JP6536544B2 - 電流センサ - Google Patents

Description

本発明は、電流経路から発生する磁束を検知して磁電変換を行う電流センサに関する。

従来、電流センサの一例として、特許文献１に開示された電流検出システムがある。電流検出システムは、２組の磁性板と、これらに対応する２つのバスバ、及び、２つの半導体基板を有している。半導体基板には、磁束を電気信号に変換する磁電変換素子が形成されている。

特開２０１５−１９４４７２号公報

電流検出システムは、２組の磁性板が隣り合うように配置されている。そして、各組における対向配置された磁性板間には、バスバと半導体基板が配置されている。よって、電流検出システムは、一方のバスバと半導体基板に対向配置された磁性板と、他方のバスバと半導体基板に対向配置された磁性板とが分断されている。このため、電流検出システムは、磁性板の端部から漏れ磁場が発生すると言う問題がある。

また、電流検出システムの磁性板は、磁気飽和する場合、半導体基板に対向する側の表面から磁気飽和することになる。このため、電流検出システムは、磁気飽和による磁性板からの漏れ磁場が、磁電変換素子に影響しやすいという問題がある。

本開示は、上記問題点に鑑みなされたものであり、漏れ磁場を抑制できるとともに、磁気飽和による漏れ磁場の影響を抑制できる電流センサを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本開示は、
電流経路（２１０〜２４０）から発生する磁束を検知して磁電変換を行う磁気検出素子（１１〜１４）と、
磁気検出素子の周囲に配置され、磁気検出素子に対する外部からの磁束を遮蔽する少なくとも二つの磁気シールド（２１，２１Ａ〜２１Ｌ，２２，２２Ａ〜２２Ｌ，２３，２４）と、を備えた電流センサであって、
二つの磁気シールドは、磁気検出素子と電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されており、
二つの磁気シールドのうちの少なくとも一方は、少なくとも二つのベース部と、二つのベース部を繋いでいる連結部とを有し、他方の磁気シールドとの対向面に、周辺よりも凹んだ凹部（１，１Ａ、４）が形成されており、
磁気シールドは、三つ以上の層が積層され、樹脂部材によって覆われたものであり、二つの磁気シールドで挟まれた対向領域側の最外層と対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも、樹脂部材との線膨張係数差が小さいことを特徴とする。

このように、電流センサは、磁気シールドにおける二つのベース部が連結部で繋がって形成されているため、ベース部の端部からの漏れ磁場を抑制できる。つまり、電流センサは、二つのベース部が連結部で繋がっておらず分割されている場合よりも、ベース部の端部からの漏れ磁場を抑制できる。

また、電流センサは、磁気シールドに凹部が形成されているため、電流経路から発生する磁束を、磁気シールドにおける対向領域側とは反対側の表面を流れるようにすることができる。このため、電流センサは、磁気シールドにおける対向領域側とは反対側、すなわち、磁気シールドにおける磁気検出素子から遠い側が磁気飽和しやすくなる。よって、電流センサは、磁気シールドの磁気飽和による漏れ磁場が、磁気検出素子に影響することを抑制できる。

なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。

実施形態における電流センサの概略構成を示す平面図である。 図１のII‐II線に沿う断面図である。 変形例１における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例２における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例３における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例４における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例５における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例６における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例７における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例８における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例８におけるセンサブロックの概略構成を示す断面図である。 変形例９における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１０における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１１における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１２における電流センサの概略構成を示す断面図である。 図１５のXVI‐XVI線に沿う断面図である。 変形例１３における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１４における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１５における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１６における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１７における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１８における電流センサの概略構成を示す断面図である。 変形例１９における電流センサの概略構成を示す平面図である。 図２３におけるXXIV‐XXIV線に沿う断面図である。 図２３におけるXXV‐XXV線に沿う断面図である。 比較対象における第１磁気シールドの断面図である。 変形例２０における第１磁気シールドの概略構成示す断面図である。 変形例２１における第１磁気シールドの概略構成示す断面図である。 変形例２２における第１磁気シールドの概略構成示す断面図である。 変形例２３における第１磁気シールドの概略構成示す断面図である。 変形例２４における第１磁気シールドの概略構成示す断面図である。 変形例２５における電流センサの概略構成を示す平面図である。 図３２におけるXXXIII‐XXXIII線に沿う断面図である。 図３３におけるXXXIV方向からの平面図である。 変形例２６における電流センサの概略構成を示す平面図である。

以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。

図１、図２を用いて、本実施形態の電流センサ１００に関して説明する。電流センサ１００は、例えば、車載モータのインバータ制御に用いられる。電流センサ１００は、インバータ制御のために、車載モータに電源を供給する車載バッテリに接続されたバスバ２１０，２２０に流れる被検出電流を検出するものである。バスバ２１０，２２０は、電流経路に相当する。

なお、電流センサ１００は、例えば電気自動車やハイブリッド車に用いられる。また、電流センサ１００は、例えば集磁コアを必要としないコアレス電流センサを採用できる。

電流センサ１００は、第１磁気検出素子１１と、第２磁気検出素子１２と、第１磁気シールド２１と、第２磁気シールド２２とを備えて構成されている。

第１磁気検出素子１１と第２磁気検出素子１２のそれぞれは、例えばセンサチップやバイアス磁石や回路チップが基板に搭載されるとともに、これらが封止樹脂体で封止され、回路チップと接続されたリードが封止樹脂体の外部に露出した構成を採用できる。センサチップとしては、例えば、巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ）、異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ）、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）、又はホール素子などを採用できる。

図１、図２に示すように、第１磁気検出素子１１と第２磁気検出素子１２は、Ｘ方向に並べられて配置されている。図２に示すように、第１磁気検出素子１１は、Ｚ方向において、第１バスバ２１０に対向して配置されている。一方、第２磁気検出素子１２は、Ｚ方向において、第２バスバ２２０に対向して配置されている。なお、Ｚ方向は、磁気シールド２１，２２の厚み方向と称することもできる。

第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２のそれぞれは、磁性材料によって構成されており、外部磁界が磁気検出素子１１，１２を透過することを抑制するものである。第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２は、磁気検出素子１１，１２に共通に設けられている。

図１、図２に示すように、第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２は、板状部材である。第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２は、Ｚ方向において、間隔をあけて対向配置されている。また、第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２は、Ｚ方向において、磁気検出素子１１，１２やバスバ２１０，２２０を挟みこむように配置される。よって、磁気検出素子１１，１２は、第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２との対向領域に配置されていると言える。

図１、図２に示すように、第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２とは、形状が異なる。第２磁気シールド２２は、平板形状の板状部材である。第２磁気シールド２２は、第１磁気シールド２１との対向面と、対向面の反対面とを有している。そして、第２磁気シールド２２の対向面及び反対面は、平坦面となっている。また、第２磁気シールド２２のＺ方向の厚みは、全域で均一である。なお、第２磁気シールド２２の反対面は、第２磁気シールド２２における外側表面と言うことができる。

本実施形態では、対向面の外形と反対面の外形とが矩形状の第２磁気シールド２２を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されない。

一方、第１磁気シールド２１は、図２に示すように、凹部１を有した板状部材である。つまり、第１磁気シールド２１は、周辺よりも窪んだ凹部１を有している。凹部１は、図１に示すように、第１磁気シールド２１におけるＹ方向の一方の端部から他方の端部にわたって設けられており、溝部とも言える。また、凹部１は、バスバ２１０，２２０における電流の流れ方向に沿って、第１磁気シールド２１の一方の端部から他方の端部にわたって形成されていると言える。なお、凹部１は、有底の穴であり、第１磁気シールド２１をＺ方向に貫通している穴ではない。

この凹部１は、バスバ２１０，２２０に被検出電流が流れることで磁気シールド２１，２２に流れる磁束に対して、直交するように設けられている。なお、第１磁気シールド２１などの磁気シールドにおける磁束の流れは、磁気流路と称することができる。

第１磁気シールド２１は、第２磁気シールド２２との対向面と、対向面の反対面とを有している。そして、第１磁気シールド２１の反対面は、平坦面となっている。しかしながら、第１磁気シールド２１の対向面は、一部に窪んだ部位が形成された平坦面となっている。つまり、この窪んだ部位が凹部１に対応する。よって、第１磁気シールド２１は、第２磁気シールド２２と対向する側に開口した凹部１が形成されている。なお、第１磁気シールド２１の反対面は、第１磁気シールド２１における外側表面と言うことができる。

また、第１磁気シールド２１は、厚肉部２と薄肉部３とを有していると言える。厚肉部２は、ベース部に相当する。一方、薄肉部３は、連結部に相当する。

厚肉部２は、Ｚ方向における厚みが、薄肉部３よりも厚い部位である。薄肉部３は、二つの厚肉部２によって挟まれ、二つの厚肉部２と連続的に設けられている。つまり、第１磁気シールド２１は、第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２と、第２磁気検出素子１２に対向する厚肉部２とを含んでおり、二つの厚肉部２が薄肉部３で繋がっている。

また、第１磁気シールド２１の反対面は、厚肉部２と薄肉部３で面一に構成されている。一方、第１磁気シールド２１の対向面は、厚肉部２と薄肉部３とでＺ方向の位置が異なる。よって、凹部１は、薄肉部３の対向領域であり、且つ二つの厚肉部２によって挟まれた領域と言える。さらに、第１磁気シールド２１は、薄肉部３に対向する位置に、周辺の厚肉部２よりも窪んで対向領域に開口した凹部１が形成されていると言える。

さらに、図１に示すように、第１磁気シールド２１は、Ｚ方向から見た場合、第１磁気検出素子１１と第２磁気検出素子１２の中間に対向する部位に凹部１が設けられていると好ましい。つまり、凹部１は、二つの磁気検出素子１１，１２の中間位置に対向する部位に設けられている。第１磁気検出素子１１から凹部１までの距離Ｘ１は、第２磁気検出素子１２から凹部１までの距離Ｘ２と同程度である。電流センサ１００は、凹部１から漏れ磁場が発生した場合であっても、磁気検出素子１１，１２に漏れ磁場が影響することを抑制できる。しかしながら、凹部１の位置は、これに限定されない。

なお、本実施形態では、対向面の外形と反対面の外形とが矩形状の第１磁気シールド２１を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されない。

電流センサ１００は、磁気検出素子１１，１２と磁気シールド２１，２２とが組み付けられて構成されている。ここで、電流センサ１００の各構成要素と第１バスバ２１０及び第２バスバ２２０との組み付け構造に関して説明する。なお、本実施形態では、平板形状の第１バスバ２１０と第２バスバ２２０を採用している。図１では、第１バスバ２１０と第２バスバ２２０におけるＹ方向に延びている部位を図示している。また、第１バスバ２１０と第２バスバ２２０は、Ｘ方向において間隔をあけて、平行に配置されている部位を有している。被検出電流は、図１に示している第１バスバ２１０と第２バスバ２２０のＹ方向に流れている。

電流センサ１００は、第１バスバ２１０及び第２バスバ２２０に流れる被検出電流を検出するために、第１バスバ２１０及び第２バスバ２２０と組み付けられている。図２に示すように、第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２とは、Ｚ方向において対向配置されている。そして、第１磁気シールド２１と第２磁気シールド２２との対向領域には、磁気検出素子１１，１２とバスバ２１０，２２０とが配置されている。

第１磁気検出素子１１は、図２に示すように、Ｚ方向において、第１バスバ２１０と第１磁気シールド２１との間に配置されている。詳述すると、第１磁気検出素子１１は、第１バスバ２１０と、第１磁気シールド２１における一方の厚肉部２との間に配置されている。また、第１磁気検出素子１１は、第１バスバ２１０との間、及び第１磁気シールド２１との間に間隔をあけて配置されている。

第２磁気検出素子１２は、図２に示すように、Ｚ方向において、第２バスバ２２０と第１磁気シールド２１との間に配置されている。詳述すると、第２磁気検出素子１２は、第２バスバ２２０と、第１磁気シールド２１における他方の厚肉部２との間に配置されている。また、第２磁気検出素子１２は、第２バスバ２２０との間、及び第１磁気シールド２１との間に間隔をあけて配置されている。なお、第２磁気シールド２２と、第１バスバ２１０及び第２バスバ２２０とは、Ｚ方向において、間隔をあけて配置されている。

第１バスバ２１０は、第１磁気検出素子１１とともに、一方の厚肉部２の対向領域に配置されている。第２バスバ２２０は、第２磁気検出素子１２とともに、他方の厚肉部２の対向領域に配置されている。よって、第１磁気検出素子１１と第２磁気検出素子１２は、凹部１の対向領域を挟んでＸ方向に並べて配置されている。同様に、第１バスバ２１０と第２バスバ２２０は、凹部１の対向領域を挟んでＸ方向に並べて配置されている。

電流センサ１００の各構成要素とバスバ２１０，２２０とは、このように配置されて、組み付けられている。例えば、電流センサ１００の各構成要素とバスバ２１０，２２０とは、ハウジングなどに固定された組み付け構造を有している。なお、バスバ２１０，２２０と、磁気検出素子１１，１２と、磁気シールド２１，２２とが組み付けられた構造体は、電流センサ１００の端子台と称することができる。

被検出電流は、バスバ２１０，２２０の延びる方向、すなわち図１ではＹ方向に流動する。したがって、図２に示すように、被検出電流のＹ方向の流動によって、Ｙ方向に直交する平面にて右ねじの法則にしたがった磁場が発生する。この磁場は、被検出磁束ともいうことができる。電流センサ１００は、第１磁気検出素子１１と、第２磁気検出素子１２のそれぞれが、この被検出磁束を電気信号に変換する。つまり、第１磁気検出素子１１は、第１バスバ２１０に流れる被検出磁束を電気信号に変換する。一方、第２磁気検出素子１２は、第２バスバ２２０に流れる被検出磁束を電気信号に変換する。このようにして、電流センサ１００は、被検出電流を検出する。

なお、本実施形態では、図２に示すように、第１バスバ２１０が通電相で、第２バスバ２２０が検出相である場合を一例として採用している。このため、第１バスバ２１０に電流が流れることによって、磁気シールド２１，２２には、図２の実線矢印で示すように、磁束が流れることになる。また、本実施形態では、通電相である第１バスバ２１０がノイズ発生源となる。

ここで、電流センサ１００の効果に関して、比較例の電流センサと対比して説明する。ここで採用する比較例の電流センサは、薄肉部３が設けられておらず、第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２と第２磁気検出素子１２に対向する厚肉部２とが切り離されている点が、電流センサ１００と異なる。このため、比較例の電流センサの構成要素は、電流センサ１００の構成要素と同じ符号を用いる。

比較例の電流センサは、図２に示す場合と同様に、第１バスバ２１０に電流が流れた場合、第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２の端部から、図２の点線矢印で示すように漏れ磁場が発生する。この端部とは、第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２における、第２磁気検出素子１２に対向する厚肉部２側の端部である。

このように漏れ磁場が発生した場合、検出相側の第２磁気検出素子１２は、漏れ磁場の影響を受けることになる。このため、比較例の電流センサ１００は、第２磁気検出素子１２の検出結果に誤差が生じる可能性がある。

これに対して、電流センサ１００は、第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２と、第２磁気検出素子１２に対向する厚肉部２とが薄肉部３を介して繋がっているため、比較例の電流センサよりも、漏れ磁場を低減できる。よって、第２磁気検出素子１２は、被検出電流を検出する際に漏れ磁場の影響を受けにくい。このため、電流センサ１００は、第２磁気検出素子１２の検出結果に誤差が生じることを抑制できる。つまり、電流センサ１００は、比較例の電流センサよりも、第２磁気検出素子１２の検出精度を向上できる。

また、電流センサ１００は、第１磁気シールド２１に凹部１が設けられているため、磁束が第１磁気シールド２１の外側表面を流れるようにすることができる。つまり、電流センサ１００は、第１磁気シールド２１に凹部１を設けることで磁気流路をコントロールして、磁束が第１磁気シールド２１の外側表面を流れるようにしている。

このため、電流センサ１００は、第１磁気シールド２１における対向領域側とは反対側、すなわち、第１磁気シールド２１における磁気検出素子１１，１２から遠い側が磁気飽和しやすくなる。つまり、電流センサ１００は、第１磁気シールド２１における磁気検出素子１１，１２に近い側が磁気飽和することを抑制できる。よって、電流センサ１００は、第１磁気シールド２１の磁気飽和による漏れ磁場が、磁気検出素子１１，１２に影響することを抑制できる。

このように、凹部１は、第１磁気シールド２１における磁気流路をコントロールするために設けられている。よって、凹部１は、磁路コントロール部とも称することができる。

本実施形態では、２相のバスバ２１０，２２０に対応して、二つの磁気検出素子１１，１２と、第１磁気シールド２１と、第２磁気シールド２２とを備えた電流センサ１００を採用した。しかしながら、本発明は、これに限定されず、３相のバスバに対応して、三つの磁気検出素子と、第１磁気シールド２１と、第２磁気シールド２２とを備えたものであってもよい。この場合、第１磁気シールド２１は、三つの磁気検出素子のそれぞれに対向する三つの厚肉部と、隣り合う厚肉部との間に設けられた二つの薄肉部を備えることになる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明のその他の形態として、変形例１〜２５に関して説明する。上記実施形態及び変形例１〜２５は、それぞれ単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。

（変形例１）
図３を用いて、変形例１の電流センサ１０１に関して説明する。電流センサ１０１は、第２磁気シールド２２Ａの構造が電流センサ１００と異なる。なお、図３は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０１は、第１磁気シールド２１Ａと第２磁気シールド２２Ａとを備えている。第１磁気シールド２１Ａは、第１磁気シールド２１と同様であるため説明を省略する。

一方、第２磁気シールド２２Ａは、第１磁気シールド２１と同様に、厚肉部２Ａと薄肉部３Ａとを備えている。また、第２磁気シールド２２Ａは、第１磁気シールド２１と同様に、凹部１Ａが形成されている。つまり、第２磁気シールド２２Ａは、第１バスバ２１０に対向する厚肉部２Ａと、第２バスバ２２０に対向する厚肉部２Ａと、二つの厚肉部２Ａを繋いでいる薄肉部３Ａとを備えている。厚肉部２Ａは、対向ベース部と言える。一方、薄肉部３Ａは、対向連結部と言える。

電流センサ１０１は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。さらに、第２磁気シールド２２Ａは、第１磁気シールド２１と同様の構成を有しているため、上記した第１磁気シールド２１の効果と同様の効果を奏することができる。よって、電流センサ１０１は、電流センサ１００よりも、検出精度を向上できる。また、電流センサ１０１は、第２磁気シールド２２Ａのシールド機能を維持しやすく、第２磁気シールド２２Ａの磁気飽和の影響が磁気検出素子１１，１２に生じることを抑制しやすい。

（変形例２）
図４を用いて、変形例２の電流センサ１０２に関して説明する。電流センサ１０２は、第１磁気シールド２１Ｂの構造が電流センサ１００と異なる。なお、図４は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０２は、第１磁気シールド２１Ｂと第２磁気シールド２２Ｂとを備えている。第２磁気シールド２２Ｂは、第２磁気シールド２２と同様であるため説明を省略する。

第１磁気シールド２１Ｂは、二つの厚肉部２と、二つの厚肉部２を繋いでいる薄肉部３Ｂとを備えている。薄肉部３Ｂは、連結部に相当する。第１磁気シールド２１Ｂの反対面及び対向面は、一部に窪んだ部位が形成された平坦面となっている。つまり、第１磁気シールド２１Ｂは、凹部１に加えて、反対面側にも外側凹部１Ｂが設けられている。電流センサ１０２は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。

（変形例３）
図５を用いて、変形例３の電流センサ１０３に関して説明する。電流センサ１０３は、第１磁気シールド２１Ｃの構造が電流センサ１００と異なる。なお、図５は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０３は、第１磁気シールド２１Ｃと第２磁気シールド２２Ｃとを備えている。第２磁気シールド２２Ｃは、第２磁気シールド２２と同様であるため説明を省略する。

第１磁気シールド２１Ｃは、二つの厚肉部２と、二つの厚肉部２を繋いでいる蓋部３Ｃとを備えている。第１磁気シールド２１Ｃは、二つの厚肉部２が蓋部３Ｃで連結されて凹部１が形成されている。なお、蓋部３Ｃは、連結部に相当する。蓋部３Ｃは、一例として、Ｚ方向の厚みが厚肉部２よりも薄い。蓋部３Ｃは、二つの厚肉部２の反対面に連結されている。電流センサ１０３は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。

（変形例４）
図６を用いて、変形例４の電流センサ１０４に関して説明する。電流センサ１０４は、第１磁気シールド２１Ｄの構造が電流センサ１００と異なる。なお、図６は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０４は、第１磁気シールド２１Ｄと第２磁気シールド２２Ｄとを備えている。第２磁気シールド２２Ｄは、第２磁気シールド２２と同様であるため説明を省略する。

第１磁気シールド２１Ｄは、二つのベース部２Ｄと、二つのベース部２Ｄを繋いでいる突出部３Ｄとを備えている。ベース部２Ｄは、上記実施形態の厚肉部２に相当する。突出部３Ｄは、連結部に相当する。

突出部３Ｄは、ベース部２Ｄに対して、反対面側に突出している。言い換えると、突出部３Ｄは、第１磁気シールド２１Ｄにおける対向領域の反対側に突出して設けられている。突出部３Ｄは、一例として、一方のベース部２Ｄとの連結部から、他方のベース部２Ｄとの連結部までの間に、厚みがベース部２Ｄよりも薄い部位を含んだものを採用している。突出部３Ｄの厚みは、Ｚ方向に延びる部位におけるＸ方向の厚み、Ｘ方向に延びる部位におけるＺ方向の厚みである。よって、突出部３Ｄは、薄肉部３と同様の機能を有した部位である。

第１磁気シールド２１Ｄは、突出部３Ｄに凹部１が形成されている。このため、第１磁気シールド２１Ｄは、第１磁気シールド２１よりも凹部１のＺ方向の深さを深くできる。このため、凹部１は、第１磁気シールド２１の厚みよりも深く形成されている。つまり、第１磁気シールド２１Ｄは、対向面に沿う仮想平面から凹部１の底までのＺ方向の長さを、ベース部２ＤのＺ方向の厚みよりも長く設けている。

電流センサ１０４は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１０４は、凹部１が電流センサ１００の凹部１よりも深いため、凹部１に部品３０を配置しやすくなる。また、電流センサ１０４は、凹部１に電子部品３０を配置する場合、電子部品３０用に機械的なシールド機能を設け、電子部品をゲルなどの保護部材で保護する必要がない。よって、電流センサ１０４は、製造工程数を減らすことができるとともに、コスト低減も期待できる。

（変形例５）
図７を用いて、変形例５の電流センサ１０５に関して説明する。電流センサ１０５は、第１磁気シールド２１Ｅの構造が電流センサ１００と異なる。なお、図７は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０５は、第１磁気シールド２１Ｅと第２磁気シールド２２Ｅとを備えている。第２磁気シールド２２Ｅは、第２磁気シールド２２と同様であるため説明を省略する。

第１磁気シールド２１Ｅは、二つの厚肉部２と、二つの厚肉部２を繋いでいる薄肉部３Ｂとを備えている。そして、第１磁気シールド２１Ｅは、凹部１が形成されている。詳述すると、第１磁気シールド２１Ｅは、側壁が傾斜部１Ｅである凹部１が形成されている。よって、第１磁気シールド２１Ｅの凹部１は、凹部１の底から開口端部にいくにつれて、開口面積が広くなっている。

なお、第１磁気シールド２１Ｅの凹部１は、プレス加工によって形成する。よって、第１磁気シールド２１Ｅは、プレス機械の金型に傾斜を設けておくことで、傾斜部１Ｅを形成できる。

電流センサ１０５は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１０５は、凹部１の側壁が傾斜部１Ｅであるため、プレス加工する際に、金型を凹部１から抜きやすくできる。

（変形例６）
図８を用いて、変形例６の電流センサ１０６に関して説明する。電流センサ１０６は、第１磁気シールド２１Ｆの構造が電流センサ１０５と異なる。なお、図８は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０６は、第１磁気シールド２１Ｆと第２磁気シールド２２Ｆとを備えている。第２磁気シールド２２Ｆは、第２磁気シールド２２Ｅと同様であるため説明を省略する。

第１磁気シールド２１Ｆは、二つのベース部２Ｆと、二つのベース部２Ｆを繋いでいる突出部３Ｆとを備えている。ベース部２Ｆは、上記実施形態の厚肉部２に相当する。突出部３Ｆは、連結部に相当する。そして、第１磁気シールド２１Ｆは、第１磁気シールド２１Ｅと同様に、側壁が傾斜部１Ｆである凹部１が形成されている。

このように、第１磁気シールド２１Ｆは、主に、突出部３Ｆが反対面側に突出している点が第１磁気シールド２１Ｅと異なる。また、第１磁気シールド２１Ｆの凹部１は、変形例５と同様にプレス加工によって形成することができる。

電流センサ１０６は、電流センサ１０５と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１０６は、突出部３Ｆが反対面側に突出しているため、プレス加工で容易に製造できる。

（変形例７）
図９を用いて、変形例７の電流センサ１０７に関して説明する。電流センサ１０７は、第１磁気シールド２１Ｇの構造が電流センサ１００と異なる。なお、図９は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０７は、第１磁気シールド２１Ｇと第２磁気シールド２２Ｇとを備えている。第２磁気シールド２２Ｆは、第２磁気シールド２２Ｅと同様であるため説明を省略する。

第１磁気シールド２１Ｇは、第１バスバ２１０の近傍、及び第２バスバ２２０の近傍に凹部１が形成されている。詳述すると、凹部１は、第１バスバ２１０の対向する位置、及び第２バスバ２２０に対向する位置に形成されている。つまり、凹部１は、各磁気検出素子１１、１２に対向する位置に形成されている。また、第１磁気シールド２１Ｇは、凹部１に放熱ゲル４０が設けられている。放熱ゲル４０は、放熱部材に相当する。

電流センサ１０７は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１０７は、第１磁気シールド２１Ｇにおけるバスバ２１０，２２０の近傍、ここではバスバ２１０，２２０に対向する位置に放熱ゲル４０が設けられている。このため、電流センサ１０７は、バスバ２１０，２２０で発せられた熱を、放熱ゲル４０を介して第１磁気シールド２１Ｇに伝熱しやすくなる。さらに、電流センサ１０７は、凹部１に放熱ゲル４０が設けられているため、凹部１が空間である場合よりも、第１磁気シールド２１Ｇの機械的強度を向上できる。

また、電流センサ１０７は、第２磁気シールド２２Ｇにおける、バスバ２１０，２２０に対向する位置に凹部１を設けて、この凹部１に放熱ゲル４０を配置してもよい。この場合、電流センサ１０７は、放熱性をより一層向上できる。また、電流センサ１０７は、凹部１に放熱ゲル４０を配置することで、第２磁気シールド２２Ｇに凹部が空間である場合より、第２磁気シールド２２Ｇの機械的強度を向上できる。

（変形例８）
図１０、図１１を用いて、変形例８の電流センサ１０８に関して説明する。電流センサ１０８は、第１磁気シールド２１Ｇの構造が電流センサ１００と異なる。また、電流センサ１０８は、４相用のセンサとして構成されている点が電流センサ１００と異なる。なお、図１０は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０８は、第１センサブロック１０８Ａ、第２センサブロック１０８Ｂ、第３センサブロック１０８Ｃ、第４センサブロック１０８Ｄを備えている。そして、電流センサ１０８は、複数のセンサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄが組み付けられて構成されている。また、電流センサ１０８は、複数のセンサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄが接続されてモジュール化されていると言える。各センサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄは、同一構成をなしている。

ここで、図１１を用いて、各センサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄの構成に関して説明する。なお、ここでは、代表例として、第１センサブロック１０８Ａを用いて説明する。

第１センサブロック１０８Ａは、磁気検出素子１１と、バスバ２１０と、第１磁気シールド２１Ｈと、第２磁気シールド２２Ｈと、封止樹脂部５０とを備えている。なお、第１センサブロック１０８Ａのバスバ２１０は、１相目の電流が流れる第１バスバ２１０と言える。また、第１センサブロック１０８Ａの磁気検出素子１１は、１相目の電流を検出する第１磁気検出素子１１と言える。

第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈのそれぞれは、磁性材料によって構成されている。第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、Ｚ方向に直交する板状部材として構成されている。第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、Ｚ方向において、間隔をあけて対向配置されている。

また、第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、Ｚ方向において、磁気検出素子１１とバスバ２１０を挟みこむように配置される。よって、磁気検出素子１１とバスバ２１０は、第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈとの対向領域に配置されていると言える。なお、第１磁気検出素子１１は、バスバ２１０を間に挟むことなく第１磁気シールド２１Ｈと対向しており、且つ、バスバ２１０を間に挟んで第２磁気シールド２２Ｈと対向している。

本実施形態では、同一形状の第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈとを採用している。第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、平板形状の板状部材である。第１磁気シールド２１Ｈは、第２磁気シールド２２Ｈとの対向面である第１対向面Ｓ２と、第１対向面Ｓ２の反対面である第１反対面Ｓ１とを有している。一方、第２磁気シールド２２Ｈは、第１磁気シールド２１Ｈとの対向面である第２対向面Ｓ４と、第２対向面Ｓ４の反対面である第２反対面Ｓ３とを有している。

第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、第１反対面Ｓ１、第１対向面Ｓ２、第２反対面Ｓ３、第２対向面Ｓ４が平坦面となっている。また、第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、Ｚ方向の厚みが全域で均一である。

第１センサブロック１０８Ａは、第１磁気検出素子１１と、第１バスバ２１０と、第１磁気シールド２１Ｈと、第２磁気シールド２２Ｈとが封止樹脂部５０によって一体的に構成されている。第１磁気検出素子１１と第１バスバ２１０は、磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈとの対向領域に配置された状態で、封止樹脂部５０で封止されている。なお、第１バスバ２１０は、Ｙ方向の両端が封止樹脂部５０から露出している。また、磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈとは、封止樹脂部５０に固定されている。

第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈは、Ｘ方向の両端に、封止樹脂部５０が形成されていない領域を含んでいる。これは、隣り合うセンサブロックどうしを、第１磁気シールド２１Ｈ及び第２磁気シールド２２Ｈで接続するためである。

なお、第２センサブロック１０８Ｂは、バスバとして２相目の電流が流れる第２バスバ２２０と、磁気検出素子として２相目の電流を検出する第２磁気検出素子１２とを備えている。同様に、第３センサブロック１０８Ｃは、バスバとして３相目の電流が流れる第３バスバ２３０と、磁気検出素子として３相目の電流を検出する第３磁気検出素子１３とを備えている。そして、第４センサブロック１０８Ｄは、バスバとして４相目の電流が流れる第４バスバ２４０と、磁気検出素子として４相目の電流を検出する第４磁気検出素子１４とを備えている。バスバ２３０，２４０は、電流経路に相当する。

本実施形態では、一例として、第１センサブロック１０８Ａ、第２センサブロック１０８Ｂ、第３センサブロック１０８Ｃ、第４センサブロック１０８Ｄの順に並べられている電流センサ１０８を採用する。また、電流センサ１０８は、第２センサブロック１０８Ｂと第４センサブロック１０８Ｄが、第１センサブロック１０８Ａと第３センサブロック１０８Ｃに対して、上下反転された状態で組み付けられている。よって、電流センサ１０８は、隣り合うセンサブロックの第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈが接すように、複数のセンサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄが組み付けられている。

つまり、電流センサ１０８は、第１センサブロック１０８Ａの第１磁気シールド２１Ｈと第２センサブロック１０８Ｂの第２磁気シールド２２Ｈとが接し、第１センサブロック１０８Ａの第２磁気シールド２２Ｈと第２センサブロック１０８Ｂの第１磁気シールド２１Ｈとが接している。そして、電流センサ１０８は、第１センサブロック１０８Ａの第２対向面Ｓ４と第２センサブロック１０８Ｂの第１反対面Ｓ１とが接し、第１センサブロック１０８Ａの第１反対面Ｓ１と第２センサブロック１０８Ｂの第２対向面Ｓ４とが接して組み付けられている。これらの接している部位は、第１磁気シールド２１Ｈと第２磁気シールド２２Ｈにおける封止樹脂部５０が設けられていない部位である。

また、電流センサ１０８は、第２センサブロック１０８Ｂの第１磁気シールド２１Ｈと第３センサブロック１０８Ｃの第２磁気シールド２２Ｈとが接し、第２センサブロック１０８Ｂの第２磁気シールド２２Ｈと第３センサブロック１０８Ｃの第１磁気シールド２１Ｈとが接している。そして、電流センサ１０８は、第２センサブロック１０８Ｂの第１反対面Ｓ１と第３センサブロック１０８Ｃの第２対向面Ｓ４とが接し、第２センサブロック１０８Ｂの第２対向面Ｓ４と第３センサブロック１０８Ｃの第１反対面Ｓ１とが接して組み付けられている。

さらに、電流センサ１０８は、第３センサブロック１０８Ｃの第１磁気シールド２１Ｈと第４センサブロック１０８Ｄの第２磁気シールド２２Ｈとが接し、第３センサブロック１０８Ｃの第２磁気シールド２２Ｈと第４センサブロック１０８Ｄの第１磁気シールド２１Ｈとが接している。そして、電流センサ１０８は、第３センサブロック１０８Ｃの第２対向面Ｓ４と第４センサブロック１０８Ｄの第１反対面Ｓ１とが接し、第３センサブロック１０８Ｃの第１反対面Ｓ１と第４センサブロック１０８Ｄの第２対向面Ｓ４とが接して組み付けられている。

電流センサ１０８は、これらの接している部位どうしが連結されて一体化されている。なお、図１０における符号２１Ｈ１は、上側の磁気シールドにおける連結部である。一方、符号２２Ｈ１は、下側の磁気シールドにおける連結部である。また、第１センサブロック１０８Ａと第３センサブロック１０８Ｃの第２磁気シールド２２Ｈと、第２センサブロック１０８Ｂと第４センサブロック１０８Ｄの第１磁気シールド２１Ｈとが一体化された磁気シールドは、上側磁気シールドと称することができる。一方、第１センサブロック１０８Ａと第３センサブロック１０８Ｃの第１磁気シールド２１Ｈと、第２センサブロック１０８Ｂと第４センサブロック１０８Ｄの第２磁気シールド２２Ｈとが一体化された磁気シールドは、下側磁気シールドと称することができる。

電流センサ１０８は、第１センサブロック１０８Ａや第３センサブロック１０８Ｃの第２磁気シールド２２Ｈが、第２センサブロック１０８Ｂや第４センサブロック１０８Ｄの第１磁気シールド２１Ｈに対して窪んで形成されている。同様に、電流センサ１０８は、第２センサブロック１０８Ｂや第４センサブロック１０８Ｄの第２磁気シールド２２Ｈが、第１センサブロック１０８Ａや第３センサブロック１０８Ｃの第１磁気シールド２１Ｈに対して窪んで形成されている。電流センサ１０８は、上記のように各センサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄが組み付けられることで、他方の磁気シールドとの対向面に、周辺よりも凹んだ凹部１が形成されていると言える。

電流センサ１０８は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。つまり、電流センサ１０８は、隣り合うセンサブロック、例えば第１センサブロック１０８Ａと第２センサブロック１０８Ｂどうしなどが、第１磁気シールド２１Ｈ及び第２磁気シールド２２Ｈで接続された構成を有している。このため、電流センサ１０８は、漏れ磁場を抑制できる。

また、電流センサ１０８は、凹部１が形成されているため、図１０におけるＸ方向に延びる直線矢印のように、第１磁気シールド２１Ｈ内及び第２磁気シールド２２Ｈ内を磁界が生じる。つまり、電流センサ１０８は、磁束が第１磁気シールド２１Ｈの外側表面を流れるようにすることができる。言い換えると、電流センサ１０８は、第１磁気シールド２１Ｈにおける各磁気検出素子１１〜１４から遠い側の表面を流れるように、磁気流路がコントロールできる。このため、電流センサ１０８は、磁気飽和による漏れ磁場の影響を磁気検出素子１１〜１４のそれぞれが受けにくい。

さらに、電流センサ１０８は、各センサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄのそれぞれが同一構成を有している。つまり、各センサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄは、標準化されている。このように、電流センサ１０８は、標準化された各センサブロック１０８Ａ〜１０８Ｄを組み付けることで構成されているため、コストを低減できる。なお、電流センサ１０８は、変形例７と組み合わせて実施することも可能であり、凹部１に放熱ゲル４０が埋設されていてもよい。

（変形例９）
図１２を用いて、変形例９の電流センサ１０９に関して説明する。電流センサ１０９は、磁気抵抗素子の数と凹部１，１Ａの位置が電流センサ１０１と異なる。なお、図１２は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１０９は、一つの第１磁気検出素子１１と、第１磁気シールド２１Ｉと、第２磁気シールド２２Ｉとを備えている。第１磁気検出素子１１は、第１バスバ２１０と対向する位置であり、且つ、第１磁気シールド２１Ｉと第２磁気シールド２２Ｉとの対向領域に配置されている。詳述すると、第１磁気検出素子１１及び第１バスバ２１０は、第１磁気シールド２１Ｉの中央の厚肉部２と、第２磁気シールド２２Ｉの中央の厚肉部２Ａとが対向する位置に配置されている。

第１磁気シールド２１Ｉは、三つの厚肉部２と、二つの薄肉部３とを備えている。よって、第１磁気シールド２１Ｉは、二箇所に凹部１が形成されている。第２磁気シールド２２Ｉは、第１磁気シールド２１Ｉと同様である。電流センサ１０９は、第１磁気シールド２１Ｉの凹部１と第２磁気シールド２２Ｉの凹部１Ａとが対向して配置されている。このように、電流センサ１０９は、１相用のセンサとして構成されている。

電流センサ１０９は、第１磁気シールド２１Ｉに凹部１が形成されている。このため、電流センサ１０９は、外乱磁界が第１磁気シールド２１Ｉの外側表面を流れる。よって、電流センサ１０９は、電流センサ１００と同様に、磁気飽和の影響が第１磁気検出素子１１に生じることを抑制できる。また、電流センサ１０９は、第２磁気シールド２２Ｉにも凹部１Ａが形成されているため、磁気飽和の影響が第１磁気検出素子１１に生じることをより一層抑制できる。

なお、電流センサ１０９は、第２磁気シールド２２Ｉのかわりに、第２磁気シールド２２や第２磁気シールド２２Ａなどを採用してもよい。

（変形例１０）
図１３を用いて、変形例１０の電流センサ１１０に関して説明する。電流センサ１１０は、第１磁気シールド２１Ｊと第２磁気シールド２２Ｊの構成が電流センサ１０１と異なる。なお、図１３は、図２に相当する断面図である。

第１磁気シールド２１Ｊは、磁性材料によって構成された複数の層が積層されて構成されている。本変形例では、第１表面層２１Ｊ１と、第１中間層２１Ｊ２と、第１対向層２１Ｊ３とが積層された第１磁気シールド２１Ｊを採用する。第１表面層２１Ｊ１は、一枚の平板部材である。一方、第１中間層２１Ｊ２や第１対向層２１Ｊ３は、二枚の平板部材である。

第１磁気シールド２１Ｊの厚肉部２は、第１表面層２１Ｊ１と第１中間層２１Ｊ２と第１対向層２１Ｊ３とが積層されて構成されている。また、第１磁気シールド２１Ｊの厚肉部２は、第２磁気シールド２２Ｊ側から第１対向層２１Ｊ３、第１中間層２１Ｊ２、第１表面層２１Ｊ１の順番で積層されている。

第１磁気シールド２１Ｊの薄肉部３は、第１対向層２１Ｊ３及び第１中間層２１Ｊ２は設けられておらず、第１表面層２１Ｊ１で構成されている。つまり、第１磁気シールド２１Ｊは、凹部１を構成するために、第１中間層２１Ｊ２と第１対向層２１Ｊ３のそれぞれが分断されている。

また、第２磁気シールド２２Ｊは、磁性材料によって構成された複数の層が積層されて構成されている。本変形例では、第２表面層２２Ｊ１と、第２中間層２２Ｊ２、第２対向層２２Ｊ３とが積層された第２磁気シールド２２Ｊを採用する。第２磁気シールド２２Ｊの各層２２Ｊ１〜２２Ｊ３は、第１磁気シールド２１Ｊの各層２１Ｊ１〜２１Ｊ３と対応している。

電流センサ１１０は、電流センサ１０１と同様の効果を奏することができる。なお、電流センサ１１０は、第２磁気シールド２２Ｊのかわりに、第２磁気シールド２２や第２磁気シールド２２Ａなどを採用してもよい。

さらに、電流センサ１１０は、第１表面層２１Ｊ１と、第１中間層２１Ｊ２及び第１対向層２１Ｊ３とで透磁率が異なる材料を用いてもよい。同様に、電流センサ１１０は、第２表面層２２Ｊ１と、第２中間層２２Ｊ２及び第２対向層２２Ｊ３とで透磁率が異なる材料を用いてもよい。

第１表面層２１Ｊ１と第２表面層２２Ｊ１は、透磁率μＡの材料で構成されている。一方、第１中間層２１Ｊ２、第１対向層２１Ｊ３、第２中間層２２Ｊ２、及び第２対向層２２Ｊ３は、透磁率μＢの材料で構成されている。そして、μＡとμＢの関係は、μＡ＞μＢである。なお、第１表面層２１Ｊ１と第２表面層２２Ｊ１は、対向領域の反対側の最外層に相当する。

このように構成された電流センサ１１０は、磁気抵抗が低い材料で構成された第１表面層２１Ｊ１と第２表面層２２Ｊ１に磁束が他の層よりも集まりやすく、他の層が磁気飽和しにくくなる。つまり、電流センサ１１０は、厚肉部２，２Ａが磁気飽和しにくくなる。また、薄肉部３，３Ａは、厚肉部２，２Ａよりも磁気抵抗が低いため、凹部１，１Ａでの漏れ磁場を抑制できる。なお、他の層とは、第１中間層２１Ｊ２、第１対向層２１Ｊ３、第２中間層２２Ｊ２、及び第２対向層２２Ｊ３である。

さらに、電流センサ１１０は、第１表面層２１Ｊ１と、第１中間層２１Ｊ２及び第１対向層２１Ｊ３とで飽和磁束密度が異なる材料を用いてもよい。同様に、電流センサ１１０は、第２表面層２２Ｊ１と、第２中間層２２Ｊ２及び第２対向層２２Ｊ３とで飽和磁束密度が異なる材料を用いてもよい。

第１表面層２１Ｊ１と第２表面層２２Ｊ１は、飽和磁束密度ＢｓＡの材料で構成されている。一方、第１中間層２１Ｊ２、第１対向層２１Ｊ３、第２中間層２２Ｊ２、及び第２対向層２２Ｊ３は、飽和磁束密度ＢｓＢの材料で構成されている。そして、ＢｓＡとＢｓＢの関係は、ＢｓＡ＞ＢｓＢである。

このように構成された電流センサ１１０は、第１表面層２１Ｊ１と第２表面層２２Ｊ１が他の層よりも磁気飽和しにくいため、第１バスバ２１０や第２バスバ２２０に比較的大電流が流れた場合であっても、凹部１，１Ａからの漏れ磁場を抑制できる。

（変形例１１）
図１４を用いて、変形例１１の電流センサ１１１に関して説明する。電流センサ１１１は、第２磁気シールド２２Ｋの構成が電流センサ１１０と異なる。なお、図１４は、図２に相当する断面図である。

第１磁気シールド２１Ｋは、第１磁気シールド２１Ｊと同様に、第１表面層２１Ｋ１、第１中間層２１Ｋ２、第１対向層２１Ｋ３が積層されて構成されている。第１磁気シールド２１Ｋの各層２１Ｋ１〜２１Ｋ３は、例えば、変形例１０で示したものを採用できる。

第２磁気シールド２２Ｋは、第２磁気シールド２２Ｊと同様に、第２表面層２２Ｋ１、第２中間層２２Ｋ２、第２対向層２２Ｋ３が積層されて構成されている。さらに、第２磁気シールド２２Ｋは、各層２２Ｋ１〜２２Ｋ３が樹脂性のハウジング２２Ｋ４にて保持されている。言い換えると、第２磁気シールド２２Ｋは、各層２２Ｋ１〜２２Ｋ３がハウジング２２Ｋ４によって覆われている。

よって、第２表面層２２Ｋ１と第２対向層２２Ｋ３は、第２中間層２２Ｋ２と比べて、ハウジング２２Ｋ４と接す面積が広い。第２表面層２２Ｋ１は、対向領域の反対側の最外層に相当する。第２対向層２２Ｋ３は、対向領域側の最外層に相当する。

なお、第１バスバ２１０と第２バスバ２２０は、ハウジング２２Ｋ４に実装されている。ハウジング２２Ｋ４は、樹脂部材に相当する。

また、第２磁気シールド２２Ｋは、各構成要素２２Ｋ１〜２２Ｋ４の線膨張係数が以下のように設定されている。第２表面層２２Ｋ１と第２対向層２２Ｋ３の線膨張係数をαＡ、第２中間層２２Ｋ２の線膨張係数をαＢ、ハウジング２２Ｋ４の線膨張係数をαＣとする。そして、各線膨張係数αＡ〜αＣの関係は｜αＡ−αＣ｜＜｜αＢ−αＣ｜である。

電流センサ１１１は、電流センサ１００と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１１１は、ハウジング２２Ｋ４と各層２２Ｋ１〜２２Ｋ３との線膨張係数の関係を上記のようにしたことで、ハウジング２２Ｋ４と第２表面層２２Ｋ１との界面、ハウジング２２Ｋ４と第２対向層２２Ｋ３との界面での剥離を抑制できる。

（変形例１２）
図１５、図１６を用いて、変形例１２の電流センサ１１２に関して説明する。電流センサ１１２は、第１磁気シールド２１Ｌと第２磁気シールド２２Ｌの構成が電流センサ１１０と異なる。

第１磁気シールド２１Ｌは、第１磁気シールド２１Ｊと同様に、第１表面層２１Ｌ１、第１中間層２１Ｌ２、第１対向層２１Ｌ３が積層されて構成されている。第１磁気シールド２１Ｌの各層２１Ｌ１〜２１Ｌ３は、例えば、変形例１０で示したものを採用できる。

しかしながら、第１磁気シールド２１Ｌは、図１５に示すように、凹部１がＹ方向の両端に達していない。つまり、第１磁気シールド２１Ｌは、凹部１として、底部と環状の側壁で囲まれた有底の穴部が形成されている。よって、第１磁気シールド２１Ｌは、凹部１のＹ方向における両隣に、厚肉部２と同じ厚みの部位３Ｅが形成されている。この部位３Ｅは、梁部３Ｅに相当する。このため、第１磁気シールド２１Ｌは、凹部１の両側に、二つの厚肉部２と連続的に設けられた梁部３Ｅを有していると言える。

また、第２磁気シールド２２Ｌは、第２磁気シールド２２Ｊと同様に、第１表面層２２Ｌ１、第１中間層２２Ｌ２、第１対向層２２Ｌ３が積層されて構成されている。第２磁気シールド２２Ｌの各層２２Ｌ１〜２２Ｌ３は、例えば、変形例１０で示したものを採用できる。なお、第２磁気シールド２２Ｌは、第１磁気シールド２１Ｌと同様に、凹部１ＡがＹ方向の両端に達しておらず梁部３Ｅを有している。

電流センサ１１２は、電流センサ１１０と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１１２は、凹部１、１ＡがＹ方向の両端に達していないため、電流センサ１１０よりも機械的強度を向上できる。

（変形例１３）
図１７を用いて、変形例１３の電流センサ１１３に関して説明する。電流センサ１１３は、上相１１３Ａと下相１１３Ｂとを備えている点で電流センサ１０１と異なる。なお、図１７は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１１３は、二つのバスバ２１０，２２０が配置された上相と、二つのバスバ２３０，２４０が配置された下相とが、第１磁気シールド２１Ａの厚み方向（Ｚ方向）に積層されている。電流センサ１１３は、上相１１３Ａ及び下相１１３Ｂとして、変形例１で説明した電流センサ１０１と同様の構成を備えている。つまり、電流センサ１１３は、二つの電流センサ１０１が一体的に組み立てられた構成を有している。

このため、電流センサ１１３は、上相１１３Ａにおけるバスバ２１０，２２０のそれぞれに対向して設けられた二つの磁気検出素子１１，１２と、下相１１３Ｂにおけるバスバ２３０，２４０のそれぞれに対向して設けられた二つの磁気検出素子１３，１４とを備えている。また、電流センサ１１３は、上相１１３Ａにおけるバスバ２１０，２２０と磁気検出素子１１，１２を挟み込む二つの磁気シールド２１Ａ，２２Ａを備えている。さらに、電流センサ１１３は、下相１１３Ｂにおけるバスバ２３０，２４０と磁気検出素子１３，１４を挟み込む二つの磁気シールド２１Ａ，２２Ａを備えている。

電流センサ１１３は、上相１１３Ａの第２磁気シールド２２Ａと下相１１３Ｂの第１磁気シールド２１Ａとが対向して配置されている。詳述すると、上相１１３Ａにおける第２磁気シールド２２Ａの反対面と、下相１１３Ｂにおける第１磁気シールド２１Ａの反対面とは対向して配置されている。このように、電流センサ１１３は、４相用のセンサとして構成されている。

上相１１３Ａの第２磁気シールド２２Ａと、下相１１３Ｂの第１磁気シールド２１Ａは、中間磁気シールドと言える。上相１１３Ａにおける第２磁気シールド２２Ａの厚肉部２Ａと、下相１１３Ｂにおける第１磁気シールド２１Ａの厚肉部２は、中間ベース部と言える。また、上相１１３Ａにおける第２磁気シールド２２Ａの薄肉部３Ａと、下相１１３Ｂにおける第１磁気シールド２１Ａの薄肉部３は、中間連結部と言える。

電流センサ１１３は、電流センサ１０１と同様の効果を奏することができる。また、電流センサ１１３は、中間磁気シールドとしての、上相１１３Ａの第２磁気シールド２２Ａと下相１１３Ｂの第１磁気シールド２１Ａとを備えているため、上相１１３Ａと下相１１３Ｂでの磁気干渉を緩和できる。電流センサ１１３は、例えば、上相１１３Ａに通電相があり、上相１１３Ａに検出相があった場合、上相１１３Ａから下相１１３Ｂへの漏れ磁場を低減できる。

なお、本変形例では、これに限定されず、上相１１３Ａに三つ以上のバスバが配置され、下相１１３Ｂに三つ以上のバスバが配置されていてもよい。この場合、上相１１３Ａには、各バスバのそれぞれに対向して磁気検出素子が配置される。同様に、下相１１３Ｂには、各バスバのそれぞれに対向して磁気検出素子が配置される。

（変形例１４）
図１８を用いて、変形例１４の電流センサ１１４に関して説明する。電流センサ１１４は、下相１１４Ｂにおける磁気検出素子１３，１４とバスバ２３０，２４０との位置関係が電流センサ１１３と異なる。なお、図１８は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１１４は、上相１１４Ａと下相１１４Ｂとを備えている。上相１１４Ａは、上相１１３Ａと同様である。一方、下相１１４Ｂは、下相１１３Ｂと異なり、磁気検出素子１３，１４が第２磁気シールド２２Ａ側に配置され、バスバ２３０，２４０が第１磁気シールド２１Ａ側に配置されている。電流センサ１１４は、電流センサ１１３と同様の効果を奏することができる。

（変形例１５）
図１９を用いて、変形例１５の電流センサ１１５に関して説明する。電流センサ１１５は、中間磁気シールド２３が一体物として構成されている点が電流センサ１１３と異なる。なお、図１９は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１１５は、上相１１５Ａと下相１１５Ｂとを備えている。中間磁気シールド２３は、二つの厚肉部５と、二つの厚肉部５を繋いでいる薄肉部６とを備えている。

中間磁気シールド２３は、第１磁気検出素子１１及び第３磁気検出素子１３と対向する厚肉部５と、第２磁気検出素子１２及び第４磁気検出素子１４と対向する厚肉部５とを備えている。言い換えると、中間磁気シールド２３は、第１磁気検出素子１１及び第３磁気検出素子１３側の厚肉部５と、第２磁気検出素子１２及び第４磁気検出素子１４側の厚肉部５とを備えている。中間磁気シールド２３は、上相１１５Ａ側において第１磁気シールド２１Ａと対向する対向面と、下相１１５Ｂ側において第２磁気シールド２２Ａと対向する対向面とを有している。厚肉部５は、中間ベース部と言える。薄肉部６は、中間連結部と言える。

また、中間磁気シールド２３は、厚肉部５と薄肉部６とを備えることで、上相１１５Ａ側に開口した凹部４と、下相１１５Ｂ側に開口した凹部４とが形成されている。このように、中間磁気シールド２３は、変形例１３における上相１１３Ａの第２磁気シールド２２Ａと、下相１１３Ｂの第１磁気シールド２１Ａとが一体物として構成されているとみなせる。

電流センサ１１５は、電流センサ１１３と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１１５は、中間磁気シールド２３が一体物として構成されているため、電流センサ１１５のＺ方向における体格を小型化できる。つまり、電流センサ１１５は、上相１１３Ａの第２磁気シールド２２Ａと、下相１１３Ｂの第１磁気シールド２１Ａとを中間磁気シールドとしている電流センサ１１３よりも小型化できる。

（変形例１６）
図２０を用いて、変形例１６の電流センサ１１６に関して説明する。電流センサ１１６は、下相１１６Ｂにおける磁気検出素子１３，１４とバスバ２３０，２４０との位置関係が電流センサ１１５と異なる。なお、図２０は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１１６は、上相１１６Ａと下相１１６Ｂとを備えている。上相１１６Ａは、上相１１５Ａと同様である。一方、下相１１６Ｂは、下相１１５Ｂと異なり、磁気検出素子１３，１４が第２磁気シールド２２Ａ側に配置され、バスバ２３０，２４０が中間磁気シールド２３側に配置されている。電流センサ１１６は、電流センサ１１５と同様の効果を奏することができる。

（変形例１７）
図２１を用いて、変形例１７の電流センサ１１７に関して説明する。電流センサ１１７は、中間磁気シールド２４の構成が電流センサ１１５と異なる。なお、図２１は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１１７は、上相１１７Ａと下相１１７Ｂとを備えている。中間磁気シールド２４は、二つのベース部５Ａと、二つのベース部５Ａを繋いでいる薄肉部６とを備えている。中間磁気シールド２３は、第１磁気検出素子１１及び第３磁気検出素子１３と対向するベース部５Ａと、第２磁気検出素子１２及び第４磁気検出素子１４と対向するベース部５Ａとを備えている。言い換えると、中間磁気シールド２３は、第１磁気検出素子１１及び第３磁気検出素子１３側のベース部５Ａと、第２磁気検出素子１２及び第４磁気検出素子１４側のベース部５Ａとを備えている。ベース部５Ａは、中間ベース部と言える。薄肉部６は、中間連結部と言える。

ベース部５Ａは、Ｙ方向に貫通する空間部７が形成されている。つまり、中間磁気シールド２３は、上相１１７Ａ側のバスバ２１０，２２０と下相１１７Ｂ側のバスバ２３０，２４０との対向領域に、空間部７が設けられていると言える。空間部７は、非磁性部に相当する。また、空間部７は、非磁性材料で満たされていてもよい。

中間磁気シールド２４は、上相１１７Ａ側において第１磁気シールド２１Ａと対向する対向面と、下相１１７Ｂ側において第２磁気シールド２２Ａと対向する対向面とを有している。ベース部５Ａにおける対向面の間隔は、薄肉部６におけるＺ方向の厚みよりも長い。

電流センサ１１７は、電流センサ１１５と同様の効果を奏することができる。さらに、電流センサ１１７は、中間磁気シールド２４に空間部７が形成されているため、中間磁気シールド２４における磁気流路をコントロールできる。

（変形例１８）
図２２を用いて、変形例１８の電流センサ１１８に関して説明する。電流センサ１１８は、下相１１８Ｂにおける磁気検出素子１３，１４とバスバ２３０，２４０との位置関係が電流センサ１１７と異なる。なお、図２２は、図２に相当する断面図である。

電流センサ１１８は、上相１１８Ａと下相１１８Ｂとを備えている。上相１１８Ａは、上相１１７Ａと同様である。一方、下相１１８Ｂは、下相１１７Ｂと異なり、磁気検出素子１３，１４が第２磁気シールド２２Ａ側に配置され、バスバ２３０，２４０が中間磁気シールド２４側に配置されている。電流センサ１１８は、電流センサ１１７と同様の効果を奏することができる。

（変形例１９）
図２３〜図２６を用いて、変形例１９の電流センサ１１９に関して説明する。電流センサ１１９は、三つの磁気検出素子１１〜１３を備えている点、及び第１磁気シールド２１Ｍの形状が電流センサ１０１と異なる。また、電流センサ１１９は、変形例１３などと異なり、上相と下相とが積層された構成を有していない。言い換えると、電流センサ１１９は、単相構造の電流センサである。なお、後程説明する変形例２０以降の電流センサに関しても、単相構造の電流センサである。

本変形例では、一例として、直流電力を三相交流電力に変換するインバータと、インバータからの三相交流電力によって駆動されるモータジェネレータとともに車両に搭載される電流センサ１１９を採用する。電流センサ１１９は、インバータとモータジェネレータとの間に流れる電流を検出する。詳述すると、電流センサ１１９は、インバータとモータジェネレータを電気的に接続している三つのバスバ２１０〜２３０のそれぞれに流れる電流を個別に検出する。

また、後程説明するが、電流センサ１１９は、三つの相Ｐ１〜Ｐ３を備えている。この各相Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれは、インバータとモータジェネレータとの間における各相に対応して設けられている。そして、各相Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれは、一つの磁気検出素子と、第１磁気シールド２１Ｍの一部と、第２磁気シールド２２Ｍの一部とを含んでいる。なお、ここでは、第１磁気検出素子１１を第１相Ｐ１の磁気検出素子、第２磁気検出素子１２を第２相Ｐ２の磁気検出素子、第３磁気検出素子１３を第３相Ｐ３の磁気検出素子とする。

また、電流センサ１１９は、第２磁気シールド２２Ｍ、磁気検出素子１１〜１３、第１磁気シールド２１Ｍが、この順番でＺ方向に積層されている。よって、Ｚ方向は、積層方向とも言える。

まず、三つのバスバ２１０〜２３０に関して説明する。三つのバスバ２１０〜２３０は、例えば、板状の導電性部材が屈曲した形状をなしている。また、三つのバスバ２１０〜２３０は、第１バスバ２１０が第１相Ｐ１のバスバ、第２バスバ２２０が第２相Ｐ２のバスバ、第３バスバ２３０が第３相Ｐ３のバスバと言える。本変形例では、図２３に示すように、形状が異なる三つのバスバ２１０〜２３０を採用している。これは、モータジェネレータの端子の間隔と、インバータの端子の間隔が異なるためである。

第１バスバ２１０は、モータジェネレータ側の端部である第１端部２１１と、インバータ側の端部である第２端部２１２と、両端部の間に被対向部２１３、屈曲部２１４、第１延長部２１５、第２延長部２１６を含んでいる。被対向部２１３は、第１磁気シールド２１Ｍと第２磁気シールド２２Ｍとの対向領域に配置された部位である。また、被対向部２１３は、第１磁気検出素子１１と対向する部位である。よって、第１磁気検出素子１１は、被対向部２１３と第１磁気シールド２１Ｍとの対向領域に設けられている。

屈曲部２１４は、被対向部２１３からＺ方向に屈曲した部位である。第１延長部２１５と第２延長部２１６は、屈曲部２１４と第２端部２１２とを繋ぐための部位である。図２３に示すように、第１バスバ２１０は、第１延長部２１５と第２延長部２１６を含んでいるため、第２相Ｐ２におけるＹ方向側の領域に達するように設けられている。

第２バスバ２２０は、モータジェネレータ側の端部である第１端部２２１と、インバータ側の端部である第２端部２２２と、両端部の間に被対向部２２３、屈曲部２２４、延長部２２５を含んでいる。また、被対向部２２３は、第２磁気検出素子１２と対向する部位である。よって、第２磁気検出素子１２は、被対向部２２３と第１磁気シールド２１Ｍとの対向領域に設けられている。

第２バスバ２２０は、延長部２２５の構成（長さ）が第１バスバ２１０と異なる。図２３に示すように、第２バスバ２２０は、延長部２２５を含んでいるため、第３相Ｐ３におけるＹ方向側の領域に達するように設けられている。

第３バスバ２３０は、モータジェネレータ側の端部である第１端部２３１と、インバータ側の端部である第２端部２３２と、両端部の間に被対向部２３３、屈曲部２３４を含んでいる。このように、第３バスバ２３０は、延長部を介さずに屈曲部２３４と第２端部２３２が繋がっている点が第１バスバ２１０、第２バスバ２２０と異なる。また、被対向部２３３は、第３磁気検出素子１３と対向する部位である。よって、第３磁気検出素子１３は、被対向部２３３と第１磁気シールド２１Ｍとの対向領域に設けられている。

なお、本変形例で採用したバスバ２１０〜２３０は一例である。バスバ２１０〜２３０はこれに限定されない。

次に、第１磁気シールド２１Ｍと第２磁気シールド２２Ｍに関して説明する。第１磁気シールド２１Ｍは、第１磁気シールド２１Ｍの厚肉部２を三つに増やした構成と同様である。一方、第２磁気シールド２２Ｍは、第２磁気シールド２２Ａの厚肉部２Ａを三つに増やした構成と同様である。

第１磁気シールド２１Ｍは、図２４に示すように、三つの厚肉部２がＸ方向に配置され、且つ、三つの厚肉部２のそれぞれが、各磁気検出素子１１〜１３のそれぞれに対向配置されている。第１磁気シールド２１Ｍは、薄肉部３と、各厚肉部２における薄肉部３と連なって設けられた端層部とを含む表層部２１Ｍ１と、各厚肉部２における端層部から突出した突出部２１Ｍ２とを有し、突出部２１Ｍ２間に凹部１が形成されている。つまり、表層部２１Ｍ１は、厚肉部２の一部と、薄肉部３とを含んでいると言える。本変形例では、三つの相Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれに含まれる三つの突出部２１Ｍ２と、二つの薄肉部３を含む第１磁気シールド２１Ｍを採用している。

なお、端層部は、表層部２１Ｍ１における薄肉部３を除く部位であり、厚肉部２における突出部２１Ｍ２に対向する部位である。また、端層部は、薄肉部３に対してＸ方向に延びる部位とも言える。

ここでは、一例として、表層部２１Ｍ１と突出部２１Ｍ２とが積層されて一体化された構造の第１磁気シールド２１Ｍを採用している。また、表層部２１Ｍ１と突出部２１Ｍ２のそれぞれは、磁性材料によって構成された複数の層が積層されて構成されていてもよい。しかしながら、第１磁気シールド２１Ｍは、これに限定されず、型を用いて表層部２１Ｍ１と突出部２１Ｍ２とが一体的に形成されてもよいし、切削などによって表層部２１Ｍ１と突出部２１Ｍ２とが一体的に形成されてもよい。

同様に、第２磁気シールド２２Ｍは、薄肉部３Ａと、各厚肉部２Ａにおける薄肉部３Ａと連なって設けられた端層部とを含む表層部２２Ｍ１と、各厚肉部２Ａにおける端層部から突出した突出部２２Ｍ２とを有し、突出部２２Ｍ２間に凹部１が形成されている。第２磁気シールド２２Ｍは、表層部２２Ｍ１の厚みが、第１磁気シールド２１Ｍの表層部２１Ｍ１と異なり、その他の点は同様である。

また、第１磁気シールド２１Ｍの突出部２１Ｍ２は、第２磁気シールド２２Ｍの突出部２２Ｍ２と対向配置されている。つまり、電流センサ１１９は、第１相Ｐ１の突出部２１Ｍ２と突出部２２Ｍ２とが対向配置され、第２相Ｐ２の突出部２１Ｍ２と突出部２２Ｍ２とが対向配置され、第３相Ｐ３の突出部２１Ｍ２と突出部２２Ｍ２とが対向配置されている。そして、各磁気検出素子１１〜１３は、対向配置された突出部２１Ｍ２，２２Ｍ２の対向領域に個別に配置されている。

両磁気シールド２１Ｍ、２２Ｍにおいて、第１磁気検出素子１１に対向配置された厚肉部２，２Ａは、第１相Ｐ１の厚肉部２，２Ａと言える。よって、この厚肉部２，２Ａにおける突出部２１Ｍ２，２２Ｍ２は、第１相Ｐ１の突出部２１Ｍ２，２２Ｍ２と言える。さらに、この突出部２１Ｍ２，２２Ｍ２の対向する部位である端層部は、第１相Ｐ１の端層部と言える。第２磁気検出素子１２に対向配置された厚肉部２，２Ａ、及び第３磁気検出素子１３に対向配置された厚肉部２，２Ａに関しても同様である。また、両磁気シールド２１Ｍ、２２Ｍは、第１相Ｐ１の厚肉部２，２Ａと第２相Ｐ２の厚肉部２，２Ａとを繋いでいる薄肉部３，３Ａと、第２相Ｐ２の厚肉部２，２Ａと第３相Ｐ３の厚肉部２，２Ａとを繋いでいる薄肉部３，３Ａとを含んでいると言える。

このため、第１相Ｐ１は、第１磁気検出素子１１、第１磁気シールド２１Ｍにおける第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２、第２磁気シールド２２Ｍにおける第１磁気検出素子１１に対向する厚肉部２Ａを含んでいると言える。つまり、第１相Ｐ１は、第１バスバ２１０に対向配置され、第１バスバ２１０から発生する磁界を検知して電気信号に変換する第１磁気検出素子１１を含んでいる。

同様に、第２相Ｐ２は、第２磁気検出素子１２、第１磁気シールド２１Ｍにおける第２磁気検出素子１２に対向する厚肉部２、第２磁気シールド２２Ｍにおける第２磁気検出素子１２に対向する厚肉部２Ａを含んでいる。つまり、第２相Ｐ２は、第２バスバ２２０に対向配置され、第２バスバ２２０から発生する磁界を検知して電気信号に変換する第２磁気検出素子１２を含んでいる。

また、第３相Ｐ３は、第３磁気検出素子１３、第１磁気シールド２１Ｍにおける第３磁気検出素子１３に対向する厚肉部２、第２磁気シールド２２Ｍにおける第３磁気検出素子１３に対向する厚肉部２Ａを含んでいる。つまり、第３相Ｐ３は、第３バスバ２３０に対向配置され、第３バスバ２３０から発生する磁界を検知して電気信号に変換する第３磁気検出素子１３を含んでいる。

なお、電流センサ１１９は、例えば、各相Ｐ１〜Ｐ３が回路基板やハウジングを介して一体的に組み付けられて構成されている。この回路基板は、各磁気検出素子１１〜１３と電気的に接続され、各磁気検出素子１１〜１３からのセンサ信号が入力される。さらに、電流センサ１１９は、各相Ｐ１〜Ｐ３に加えて、バスバ２１０〜２３０が回路基板やハウジングを介して一体的に組み付けられて構成されていてもよい。このように、バスバ２１０〜２３０などが一体的に組み付けられた構造体は、端子台と称することもできる。なお、各相Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれは、対応するバスバ２１０、２２０、２３０を含んでいるとみなすこともできる。

このように構成された三つの相Ｐ１〜Ｐ３は、図２３、図２４に示すように、Ｘ方向に並べて配置され、各厚肉部２，２Ａが薄肉部３，３Ａを介して繋がっている。また、各相Ｐ１〜Ｐ３は、被対向部２１３，２２３，２３３において電流が流れる方向（Ｙ方向）が平行となるように配置されていると言える。なお、以下においては、隣り合う相を隣相とも記載する。三つの相Ｐ１〜Ｐ３が配置されている方向は、配置方向とも言える。

本実施形態では、Ｘ方向において、第１相Ｐ１、第２相Ｐ２、第３相Ｐ３の順番で配置されている例を採用する。よって、第２相Ｐ２は、第１相Ｐ１と第３相Ｐ３で挟まれた中間相と言える。また、第２相Ｐ２は、第１相Ｐ１と隣相であり、且つ、第３相Ｐ３と隣相である。つまり、第１相Ｐ１と第３相Ｐ３とは、隣り合っていない。

このため、各磁気検出素子１１〜１３は、Ｘ方向に並べて配置されている。また、第１磁気シールド２０は、厚肉部２がＸ方向に並べて配置されている。同様に、第２磁気シールド２２Ｍは、厚肉部２ＡがＸ方向に並べて配置されている。なお、各相Ｐ１〜Ｐ３に対応する被対向部２１３，２２３，２３３に関してもＸ方向に並べて配置されている。

このように構成された電流センサ１１９は、ある相の検出対象であるバスバに例えば１２００Ａなどの比較的大電流が流れ、この相の隣相で検出対象のバスバに流れている被検出電流を検出する状況となりうる。なお、比較的大電流が流れるバスバは、ノイズの発生源となりうる。このため、このバスバを検出対象としている相は、ノイズ相と言うことができる。一方、被検出電流を検出する相は、検出相と言うことができる。本変形例では、図２４に示すように、第３相Ｐ３がノイズ相、第２相Ｐ２が検出相である状況を一例として採用する。

ノイズ相の第３バスバ２３０から発生する磁場は、アンペアの右ねじの法則により、同心円状に発生する。この磁場は、第１磁気シールド２１Ｍ及び第２磁気シールド２２Ｍ内部に集中する。そして、第１磁気シールド２１Ｍ及び第２磁気シールド２２Ｍには、図２４に示すように、実線矢印で示す方向に磁束が流れる、言い換えると磁力線が走る。

特に、電流センサ１１９は、上記の実施形態や変形例で説明したように、両磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍに凹部１を設けることで磁気流路をコントロールして、磁力線が両磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの外側表面を走るようにしている。このため、電流センサ１１９は、両表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１を磁力線が走る。なお、第１磁気シールド２１Ｍにおける磁力線と第２磁気シールド２２Ｍにおける磁力線とは、逆ベクトルとなる。

このため、電流センサ１１９は、上記比較例の電流センサよりも、漏れ磁場を低減できる。しかしながら、電流センサ１１９は、図２４に示すように、両表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１のサイズや、両表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１に流れる磁束などによって凹部１から漏れ磁場が発生することもある。本実施形態では、図２４に示すように、両磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの凹部１から、一点鎖線ＬＭ１やＬＭ２で代表されるような漏れ磁場が発生する例を採用している。

この漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２は、第２相Ｐ２の第２磁気検出素子１２に向かい、第２磁気検出素子１２を透過すると、第２磁気検出素子１２による磁電変換結果に影響を及ぼす可能性がある。つまり、電流センサ１１９は、凹部１，１Ａから形成された磁場が第２磁気検出素子１２に達する場合、第２磁気検出素子１２による磁電変換結果に影響を及ぼす可能性がある。なお、第２磁気検出素子１２は、二つの磁気検出素子１１，１３で挟まれた磁気検出素子に相当する。

この漏れ磁場ＬＭ１、ＬＭ２のベクトルは、第２磁気検出素子１２の位置では逆ベクトルとなる。そこで、電流センサ１１９は、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とで打ち消し合い、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が中間相における第２磁気検出素子１２に到達しないように、第１磁気シールド２１Ｍと第２磁気シールド２２Ｍの少なくとも一方の形状が調整されている。つまり、電流センサ１１９は、第２磁気検出素子１２の位置で、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が打ち消されるように、第１磁気シールド２１Ｍと第２磁気シールド２２Ｍの少なくとも一方の形状が調整されていると言える。このため、両磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が第２磁気検出素子１２に到達しないように、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２で打ち消し合うように調整された形状を有しているとも言える。

本変形例では、形状として、磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの全体の厚みに対する表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１の厚みが調整されている例を採用している。全体の厚みとは、例えば、第１磁気シールド２１Ｍの場合、表層部２１Ｍ１の厚みと、突出部２１Ｍ２の厚みを足した厚みである。なお、ここでの厚みは、積層方向における長さである。

また、本変形例では、第１磁気シールド２１Ｍの全体の厚みｔ１と第２磁気シールド２２Ｍの全体の厚みｔ１が同じである。そして、本変形例では、図２５、図２６に示すように、第１磁気シールド２１Ｍの表層部２１Ｍ１の厚みｔ３が、第２磁気シールド２２Ｍの表層部２２Ｍ１の厚みｔ２よりも厚くなるように調整されている例を採用している。なお、図２５は、図２４における第１磁気シールド２１Ｍの一部を拡大した図面である。

したがって、第１磁気シールド２１Ｍは、突出部２１Ｍ２の厚み（ｔ１−ｔ３）が、第２磁気シールド２２Ｍの突出部２２Ｍ２の厚み（ｔ１−ｔ２）よりも薄くなっている。なお、図２６は、第１磁気シールド２１Ｍの表層部２１Ｍ１を、第２磁気シールド２２Ｍの表層部２２Ｍ１と同じ厚みとした場合の断面図である。よって、第２磁気シールド２２Ｍは、図２６に示す第１磁気シールド２１Ｍと同様の形状及びサイズとみなすことができる。

しかしながら、本発明は、これに限定されない。本発明は、漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２の状態に応じて、第１磁気シールド２１Ｍの全体の厚みに対する表層部２１Ｍ１の厚みと、第２磁気シールド２２Ｍの全体の厚みに対する表層部２２Ｍ１の厚みの少なくとも一方が調整されていればよい。

表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１のそれぞれは、厚みが厚くなるにしたがって漏れ磁場の量が減少し、厚みが薄くなるにしたがって漏れ磁場の量が増加する。つまり、電流センサ１１９は、表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１の少なくとも一方の厚みを調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように構成されている。よって、本実施形態では、第１磁気シールド２１Ｍの凹部１からの漏れ磁場ＬＭ１の量を減少させて、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように構成されている。

なお、電流センサ１１９は、表層部２１Ｍ１の厚みと表層部２２Ｍ１の厚みの少なくとも一方を調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２が第２磁気検出素子１２へ影響することを抑制されていると言える。さらに、電流センサ１１９は、第２磁気検出素子１２の位置で、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２が互いに弱められるように構成されていると言える。

ところで、第１磁気シールド２１Ｍの全体の厚みに対する表層部２１Ｍ１の厚みは、表層部２１Ｍ１を構成している磁性材料の層の積層数と、突出部２１Ｍ２を構成している磁性材料の層の積層数とによって調整できる。第２磁気シールド２２Ｍの全体の厚みに対する表層部２２Ｍ１の厚みを調整する場合も同様である。

また、表層部２１Ｍ１の厚みや表層部２２Ｍ１の厚みは、シミュレーションや実験などによって、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるような値に設定することができる。

以上のように、電流センサ１１９は、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが、第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように、表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１の少なくとも一方の厚みが調整されている。このため、電流センサ１１９は、両磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの凹部１から第２磁気検出素子１２に向かって漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が発生した場合であっても、この漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２を第２磁気検出素子１２がセンシングすることを抑制できる。したがって、電流センサ１１９は、高精度に電流を検出できる。当然ながら、電流センサ１１９は、電流センサ１００，１０１と同様の効果を奏することができる。

さらに、検出相の磁気検出素子は、ノイズ相のバスバから発せられる磁場をセンシングしてしまった場合でも磁電変換結果に影響がでる可能性がある。例えば、第１相Ｐ１をノイズ相、第２相Ｐ２を検出相とした場合、第２磁気検出素子１２は、第１バスバ２１０の延長部２１５や第２延長部２１６などから発せられる磁場の影響を受ける可能性がある。そこで、電流センサ１１９は、漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２だけではなく、第１バスバ２１０から発せられる磁場が第２磁気検出素子１２に到達しないように第１表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１の厚みが設定されていると好ましい。

なお、変形例１９は、変形例１０〜１２のそれぞれと組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、電流センサ１１９と同様の効果を奏することができる。また、電流センサ１１９は、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍが、変形例２の第１磁気シールド２１Ｂや変形例３の第１磁気シールド２１Ｃと同様の形状でも採用できる。電流センサ１１９は、第１磁気シールド２１Ｂを採用した場合、薄肉部３Ｂの厚みが調整された構成となる。一方、電流センサ１１９は、変形例３の第１磁気シールド２１Ｃを採用した場合、蓋部３Ｃの厚みが調整された構成となる。これらの点は、以下の変形例でも同様である。

（変形例２０）
図２７を用いて、変形例２０の電流センサに関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、変形例１９と同じ符号を採用する。また、図２７では、一例として、第１磁気シールド２１Ｍのみを図示している。図２７は、図２５に相当する断面図である。

変形例２０の電流センサは、突出部間の間隔ｇ１が調整されている点が電流センサ１１９と異なる。つまり、電流センサは、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが、例えば第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方における間隔ｇ１が調整されている。言い換えると、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方は、形状として、凹部１を介して隣り合う突出部間の間隔ｇ１が調整されている。

この間隔ｇ１は、例えば、第１磁気シールド２１Ｍにおける第１相Ｐ１の突出部２１Ｍ２と、第２相Ｐ２の突出部２１Ｍ２とのＸ方向における距離である。なお、ここでの間隔ｇ１は、Ｘ方向における凹部１の幅とも言える。

各磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、間隔ｇ１が狭くなるにしたがって漏れ磁場の量が減少し、間隔ｇ１が広くなるにしたがって漏れ磁場の量が増加する。よって、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方の間隔ｇ１を調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが検出相の磁気検出素子の位置で打ち消されるように構成されている。例えば、電流センサは、第１磁気シールド２１Ｍにおける間隔ｇ１が、第２磁気シールド２２Ｍにおける間隔ｇ１よりも狭くなるように構成されている。

変形例２０は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。また、本発明は、変形例２０で開示した技術と、変形例１９で開示した技術とを組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、変形例２０と同様の効果を奏することができる。

（変形例２１）
図２８を用いて、変形例２１の電流センサに関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、変形例１９と同じ符号を採用する。また、図２８では、一例として、第１磁気シールド２１Ｍのみを図示している。この図２８は、図２５に相当する断面図である。

変形例２１の電流センサは、薄肉部３，３Ａの長さｔ１２が調整されている点が電流センサ１１９と異なる。つまり、電流センサは、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが、例えば第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方における薄肉部３，３Ａの長さｔ１２が調整されている。言い換えると、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方は、形状として、対向部位における薄肉部３，３Ａの長さｔ１２が調整されている。

なお、この長さｔ１２は、Ｙ方向における薄肉部３の長さである。また、長さｔ１２は、積層方向及び配置方向に直交する方向における薄肉部３の長さとも言える。後程説明する厚肉部２の長さｔ１１は、ｔ１２と同様に、Ｙ方向における長さである。

第１磁気シールド２１Ｍは、図２８に示すように、薄肉部３を介して隣り合う厚肉部２どうしが、互いの対向部位の一部のみが薄肉部３を介して繋がれている。例えば、第１相Ｐ１の厚肉部２と、第２相Ｐ２の厚肉部２とは、互いの対向部位における、Ｚ方向及びＹ方向の一部のみが薄肉部３を介して繋がれている。このため、厚肉部２の長さｔ１１は、薄肉部３の長さｔ１２よりも長い。よって、第１磁気シールド２１Ｍは、ＸＹ平面において、隣り合う厚肉部２間に凹みが形成されている。

なお、第２磁気シールド２２Ｍは、第１磁気シールド２１Ｍと同様に、薄肉部３Ａを介して隣り合う厚肉部２Ａどうしが、互いの対向部位の一部のみが薄肉部３Ａを介して繋がれている。しかしながら、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方が、上記のように一部のみが繋がれた構成であればよい。よって、例えば、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの一方は、変形例１９で採用したように、Ｙ方向における全体が繋がれた構成であってもよい。

各磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、長さｔ１２が長くなるにしたがって漏れ磁場の量が減少し、長さｔ１２が短くなるにしたがって漏れ磁場の量が増加する。よって、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方の長さｔ１２を調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが検出相の磁気検出素子の位置で打ち消されるように構成されている。例えば、電流センサは、第１磁気シールド２１Ｍにおける長さｔ１２が、第２磁気シールド２２Ｍにおける長さｔ１２よりも短くなるように構成されている。

変形例２１は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。また、本発明は、変形例２１で開示した技術と、変形例１９，２０で開示した技術とを組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、変形例２１と同様の効果を奏することができる。

（変形例２２）
図２９を用いて、変形例２２の電流センサに関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、変形例１９と同じ符号を採用する。また、図２９では、一例として、第１磁気シールド２１Ｍのみを図示している。この図２９は、図２５に相当する断面図である。

変形例２２の電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方に、変形例４の第１磁気シールド２１Ｄと同様の形状を採用している。変形例２２の電流センサは、凹部１，１Ａの深さｔ４が調整されている点が電流センサ１１９と異なる。つまり、電流センサは、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが、例えば第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方における凹部１，１Ａの深さｔ４が調整されている。言い換えると、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方は、形状として、凹部１，１Ａの深さｔ４が調整されている。なお、この深さｔ４は、Ｚ方向における長さである。

なお、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方が、図２９に示す構成であればよい。よって、例えば、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの一方は、変形例１９で採用した構成であってもよい。

各磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、深さｔ４が深くなるにしたがって漏れ磁場の量が減少し、深さｔ４が浅くなるにしたがって漏れ磁場の量が増加する。よって、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方の深さｔ４を調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが検出相の磁気検出素子の位置で打ち消されるように構成されている。例えば、電流センサは、第１磁気シールド２１Ｍにおける深さｔ４が、第２磁気シールド２２Ｍにおける深さｔ４よりも短くなるように構成されている。

変形例２２は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。また、本発明は、変形例２２で開示した技術と、変形例１９〜２１で開示した技術のそれぞれとを組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、変形例２２と同様の効果を奏することができる。さらに、変形例２２は、変形例４と同様の効果を奏することができる。

（変形例２３）
図３０を用いて、変形例２３の電流センサに関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、変形例１９と同じ符号を採用する。また、図３０では、一例として、第１磁気シールド２１Ｍのみを図示している。この図３０は、図２５に相当する断面図である。

変形例２３の電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方に、変形例５の第１磁気シールド２１Ｅと同様の形状を採用している。変形例２３の電流センサは、第１磁気シールド２１Ｅの傾斜部１Ｅに相当する傾斜部１Ｍの傾斜角θが調整されている点が電流センサ１１９と異なる。つまり、電流センサは、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが、例えば第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方における傾斜角θが調整されている。言い換えると、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方は、形状として、傾斜角θが調整されている。なお、この傾斜角θは、ＸＺ平面における凹部１の底面と側面（傾斜部１Ｍ）のなす角度に相当する。

なお、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方が、図３０に示す構成であればよい。よって、例えば、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの一方は、変形例１９で採用した構成であってもよい。

各磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、傾斜角θが小さくなるにしたがって漏れ磁場の量が減少し、傾斜角θが大きくなるにしたがって漏れ磁場の量が増加する。よって、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方の傾斜角θを調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが検出相の磁気検出素子の位置で打ち消されるように構成されている。例えば、電流センサは、第１磁気シールド２１Ｍにおける傾斜角θが、第２磁気シールド２２Ｍにおける傾斜角θよりも小さくなるように構成されている。

変形例２３は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。また、本発明は、変形例２３で開示した技術と、変形例１９〜２２で開示した技術のそれぞれとを組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、変形例２３と同様の効果を奏することができる。さらに、変形例２３は、変形例５と同様の効果を奏することができる。

また、変形例２３の電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方に、変形例６の第１磁気シールド２１Ｆと同様の形状を採用することもできる。この場合であっても同様の効果を奏することができる。さらに、この場合、電流センサは、傾斜角θに加えて、凹部１の深さによっても漏れ磁場の量を調整できる。

（変形例２４）
図３１を用いて、変形例２４の電流センサに関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、変形例１９と同じ符号を採用する。また、図３１では、一例として、第１磁気シールド２１Ｍのみを図示している。この図３１は、図２５に相当する断面図である。

変形例２４の電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方に、突起８が形成された形状を採用している。例えば、第１磁気シールド２１Ｍは、図３１に示すように、厚肉部２における凹部１に沿う位置に突起８が形成されている。変形例２４の電流センサは、突起８の長さが調整されている点が電流センサ１１９と異なる。つまり、電流センサは、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが、例えば第２磁気検出素子１２の位置で打ち消されるように、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方における突起８の長さが調整されている。言い換えると、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方は、形状として、突起８の長さが調整されている。なお、この長さは、Ｚ方向における長さである。

なお、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方が、図３１に示す構成であればよい。よって、例えば、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの一方は、変形例１９で採用した構成であってもよい。

各磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、突起８の長さが長くなるにしたがって漏れ磁場の量が減少し、突起８の長さが短くなるにしたがって漏れ磁場の量が増加する。よって、電流センサは、二つの磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの少なくとも一方の突起８の長さを調整することで漏れ磁場の量をコントロールして、漏れ磁場ＬＭ１と漏れ磁場ＬＭ２とが検出相の磁気検出素子の位置で打ち消されるように構成されている。例えば、電流センサは、第１磁気シールド２１Ｍにおける突起８の長さが、第２磁気シールド２２Ｍにおける突起８の長さよりも短くなるように構成されている。

変形例２４は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。また、本発明は、変形例２４で開示した技術と、変形例１９〜２３で開示した技術のそれぞれとを組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、変形例２４と同様の効果を奏することができる。なお、変形例２４は、凹部１に沿う二つの突起８の少なくとも一方の長さを調整することで、漏れ磁場の量を調整することができる。

（変形例２５）
図３２〜図３４を用いて、変形例２５の電流センサ１２０に関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、一部の符号に変形例１９と同じ符号を採用する。電流センサ１２０は、相数と、二つの磁気シールド２１Ｎ，２２Ｎの構成が電流センサ１１９と異なる。また、電流センサ１２０は、変形例１９〜２１の技術を組み合わせた構成の一例とみなすことができる。

図３２、図３３、図３４に示すように、電流センサ１２０は、第１相Ｐ１〜第３相Ｐ３に加えて、第４バスバ２４０に対応する第４相Ｐ４を有している。なお、第４相Ｐ３は、その他の相Ｐ１〜Ｐ３と同様に、第４磁気検出素子１４、厚肉部２，２Ａを含んでいる。また、第４磁気検出素子１４は、第４バスバ２４０に対向配置されており、その他の磁気検出素子１１〜１３と同様の構成である。

第１磁気シールド２１Ｎは、表層部２１Ｎ１と突出部２１Ｎ２とを含んでいる。第１磁気シールド２１Ｎは、変形例１９のように、表層部２１Ｎ１の厚みが調整されている。つまり、第１磁気シールド２１Ｎは、図３３に示すように、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２の表層部２１Ｎ１の厚みが同じで、第３相Ｐ３と第４相Ｐ４の表層部２１Ｎ１の厚みが同じで、且つ、第１相Ｐ１と第３相Ｐ３の表層部２１Ｎ１の厚みが異なるように調整されている。

また、第１磁気シールド２１Ｎは、変形例２０のように、間隔が調整されている。つまり、第１磁気シールド２１Ｎは、図３２、図３３に示すように、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２との間隔ｇ４、第２相Ｐ２と第３相Ｐ３との間隔ｇ５、第３相Ｐ３と第４相Ｐ４との間隔ｇ６が異なるように調整されている。なお、これらの間隔は、ｇ５＜ｇ４＜ｇ６となっている。

さらに、第１磁気シールド２１Ｎは、変形例２１のように、薄肉部３の長さが調整されている。つまり、第１磁気シールド２１Ｎは、図３２に示すように、第３相Ｐ３と第４相Ｐ４の間の薄肉部３の長さが、他の薄肉部３の長さよりも短く調整されている。

一方、第２磁気シールド２２Ｎは、表層部２２Ｎ１と突出部２２Ｎ２とを含んでいる。第２磁気シールド２２Ｎは、変形例１９のように、表層部２２Ｎ１の厚みが調整されている。つまり、第２磁気シールド２２Ｎは、図３３に示すように、第２相Ｐ２と第３相Ｐ３の表層部２２Ｎ１の厚みが同じで、第１相Ｐ１と第４相Ｐ４の表層部２２Ｎ１の厚みが同じで、且つ、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２の表層部２２Ｎ１の厚みが異なるように調整されている。

また、第２磁気シールド２２Ｎは、変形例２０のように、間隔が調整されている。つまり、第２磁気シールド２２Ｎは、図３３、図３４に示すように、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２との間隔ｇ７、第２相Ｐ２と第３相Ｐ３との間隔ｇ８、第３相Ｐ３と第４相Ｐ４との間隔ｇ９が異なるように調整されている。なお、これらの間隔は、ｇ８＜ｇ７＝ｇ９となっている。

そして、第２磁気シールド２２Ｎは、変形例２１のように、薄肉部３の長さが調整されている。つまり、第２磁気シールド２２Ｎは、図３４に示すように、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２の間の薄肉部３の長さが、他の薄肉部３の長さよりも短く調整されている。

このように構成された電流センサ１２０は、凹部１，１Ａからの漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が検出相の磁気検出素子に到達しないように、形状が調整されている。よって、変形例２５は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。

（変形例２６）
図３５を用いて、変形例２６の電流センサ１２１に関して説明する。なお、本変形例では、便宜的に、変形例１９と同じ符号を採用する。図３５は、図２４に相当する断面図である。ただし、図３５は、図面を簡略化するために、第１バスバ２１０、第２バスバ２２０に関しては被対向部２１３，２２３のみを図示している。

電流センサ１２１は、相数が２である点が電流センサ１１９と異なる。つまり、電流センサ１２１は、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２を有しているが、第３相Ｐ３を有していない。

このような電流センサ１２１であっても、一方の相がノイズ相で他方の相が検出相となることがある。本変形例では、図３５に示すように、第２相Ｐ２がノイズ相、第１相Ｐ１が検出相である状況を一例として採用する。この場合、電流センサ１２１は、凹部１，１Ａから形成された磁場が第１磁気検出素子１１に達する場合、第１磁気検出素子１１による磁電変換結果に影響を及ぼす可能性がある。

そこで、電流センサ１２１は、変形例１９と同様に、形状として、磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍの全体の厚みに対する表層部２１Ｍ１，２２Ｍ１の厚みの少なくとも一方が調整されている。このため、両磁気シールド２１Ｍ，２２Ｍは、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２が第１磁気検出素子１１に到達しないように、両漏れ磁場ＬＭ１，ＬＭ２で打ち消し合うように調整された形状を有しているとも言える。

変形例２６は、変形例１９と同様の効果を奏することができる。また、本発明は、変形例２６で開示した技術と、変形例１９〜２５で開示した技術のそれぞれとを組み合わせて実施することもできる。この場合であっても、変形例２６と同様の効果を奏することができる。また、変形例２６の電流センサ１２１は、第１相Ｐ１と第２相Ｐ２が三相以上のうちの二相であっても同様の効果を奏することができる。

１１…第１磁気検出素子、１２…第２磁気検出素子、２１，２１Ａ〜２１Ｎ…第１磁気シールド、２２，２２Ａ〜２２Ｎ…第２磁気シールド、１，１Ａ，４…凹部、２…厚肉部、３…薄肉部、１００〜１１８…電流センサ、２１０…第１バスバ、２２０…第２バスバ、２３０…第３バスバ、２４０…第４バスバ

Claims (36)

1. 電流経路（２１０〜２４０）から発生する磁束を検知して磁電変換を行う磁気検出素子（１１〜１４）と、
   前記磁気検出素子の周囲に配置され、前記磁気検出素子に対する外部からの磁束を遮蔽する少なくとも二つの磁気シールド（２１，２１Ａ〜２１Ｎ，２２，２２Ａ〜２２Ｎ，２３，２４）と、を備えた電流センサであって、
   二つの前記磁気シールドは、前記磁気検出素子と前記電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されており、
   二つの前記磁気シールドのうちの少なくとも一方は、少なくとも二つのベース部と、二つの前記ベース部を繋いでいる連結部とを有し、他方の前記磁気シールドとの対向面に、周辺よりも凹んだ凹部（１，１Ａ、４）が形成されており、
   前記磁気シールドは、三つ以上の層が積層され、樹脂部材によって覆われたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域側の最外層と前記対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも、前記樹脂部材との線膨張係数差が小さい電流センサ。
2. 前記凹部は、前記電流経路における電流の流れ方向に沿って、前記磁気シールドの一方の端部から他方の端部にわたって形成されている請求項１に記載の電流センサ。
3. 前記磁気シールドは、前記凹部として、底部と環状の側壁で囲まれた有底の穴部が形成されている請求項１に記載の電流センサ。
4. 電流経路（２１０〜２４０）から発生する磁束を検知して磁電変換を行う磁気検出素子（１１〜１４）と、
   前記磁気検出素子の周囲に配置され、前記磁気検出素子に対する外部からの磁束を遮蔽する少なくとも二つの磁気シールド（２１，２１Ａ〜２１Ｎ，２２，２２Ａ〜２２Ｎ，２３，２４）と、を備えた電流センサであって、
   二つの前記磁気シールドは、前記磁気検出素子と前記電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されており、
   二つの前記磁気シールドのうちの少なくとも一方は、少なくとも二つのベース部と、二つの前記ベース部を繋いでいる連結部とを有し、他方の前記磁気シールドとの対向面に、周辺よりも凹んだ凹部（１，１Ａ、４）が形成されており、
   前記磁気シールドは、前記凹部として、底部と環状の側壁で囲まれた有底の穴部が形成されている電流センサ。
5. 前記磁気シールドは、複数の層が積層されたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも透磁率が大きい請求項４に記載の電流センサ。
6. 前記磁気シールドは、複数の層が積層されたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも飽和磁束密度が大きい請求項４に記載の電流センサ。
7. 前記磁気シールドは、三つ以上の層が積層され、樹脂部材によって覆われたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域側の最外層と前記対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも、前記樹脂部材との線膨張係数差が小さい請求項４に記載の電流センサ。
8. 二つ以上の前記電流経路が配置された上相と、二つ以上の前記電流経路が配置された下相とが、前記磁気シールドの厚み方向に積層されており、
   前記上相における前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つ以上の前記磁気検出素子と、前記下相における前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つ以上の前記磁気検出素子とを備えており、
   前記上相における前記電流経路と前記磁気検出素子を挟み込む二つの前記磁気シールドと、前記下相における前記電流経路と前記磁気検出素子を挟み込む二つの前記磁気シールドとを備えている請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電流センサ。
9. 前記上相の二つの前記磁気シールドにおける前記下相側の前記磁気シールドと、前記下相の二つの前記磁気シールドにおける前記上相側の前記磁気シールドとは、一体的に設けられて中間磁気シールドを構成している請求項８に記載の電流センサ。
10. 前記中間磁気シールドは、前記上相側の前記電流経路と前記下相側の前記電流経路との対向領域に、非磁性部が設けられている請求項９に記載の電流センサ。
11. 二つの前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つの前記磁気検出素子を有しており、
    二つの前記磁気シールドのそれぞれは、前記連結部と各ベース部における前記連結部と連なって設けられた端層部とを含む表層部（２１Ｍ１，２２Ｍ１，２１Ｎ１，２２Ｎ１）と、各ベース部における前記端層部から突出した突出部（２１Ｍ２，２２Ｍ２，２１Ｎ２，２２Ｎ２）とを有し、前記突出部間に前記凹部が形成されており、
    一方の前記磁気シールドの前記突出部は、他方の前記磁気シールドの前記突出部と対向配置され、
    各磁気検出素子は、対向配置された前記突出部の対向領域に個別に配置され、
    一方の前記磁気シールドにおける前記凹部からの漏れ磁場と、他方の前記磁気シールドにおける前記凹部からの漏れ磁場とで打ち消し合い、前記漏れ磁場が前記磁気検出素子に達しないように、二つの前記磁気シールドの少なくとも一方の形状が調整されている請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電流センサ。
12. 電流経路（２１０〜２４０）から発生する磁束を検知して磁電変換を行う磁気検出素子（１１〜１４）と、
    前記磁気検出素子の周囲に配置され、前記磁気検出素子に対する外部からの磁束を遮蔽する少なくとも二つの磁気シールド（２１，２１Ａ〜２１Ｎ，２２，２２Ａ〜２２Ｎ，２３，２４）と、を備えた電流センサであって、
    二つの前記磁気シールドは、前記磁気検出素子と前記電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されており、
    二つの前記磁気シールドのうちの少なくとも一方は、少なくとも二つのベース部と、二つの前記ベース部を繋いでいる連結部とを有し、他方の前記磁気シールドとの対向面に、
    周辺よりも凹んだ凹部（１，１Ａ、４）が形成されており、
    二つの前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つの前記磁気検出素子を有しており、
    二つの前記磁気シールドのそれぞれは、前記連結部と各ベース部における前記連結部と連なって設けられた端層部とを含む表層部（２１Ｍ１，２２Ｍ１，２１Ｎ１，２２Ｎ１）と、各ベース部における前記端層部から突出した突出部（２１Ｍ２，２２Ｍ２，２１Ｎ２，２２Ｎ２）とを有し、前記突出部間に前記凹部が形成されており、
    一方の前記磁気シールドの前記突出部は、他方の前記磁気シールドの前記突出部と対向配置され、
    各磁気検出素子は、対向配置された前記突出部の対向領域に個別に配置され、
    一方の前記磁気シールドにおける前記凹部からの漏れ磁場と、他方の前記磁気シールドにおける前記凹部からの漏れ磁場とで打ち消し合い、前記漏れ磁場が前記磁気検出素子に到達しないように、二つの前記磁気シールドの少なくとも一方の形状が調整されている電流センサ。
13. 前記磁気シールドは、複数の層が積層されたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも透磁率が大きい請求項１２に記載の電流センサ。
14. 前記磁気シールドは、複数の層が積層されたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも飽和磁束密度が大きい請求項１２に記載の電流センサ。
15. 前記磁気シールドは、三つ以上の層が積層され、樹脂部材によって覆われたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域側の最外層と前記対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも、前記樹脂部材との線膨張係数差が小さい請求項１２に記載の電流センサ。
16. 前記凹部は、前記電流経路における電流の流れ方向に沿って、前記磁気シールドの一方の端部から他方の端部にわたって形成されている請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の電流センサ。
17. 前記磁気シールドは、前記凹部として、底部と環状の側壁で囲まれた有底の穴部が形成されている請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の電流センサ。
18. 二つの前記磁気シールドの少なくとも一方は、前記形状として、前記磁気シールドの全体の厚みに対する前記表層部の厚みが調整されている請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の電流センサ。
19. 二つの前記磁気シールドの少なくとも一方は、前記形状として、前記凹部を介して隣り合う前記突出部間の間隔が調整されている請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載の電流センサ。
20. 前記連結部を介して隣り合う前記ベース部どうしは、互いの対向部位の一部のみが前記連結部を介して繋がれており、
    二つの前記磁気シールドの少なくとも一方は、前記形状として、前記対向部位における前記連結部の長さが調整されている請求項１１乃至１９のいずれか一項に記載の電流セン。
21. 三つの前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた三つの前記磁気検出素子を有しており、
    各磁気シールドは、三つの前記磁気検出素子のそれぞれに対向する三つの前記ベース部を有しており、
    一方の前記磁気シールドにおける前記凹部からの前記漏れ磁場と、他方の前記磁気シールドにおける前記凹部からの前記漏れ磁場とで打ち消し合い、前記漏れ磁場が二つの前記磁気検出素子で挟まれた前記磁気検出素子に到達しないように、二つの前記磁気シールドの少なくとも一方の形状が調整されている請求項１１乃至２０のいずれか一項に記載の電流センサ。
22. 電流経路（２１０〜２４０）から発生する磁束を検知して磁電変換を行う磁気検出素子（１１〜１４）と、
    前記磁気検出素子の周囲に配置され、前記磁気検出素子に対する外部からの磁束を遮蔽する少なくとも二つの磁気シールド（２１，２１Ａ〜２１Ｎ，２２，２２Ａ〜２２Ｎ，２３，２４）と、を備えた電流センサであって、
    二つの前記磁気シールドは、前記磁気検出素子と前記電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されており、
    二つの前記磁気シールドのうちの少なくとも一方は、少なくとも二つのベース部と、二つの前記ベース部を繋いでいる連結部とを有し、他方の前記磁気シールドとの対向面に、
    周辺よりも凹んだ凹部（１，１Ａ、４）が形成されており、
    二つ以上の前記電流経路が配置された上相と、二つ以上の前記電流経路が配置された下相とが、前記磁気シールドの厚み方向に積層されており、
    前記上相における前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つ以上の前記磁気検出素子と、前記下相における前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つ以上の前記磁気検出素子とを備えており、
    前記上相における前記電流経路と前記磁気検出素子を挟み込む二つの前記磁気シールドと、前記下相における前記電流経路と前記磁気検出素子を挟み込む二つの前記磁気シールドとを備えている電流センサ。
23. 前記磁気シールドは、複数の層が積層されたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも透磁率が大きい請求項２２に記載の電流センサ。
24. 前記磁気シールドは、複数の層が積層されたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも飽和磁束密度が大きい請求項２２に記載の電流センサ。
25. 前記磁気シールドは、三つ以上の層が積層され、樹脂部材によって覆われたものであり、二つの前記磁気シールドで挟まれた対向領域側の最外層と前記対向領域の反対側の最外層は、他の層よりも、前記樹脂部材との線膨張係数差が小さい請求項２２に記載の電流センサ。
26. 前記凹部は、前記電流経路における電流の流れ方向に沿って、前記磁気シールドの一方の端部から他方の端部にわたって形成されている請求項２２乃至２５のいずれか一項に記載の電流センサ。
27. 前記磁気シールドは、前記凹部として、底部と環状の側壁で囲まれた有底の穴部が形成されている請求項２２乃至２５のいずれか一項に記載の電流センサ。
28. 前記上相の二つの前記磁気シールドにおける前記下相側の前記磁気シールドと、前記下相の二つの前記磁気シールドにおける前記上相側の前記磁気シールドとは、一体的に設けられて中間磁気シールドを構成している請求項２２乃至２７のいずれか一項に記載の電流センサ。
29. 前記中間磁気シールドは、前記上相側の前記電流経路と前記下相側の前記電流経路との対向領域に、非磁性部が設けられている請求項２８に記載の電流センサ。
30. 二つの前記電流経路のそれぞれに対向して設けられた二つの前記磁気検出素子を備えており、
    二つの前記磁気シールドは、二つの前記磁気検出素子と二つの前記電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されており、
    前記凹部は、二つの前記磁気検出素子の中間位置に対向する部位に設けられている請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の電流センサ。
31. 一つの前記電流経路に対向して設けられた一つの前記磁気検出素子を備えており、
    二つの前記磁気シールドは、一つの前記磁気検出素子と一つの前記電流経路とを挟み込みつつ、対向配置されている請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の電流センサ。
32. 前記凹部は、二つの前記磁気シールドのそれぞれに形成されている請求項１乃至３１のいずれか一項に記載の電流センサ。
33. 前記凹部が形成された前記磁気シールドは、前記連結部に対向する位置に前記凹部が形成されている請求項１乃至３２のいずれか一項に記載の電流センサ。
34. 前記連結部は、二つの前記磁気シールドで挟まれた領域である対向領域の反対側に突出して設けられており、
    前記凹部は、前記磁気シールドの厚みよりも深く形成されている請求項３３に記載の電流センサ。
35. 前記凹部は、底から開口端部にいくにつれて開口面積が広くなるように、側壁が傾斜した形状を有している請求項３３又は３４に記載の電流センサ。
36. 前記凹部は、放熱部材が埋設されている請求項１乃至３５のいずれか一項に記載の電流センサ。

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