (10)

  1. Siを含まず、イオン性官能基を有するポリイミドと、複素環式塩基である中和剤と、前記ポリイミドを溶解又は懸濁する液体媒体とを含む電着液中で、金属細線を一方の電極として用いて電着を行うことにより、前記金属細線を厚さ10nm〜100nmの前記ポリイミドで被覆することを含み、前記電解液中には、前記中和剤が、前記イオン性官能基に対して1当量を超え、2当量以下の量含まれる、前記ポリイミドで絶縁被覆されたボンディングワイヤの製造方法。
  2. 前記液体媒体が、5〜40重量%のアルコールと、0〜20重量%の水と、極性溶媒とを含む請求項1記載の方法。
  3. 前記アルコールが、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、メチルセルソルブ、シクロヘキシルアルコール、イソプロピルアルコール、メトキシプロパノール及びブトキシプロパノールから成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項2記載の方法。
  4. 前記極性溶媒がN-メチル-ピロリドンである請求項2又は3記載の方法。
  5. 前記イオン性官能基がカルボキシル基であり、前記ポリイミドが、溶剤可溶性ブロック共重合ポリイミドである請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記ポリイミドが、ジアミン酸成分の1つとして4,4'-ジアミノジフェニルメタン-3,3'-ジカルボン酸由来の単位を含む請求項5記載の方法。
  7. 前記金属細線の太さが5μm〜100μmである請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記金属細線が、Cu、Ag若しくはAuである11族の元素、又はNi、Pd若しくはPtの10族の元素の単体若しくはこれらの合金から成る金属細線、又はこれらの元素で表面がメッキされた金属細線である請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 電極間の印加電圧を一定にし、既定のクーロン数になった時点を電着の終点とする方法により電着を行う請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法によりポリイミド被膜が被覆されたボンディングワイヤ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109628793A (zh) * 2018-12-19 2019-04-16 山东赢耐鑫电子科技有限公司 一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法
KR20190118559A (ko) * 2017-02-16 2019-10-18 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 전착액 및 이것을 사용한 절연 피막이 형성된 도체의 제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190118559A (ko) * 2017-02-16 2019-10-18 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 전착액 및 이것을 사용한 절연 피막이 형성된 도체의 제조 방법
TWI737892B (zh) * 2017-02-16 2021-09-01 日商三菱綜合材料股份有限公司 電鍍液及使用此電鍍液之附絕緣被膜之導體的製造方法
US11286576B2 (en) * 2017-02-16 2022-03-29 Mitsubishi Materials Corporation Electrodeposition solution and method for producing conductor with insulating film using same
KR102545341B1 (ko) * 2017-02-16 2023-06-19 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 전착액 및 이것을 사용한 절연 피막이 형성된 도체의 제조 방법
CN109628793A (zh) * 2018-12-19 2019-04-16 山东赢耐鑫电子科技有限公司 一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法

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