JP2013153015A - 光変調器集積光源 - Google Patents
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Abstract
【課題】長期信頼性の高い光変調器集積光源を得る。
【解決手段】導電性のn−InP基板1上に半導体レーザ2と光変調器3が設けられている。光変調器3は半導体レーザ2の出力光を変調する。n−InP基板1の下面に共通カソード電極5が設けられ、半導体レーザ2の上面にアノード電極6が設けられ、光変調器3の上面にアノード電極7が設けられている。半絶縁性半導体又はアンドープ半導体からなる電流阻止層17が、n−InP基板1と光変調器3の間に設けられている。ただし、電流阻止層17は、n−InP基板1と半導体レーザ2との間には設けられていない。この電流阻止層17により、光変調器3の駆動による漏洩高周波電流が半導体レーザ2に流れるのを防ぐ。
【選択図】図1
【解決手段】導電性のn−InP基板1上に半導体レーザ2と光変調器3が設けられている。光変調器3は半導体レーザ2の出力光を変調する。n−InP基板1の下面に共通カソード電極5が設けられ、半導体レーザ2の上面にアノード電極6が設けられ、光変調器3の上面にアノード電極7が設けられている。半絶縁性半導体又はアンドープ半導体からなる電流阻止層17が、n−InP基板1と光変調器3の間に設けられている。ただし、電流阻止層17は、n−InP基板1と半導体レーザ2との間には設けられていない。この電流阻止層17により、光変調器3の駆動による漏洩高周波電流が半導体レーザ2に流れるのを防ぐ。
【選択図】図1
Description
本発明は、光ファイバ通信システムの光源として用いる光変調器集積光源に関する。
従来の光変調器集積光源では、FeドープInP基板上に半導体レーザと光変調器を集積していた(例えば、非特許文献1参照)。FeドープInP基板は、導電性のInP基板と比べて結晶欠陥の密度が約10倍大きい(例えば、非特許文献2参照)。
Fraunhofer Heinrich Hertz Institute、InP-Modulators、インターネット<URL: http://www.hhi.fraunhofer.de/en/departments/photonic-components/inp-modulators/>
住友電工ホームページ、インターネット<URL: http://www.sei.co.jp/sc/products/inp/han.html>
電流注入により発光する半導体レーザは、基板の結晶欠陥の影響によって短期間で劣化が生じやすい。従って、FeドープInP基板を用いた従来の光変調器集積光源は未だ実用には至っていない。一方、導電性のInP基板を用いた場合には、光変調器の駆動による漏洩高周波電流が半導体レーザに悪影響を及ぼすという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は長期信頼性の高い光変調器集積光源を得るものである。
本発明に係る光変調器集積光源は、導電性の半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた半導体レーザと、前記半導体基板上に設けられ、前記半導体レーザの出力光を変調する光変調器と、前記半導体基板の下面に設けられた第1の電極と、前記半導体レーザの上面に設けられた第2の電極と、前記光変調器の上面に設けられた第3の電極と、前記半導体基板と前記光変調器の間に設けられ、前記半導体基板と前記半導体レーザとの間には設けられておらず、半絶縁性半導体又はアンドープ半導体からなり、前記光変調器の駆動による漏洩高周波電流が前記半導体レーザに流れるのを防ぐ電流阻止層とを備えることを特徴とする。
本発明により、長期信頼性の高い光変調器集積光源を得ることができる。
本発明の実施の形態に係る光変調器集積光源について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
図1は、本発明の実施の形態に係る光変調器集積光源の光の進行方向に沿った断面図である。図2は図1のA−A´に沿った断面図である。図3は図1のB−B´に沿った断面図である。
導電性のn−InP基板1上に半導体レーザ2と光変調器3が設けられている。n−InP基板1上において半導体レーザ2と光変調器3の間に光導波路部4が設けられている。
n−InP基板1の下面に共通カソード電極5が設けられ、半導体レーザ2の上面にアノード電極6が設けられ、光変調器3の上面にアノード電極7が設けられている。共通カソード電極5及びアノード電極6,7はTi/Pt/Auからなる。半導体レーザ2、光変調器3及び光導波路部4のアノード電極6,7以外の部分はSiN絶縁膜8で覆われている。
半導体レーザ2は、n−InP基板1上に順に積層されたn−InPクラッド層9、アンドープInGaAsP多重量子井戸の活性層10、p−InPクラッド層11、及びp−InGaAsコンタクト層12を有する。p−InPクラッド層11内にp−InGaAsP回折格子層13が設けられている。この半導体レーザ2は、活性層10の両側がp−InPブロック層14及びn−InPブロック層15で埋め込まれた埋め込みヘテロ構造である。
光変調器3は、n−InP基板1上に順に積層されたn−InPクラッド層9、アンドープInGaAsP多重量子井戸のコア層16、p−InPクラッド層11、及びp−InGaAsコンタクト層12を有する。この光変調器3はマッハツェンダ型光変調器である。
本実施の形態の特徴として、半絶縁性InP又はアンドープInPからなる電流阻止層17が、n−InP基板1と光変調器3の間に設けられている。ただし、電流阻止層17は、n−InP基板1と半導体レーザ2との間には設けられていない。
光導波路部4は、n−InP基板1上に順に積層されたクラッド層18、アンドープInGaAsPコア層19、及びクラッド層20を有する。クラッド層18,20は半絶縁性InP又はアンドープInPからなる。
続いて、光変調器集積光源の動作を説明する。共通カソード電極5とアノード電極6の間に印加された電圧に応じて半導体レーザ2に電流が流れて発光する。光導波路部4は半導体レーザ2の出力光を光変調器3に導く。共通カソード電極5とアノード電極7の間に印加された電圧に応じて光変調器3は半導体レーザ2の出力光を変調する。この際に、n−InP基板1と光変調器3の間に電流阻止層17があるため、光変調器3には基本的に電流が流れない。ここで、光変調器3は電圧が印加されることにより動作するデバイスであり、電界吸収型光変調器とは異なり電流が流れる必要はない。
続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図4は、比較例に係る光変調器集積光源の光の進行方向に沿った断面図である。図5は図4のA−A´に沿った断面図である。図6は図4のB−B´に沿った断面図である。比較例では、電流阻止層17が無く、導電性のn−InP基板1の代わりに半絶縁性のFeドープInP基板21を用い、光導波路部4の半絶縁性又はアンドープのクラッド層18,20の代わりに導電性のn−InPクラッド層9及びp−InPクラッド層11を用いている。
比較例では、結晶欠陥密度の高い半絶縁性のFeドープInP基板21を用いているため、短期間で半導体レーザ2の劣化が生じる。一方、本実施の形態では、結晶欠陥密度の低い導電性のn−InP基板1を用いているため、半導体レーザ2の長期信頼性が損なわれることがない。
また、本実施の形態では、光変調器3と半導体レーザ2が電流阻止層17により電気的に絶縁されているため、光変調器3の駆動による漏洩高周波電流が半導体レーザ2に流れるのを防ぐことができる。この結果、光変調器3の駆動による漏洩高周波電流が半導体レーザ2に悪影響を及ぼすことはない。
また、電流阻止層17や光導波路部4に用いられる半絶縁性InPはFe又はRuがドープされたInPであり、アンドープInPの不純物濃度は5×1016cm−3以下であることが、電気的アイソレーション確保の点で好ましい。
図7は、本発明の実施の形態に係る光変調器集積光源の変形例を示す断面図である。半導体レーザ2は上記実施の形態では埋め込みヘテロ構造であるが、変形例のようなリッジ型構造でもよい。この場合にも上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、n−InP基板1の代わりにp−InP基板を用いてもよい。また、光変調器3のコア層や半導体レーザ2の活性層はInGaAsP多重量子井戸に限らず、AlGaInAs多重量子井戸、InGaAsP単層、AlGaInAs単層でもよい。この場合にも上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
1 n−InP基板(半導体基板)
2 半導体レーザ
3 光変調器
4 光導波路部
5 共通カソード電極(第1の電極)
6 アノード電極(第2の電極)
7 アノード電極(第3の電極)
17 電流阻止層
2 半導体レーザ
3 光変調器
4 光導波路部
5 共通カソード電極(第1の電極)
6 アノード電極(第2の電極)
7 アノード電極(第3の電極)
17 電流阻止層
Claims (4)
- 導電性の半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた半導体レーザと、
前記半導体基板上に設けられ、前記半導体レーザの出力光を変調する光変調器と、
前記半導体基板の下面に設けられた第1の電極と、
前記半導体レーザの上面に設けられた第2の電極と、
前記光変調器の上面に設けられた第3の電極と、
前記半導体基板と前記光変調器の間に設けられ、前記半導体基板と前記半導体レーザとの間には設けられておらず、半絶縁性半導体又はアンドープ半導体からなり、前記光変調器の駆動による漏洩高周波電流が前記半導体レーザに流れるのを防ぐ電流阻止層とを備えることを特徴とする光変調器集積光源。 - 前記半導体基板上において前記半導体レーザと前記光変調器の間に設けられ、前記半導体レーザの出力光を前記光変調器に導く光導波路部を更に備え、
前記光導波路部は半絶縁性半導体又はアンドープ半導体からなることを特徴とする請求項1に記載の光変調器集積光源。 - 前記半絶縁性半導体はFe又はRuがドープされたInPであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器集積光源。
- 前記アンドープ半導体の不純物濃度は5×1016cm−3以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器集積光源。
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2012
- 2012-01-24 JP JP2012012238A patent/JP2013153015A/ja active Pending
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