JP2013152221A - 電流センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】電流の検出精度の低下が抑制された電流センサを提供する。
【解決手段】磁電変換素子(20)と集磁コア(30)を有する電流センサ。集磁コア(30)は、被測定電流の流れる流れ方向に直交する平面形状が、ギャップを有する環状を成し、磁電変換素子(20)は、ギャップに配置され、被測定電流としての交流電流の流れる被測定導体(90)の一部が、集磁コア(30)によって囲まれており、集磁コア(30)は、流れ方向に、少なくとも1つの第1磁性材料(31)と、少なくとも1つの第2磁性材料(32)とが交互に積層されて成り、少なくとも1つの第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向している。
【選択図】図2

Description

本発明は、磁電変換素子と、被測定電流から生じる被測定磁界を集磁し、集磁した被測定磁界を磁電変換素子に印加する集磁コアと、を有する電流センサに関するものである。
従来、例えば特許文献1に示されるように、ギャップを有する環状に形成され、測定対象となる電流(被測定電流)の流れる電流経路の一部を取り囲み、被測定電流に基づいた第1の磁束が形成されるコアと、ギャップに配置された磁気センサと、を備える電流センサが提案されている。上記したコアは、板状の磁性体材料が、複数枚積層されて成る。
特開2007−40758号公報
ところで、特許文献1に示される電流センサにおいて、コアの磁気飽和を抑制するために、磁性体材料の積層枚数を多くして、第1の磁束の流れ方向に直交するコアの断面形状を大きくすることが考えられる。断面形状が大きくなると、第1の磁束密度を低める反磁界が大きくなり、コアの磁気飽和が抑制されるのである。しかしながら、被測定電流が交流電流の場合、下記に示す不具合が生じる虞がある。
電流経路に交流電流が流れると、コアに、第1の磁束を打ち消す向きの磁界を発する渦電流が生じる。巨視的に視ると、コアの外皮だけに1つの大きな渦電流が生じるように見える。この巨視的な渦電流は、コアの断面積が大きければ大きいほど、また、渦電流の流れる経路である、コアの断面形状の外形輪郭線の総長が短ければ短いほど、大きくなる。したがって、コアの磁気飽和を抑制するために、コアの断面積を大きくしたとしても、渦電流によってコアを流れる第1の磁束の分布が変動し、電流の検出精度が低下する虞がある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、電流の検出精度の低下が抑制された電流センサを提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、印加された磁界を電気信号に変換する磁電変換素子(20)と、被測定電流から生じる被測定磁界を集磁し、集磁した被測定磁界を磁電変換素子(20)に印加する集磁コア(30)と、を有する電流センサであって、集磁コア(30)は、被測定電流の流れる流れ方向に直交する平面形状が、ギャップを有する環状を成し、磁電変換素子(20)は、ギャップに配置され、被測定電流としての交流電流の流れる被測定導体(90)の一部が、集磁コア(30)によって囲まれており、集磁コア(30)は、流れ方向に、少なくとも2つの第1磁性材料(31)と、少なくとも1つの第2磁性材料(32)とが交互に積層されて成り、少なくとも1つの第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする。
このように本発明によれば、集磁コア(30)は、流れ方向に、第1磁性材料(31)と第2磁性材料(32)とが交互に積層されて成り、第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向している。これによれば、集磁コア(30)の断面積は、第1磁性材料の全てと第2磁性材料とが互いに連結された構成と同一であるが、集磁コア(30)の断面形状の外形輪郭線の総長が長くなる。また、第2磁性材料(32)と連結されていない第1磁性材料(31)の一部で流れる渦電流は、互いに打ち消し合うので、巨視的な渦電流の生成領域は、第1磁性材料(31)の一部と第2磁性材料(32)とが互いに連結された領域となる。そのため、実質的な渦電流の大きさは小さくなる。以上、示したように、巨視的な渦電流は小さくなるので、渦電流によって、集磁コア(30)を流れる被測定磁界の分布の変動が抑制される。
なお、集磁コア(30)の断面積、及び、ギャップを構成する端部(30a)の端面(30b)の表面積は、少なくとも、互いに連結された第1磁性材料(31)の一部と第2磁性材料(32)、及び、空隙又は絶縁体を介して互いに対向する第1磁性材料(31)の一部から成る。端面(30b)から放出される被測定磁界は、その表面積に比例するので、端面の表面積が、互いに連結された第1磁性材料と第2磁性材料から成る構成と比べて、磁電変換素子(20)に印加される被測定磁界の低減が抑制される。
以上、示したように、集磁コア(30)を流れる被測定磁界の分布の変動、及び、低減が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。
請求項2に記載のように、第2磁性材料(32)を少なくとも2つ有し、第1磁性材料(31)と第2磁性材料(32)それぞれは、流れ方向に直交する平面形状が、ギャップを有する環状を成し、第1磁性材料(31)の内側部分と、第2磁性材料(32)の外側部分とが連結され、少なくとも1つの第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の外側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向し、少なくとも1つの第1磁性材料(31)を介して隣り合う第2磁性材料(32)の内側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向した構成が好適である。
これによれば、集磁コア(30)の断面積、及び、端面(30b)の表面積は、互いに連結された第1磁性材料(31)と第2磁性材料(32)、第1磁性材料(31)の外側部分、及び、第2磁性材料(32)の内側部分から成る。したがって、端面(30b)の表面積が、互いに連結された第1磁性材料と第2磁性材料から成る構成と比べて、磁電変換素子(20)に印加される被測定磁界の低減が抑制される。
請求項3に記載のように、1つの第1磁性材料(31)を介して隣り合う第2磁性材料(32)の内側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向した構成が好ましい。これによれば、複数の第1磁性材料を介して隣り合う第2磁性材料の内側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向する構成と比べて、集磁コア(30)の体格の増大が抑制される。この結果、電流センサの体格の増大が抑制される。
なお、請求項1に記載の発明の具体的な構成としては、請求項4に記載のように、第1磁性材料(31)の中央と、第2磁性材料(32)とが連結され、少なくとも1つの第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の外側端部、及び、内側端部の一方が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向した構成を採用することもできる。
この場合、請求項5に記載のように、少なくとも1つの第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の外側端部、及び、内側端部の他方が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向した構成が良い。これによれば、集磁コア(30)の断面積、及び、端面(30b)の表面積が、互いに連結された第1磁性材料(31)と第2磁性材料(32)、第1磁性材料(31)の外側端部、及び、内側端部から成る。したがって、端面(30b)の表面積が、互いに連結された第1磁性材料と第2磁性材料から成る構成と比べて、磁電変換素子(20)に印加される被測定磁界の低減が抑制される。
第2磁性材料が、第1磁性材料よりも、流れ方向の長さが短い構成の場合、第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の外側端部、及び、内側端部の一方(以下、一端と示す)の間の距離が短くなる。そのため、これら一端間が電気的に連結され、その電気的に連結された領域も渦電流の生成領域になり、渦電流によって、被測定磁界が弱まる虞がある。したがって、請求項6に記載のように、第2磁性材料(32)は、第1磁性材料(31)よりも、流れ方向の長さが長い構成が良い。これにより、一端間が電気的に連結され、その電気的に連結された領域が渦電流の生成領域になり、渦電流によって、被測定磁界が弱まることが抑制される。
請求項7に記載のように、1つの第2磁性材料(32)を介して隣り合う第1磁性材料(31)の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向した構成が良い。これによれば、複数の第2磁性材料を介して隣り合う第1磁性材料の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向する構成と比べて、集磁コア(30)の体格の増大が抑制される。この結果、電流センサの体格の増大が抑制される。
請求項8に記載のように、第1磁性材料(31)と第2磁性材料(32)とは、絶縁材料(33)を介して接合された構成が良い。これによれば、各磁性材料(31,32)同士の電気的な結合が弱められ、渦電流の生成が抑制される。これにより、集磁コア(30)を流れる被測定磁界の低減が抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。
請求項9に記載のように、磁電変換素子(20)の出力信号を処理する処理回路が形成された回路基板(40)を有する構成を採用することができる。
請求項10に記載のように、磁電変換素子(20)と回路基板(40)とを支持する支持基板(50)を有する構成を採用することができる。
請求項11に記載のように、磁電変換素子(20)、回路基板(40)、支持基板(50)、及び、集磁コア(30)を収納するケース(60)を有する構成を採用することができる。
請求項12に記載のように、ギャップは、2つの端部(30a)が対向して成り、端部(30a)の端面(30b)は、第1磁性材料(31)における第2磁性材料(32)と連結した部位、及び、第2磁性材料(32)における第1磁性材料(31)と連結した部位それぞれの面が加算されてなる加算面を含んでおり、加算面は、磁電変換素子(20)における端面(30b)との対向面以上の表面積を有する構成を採用することができる。
第1実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 図1に示すII−II線に沿う断面図である。 渦電流を示す図面であり、(a)は集磁コアに生じる渦電流、(b)は集磁コアの等価回路を示す。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。 集磁コアの変形例を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1〜図3に基づいて、本実施形態に係る電流センサ100を説明する。以下においては、互いに直交する3方向をx方向、y方向、z方向と示す。y方向が、特許請求の範囲に記載の流れ方向に相当する。なお、図1は、x方向とz方向とによって規定されるx−z平面に沿う断面図であり、図2は、y方向とz方向とによって規定されるy−z平面に沿う断面図である。また、後述する図4〜図13は、y−z平面に沿う断面図であり、図14は、x−z平面に沿う断面図である。そして、図2では、ケース60を省略しており、図4〜図13に示す断面図は、図2に対応している。すなわち、図4〜図13に示す断面図は、図1に示すII−II線に沿う断面図である。
電流センサ100は、要部として、センサ基板10と、該センサ基板10に形成された磁電変換素子20と、センサ基板10及びy方向に被測定電流が流れる被測定導体90それぞれの周囲を囲む集磁コア30と、を有する。電流センサ100は、被測定電流から生じる磁界(以下、被測定磁界と示す)による磁電変換素子20の出力信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する。本実施形態に係る電流センサ100は、上記した構成要素10〜30の他に、回路基板40、支持基板50、及び、ケース60を有する。なお、被測定電流は、交流電流である。
センサ基板10は、半導体基板であり、その一面10aに、磁電変換素子20が形成されている(以下、一面10aを形成面10aと示す)。図1に示すように、センサ基板10は、導電性を有する中継部材11を介して、支持基板50に支持されており、この支持基板50に固定された回路基板40と電気的に接続されている。
本実施形態に係る磁電変換素子20は、印加磁界によって電圧値(ホール電圧)が変動するホール素子である。磁電変換素子20は、形成面10aに交差する印加磁界によって電圧値が変動する性質を有する。図示しないが、磁電変換素子20は、形成面10aに沿う一方向に電流を流す2つの端子と、形成面10aに沿い、且つ、一方向に直交する他方向に並んで配置された2つの検出端子と、を有する。2つの端子を結ぶ線と、2つの検出端子を結ぶ線とによって、十字が形成されており、2つの端子間に流れる電流に磁束が交差すると、磁束の印加される方向及び電流の流れる方向に対して垂直な方向にホール電圧が生じる。このホール電圧が、上記した検出端子にて検出される。
集磁コア30は、透磁率の高い材料から成り、x−z平面での平面形状が、ギャップを有する環状(平面C字状)を成す。2つの端部30aがx方向に並ぶことで、上記したギャップが構成され、ギャップにセンサ基板10が設けられている。端部30aの端面30b、及び、形成面10aはそれぞれy−z平面に沿い、x方向にて互いに対向している。
集磁コア30によって集磁された磁束は、集磁コア30内を回転し、一方の端部30aから放出される。放出された磁束の一部は、外部に放出され、残りの磁束は、他方の端部30aに流れ込み、再び集磁コア30内を回転する。上記したように、2つの端部30aによって構成されたギャップにセンサ基板10が設けられているので、一方の端部30aから放出された磁束が、形成面10aに印加される。この印加磁界によってホール電圧が生じ、ホール電圧が、中継部材11を介して回路基板40に出力される。
回路基板40は、半導体基板に、磁電変換素子20の出力信号を処理する処理回路が形成されたものである。回路基板40は、ホール電圧に基づいて、被測定電流の電流値を算出する機能を果たす。回路基板40は、中継部材11と並んで、支持基板50に搭載されている。
支持基板50は、非磁性材料から成る基板に、中継部材11と回路基板40とを電気的に接続する配線が形成されたものである。基板10,40は、中継部材11と上記した配線とを介して電気的に接続されている。
ケース60は、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50を収納するものである。本実施形態に係るケース60は、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50を一体的に固定するとともに、被覆保護するモールド樹脂である。ケース60は、非磁性と絶縁性とを有する材料から成る。
次に、本実施形態に係る電流センサ100の特徴点を説明する。図2に示すように、集磁コア30は、y方向に、第1磁性材料31と第2磁性材料32とが交互に積層されて成り、第2磁性材料32を介して隣り合う第1磁性材料31の一部が、空隙を介して互いに対向している。磁性材料31,32は、主面がy方向に直交する平板状を成し、y−z平面での平面形状が、ギャップを有する環状(平面C字状)を成している。本実施形態に係る集磁コア30は、図2に示すように、第1磁性材料31の内側端部と、第2磁性材料32の外側端部とが連結され、隣り合う2つの第1磁性材料31の外側端部、及び、隣り合う2つの第2磁性材料32の内側端部それぞれが、空隙を介して互いに対向する態様で、1つの第1磁性材料31と1つの第2磁性材料32とが交互に積層されて成る。
本実施形態では、第1磁性材料31と第2磁性材料32それぞれの主面に絶縁材料33が形成されており、2つの絶縁材料33を介して、磁性材料31,32が連結されている。絶縁材料33の構成材料としては、各磁性材料31,32を電気的に独立とするため、及び、巨視的な渦電流の発生を抑制するために、絶縁性と低誘電性とを兼ね備えた材料が好ましい。
図3に示すように、絶縁材料33を介して対向する磁性材料31,32によってコンデンサが構成されるが、磁性材料31,32間のインピーダンスは、絶縁材料33の誘電率と交流電流の周波数とに反比例する。交流電流の周波数が低い場合、インピーダンスは高いので、各磁性材料31,32にて独立した渦電流(図3に実線で示す矢印)が主として生じるが、交流電流の周波数が高まると、インピーダンスが低くなり、各磁性材料31,32が電気的に連結され易くなる。すると、図3に破線で示す巨視的な渦電流が発生し易くなる。そのため、絶縁材料33の構成材料としては、誘電率の低い材料が好ましい。
次に、本実施形態に係る電流センサ100の作用効果を説明する。上記したように、集磁コア30は、y方向に、第1磁性材料31と第2磁性材料32とが交互に積層されて成り、第2磁性材料32を介して隣り合う第1磁性材料31の一部が、空隙を介して互いに対向している。これによれば、集磁コア30の断面積は、第1磁性材料と第2磁性材料それぞれの主面が全面にて互いに連結された構成と同一であるが、集磁コア30の断面形状の外形輪郭線の総長が長くなる。また、第2磁性材料32と連結されていない第1磁性材料31の一部で流れる渦電流は、互いに打ち消し合うので、巨視的な渦電流の生成領域は、第1磁性材料31の一部と第2磁性材料32の一部とが互いに連結された領域(図2に破線で示す領域)となる。そのため、実質的な渦電流の大きさは小さくなる。以上、示したように、巨視的な渦電流は小さくなるので、渦電流によって、集磁コア30を流れる被測定磁界の分布の変動が抑制される。
また、集磁コア30の断面積、及び、端面30bの表面積は、互いに連結された第1磁性材料31の内側端部と第2磁性材料32の外側端部、第1磁性材料31の外側端部、及び、第2磁性材料32の内側端部それぞれの側面から成る。集磁コア30から放出される被測定磁界は、端面30bの表面積に比例するので、端面30bの表面積が、互いに連結された第1磁性材料31と第2磁性材料32の側面から成る構成と比べて、磁電変換素子20に印加される被測定磁界の低減が抑制される。以上、示したように、集磁コア30を流れる被測定磁界の分布の変動、及び、低減が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。
なお、図2に破線で示す領域の表面積が、特許請求の範囲に記載の加算面の表面積と等しく、その値は、磁電変換素子20における端面30bとの対向面の表面積よりも大きくなっている。
1つの第1磁性材料31を介して隣り合う第2磁性材料32の内側端部が、空隙を介して互いに対向している。これによれば、複数の第1磁性材料を介して隣り合う第2磁性材料の内側端部が、空隙を介して互いに対向する構成と比べて、集磁コア30の体格の増大が抑制される。この結果、電流センサ100の体格の増大が抑制される。
1つの第2磁性材料32を介して隣り合う第1磁性材料31の外側端部が、空隙を介して互いに対向している。これによれば、複数の第2磁性材料を介して隣り合う第1磁性材料が、空隙を介して互いに対向する構成と比べて、集磁コア30の体格の増大が抑制される。この結果、電流センサ100の体格の増大が抑制される。
第1磁性材料31と第2磁性材料32とは、2つの絶縁材料33を介して接合されている。これによれば、磁性材料31,32同士の電気的な結合が弱められ、渦電流の生成が抑制される。これにより、集磁コア30を流れる被測定磁界の低減が抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。
センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50がケース60によって一体的に固定され、被覆保護されている。これによれば、導電性を有する異物を介して、意図しない部位が電気的に接続されることが抑制される。また、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50の機械的な接続強度が向上される。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
本実施形態では、隣り合う2つの第1磁性材料31、及び、隣り合う2つの第2磁性材料32それぞれが、空隙を介して互いに対向する例を示した。しかしながら、隣り合う2つの第1磁性材料31、及び、隣り合う2つの第2磁性材料32それぞれが、絶縁体(図示略)を介して互いに対向する構成を採用することもできる。
本実施形態では、第1磁性材料31と第2磁性材料32それぞれの主面に絶縁材料33が形成され、磁性材料31,32それぞれに形成された2つの絶縁材料33を介して、磁性材料31,32が連結された例を示した。しかしながら、例えば図4に示すように、磁性材料31,32それぞれが有する2つの主面の内の一方に絶縁材料33が形成され、1つの絶縁材料33を介して、磁性材料31,32が連結された構成を採用することもできる。また、図5に示すように、絶縁材料33を介さずに、磁性材料31,32が連結された構成を採用することもできる。
本実施形態では、第1磁性材料31の内側端部と、第2磁性材料32の上側端部とが連結され、隣り合う2つの第1磁性材料31の外側端部、及び、隣り合う2つの第2磁性材料32の内側端部それぞれが、空隙を介して互いに対向した例を示した。しかしながら、例えば図6〜図8に示すように、第1磁性材料31の主面の中央と、第2磁性材料32の主面の全面とが連結され、隣り合う第1磁性材料31の外側端部、及び、内側端部の一方(以下、一端と示す)、及び、第1磁性材料31の外側端部、及び、内側端部の他方(以下、他端と示す)それぞれが、空隙を介して互いに対向した構成を採用することもできる。この変形例の場合、第1磁性材料31よりも、第2磁性材料32の方が、z方向の長さが短くなっている。
更に言えば、図9〜図11に示すように、第1磁性材料31の主面の内側端部と、第2磁性材料32の主面の全面とが連結され、隣り合う第1磁性材料31の一端が、空隙を介して互いに対向した構成を採用することもできる。この変形例の場合においても、第1磁性材料31よりも、第2磁性材料32の方が、z方向の長さが短くなっている。
ちなみに、この変形例にて、第2磁性材料32が、第1磁性材料31よりも、y方向の長さが短い場合、第2磁性材料32を介して隣り合う第1磁性材料31の一端の間の距離が短くなる。そのため、これら一端間が電気的に連結され、その電気的に連結された領域も渦電流の生成領域になり、渦電流によって、被測定磁界が弱まる虞がある。したがって、第2磁性材料32は、第1磁性材料31よりも、y方向の長さが長い構成が良い。これにより、一端間が電気的に連結され、その電気的に連結された領域が渦電流の生成領域になり、渦電流によって、被測定磁界が弱まることが抑制される。
本実施形態では、1つの第2磁性材料32を介して第1磁性材料31が隣り合う例を示した。しかしながら、第1磁性材料31の間に設けられる第2磁性材料32の数としては、上記例に限定されない。例えば図12に示すように、2つの第2磁性材料32を介して第1磁性材料31が隣り合う構成を採用することができる。
本実施形態では、1つの第1磁性材料31を介して第2磁性材料32が隣り合う例を示した。しかしながら、第2磁性材料32の間に設けられる第1磁性材料31の数としては、上記例に限定されない。例えば図13に示すように、2つの第1磁性材料31を介して第2磁性材料32が隣り合う構成を採用することができる。
本実施形態では、集磁コア30の形状を説明したが、集磁コア30の製造方法については特に言及しなかった。しかしながら、絶縁材料33を介して、第1磁性材料31と第2磁性材料32とが接合される場合、及び、絶縁材料33を介さずに、第1磁性材料31と第2磁性材料32とが接合される場合いずれにおいても、第1磁性材料31と第2磁性材料32とをy方向に積層して、y方向に熱と圧力を印加することで、集磁コア30を製造することができる。これの別な方法としては、図14に示すように、径の異なる、x−z平面の形状がギャップを有する環状の磁性材料34を、磁性材料34の中心から外側に向かって幾層にも重ねることで、集磁コア30を製造することもできる。ちなみに、環状の板材を幾層にも重ねた後、一部を除去することで、ギャップを構成しても良い。これによっても、図2、図4〜図13に記載の集磁コア30を製造することができる。なお、図2、図4〜図13に記載されている磁性材料31,32の間の境界線は、各材料の位置を明りょうとするために記述しているだけであって、各集磁コア30が、一番初めに示した製造方法から成ることを主張するためではない。上記した2つのいずれの製造方法を採用したとしても、特許請求の範囲に記載の集磁コアが製造される。上記した製造方法にて、記した磁性材料31,32は、特定の形状を有しているが、特許請求の範囲に記載の磁性材料は、概念として記述しているに過ぎず、特定の形状を有するわけではない。
なお、絶縁材料33を介さずに、第1磁性材料31と第2磁性材料32とが接合される場合、図5,8,11に記載の集磁コア30の輪郭線と同一の形状のキャビティを有する金型内に焼結材を充填して、熱と圧力とを印加することで、図5,8,11に記載の集磁コア30を製造することもできる。更に別な方法としては、図5,8,11に記載の集磁コア30の輪郭線と同一の形状に、圧粉材を樹脂でコーティングしたものを金型にいれ、熱と圧力とを印加することで、図5,8,11に記載の集磁コア30を製造することができる。この場合、磁性材料31,32の間の境界線は、全く形成されない。
本実施形態では、ケース60が、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50を一体的に固定するとともに、被覆保護するモールド樹脂である例を示した。しかしながら、ケース60としては、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50を収納する機能を果たし、且つ、非磁性と絶縁性とを有する材料から成るものであれば良い。例えば、ケース60としては筒状のものを採用することができる。このケース60の中に、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50を配置した後、樹脂を注入して固化することで、センサ基板10、回路基板40、及び、支持基板50をケース60内に固定しても良い。
10・・・センサ基板
20・・・磁電変換素子
30・・・集磁コア
31・・・第1磁性材料
32・・・第2磁性材料
100・・・電流センサ

Claims (12)

  1. 印加された磁界を電気信号に変換する磁電変換素子(20)と、
    被測定電流から生じる被測定磁界を集磁し、集磁した被測定磁界を前記磁電変換素子(20)に印加する集磁コア(30)と、を有する電流センサであって、
    前記集磁コア(30)は、前記被測定電流の流れる流れ方向に直交する平面形状が、ギャップを有する環状を成し、
    前記磁電変換素子(20)は、前記ギャップに配置され、
    前記被測定電流としての交流電流の流れる被測定導体(90)の一部が、前記集磁コア(30)によって囲まれており、
    前記集磁コア(30)は、前記流れ方向に、少なくとも2つの第1磁性材料(31)と、少なくとも1つの第2磁性材料(32)とが交互に積層されて成り、
    少なくとも1つの前記第2磁性材料(32)を介して隣り合う前記第1磁性材料(31)の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする電流センサ。
  2. 前記第2磁性材料(32)を少なくとも2つ有し、
    前記第1磁性材料(31)と前記第2磁性材料(32)それぞれは、前記流れ方向に直交する平面形状が、ギャップを有する環状を成し、
    前記第1磁性材料(31)の内側部分と、前記第2磁性材料(32)の外側部分とが連結され、
    少なくとも1つの前記第2磁性材料(32)を介して隣り合う前記第1磁性材料(31)の外側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向し、
    少なくとも1つの前記第1磁性材料(31)を介して隣り合う前記第2磁性材料(32)の内側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
  3. 1つの前記第1磁性材料(31)を介して隣り合う前記第2磁性材料(32)の内側部分が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。
  4. 前記第1磁性材料(31)の中央と、前記第2磁性材料(32)とが連結され、
    少なくとも1つの前記第2磁性材料(32)を介して隣り合う前記第1磁性材料(31)の外側端部、及び、内側端部の一方が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
  5. 少なくとも1つの前記第2磁性材料(32)を介して隣り合う前記第1磁性材料(31)の外側端部、及び、内側端部の他方が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする請求項4に記載の電流センサ。
  6. 前記第2磁性材料(32)は、前記第1磁性材料(31)よりも、前記流れ方向の長さが長いことを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。
  7. 1つの前記第2磁性材料(32)を介して隣り合う前記第1磁性材料(31)の一部が、空隙又は絶縁体を介して互いに対向していることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項に記載の電流センサ。
  8. 前記第1磁性材料(31)と前記第2磁性材料(32)とは、絶縁材料(33)を介して接合されていることを特徴とする請求項1〜7いずれか1項に記載の電流センサ。
  9. 前記磁電変換素子(20)の出力信号を処理する処理回路が形成された回路基板(40)を有することを特徴とする請求項1〜8いずれか1項に記載の電流センサ。
  10. 前記磁電変換素子(20)と前記回路基板(40)とを支持する支持基板(50)を有することを特徴とする請求項9に記載の電流センサ。
  11. 前記磁電変換素子(20)、前記回路基板(40)、前記支持基板(50)、及び、前記集磁コア(30)を収納するケース(60)を有することを特徴とする請求項10に記載の電流センサ。
  12. 前記ギャップは、2つの端部(30a)が対向して成り、
    前記端部(30a)の端面(30b)は、前記第1磁性材料(31)における前記第2磁性材料(32)と連結した部位、及び、前記第2磁性材料(32)における前記第1磁性材料(31)と連結した部位それぞれの面が加算されてなる加算面を含んでおり、
    前記加算面は、前記磁電変換素子(20)における前記端面(30b)との対向面以上の表面積を有することを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の電流センサ。
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