CN109628793A - 一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯，所述铜芯表面依次镀覆有镀钯层、镀镍层和镀金层，本发明还公开了所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，本发明制备的铜镀钯镀镍再镀金键合丝外表面依次镀覆有镀镍层、镀钯层和镀金层；由于铜和镍的结合力很好，镍和钯的结合力也很好，该镀层方式解决了铜钯结合力差，大大提高了成品率和生产效率；并且外层镀金很好的解决了后续拉丝过程中剥落和裂纹的情况，实现了结合力高，键合力强，方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷，能够防止后续拉丝过程中剥落和裂纹的效果。

Description

一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路芯片封装领域，具体是一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法。
背景技术
半导体集成电路制造完成后所得的芯片虽然已经具有特定的功能，但是要实现该功能，必须通过与外部电子元件的连接。而半导体集成电路芯片需要经过与封装体的键合工序，最终得到芯片封装，如此才能通过封装的引脚与外部电子元件连接。在芯片与封装体的键合工艺中，都通过键合线将芯片上的焊盘与封装体的引脚进行电连接。所以键合线是实现芯片功能必不可少的材料。对于当前半导体封装用键合丝替代材料的选择，市场主要选择镀钯铜线。镀钯铜线具有高电导率和导热率，并能形成更可靠的金属间结合层，由此带来高温环境下的产品可靠性优势。相对于金线，具有较高的杨氏模量，因此，镀铜线具有更好的线弧特性。但是，相对于纯金来说，其导电性能仍存在不足，例如电阻率较高，这导致其在体积非常小的芯片封装中所产生的热量无法忽视。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯，所述铜芯表面依次镀覆有镀钯层、镀镍层和镀金层。
作为本发明进一步的方案：所述铜芯由高纯铜添加微量金属元素制成。
作为本发明进一步的方案：所述高纯铜的纯度大于99.9995%，所述微量金属元素分别为镧、铈、铬。
作为本发明进一步的方案：所述镀钯层采用纯度大于99.99％的金属钯，通过电镀工艺将其镀在铜芯的表面上，镀镍层采用纯度大于99.99％的金属镍，通过电镀工艺将其镀在镀钯层的表面上，镀金层采用纯度大于99.99％的金属金，通过电镀工艺将其电镀在镀镍层的表面上。
作为本发明进一步的方案：以最终制得的所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝为100重量份计，即100wt％计，高纯铜的含量为93.4-94.4wt％，金属钯的含量为2.4-3.4wt％、金属镍2.1-3.1wt％、金的含量为1.1-2.1wt％，镧的含量为0.01-0.03wt％、铈的含量为0.01-0.03wt％、铬的含量为0.02-0.04wt％。
作为本发明进一步的方案：所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的直径为15-40μm。
作为本发明进一步的方案：所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，步骤如下：
1）熔铸：按比例将高纯铜、银和钯混合，经过真空熔炼和定向连续引铸工艺，获得直径为6-8mm的芯线A；
2）拉丝：将步骤1）得到的芯线A进行粗拔以制得直径大约为3-4mm的芯线B；
3）中间退火：步骤（2）拉丝完成后，对芯线B进行中间退火，在退火过程中采用氮气来做为退火气氛，退火炉有效长度为800-1200mm，退火温度为400-500°C，退火速率为1.5m/s，得到芯线C；
4）镀钯 ：在步骤4）得到的芯线C表面上电镀金属钯，并精拔呈直径为1-2mm的镀钯铜丝；
5）第一次热退火：对完成步骤4)的镀钯铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间为40-60min；
6）镀镍：在步骤5）得到镀钯铜丝表面上电镀金属镍，并精拔成直径为50-280um微米的双镀层键合铜丝；
7）第二次热退火：对完成步骤6)的双镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
8）镀金：在完成步骤7）的双镀层键合铜丝表面上电镀金属金，并精拔成三镀层键合铜丝；
9）第三次热退火：对完成步骤8)的三镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
10）对步骤9）得到的三镀层键合铜丝进行超声清洗，然后烘干，得到所需的铜镀钯镀镍再镀金键合丝。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明制备的铜镀钯镀镍再镀金键合丝外表面依次镀覆有镀镍层、镀钯层和镀金层；由于铜和镍的结合力很好，镍和钯的结合力也很好，该镀层方式解决了铜钯结合力差，大大提高了成品率和生产效率；并且外层镀金很好的解决了后续拉丝过程中剥落和裂纹的情况，实现了结合力高，键合力强，方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷，能够防止后续拉丝过程中剥落和裂纹的效果。
附图说明
图1为铜镀钯镀镍再镀金键合丝的示意图。
图中：1-铜芯、2-镀钯层、3-镀镍层、4-镀金层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1，本发明实施例中，一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯1，所述铜芯1表面依次镀覆有镀钯层2、镀镍层3和镀金层4，所述铜芯1由高纯铜添加微量金属元素制成，所述高纯铜的纯度大于99.9995%，所述微量金属元素分别为镧、铈、铬，镀钯层2采用纯度大于99.99％的金属钯，通过电镀工艺将其镀在铜芯的表面上，镀镍层3采用纯度大于99.99％的金属镍，通过电镀工艺将其镀在镀钯层2的表面上，镀金层4采用纯度大于99.99％的金属金，通过电镀工艺将其电镀在镀镍层3的表面上，以最终制得的所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝为100重量份计，即100wt％计，高纯铜的含量为93.4wt％，金属钯的含量为2.4wt％、金属镍3.0wt％、金的含量为1.16wt％，镧的含量为0.01wt％、铈的含量为0.01wt％、铬的含量为0.02wt％，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的直径为15μm。
本实施例中，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，步骤如下：
1）熔铸：按比例将高纯铜、银和钯混合，经过真空熔炼和定向连续引铸工艺，获得直径为6mm的芯线A；
2）拉丝：将步骤1）得到的芯线A进行粗拔以制得直径大约为3mm的芯线B；
3）中间退火：步骤（2）拉丝完成后，对芯线B进行中间退火，在退火过程中采用氮气来做为退火气氛，退火炉有效长度为800mm，退火温度为400°C，退火速率为1.5m/s，得到芯线C；
4）镀钯 ：在步骤4）得到的芯线C表面上电镀金属钯，并精拔呈直径为1mm的镀钯铜丝；
5）第一次热退火：对完成步骤4)的镀钯铜丝进行热退火，其中热退火温度为450°C，时间为40min；
6）镀镍：在步骤5）得到镀钯铜丝表面上电镀金属镍，并精拔成直径为50um微米的双镀层键合铜丝；
7）第二次热退火：对完成步骤6)的双镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450°C，时间大约为40min；
8）镀金：在完成步骤7）的双镀层键合铜丝表面上电镀金属金，并精拔成直径为15um的三镀层键合铜丝；
9）第三次热退火：对完成步骤8)的三镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450°C，时间大约为40min；
10）对步骤9）得到的三镀层键合铜丝进行超声清洗，然后烘干，得到所需的铜镀钯镀镍再镀金键合丝。
实施例2
请参阅图1，本发明实施例中，一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯1，所述铜芯1表面依次镀覆有镀钯层2、镀镍层3和镀金层4，所述铜芯1由高纯铜添加微量金属元素制成，所述高纯铜的纯度大于99.9995%，所述微量金属元素分别为镧、铈、铬，镀钯层2采用纯度大于99.99％的金属钯，通过电镀工艺将其镀在铜芯的表面上，镀镍层3采用纯度大于99.99％的金属镍，通过电镀工艺将其镀在镀钯层2的表面上，镀金层4采用纯度大于99.99％的金属金，通过电镀工艺将其电镀在镀镍层3的表面上，以最终制得的所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝为100重量份计，即100wt％计，高纯铜的含量为93.4wt％，金属钯的含量为2.9wt％、金属镍2.5wt％、金的含量为1.13wt％，镧的含量为0.02wt％、铈的含量为0.02wt％、铬的含量为0.03wt％，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的直径为15-40μm。
本实施例中，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，步骤如下：
1）熔铸：按比例将高纯铜、银和钯混合，经过真空熔炼和定向连续引铸工艺，获得直径为6-8mm的芯线A；
2）拉丝：将步骤1）得到的芯线A进行粗拔以制得直径大约为3-4mm的芯线B；
3）中间退火：步骤（2）拉丝完成后，对芯线B进行中间退火，在退火过程中采用氮气来做为退火气氛，退火炉有效长度为800-1200mm，退火温度为400-500°C，退火速率为1.5m/s，得到芯线C；
4）镀钯 ：在步骤4）得到的芯线C表面上电镀金属钯，并精拔呈直径为1-2mm的镀钯铜丝；
5）第一次热退火：对完成步骤4)的镀钯铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间为40-60min；
6）镀镍：在步骤5）得到镀钯铜丝表面上电镀金属镍，并精拔成直径为50-280um微米的双镀层键合铜丝；
7）第二次热退火：对完成步骤6)的双镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
8）镀金：在完成步骤7）的双镀层键合铜丝表面上电镀金属金，并精拔成三镀层键合铜丝；
9）第三次热退火：对完成步骤8)的三镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
10）对步骤9）得到的三镀层键合铜丝进行超声清洗，然后烘干，得到所需的铜镀钯镀镍再镀金键合丝。
实施例3
请参阅图1，本发明实施例中，一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯1，所述铜芯1表面依次镀覆有镀钯层2、镀镍层3和镀金层4，所述铜芯1由高纯铜添加微量金属元素制成，所述高纯铜的纯度大于99.9995%，所述微量金属元素分别为镧、铈、铬，镀钯层2采用纯度大于99.99％的金属钯，通过电镀工艺将其镀在铜芯的表面上，镀镍层3采用纯度大于99.99％的金属镍，通过电镀工艺将其镀在镀钯层2的表面上，镀金层4采用纯度大于99.99％的金属金，通过电镀工艺将其电镀在镀镍层3的表面上，以最终制得的所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝为100重量份计，即100wt％计，高纯铜的含量为94.1wt％，金属钯的含量为2.4wt％、金属镍2.1wt％、金的含量为1.3wt％，镧的含量为0.03wt％、铈的含量为0.03wt％、铬的含量为0.04wt％，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的直径为15-40μm。
本实施例中，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，步骤如下：
1）熔铸：按比例将高纯铜、银和钯混合，经过真空熔炼和定向连续引铸工艺，获得直径为6-8mm的芯线A；
2）拉丝：将步骤1）得到的芯线A进行粗拔以制得直径大约为3-4mm的芯线B；
3）中间退火：步骤（2）拉丝完成后，对芯线B进行中间退火，在退火过程中采用氮气来做为退火气氛，退火炉有效长度为800-1200mm，退火温度为400-500°C，退火速率为1.5m/s，得到芯线C；
4）镀钯 ：在步骤4）得到的芯线C表面上电镀金属钯，并精拔呈直径为1-2mm的镀钯铜丝；
5）第一次热退火：对完成步骤4)的镀钯铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间为40-60min；
6）镀镍：在步骤5）得到镀钯铜丝表面上电镀金属镍，并精拔成直径为50-280um微米的双镀层键合铜丝；
7）第二次热退火：对完成步骤6)的双镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
8）镀金：在完成步骤7）的双镀层键合铜丝表面上电镀金属金，并精拔成三镀层键合铜丝；
9）第三次热退火：对完成步骤8)的三镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
10）对步骤9）得到的三镀层键合铜丝进行超声清洗，然后烘干，得到所需的铜镀钯镀镍再镀金键合丝。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯（1），其特征在于，所述铜芯（1）表面依次镀覆有镀钯层（2）、镀镍层（3）和镀金层（4）。
2.根据权利要求1所述的铜镀钯镀镍再镀金键合丝，其特征在于，所述铜芯（1）由高纯铜添加微量金属元素制成。
3.根据权利要求2所述的铜镀钯镀镍再镀金键合丝，其特征在于，所述高纯铜的纯度大于99.9995%，所述微量金属元素分别为镧、铈、铬。
4.根据权利要求1所述的铜镀钯镀镍再镀金键合丝，其特征在于，所述镀钯层（2）采用纯度大于99.99％的金属钯，通过电镀工艺将其镀在铜芯（1）的表面上，镀镍层（3）采用纯度大于99.99％的金属镍，通过电镀工艺将其镀在镀钯层（2）的表面上，镀金层（4）采用纯度大于99.99％的金属金，通过电镀工艺将其电镀在镀镍层（3）的表面上。
5.根据权利要求1所述的铜镀钯镀镍再镀金键合丝，其特征在于，以最终制得的所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝为100重量份计，即100wt％计，高纯铜的含量为93.4-94.4wt％，金属钯的含量为2.4-3.4wt％、金属镍2.1-3.1wt％、金的含量为1.1-2.1wt％，镧的含量为0.01-0.03wt％、铈的含量为0.01-0.03wt％、铬的含量为0.02-0.04wt％。
6.根据权利要求1所述的铜镀钯镀镍再镀金键合丝，其特征在于，所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的直径为15-40μm。
7.根据权利要求1-6任一所述的铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，其特征在于，步骤如下：
熔铸：按比例将高纯铜、银和钯混合，经过真空熔炼和定向连续引铸工艺，获得直径为6-8mm的芯线A；
拉丝：将步骤1）得到的芯线A进行粗拔以制得直径大约为3-4mm的芯线B；
中间退火：步骤（2）拉丝完成后，对芯线B进行中间退火，在退火过程中采用氮气来做为退火气氛，退火炉有效长度为800-1200mm，退火温度为400-500°C，退火速率为1.5m/s，得到芯线C；
镀钯 ：在步骤4）得到的芯线C表面上电镀金属钯，并精拔呈直径为1-2mm的镀钯铜丝；
第一次热退火：对完成步骤4)的镀钯铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间为40-60min；
镀镍：在步骤5）得到镀钯铜丝表面上电镀金属镍，并精拔成直径为50-280um微米的双镀层键合铜丝；
第二次热退火：对完成步骤6)的双镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
镀金：在完成步骤7）的双镀层键合铜丝表面上电镀金属金，并精拔成三镀层键合铜丝；
第三次热退火：对完成步骤8)的三镀层键合铜丝进行热退火，其中热退火温度为450-500°C，时间大约为40-60min；
对步骤9）得到的三镀层键合铜丝进行超声清洗，然后烘干，得到所需的铜镀钯镀镍再镀金键合丝。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326491A (zh) * 2020-02-13 2020-06-23 河南理工大学 一种镀金键合铝线及其制备方法
CN112687649A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 键合线表面的耐腐蚀抗氧化涂层及其制备方法与应用
CN113430610A (zh) * 2021-07-01 2021-09-24 广东禾木科技有限公司 一种三镀层银合金键合丝的制备方法
CN113725188A (zh) * 2021-11-04 2021-11-30 北京达博有色金属焊料有限责任公司 一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法
CN116657207A (zh) * 2023-06-25 2023-08-29 上海万生合金材料有限公司 一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013153107A (ja) * 2012-01-26 2013-08-08 Pi R & D Co Ltd ボンディングワイヤの製造方法及びボンディングワイヤ
CN104066267A (zh) * 2014-06-03 2014-09-24 深圳市创智成功科技有限公司 铜基材的化学镀层结构及其工艺
CN105762129A (zh) * 2016-04-27 2016-07-13 山东科大鼎新电子科技有限公司 一种铜基表面镀镍钯金键合丝及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013153107A (ja) * 2012-01-26 2013-08-08 Pi R & D Co Ltd ボンディングワイヤの製造方法及びボンディングワイヤ
CN104066267A (zh) * 2014-06-03 2014-09-24 深圳市创智成功科技有限公司 铜基材的化学镀层结构及其工艺
CN105762129A (zh) * 2016-04-27 2016-07-13 山东科大鼎新电子科技有限公司 一种铜基表面镀镍钯金键合丝及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326491A (zh) * 2020-02-13 2020-06-23 河南理工大学 一种镀金键合铝线及其制备方法
CN111326491B (zh) * 2020-02-13 2022-11-25 河南理工大学 一种镀金键合铝线及其制备方法
CN112687649A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 键合线表面的耐腐蚀抗氧化涂层及其制备方法与应用
CN112687649B (zh) * 2020-12-25 2024-03-12 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 键合线表面的耐腐蚀抗氧化涂层及其制备方法与应用
CN113430610A (zh) * 2021-07-01 2021-09-24 广东禾木科技有限公司 一种三镀层银合金键合丝的制备方法
CN113725188A (zh) * 2021-11-04 2021-11-30 北京达博有色金属焊料有限责任公司 一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法
CN116657207A (zh) * 2023-06-25 2023-08-29 上海万生合金材料有限公司 一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺
CN116657207B (zh) * 2023-06-25 2024-04-26 上海万生合金材料有限公司 一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺

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