WO2013080557A1 - 電流センサ - Google Patents

Abstract

　電流センサは、センサ基板（１０）と、該センサ基板（１０）の一面（１０ａ）に設けられた磁電変換素子（２０）と、センサ基板（１０）、及び、被測定電流が流れる被測定導体（９０）の周囲を囲み、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部（３０）とを有する。電流センサは、被測定電流にて生じた磁界による磁電変換素子（２０）の電気信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する。磁気シールド部（３０）には空隙（３３）が少なくとも１つ形成されている。さらに、磁気シールド部（３０）は、空隙（３３）にて生じた空隙磁界、及び、磁気シールド部（３０）の外部にて生じた外部磁界の少なくとも一方が、磁電変換素子（２０）に印加されるのを抑制する抑制手段を有し、電流の検出精度の低下を抑制する。

Description

電流センサ 関連出願の相互参照

　本開示は、２０１１年１２月２日に出願された日本出願番号２０１１－２６５１３１号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。

　本開示は、被測定電流から生じる磁界による磁電変換素子の出力信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する電流センサに関するものである。

　従来、例えば特許文献１に示されるように、被測定電流が流れるバスバーと、バスバーに対して固定配置された磁気検出素子と、磁気検出素子を磁気遮蔽する磁気シールド体と、を備える電流センサが提案されている。磁気シールド体は、バスバーと磁気検出素子とを内側に囲む環状囲み部を有し、該環状囲み部には、磁気シールド体の磁気飽和を抑制するための空隙が形成されている。

　上記したように、特許文献１に示される電流センサでは、環状囲み部（磁気シールド体）に空隙が形成されている。磁気シールド体内を流れる磁束は、上記した空隙にて放出され、外部に磁界を形成する。そのため、空隙にて生じた磁界（以下、空隙磁界と示す）が磁気検出素子に印加され、これによって電流の検出精度が低下する虞がある。また、磁気シールド体の外部にて発生した外部磁界の内、磁気シールド体にて吸収し切れず、磁気シールド体内に透過した磁界が磁気検出素子に印加され、これによって電流の検出精度が低下する虞がある。

特開２０１０－２２７７号公報

　本開示は上記問題点に鑑み、電流の検出精度の低下を抑制することができる電流センサを提供することを目的とする。

　本開示の一態様によれば、電流センサは、センサ基板と、該センサ基板の一面に設けられ、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子と、センサ基板、及び、被測定電流が流れる被測定導体の周囲を共に囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部と、を有する。電流センサは、被測定電流にて生じた磁界による磁電変換素子の出力信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する。磁気シールド部は、磁気シールド部内の磁気飽和を抑制するための空隙を少なくとも一つ有する。さらに、磁気シールド部は、空隙にて生じた空隙磁界、及び、磁気シールド部の外部にて生じた外部磁界の少なくとも一方が、磁電変換素子に印加されるのを抑制する抑制手段を有する。

　これによれば、抑制手段によって、空隙磁界及び外部磁界の少なくとも一方が磁電変換素子に印加されることが抑制される。これにより、電流の検出精度の低下が抑制される。

　本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。図面において、
第１実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 空隙磁界を説明するための断面図である。 磁電変換素子に印加される磁界を説明するための断面図である。 外部磁界による空隙磁界を説明するための断面図である。 磁電変換素子に印加される磁界を説明するための断面図である。 第２実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 第３実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 凸部の変形例を示す断面図である。 凸部の変形例を示す断面図である。 第４実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。 電流センサの変形例を示す断面図である。

　以下、本開示の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
［１］
　電流センサは、センサ基板１０と、該センサ基板１０の一面１０ａに形成された、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子２０と、前記センサ基板１０、及び、被測定電流が流れる被測定導体９０の周囲を囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部３０とを有する。電流センサは、前記被測定電流にて生じた磁界による前記磁電変換素子２０の出力信号の変動に基づいて、前記被測定電流を測定する。前記磁気シールド部３０には、前記磁気シールド部３０内の磁気飽和を抑制するための空隙３３が少なくとも１つ形成されている。さらに、前記磁気シールド部３０は、前記空隙３３にて生じた空隙磁界、及び、前記磁気シールド部３０の外部にて生じた外部磁界の少なくとも一方が、前記磁電変換素子２０に印加されるのを抑制する抑制手段を有している。
［１－１］
　上記[１]の電流センサは、以下のように構成されていてもよい。

　前記磁気シールド部３０は、第１部３１と、該第１部３１よりも透磁率の高い第２部３２と、から成り、前記空隙３３は、前記第２部３２によって形作られており、前記抑制手段は、前記第２部３２により提供される。

　空隙３３を形作る部位は、絶えず、磁気シールド部３０内に吸収された磁界を放出しているので、磁気飽和し難い性質を有する。また、磁気シールド部３０の磁気抵抗が低いと、磁気シールド部３０は磁気飽和し易くなるが、外部磁界を遮蔽するシールド性が向上される。これらに対して、［１－１］では、空隙３３が、第１部３１よりも透磁率の高い（磁気抵抗が低い）第２部３２によって構成されている。これにより、磁気シールド部３０の磁気飽和が抑制されつつ、外部磁界を遮蔽するシールド性が向上される。この結果、外部磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。
［１－２］
　上記［１］及び［１－１］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記磁電変換素子２０は、前記センサ基板１０の一面１０ａに沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有する。前記一面１０ａは、互いに直交するｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ－ｙ平面に平行し、ｚ方向に直交する。前記一面１０ａを通り、前記ｘ方向と前記ｚ方向とによって規定されるｘ－ｚ平面に沿った前記磁気シールド部３０の断面において、前記磁気シールド部の内壁面の成す輪郭線が、前記ｘ方向に沿い、且つ前記一面１０ａを通る基準線ＢＬを介して対称な構造を成す。さらに、前記ｚ方向における、前記空隙３３の少なくとも一部の高さ位置と、前記センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。

　磁気シールド部３０内を流れる磁束は空隙３３にて放出され、外部に磁界を形成する。空隙３３にて生じる磁界（空隙磁界）は、磁気シールド部３０の形状によって変化する。これに対して、［１－２］では、磁電変換素子２０の一面１０ａを通る、ｘ－ｚ平面に沿った磁気シールド部３０の断面において、磁気シールド部３０の内壁面の成す輪郭線が、基準線ＢＬを介して対称な構造を成している。そして、磁気シールド部３０における、対称な構造を成す部位に空隙３３が形成され、ｚ方向における、空隙３３の高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。したがって、対称構造を成す部位によって囲まれた領域の空隙磁界は、基準線ＢＬを介して対称となり、基準線ＢＬでの向きが、基準線ＢＬに直交する向きとなる。そのため、空隙磁界は、磁電変換素子２０に対して垂直に印加されることとなる。磁電変換素子２０は、一面１０ａに沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有する。したがって、空隙磁界に対して、磁電変換素子２０の出力信号は変動し難い。以上、示したように、空隙磁界による磁電変換素子２０の出力信号の変動が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。
［１－３］
　上記［１－２］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記ｚ方向における、前記空隙３３全ての高さ位置と、前記センサ基板１０の高さ位置とが同一である。

　［１－３］に記載の構成とは異なり、ｚ方向における、空隙の一部の高さ位置と、センサ基板の高さ位置とが同一である構成の場合、センサ基板１０と高さ位置が異なる空隙３３からも、空隙磁界が形成される。この空隙磁界における基準線ＢＬでの向きは、基準線ＢＬに直交する向きになるとは限らないので、磁電変換素子２０に対して、一面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加される虞がある。このような空隙磁界が印加されると、空隙磁界によって磁電変換素子２０の出力信号が変動し、電流の検出精度が低下する虞がある。したがって、［１－３］に記載のように、ｚ方向における、空隙３３全ての高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一である場合、磁電変換素子２０に対して、一面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。
［１－４］
　上記［１－２］および［１－３］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記ｚ方向における、前記空隙３３の中心の高さ位置と、前記一面１０ａの高さ位置とが同一である。

　空隙磁界は、空隙３３の中心から、外に向って同心円状、楕円状に形成される。したがって、［１－４］に記載のように、ｚ方向における、空隙３３の中心の高さ位置と、一面１０ａの高さ位置とが同一である構成の場合、ｚ方向における、空隙の中心の高さ位置と、形成面の高さ位置とが異なる構成と比べて、空隙磁界における基準線ＢＬでの向きが、基準線ＢＬに直交する向きにより近づく。これにより、磁電変換素子２０に対して、一面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。
［１－５］
　上記［１－２］～［１－４］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記センサ基板１０は、前記磁気シールド部３０の中心に位置し、２つの前記空隙３３が、前記センサ基板１０を介して対向配置されている。

　被測定導体９０から生じた磁界は、磁気シールド部３０内に伝播した後、磁気シールド部３０に集磁され、磁気シールド部３０内を一方向に回転する。したがって、センサ基板１０を介して対向配置された空隙３３それぞれで発生する空隙磁界の向きが反転し、磁気シールド部３０の中心に位置するセンサ基板１０には、反対方向であり、強度が同一の空隙磁界が印加される。この結果、センサ基板１０では、空隙磁界がキャンセルされる。このように、磁電変換素子２０に対して、一面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。

　なお、［１－１］に記載の構成の場合、磁気シールド部３０の磁気抵抗が低くなっているので、空隙磁界が増大する。そのため、［１－１］に記載の構成に［１－２］～［１－５］に記載の構成を適用すると、磁電変換素子２０への空隙磁界の影響が効率的に抑制される。

　以下、第１実施形態を図１～図５に基づいて詳説する。図１は、第１実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図２は、空隙磁界を説明するための断面図である。図３は、磁気抵抗効果素子に印加される磁界を説明するための断面図である。図４は、外部磁界による空隙磁界を説明するための断面図である。図５は、磁気抵抗効果素子に印加される磁界を説明するための断面図である。なお、図２，４では、空隙磁界を明瞭とするために、電流センサ１００を簡略化している。以下においては、後述する形成面１０ａに沿い、互いに直交する方向をｘ方向、ｙ方向と示し、形成面１０ａに直交する方向をｚ方向と示す。

　図１に示すように、電流センサ１００は、要部として、センサ基板１０と、該センサ基板１０に形成された磁電変換素子２０と、センサ基板１０及び被測定電流が流れる被測定導体９０それぞれの周囲を囲む磁気シールド部３０と、を有する。電流センサ１００は、被測定電流から生じる磁界（以下、被測定磁界と示す）による磁電変換素子２０の出力信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する。本実施形態に係る電流センサ１００は、上記した構成要素１０～３０の他に、バイアス磁石４０、回路基板５０、支持基板６０、モールド樹脂７０、及び、スペーサ８０を有する。

　センサ基板１０は、半導体基板であり、その一面１０ａに、磁電変換素子２０が形成されている（以下、一面１０ａを形成面１０ａと示す）。図１に示すように、センサ基板１０は、形成面１０ａの裏面を搭載面として支持基板６０に搭載されている。センサ基板１０は、ワイヤ１１を介して、回路基板５０と電気的に接続されており、このワイヤ１１を介して、磁電変換素子２０の出力信号の変動を含む電気信号が回路基板５０に出力される。

　本実施形態に係る磁電変換素子２０は、印加磁界によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子であり、形成面１０ａに沿う印加磁界のみによって抵抗値が変動する性質を有する。磁電変換素子２０は、図示しないが、形成面１０ａに沿う印加磁界に応じて磁化方向が変化する自由層と、非磁性の中間層と、磁化方向が固定されたピン層と、ピン層の磁化方向を固定する磁石層と、が順次積層されて成る。本実施形態に係る中間層は、絶縁性を有しており、磁電変換素子２０は、トンネル磁気抵抗効果素子である。

　自由層と固定層との間に電圧が印加されると、トンネル効果によって、自由層と固定層との間の中間層に電流（トンネル電流）が流れる。トンネル電流の流れ易さは、自由層と固定層の磁化方向に依存しており、自由層と固定層それぞれの磁化方向が平行の場合に最も流れ易く、反平行の場合に最も流れ難い。したがって、自由層と固定層それぞれの磁化方向が平行の場合に磁電変換素子２０の抵抗値が最も小さく変化し、反平行の場合に抵抗値が最も大きく変化する。

　本実施形態では、２つの磁電変換素子２０によって、ハーフブリッジ回路が構成され、２つのハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されている。ハーフブリッジ回路を構成する２つの磁電変換素子２０の固定層の磁化方向が反平行となっており、２つの磁電変換素子２０の抵抗値の変化は、反対方向になっている。すなわち、２つの磁電変換素子２０の内の一方の抵抗値が小さくなる場合、他方の抵抗値が大きくなるようになっている。フルブリッジ回路を構成する、２つのハーフブリッジ回路の中点電位の差分が、ワイヤ１１を介して回路基板５０に出力される。

　磁気シールド部３０は、透磁率の高い材料から成り、筒状を成す。内部に、電流センサ１００の構成要素１０，２０，４０～８０と、被測定導体９０とが配置され、内部と外部とを磁気的に遮蔽する機能を果たす。図２に実線で示すように、被測定導体９０から生じた被測定磁界は、磁気シールド部３０の内部を伝播した後、磁気シールド部３０内に集磁され、磁気シールド部３０内を一方向に回転する。また、図４に実線で示すように、磁気シールド部３０に集磁された外部磁界は、双方向に流動する。

　磁気シールド部３０には、磁気シールド部３０内の磁気飽和を抑制するための空隙３３が形成されており、磁気シールド部３０内を流れる磁束は空隙３３にて放出される。図２及び図４に一点鎖線で示すように、空隙３３にて放出された磁束は、外部に磁界（以下、空隙磁界と示す）を形成する。本実施形態では、２つの空隙３３が磁気シールド部３０に形成されており、２つの空隙磁界が磁電変換素子２０に印加される構成となっている。

　バイアス磁石４０は、永久磁石であり、自由層にバイアス磁界を印加する機能を果たす。バイアス磁界により、自由層の磁化方向の初期値（ゼロ点）が定まる。バイアス磁石４０は、支持基板６０を介してセンサ基板１０と対向している。

　回路基板５０は、半導体基板に、磁電変換素子２０の出力信号を処理する回路が形成されたものである。回路基板５０は、磁電変換素子２０によって構成されたフルブリッジ回路の出力信号に基づいて、被測定電流の電流値を算出する機能を果たす。回路基板５０は、センサ基板１０と並んで、支持基板６０に搭載されている。

　支持基板６０は、非磁性材料から成るものである。モールド樹脂７０は、センサ基板１０、バイアス磁石４０、回路基板５０、及び、支持基板６０を一体的に固定するとともに、被覆保護するものである。スペーサ８０は、被測定導体９０、及び、モールド樹脂７０によって被覆されたセンサ基板１０、バイアス磁石４０、回路基板５０、支持基板６０を磁気シールド部３０内に固定するものである。モールド樹脂７０及びスペーサ８０は、非磁性と絶縁性とを有する材料から成る。なお、図２に示すように、被測定電流は、ｙ方向に流れている。

　次に、本実施形態に係る電流センサ１００の特徴点を説明する。本実施形態に係る磁気シールド部３０は、第１部３１と、該第１部３１よりも透磁率の高い第２部３２と、から成り、第１部３１と第２部３２とは、焼結拡散技術によって接合されている。そして、空隙３３は、第２部３２によって形作られている。

　また、図１及び図２に示すように、形成面１０ａ（磁電変換素子２０）を通る、ｘ方向とｚ方向とによって規定されるｘ－ｚ平面によって分断された磁気シールド部３０の内壁面の成す輪郭線、及び、断面形状は、ｘ方向に沿い、且つ形成面１０ａを通る基準線ＢＬ（図に示す破線）を介して対称な構造を成している。そして、磁気シールド部３０における対称な構造を成す部位に、空隙３３が形成され、ｚ方向における、空隙３３の高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。

　本実施形態では、空隙３３の全ての高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一となっており、更に、空隙３３の中心の高さ位置と、形成面１０ａの高さ位置とが同一となっている。また、センサ基板１０は、磁気シールド部３０における対称構造を成す部位の中心に位置し、２つの空隙３３が、センサ基板１０を介して対向配置されている。

　次に、本実施形態に係る電流センサ１００の作用効果を説明する。上記したように、被測定磁界は、磁気シールド部３０の内部を伝播した後、磁気シールド部３０内に集磁され、磁気シールド部３０内を一方向に回転する。そして、磁気シールド部３０内を流れる磁束は空隙３３にて放出され、外部に空隙磁界が形成される。

　このように、空隙３３を形作る部位は、絶えず、磁気シールド部３０内に吸収された磁界を放出しているので、磁気飽和し難い性質を有する。また、磁気シールド部３０の磁気抵抗が低いと、磁気シールド部３０は磁気飽和し易くなるが、外部磁界を遮蔽するシールド性が向上される。これらに対して、本実施形態では、空隙３３が、第１部３１よりも透磁率の高い（磁気抵抗が低い）第２部３２によって構成されている。これにより、磁気シールド部３０の磁気飽和が抑制されつつ、外部磁界を遮蔽するシールド性が向上される。この結果、外部磁界のセンサ基板への印加が抑制される。

　ところで、空隙磁界は、磁気シールド部３０の形状によって変化するが、本実施形態では、磁気シールド部３０における基準線ＢＬを介して対称な構造を成す部位に空隙３３が形成されている。したがって、対称構造を成す部位によって囲まれた領域の空隙磁界は、基準線ＢＬを介して対称となり、基準線ＢＬでの向きが、基準線ＢＬに直交する向きとなる。

　これに対して、本実施形態では、ｚ方向における、空隙３３の高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。そのため、図３及び図５に示すように、空隙磁界は、磁電変換素子２０に対して垂直に印加されることとなる。上記したように、磁電変換素子２０は、形成面１０ａに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する性質を有する。したがって、空隙磁界に対して、磁電変換素子２０の抵抗値は変動し難くなっている。以上により、空隙磁界による磁電変換素子２０の抵抗値の変動が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。

　ｚ方向における、空隙の一部の高さ位置と、センサ基板の高さ位置とが同一である構成の場合、センサ基板と高さ位置が異なる空隙からも、空隙磁界が形成される。この空隙磁界における基準線ＢＬでの向きは、基準線ＢＬに直交する向きになるとは限らないので、磁電変換素子２０に対して、形成面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加される虞がある。このような空隙磁界が印加されると、空隙磁界によって磁電変換素子２０の抵抗値が変動し、電流の検出精度が低下する虞がある。

　これに対して、本実施形態では、ｚ方向における、空隙３３全ての高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。この場合、磁電変換素子２０に対して、形成面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。

　図２に示すように、空隙磁界は、空隙３３の中心から、外に向って同心円状、楕円状に形成される。本実施形態では、ｚ方向における、空隙３３の中心の高さ位置と、形成面１０ａの高さ位置とが同一となっている。これによれば、ｚ方向における、空隙３３の中心の高さ位置と、形成面１０ａの高さ位置とが異なる構成と比べて、空隙磁界における基準線ＢＬでの向きが、基準線ＢＬに直交する向きにより近づく。これにより、磁電変換素子２０に対して、形成面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制され、電流の検出精度の低下が抑制される。

　センサ基板１０は、磁気シールド部３０における対称構造を成す部位の中心に位置し、２つの空隙３３が、センサ基板１０を介して対向配置されている。上記したように、被測定磁界は、磁気シールド部３０の内部を伝播した後、磁気シールド部３０に集磁され、磁気シールド部３０内を一方向に回転する。したがって、図２及び図３に示すように、センサ基板１０を介して対向配置された空隙３３それぞれで発生する空隙磁界の向きが反転し、磁気シールド部３０の中心に位置するセンサ基板１０には、反対方向であり、強度が同一の空隙磁界が印加される。この結果、センサ基板１０では、空隙磁界がキャンセルされる。このように、磁電変換素子２０に対して、形成面１０ａに沿う方向の空隙磁界が印加されることが抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。

　なお、図４に示すように、磁気シールド部３０に集磁された外部磁界は、磁気シールド部３０内の一方向だけではなく双方向に流動する。したがって、図５に示すように、センサ基板１０を介して対向配置された空隙３３それぞれで発生する、外部磁界に起因する空隙磁界の向きが同一と成り、磁気シールド部３０の中心に位置するセンサ基板１０には、同一方向であり、強度が同一の空隙磁界が印加されることとなる。しかしながら、上記したように、磁電変換素子２０は、形成面１０ａに沿う印加磁界によって抵抗値が変動する性質を有する。したがって、外部磁界に起因する空隙磁界に対して、磁電変換素子２０の抵抗値は変動し難く、磁電変換素子２０の抵抗値の変動が抑制されるので、電流の検出精度の低下が抑制される。図４において、符号１９０は、例えば、磁気シールド３０の外部に配置され、磁界（外部磁界）を生じる外部素子（外部導体等）を示す。

　磁気シールド部３０内に、回路基板５０が設けられている。これによれば、磁気シールド部外に回路基板が設けられた構成と比べて、電流センサ１００の体格の増大が抑制される。また、回路基板５０に外部磁界が印加されることが抑制される。

　センサ基板１０、バイアス磁石４０、回路基板５０、及び、支持基板６０がモールド樹脂７０によって一体的に固定され、被覆保護されている。これによれば、導電性を有する異物を介して、意図しない部位が電気的に接続されることが抑制される。また、センサ基板１０、バイアス磁石４０、回路基板５０、及び、支持基板６０の機械的な接続強度が向上される。

　被測定導体９０、及び、モールド樹脂７０によって被覆されたセンサ基板１０、バイアス磁石４０、回路基板５０、支持基板６０は、スペーサ８０を介して、磁気シールド部３０内に固定されている。これによれば、被測定導体とセンサ基板それぞれが独立して磁気シールド部に固定された構成と比べて、被測定導体９０とセンサ基板１０との相対位置の変動が抑制される。これにより、相対位置の変動による電流の検出精度の低下が抑制される。

　２つの磁電変換素子２０によって、ハーフブリッジ回路が構成され、２つのハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されている。そして、フルブリッジ回路を構成する、２つのハーフブリッジ回路の中点電位の差分が、回路基板５０に出力される。これによれば、１つのハーフブリッジ回路の中点電位に基づいて電流を検出する構成と比べて、電流の検出精度が向上される。

　本実施形態では、バイアス磁石４０から発せられるバイアス磁界を自由層に印加することで、自由層の磁化方向の初期値（ゼロ点）を定めた構成となっている。これに対して、磁気抵抗効果素子に印加される空隙磁界の印加方向を定めるために、磁気シールド部内に集磁コアを配置する構成も考えられる。しかしながら、この構成の場合、上記したバイアス磁界が集磁コア内を通ることとなるので、自由層の磁化方向のゼロ点を定めることができなくなる。したがって、本実施形態に係る電流センサ１００は、磁気シールド部内に集磁コアが設けられた電流センサとは根本的な構成が異なる。

　（第２実施形態）
［２－１］
　上記［１］および［１－１］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記磁気シールド部３０の外面には、互いに対向する突起部３４が形成されており、該突起部３４における互いに対向する対向面は、前記空隙３３の開口端を構成する壁面と連なっている。そして、前記抑制手段は、前記突起部３４から成る。

　空隙３３を形作る部位は、絶えず、磁気シールド部３０内に吸収された磁界を放出しているので、磁気飽和し難い性質を有する。また、磁気シールド部３０の磁気抵抗が低いと、磁気シールド部３０は磁気飽和し易くなるが、外部磁界を遮蔽するシールド性が向上される。これらに対して、［２－１］では、空隙３３の開口端を構成する壁面と対向面が連なり、互いに対向する突起部３４が磁気シールド部３０の外面に形成されている。これによれば、突起部３４でも磁界が放出されるので、実質的に、空隙３３を形作る端面の表面積が増大することとなる。空隙磁界は端面に直交し、磁気抵抗は、空隙磁界に直交する面積に反比例する性質を有する。したがって、上記構成によれば、空隙３３を形作る部位の磁気抵抗が小さくなるので、磁気シールド部３０の磁気飽和を抑えつつ、外部磁界を遮蔽するシールド性を向上することができる。この結果、外部磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。
［２－２］
　上記［２－１］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記磁気シールド部３０は、第１部３１と、該第１部３１よりも透磁率の高い第２部３２と、から成り、前記突起部３４は、前記第２部３２から成る。

　これによれば、突起部が第１部位から成る構成と比べて、外部磁界を遮蔽するシールド性を向上することができる。この結果、外部磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。
［２－３］
　上記［２－１］および［２－２］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記磁電変換素子２０は、前記センサ基板１０の一面１０ａに沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有する。前記一面１０ａは、互いに直交するｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ－ｙ平面に平行し、ｚ方向に直交する。前記一面１０ａを通り、前記ｘ方向と前記ｚ方向とによって規定されるｘ－ｚ平面に沿った前記磁気シールド部３０の断面において、前記磁気シールドの内壁面の成す輪郭線が、前記ｘ方向に沿い、且つ前記一面１０ａを通る基準線ＢＬを介して対称な構造を成す。さらに、前記ｚ方向における、前記空隙３３の少なくとも一部の高さ位置と、前記センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。
［２－４］
　上記［２－３］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記ｚ方向における、前記空隙３３全ての高さ位置と、前記センサ基板１０の高さ位置とが同一である。
［２－５］
　上記［２－３］および［２－４］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記ｚ方向における、前記空隙３３の中心の高さ位置と、前記一面１０ａの高さ位置とが同一である。
［２－６］
　上記［２－３］～［２－５］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記センサ基板１０は、前記磁気シールド部３０の中心に位置し、２つの前記空隙３３が、前記センサ基板１０を介して対向配置されている。

　これら、［２－３］～［２－６］に記載の構成の奏する作用効果は、第１実施形態で示した［１－２］～［１－５］に記載の構成が奏する作用効果と同等なので、その記載を省略する。なお、［２－１］及び［２－２］に記載の構成の場合、磁気シールド部３０の磁気抵抗が低くなっているので、空隙磁界が増大する。そのため、［２－１］及び［２－２］に記載の構成に［２－３］～［２－６］に記載の構成を適用すると、磁電変換素子２０への空隙磁界の影響を効率的に抑制することができる。

　以下、第２実施形態を図６に基づいて説明する。図６は、第２実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図であり、第１実施形態で示した図１に対応している。

　第２実施形態に係る電流センサ１００は、第１実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第１実施形態で示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与している。

　本実施形態に係る電流センサ１００は、磁気シールド部３０の外面に突起部３４が形成されたことを特徴とする。図６に示すように、２つの突起部３４が、ｚ方向にて互いに対向しており、各突起部３４の対向面が、空隙３３の開口端と連なっている。

　空隙３３を形作る部位は、絶えず、磁気シールド部３０内に吸収された磁界を放出しているので、磁気飽和し難い性質を有する。また、磁気シールド部３０の磁気抵抗が低いと、磁気シールド部３０は磁気飽和し易くなるが、外部磁界を遮蔽するシールド性が向上される。これらに対して、本実施形態では、空隙３３の開口端を構成する壁面と対向面が連なり、互いに対向する突起部３４が磁気シールド部３０の外面に形成されている。これによれば、突起部３４でも磁界が放出されるので、実質的に、空隙３３を形作る端面の表面積が増大することとなる。空隙磁界は端面に直交し、磁気抵抗は、空隙磁界に直交する面積に反比例する性質を有する。したがって、上記構成によれば、空隙３３を形作る部位の磁気抵抗が小さくなるので、磁気シールド部３０の磁気飽和を抑えつつ、外部磁界を遮蔽するシールド性を向上することができる。この結果、外部磁界のセンサ基板への印加が抑制される。

　本実施形態では、突起部３４の構成材料について特に限定していないが、その構成材料としては第１実施形態で示した第１部３１よりも透磁率の高い第２部３２から成る構成を採用することもできる。これによれば、突起部が第１部位から成る構成と比べて、外部磁界を遮蔽するシールド性を向上することができる。この結果、外部磁界がセンサ基板１０に印加されることが抑制される。

　（第３実施形態）
［３－１］
　上記［１］、［１－１］、［２－１］、及び、［２－２］の電流センサは
さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記磁気シールド部３０における、前記空隙３３を構成し、互いに対向する２つの対向面それぞれには、一方の前記対向面から他方の前記対向面に向かって突起した凸部３５が形成されている。２つの前記対向面それぞれに形成された２つの前記凸部３５の先端は互いに対向しており、前記凸部３５の先端は、前記対向面における前記磁気シールド部３０の内面と外面との中間、若しくは、該中間よりも前記外面側に位置している。さらに、前記抑制手段は、前記凸部３５により提供される。

　空隙磁界の密度分布は、空隙３３を構成する対向面、及び、凸部３５の形状に依存し、その発生中心は、互いに対向する凸部３５の先端に位置する。［３－１］では、凸部３５の先端が、対向面の中間、若しくは、中間よりも外側に位置している。そのため、磁気シールド部３０の内部に形成される空隙磁界の密度分布が、外部に形成される空隙磁界の密度分布よりも粗となる。これによれば、空隙磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。
［３－２］
　上記［３－１］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記磁電変換素子２０は、前記センサ基板１０の一面１０ａに沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有する。前記一面１０ａは、互いに直交するｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ－ｙ平面に平行し、ｚ方向に直交しており、前記一面１０ａを通り、前記ｘ方向と前記ｚ方向とによって規定されるｘ－ｚ平面に沿った前記磁気シールド部３０の断面において、前記磁気シールド部３０の内壁面の成す輪郭線が、前記ｘ方向に沿い、且つ前記一面１０ａを通る基準線ＢＬを介して対称な構造を成す。さらに、前記ｚ方向における、前記空隙３３の少なくとも一部の高さ位置と、前記センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている。
［３－３］
　上記［３－２］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記ｚ方向における、前記空隙３３全ての高さ位置と、前記センサ基板１０の高さ位置とが同一である。
［３－４］
　上記［３－２］および［３－３］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記ｚ方向における、前記空隙３３の中心の高さ位置と、前記一面１０ａの高さ位置とが同一である。
［３－５］
　上記［３－２］～［３－４］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記センサ基板１０は、前記磁気シールド部３０の中心に位置し、２つの前記空隙３３が、前記センサ基板１０を介して対向配置されている。

　これら、［３－２］～［３－５］に記載の構成の奏する作用効果は、第１実施形態で示した［１－２］～［１－５］に記載の構成が奏する作用効果と同等なので、その記載を省略する。

　以下、第３実施形態を図７に基づいて説明する。図７は、第３実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図であり、第１実施形態で示した図１に対応している。

　第３実施形態に係る電流センサは、上記した各実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記した各実施形態で示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与している。

　本実施形態に係る電流センサ１００は、空隙３３を形作る端面に凸部３５が形成されたことを特徴とする。図７に示すように、２つの凸部３５は、ｚ方向にて互いに対向し、その先端が、空隙３３を形作る端面の中間よりも、外側に位置している。

　空隙磁界の密度分布は、空隙３３を構成する端面、及び、凸部３５の形状に依存し、その発生中心は、互いに対向する凸部３５の先端に位置する。本実施形態では、凸部３５の先端が、端面の中間よりも外側に位置している。そのため、磁気シールド部３０の内部に形成される空隙磁界の密度分布が、外部に形成される空隙磁界の密度分布よりも粗となる。これによれば、空隙磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。

　なお、本実施形態では、図７に示すように、断面三角形状の凸部３５が端面に形成された例を示した。しかしながら、凸部３５の形状として上記例に限定されない。例えば、図８に示すように、断面四角形状を採用することができる。図８は、凸部の変形例を示す断面図である。

　本実施形態では、凸部３５の先端が、端面の中間よりも外側に位置した例を示した。しかしながら、凸部３５の先端の位置としては、端面の中間、若しくは、中間よりも外側に位置していれば良い。例えば、図９に示すように、凸部３５の先端が、磁気シールド部３０の外面と連なった構成を採用することもできる。図９は、凸部の変形例を示す断面図である。

　（第４実施形態）
［４－１］
　上記［１］および［１－１］の電流センサは、さらに以下のように構成されていてもよい。

　前記センサ基板１０の一面１０ａは、互いに直交するｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ－ｙ平面に平行し、ｚ方向に直交している。前記磁気シールド部３０は、前記ｚ方向に延びる第１延設部と第２延設部を有する。前記第１延設部の外壁面と前記第２延設部の内壁面とが、前記ｘ方向にて互いに対向して、前記空隙３３が形作られている。前記抑制手段は、前記第１延設部と前記第２延設部から成る。前記センサ基板は、前記第１延設部における前記第２延設部との対向面よりも前記ｚ方向に離れている。

　これによれば、空隙磁界の発生中心が、互いに対向する２つの延設部の中心に位置し、空隙磁界の密度分布は、その発生中心から遠ざかるほど粗となる。［４－１］では、センサ基板１０が空隙磁界の発生中心よりもｚ方向に離れている。そのため、センサ基板が、空隙磁界の発生中心とｚ方向にて同じ位置にある構成と比べて、空隙磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。

　以下、第４実施形態を図１０に基づいて説明する。図１０は、第４実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図であり、第１実施形態で示した図１に対応している。

　第４実施形態に係る電流センサは、上記した各実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明を省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記した各実施形態で示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与している。

　本実施形態に係る電流センサ１００は、磁気シールド部３０の構成と、センサ基板１０の位置に特徴がある。図１０に示すように、磁気シールド部３０は、上部シールド３６、及び、下部シールド３７を有し、シールド３６，３７それぞれは、一つの開口部を有する箱形状を成している。上部シールド３６の側壁の外壁面間の距離は、下部シールド３７の側壁の内壁面間の距離よりも短くなっており、各シールド３６，３７の底部内面が互いに対向し、下部シールド３７の収納空間内に、上部シールド３６の側壁が配置される態様で、センサ基板１０を収納する空間が構成されている。そして、上部シールド３６の側壁の外面と、下部シールド３７の側壁の内面とがｘ－ｙ平面に沿う方向にて対向して、空隙３３が構成されている。この空隙３３を構成する、シールド３６，３７の対向面にて、空隙磁界が発生する。図１０に示すように、センサ基板１０は、空隙磁界の発生部位よりもｚ方向に離れ、上部シールド３６によってその周囲が囲まれている。なお、上記したシールド３６，３７の側壁が、［４－１］に記載の延設部に相当する。

　空隙磁界の密度分布は、その発生中心であるシールド３６，３７の対向面から遠ざかるほど粗となる。これに対して、本実施形態では、センサ基板１０が空隙磁界の発生中心よりもｚ方向に離れている。そのため、センサ基板が、空隙磁界の発生中心とｚ方向にて同じ位置にある構成と比べて、空隙磁界のセンサ基板１０への印加が抑制される。

　本実施形態では、磁気シールド部３０が上部シールド３６と下部シールド３７とを有する例を示した。しかしながら、図１１に示す磁気シールド部３０においても、本実施形態と同等の作用効果を奏することができる。図１１に示す磁気シールド部３０は、紙面左方に位置する底部と、該底部の両端部からｘ方向に延びる２つの側壁部と、該側壁部それぞれの端部から、ｚ方向に延びる２つの延設部と、を有し、２つの側壁部のｘ方向の長さが異なり、一方の延設部の外面と、他方の延設部の内面とが互いに対向した構成となっている。延設部の対向面にて空隙３３が構成され、空隙３３よりもセンサ基板１０が、ｚ方向に離れて配置されている。図１１は、磁気シールド部３０の変形例を示す断面図である。

　（その他の実施形態）
　図１２に示すように、第１実施形態と第２実施形態とを組み合わせることも可能である。すなわち、空隙３３が第２部３２によって形作られ、突起部３４が磁気シールド部３０の外面に形成された構成を採用することもできる。なお、図１３に示すように、突起部３４を第２部３２と同一の材料によって形成しても良い。図１２及び図１３は、電流センサの変形例を示す断面図である。

　図１４に示すように、第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせることも可能である。すなわち、凸部３５が第２部３２によって形作られた構成を採用することもできる。図１４は、電流センサの変形例を示す断面図である。

　図１５に示すように、第１実施形態と第４実施形態とを組み合わせることも可能である。すなわち、ｘ－ｙ平面に沿う方向にて対向することで空隙３３を構成する、上部シールド３６の側壁の先端と、下部シールド３７の側壁の先端とが第２部３２によって形作られた構成を採用することもできる。図１５は、電流センサの変形例を示す断面図である。

　図１６に示すように、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせることも可能である。すなわち、実質的に、空隙３３を形作る端面としての機能を果たす突起部３４の対向面に、凸部３５が形成された構成を採用することもできる。凸部３５の頂点は、磁気シールド部３０の内面と、突起部３４の外面との間の中間、若しくは、中間よりも外側に位置している。図１６は、電流センサの変形例を示す断面図である。

　図１７に示すように、第１実施形態～第３実施形態を組み合わせることも可能である。すなわち、空隙３３が第２部３２によって形作られ、突起部３４が磁気シールド部３０の外面に形成され、実質的に、空隙３３を形作る端面としての機能を果たす突起部３４の対向面に、凸部３５が形成された構成を採用することもできる。凸部３５の頂点は、磁気シールド部３０の内面と、突起部３４の外面との間の中間、若しくは、中間よりも外側に位置している。なお、図１８に示すように、突起部３４が第２部３２と同一の材料によって形成されていても良い。図１７及び図１８は、電流センサの変形例を示す断面図である。

　以上、本開示の好ましい実施形態について説明したが、本開示は上記した実施形態になんら制限されることなく、本開示の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

　第１～第３実施形態では、形成面１０ａ（磁電変換素子２０）を通るｘ－ｚ平面に沿った磁気シールド部３０の断面形状が、基準線ＢＬを介して対称な構造を成している例を示した。したがって、形成面１０ａ（磁電変換素子２０）を通らないｘ－ｚ平面に沿った磁気シールド部３０の断面形状は、基準線ＢＬを介して対称な構造となっていなくとも良い。すなわち、磁気シールド部３０の全てが、基準線ＢＬを介して対称な構造でなくとも良い。更に言えば、形成面１０ａ（磁電変換素子２０）を通るｘ－ｚ平面に沿った断面において、磁気シールド部３０の外壁面の輪郭線が、基準線ＢＬを介して対称な構造でなくとも良い。これによっても、対称構造を成す部位によって囲まれた領域（形成面１０ａを通るｘ－ｚ平面に沿った断面において、磁気シールド部３０の内壁面によって囲まれた領域）の空隙磁界は、基準線ＢＬを介して対称となり、基準線ＢＬでの向きが、基準線ＢＬに直交する向きとなる。そのため、空隙磁界は、磁電変換素子２０に対して垂直に印加される。

　第１～第３実施形態では、空隙３３の全ての高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一となっている例を示した。しかしながら、空隙３３の一部の高さ位置と、センサ基板１０の高さ位置とが同一の構成を採用することもできる。

　第１～第３実施形態では、空隙３３の中心の高さ位置と、形成面１０ａの高さ位置とが同一となっている例を示した。しかしながら、空隙３３の中心の高さ位置と、形成面１０ａの高さ位置とが異なっていても良い。

　第１～第３実施形態では、センサ基板１０は、磁気シールド部３０における対称構造を成す部位の中心に位置する例を示した。しかしながら、センサ基板１０は、中心に位置していなくとも良い。

　第１～第４実施形態では、２つの空隙３３が、センサ基板１０を介して対向配置された例を示した。しかしながら、２つの空隙３３は、センサ基板１０を介して対向配置されていなくとも良い。

　第１～第４実施形態では、磁電変換素子２０として、磁気抵抗効果素子がセンサ基板１０に形成された例を示した。しかしながら、磁電変換素子２０としては上記例に限定されない。たとえば、印加磁界によって電圧値が変動するホール素子を採用することもできる。特に、第１～第３実施形態の場合、磁電変換素子２０として、形成面１０ａに沿う印加磁界のみによって電圧値が変動するホール素子を採用すると良い。

　第１～第４実施形態では、中間層が絶縁性を有し、磁電変換素子２０がトンネル磁気抵抗効果素子である例を示した。しかしながら、中間層が導電性を有し、磁電変換素子２０は巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）でも良い。また、ＡＭＲでも良い。

　第１～第４実施形態では、磁電変換素子２０によって、フルブリッジ回路が構成された例を示した。しかしながら、磁電変換素子２０によって、ハーフブリッジ回路が構成された構成を採用することもできる。

　第１～第４実施形態では、バイアス磁石４０が永久磁石である例を示した。しかしながら、バイアス磁石４０はソレノイドでも良い。

　第１～第４実施形態では、回路基板５０とセンサ基板１０とがワイヤ１１を介して電気的に接続され、回路基板５０とセンサ基板１０と並んで、支持基板６０に搭載された例を示した。しかしながら、回路基板５０にセンサ基板１０が積層され、電気的及び機械的に接続されたスタック構造を採用することもできる。

　第１～第４実施形態では、２つの空隙３３が磁気シールド部３０に形成された例を示した。しかしながら、１つ、若しくは、３つ以上の空隙３３が磁気シールド部３０に形成された構成を採用することもできる。

Claims (10)

1. 　センサ基板（１０）と、
   　該センサ基板（１０）の一面（１０ａ）に設けられ、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子（２０）と、
   　前記センサ基板（１０）、及び、被測定電流が流れる被測定導体（９０）の周囲を囲み、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部（３０）と、を有し、
   　前記被測定電流にて生じた磁界による前記磁電変換素子（２０）の出力信号の変動に基づいて、前記被測定電流を測定する電流センサであって、
   　前記磁気シールド部（３０）には、前記磁気シールド部（３０）内の磁気飽和を抑制するための空隙（３３）が少なくとも１つ形成され、
   　前記磁気シールド部（３０）は、前記空隙（３３）にて生じた空隙磁界、及び、前記磁気シールド部（３０）の外部にて生じた外部磁界の少なくとも一方が、前記磁電変換素子（２０）に印加されるのを抑制する抑制手段を有することを特徴とする電流センサ。
2. 　前記磁気シールド部（３０）は、第１部（３１）と、該第１部（３１）よりも透磁率の高い第２部（３２）と、から成り、前記空隙（３３）は、前記第２部（３２）によって形作られており、前記抑制手段は、前記第２部（３２）により提供されていることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
3. 　前記磁気シールド部（３０）は、その外面に、互いに対向する突起部（３４）を有し、
   　該突起部（３４）における互いに対向する対向面は、前記空隙（３３）の開口端を構成する壁面と連なっており、
   　前記抑制手段は、前記突起部（３４）により提供されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流センサ。
4. 　前記磁気シールド部（３０）は、第１部（３１）と、該第１部（３１）よりも透磁率の高い第２部（３２）と、から成り、
   　前記突起部（３４）は、前記第２部（３２）から成ることを特徴とする請求項３に記載の電流センサ。
5. 　前記磁気シールド部（３０）は、前記空隙（３３）を構成し、互いに対向する２つの対向面を有し、前記対向面のそれぞれは、他方の前記対向面に向かって突起した凸部（３５）を有し、２つの前記対向面の前記凸部（３５）の先端は互いに対向しており、
   　前記凸部（３５）の先端は、前記対向面における前記磁気シールド部（３０）の内面と外面との中間、若しくは、該中間よりも前記外面側に位置し、
   　前記抑制手段は、前記凸部（３５）により提供されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電流センサ。
6. 　前記磁電変換素子（２０）は、前記センサ基板（１０）の一面（１０ａ）に沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有し、
   　前記一面（１０ａ）は、互いに直交するｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ－ｙ平面に平行し、ｚ方向に直交しており、
   　前記一面（１０ａ）を通る、前記ｘ方向と前記ｚ方向とによって規定されるｘ－ｚ平面に沿った前記磁気シールド部（３０）の断面において、前記シールド部（３０）の内壁面の成す輪郭線は、前記ｘ方向に沿い、且つ前記一面（１０ａ）を通る基準線（ＢＬ）に対して対称な構造を成し、
   　前記ｚ方向における、前記空隙（３３）の少なくとも一部の高さ位置と、前記センサ基板（１０）の高さ位置とが同一となっていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電流センサ。
7. 　前記ｚ方向における、前記空隙（３３）全ての高さ位置と、前記センサ基板（１０）の高さ位置とが同一であることを特徴とする請求項６に記載の電流センサ。
8. 　前記ｚ方向における、前記空隙（３３）の中心の高さ位置と、前記一面（１０ａ）の高さ位置とが同一であることを特徴とする請求項６または７に記載の電流センサ。
9. 　前記センサ基板（１０）は、前記磁気シールド部（３０）の中心に位置し、
   　２つの前記空隙（３３）が、前記センサ基板（１０）を介して対向配置されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電流センサ。
10. 　前記センサ基板（１０）の一面（１０ａ）は、互いに直交するｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ－ｙ平面に平行し、ｚ方向に直交しており、
    　前記磁気シールド部（３０）は、前記ｚ方向に延びる第１延設部と第２延設部を有し、前記第１延設部の外壁面と前記第２延設部の内壁面とが、前記ｘ方向にて互いに対向して、前記空隙（３３）が形作られており、
    　前記抑制手段は、前記第１延設部と前記第２延設部から成り、
    　前記センサ基板は、前記第１延設部における前記第２延設部との対向面よりも前記ｚ方向に離れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流センサ。

Images