JP5234459B2 - 電流センサ - Google Patents

Description

この発明は、被測定電流が印加されるＵ字型一次導体の、Ｕ字型形状部近傍において被測定電流を測定する、バイアス磁界発生部を備えた電流センサに関するものである。

従来の電流を測定するセンサとして、複数の磁気抵抗効果素子からなるブリッジ回路を、絶縁体を介し所定の間隔を離してＵ字型の一次導体近傍に配置したものがある（例えば、特許文献１参照）。
また、従来の磁気センサまたは磁気デバイスとして、２つのバイアス磁界発生部を有し、発生したバイアス磁界をバイアス磁界発生部の近傍に設置した磁気素子に印加するものがある（例えば、特許文献２または３参照）。

特開平８−２１１１３８公報 特開平６−１４８３０１公報 特開２００７−３０９６７１公報

上記特許文献１に開示されている電流を測定するセンサの一次導体は、左右対称的なＵ字型構造で、磁気抵抗効果素子で構成するブリッジ回路の左右の各ハーフブリッジに逆方向磁界が印加され、一様な外部磁界を除去する利点がある。しかしながら、バイアス磁界発生部が設置されておらず、磁気抵抗効果素子を形成する磁性金属膜の内部磁化方向を容易軸方向に維持することが困難であり、ひいてはバルクハウゼンジャンプ、ヒステリシスの抑制等が困難なため、精度が低下するという問題点があった。

上記特許文献２に開示されている磁気センサは、硬質磁性膜よりなるバイアス磁界発生部と強磁性薄膜磁気抵抗効果素子とが同一チップ上に形成され、バイアス磁界を強磁性薄膜磁気抵抗効果素子に効率よく印加するとともに、強磁性薄膜磁気抵抗効果素子の内部磁化方向と、バイアス磁界発生部により発生したバイアス磁界方向の一致を図り、正負の磁界に対する対称性の改善を図っている。しかしながら、バイアス磁界発生部と強磁性薄膜磁気抵抗効果素子を同一チップ上にパターニングして作製し、位置精度を向上したとしても、内部磁化方向は成膜条件のパラメータ依存などもあり、必ずしも強磁性薄膜磁気抵抗効果素子の内部磁化方向とバイアス磁界発生部の磁界方向が完全に一致されるものではないという問題点があった。
また、上記特許文献３に開示されている磁気デバイスは、２つの面状に形成したスパイラルコイルにより発生する磁界を合成し、バイアス磁界として磁気センサに印加する構成であり、スパイラルコイルについて複数の構成例が示されている。しかしながら、磁気センサの面内における特定方向のバイアス磁界の大きさの可変は可能であるが、示されたどの構成例を選択しても、面内における方向を可変することは困難であるという問題点があった。

この発明は上記のような課題を鑑み、解決するためになされたもので、一様な外部磁界を除去するとともに、バイアス磁界の大きさ、および方向を容易に可変することで、高精度化、ならびに低コスト化できる電流センサを得ることを目的とする。

この発明に係る電流センサは、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイス部と、少なくとも１つのＵ字型形状部を有する一次導体と、少なくとも２つのバイアス磁界発生部を有し、前記電流検知デバイス部は複数の前記バイアス磁界発生部によって挟まれた領域内に、かつ前記電流検知デバイス部の前記設置基板の中心線と前記一次導体のＵ字型形状の対称軸が略一致するように設置した構造をとるもので、少なくとも１つの前記バイアス磁界発生部は、インダクタにて構成するものである。

１つの設置基板上に四つの磁気抵抗効果素子にて、設置基板上の中心線に対して分けられた一方の領域に第一のハーフブリッジ回路が配置されるとともに、他方の領域に第二のブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去する効果がある。
また、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加し、磁気抵抗効果素子の内部磁化方向を容易軸方向に維持する構成のため、バルクハウゼンジャンプやヒステリシス等を抑制する効果がある。
また、少なくとも２つのバイアス磁界発生部を有し、前記電流検知デバイス部は複数の前記バイアス磁界発生部によって挟まれた領域内に設置し、少なくとも１つの前記バイアス磁界発生部はインダクタにて構成するため、磁気抵抗効果素子に印加するバイアス磁界の、磁気抵抗効果素子の面内における方向を容易に可変できるため、磁気抵抗効果素子の内部磁化方向とバイアス磁界発生部の磁界方向を容易に精度良く一致することができ、正負の磁界検出が対称性良く、電流測定の精度向上の効果がある。
また、電流検知デバイス部と一次導体間のセンサ基板内層にシールド層を設置することで、主に一次導体に起因した一次導体から電流検知デバイス部方向への電界ノイズを、除去あるいは低減する効果がある。
さらにまた、磁性体をバイアス磁界発生部に挟まれた領域のセンサ基板上に付加した構成のため、電流検知デバイス部に付与するバイアス磁界の効率を向上する効果があり、ひいてはインダクタへの印加電流の低減、つまり電流センサとして低消費化の効果がある。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電流センサの斜視図を示すもので、図２は図１の平面図、図３は図１および図２におけるＡＡ’断面（ＸＺ面）を示す断面図である。図において、電流センサ１は、２つのバイアス磁界発生部４、電流検知デバイス部６、センサ回路部７を有するセンサ基板２と、一次導体３により構成される。
本実施の形態１では、センサ基板２は多層プリント配線基板であり、一次導体３はセンサ基板２の裏面に設置した構造をとる。センサ基板２には、１つの電流検知デバイス部６とセンサ回路部７、２つのバイアス磁界発生部４を配置し、電流検知デバイス部６は２つのバイアス磁界発生部４に挟まれた領域に設置する。電流センサの外部端子８と一次導体３の端部は、センサ基板２の対向した２つの辺に分割して設置される。センサ基板２の内層には、シールド層５が設置される。
まず、電流検知デバイス部６の構成について説明する。
図６は電流検知デバイス部６の平面図を示すもので、設置基板１４上において、設置基板１４の中心線９によって２つの領域に分けられ、それぞれの領域に磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂ、磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄが線対称に等しく配置される。ここで、磁気抵抗効果素子１１の感磁方向はＸ方向とする。４つの磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄは、設置基板１４の中心線９に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有するように、図には省略したが、磁気抵抗効果素子上にはバーバーポール電極構造が形成されている。なお、４つの磁気抵抗効果素子１１はそれぞれ１本で構成したが、クランク形状に複数の磁気抵抗効果素子を接続し、線路長を長く構成してもよい。また、中心線９上の中心点に対して点対称に配置する構成としてもよい。接続電流線１２は、４つの磁気抵抗効果素子１１間を接続することにより、ブリッジ回路１５を構成するものであり、接続エリア１３は、外部とブリッジ回路１５の入出力用の端子部として用いる。

図７はこの発明の実施の形態１による電流センサ１の電流検知デバイス部６を示す構成概略図であり、図７において、４つの磁気抵抗効果素子１１間を接続電流線１２で接続することにより、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂの直列接続からなるハーフブリッジ回路（第１のハーフブリッジ回路）１６ａ、磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄの直列接続からなるハーフブリッジ回路（第２のハーフブリッジ回路）１６ｂの並列接続からなるブリッジ回路１５を構成するものである。
接続エリア（第１の接続エリア）１３ａは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｃ間の接続電流線１２に接続され、もう一方の接続エリア（第２の接続エリア）１３ｂは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｄ間の接続電流線１２に接続されており、接続エリア１３ａ、１３ｂからブリッジ回路１５に電圧が供給されるものである。接続エリア（第３の接続エリア）１３ｃは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂ間の接続電流線１２に接続され、もう一方の接続エリア（第４の接続エリア）１３ｄは、ブリッジ回路１５の磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄ間の接続電流線１２に接続されており、接続エリア１３ｃ、１３ｄからブリッジ回路１５の出力電圧が検出されるものである。

なお、図６および図７には示していないが、設置基板１４上の４つの磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄの上方、または下方、またはその両方に絶縁層を介して補償導電線１７を配置し、ブリッジ回路１５の出力電圧に基づいて、それらの補償導電線１７に４つの磁気抵抗効果素子１１の近傍に発生する磁界を打ち消すような電流を供給する磁気平衡型の構成としてもよい。

次に、電流センサ１の全体構成について説明する。
図１または図２、図３に示すように、被測定電流を印加する一次導体３はセンサ基板２の裏面に設置されており、図２に破線で示したように、一次導体３の形状はＺ方向から見てＵ字型となっている。一次導体３の設置方法は特に図示しないが、接着剤や樹脂モールド化等により行うものとし、ここでは接着剤で貼付した例を示した。なお本実施の形態１に示した図では、Ｕ字形状の底部の両脇部分が直角形状に構成されているが、電流検知デバイス部６にＵ字部の両側から安定して逆方向の磁界が印加される構造であれば丸みを帯びた形状などでもよく、これに限るものではないが、安定して逆方向の磁界を印加するためにはＵ字形状が少なくとも電流検知デバイス部６の近傍において左右対称であることが望ましい。また、一次導体３の断面積は、印加する被測定電流値に応じて決定される。このような一次導体３は、例えば銅などの金属による直線状のバー形状からの曲げ加工、または板材からの打ち抜き加工等により作製される。一次導体３のＵ字部間隔についても、印加する被測定電流値、ひいては磁気抵抗効果素子１１に付与したい磁界の値に応じて決定される。
図１に示すように、破線で示したＵ字形状の一次導体３の対称軸、および電流検知デバイス部６の中心線９が略一致するように、センサ基板２上に電流検知デバイス部６は設置される。電流検知デバイス部６は、機械的な設置だけでなく、後述のセンサ回路部７と電気的に接続されるようにワイヤボンディングやバンプ等を用いて電気的にも接続される。電流検知デバイス部６の設置位置（特にＺ方向）は、磁気抵抗効果素子１１に付与したい磁界、つまりは被測定電流の大きさに応じて決定する。その決定された位置に応じて、センサ基板２の厚みを可変する等により設置位置を調整する。

図１または図２、図３に示すように、第１のバイアス磁界発生部４ａと第２のバイアス磁界発生部４ｂは、電流検知デバイス部６を挟むように配置する。本実施の形態において、設置した２つのバイアス磁界発生部４は、図４に示すように内部に同一のインダクタ１０を有する構造とし、電流を印加することでインダクタ１０の近傍に磁界が発生し、電流検知デバイス部６にバイアス磁界を付与することが可能となる。それぞれのバイアス磁界発生部４に発生する磁界は、例えば図２の破線で示す楕円状となり、本実施の形態では電流検知デバイス部６に＋Ｙ方向のバイアス磁界を付与する構成とする。バイアス磁界発生部４は、機械的な設置だけでなく、後述のセンサ回路部７と電気的に接続されるようにセンサ基板２上のランドと半田やバンプ等を用いて電気的にも接続される。さらに本実施の形態では、２つのバイアス磁界発生部４は中心線９に対して線対称に、かつ中心線９の１点を対称の中心とした点対称に設置され、電流検知デバイス部６は、後述の理由により、対称の中心から離れた位置に設置される。インダクタ１０の中心軸は中心線９と略平行であり、２つのバイアス磁界発生部４により生じるバイアス磁界は、２つのバイアス磁界発生部４に等しい電流を印加した場合は、磁気抵抗効果素子１１の長手方向、つまり感磁方向に対して直角方向に付与される。

ここよりバイアス磁界の方向調整について述べる。磁気抵抗効果素子１１の内部磁化方向が磁気抵抗効果素子１１の長手方向と一致し、かつ２つのバイアス磁界発生部４が磁気抵抗効果素子１１の長手方向にバイアス磁界を付与するように正確に設置された場合、２つのバイアス磁界発生部４には同一の電流を印加すればよい。しかしながら、磁気抵抗効果素子１１の内部磁化方向が磁気抵抗効果素子１１の長手方向と不一致、あるいは２つのバイアス磁界発生部４が磁気抵抗効果素子１１の長手方向にバイアス磁界を付与するように設置されない場合、バイアス磁界の方向を調整して内部磁化方向と一致させる必要がある。本実施の形態では、２つのバイアス磁界発生部４に異なる電流を印加することで、容易にバイアス磁界の方向を調整することが可能である。図５（ａ）に電流検知デバイス部６を対称の中心に設置した場合、図５（ｂ）に電流検知デバイス部６を対称の中心からずらして設置した場合のバイアス磁界方向の可変範囲を示す。どちらの図においても２つのバイアス磁界発生部４に印加する電流の可変量は等しいとする。図からわかるように、電流検知デバイス部６を対称の中心からずらして設置した場合のほうが、バイアス磁界方向の可変範囲が広くなる。よって本実施の形態では、バイアス磁界方向の可変範囲が広くとるために、電流検知デバイス部６を対称の中心からずらして設置した。なお、バイアス磁界方向の可変範囲が広くなることで、２つのバイアス磁界発生部４の設置精度がラフでよく、製造工程が簡略化され、低コスト化につながる効果を示す。本実施の形態では、２つのバイアス磁界発生部４は何れもインダクタにより構成したが、これに限るものではなく、例えばバイアス磁界発生部の一方を永久磁石として構成してもよく、１つのインダクタであってもバイアス磁界の方向を容易に可変できる効果は変わらない。ここでは、バイアス磁界の方向調整についてのみ述べたが、インダクタ１０への電流の印加量によってバイアス磁界の大きさを調整することも可能であるため、磁気抵抗効果素子の感度調整も容易に行うことができる。

図１および図２に示したが、センサ基板２上には、電流検知デバイス部６、バイアス磁界発生部４とともにセンサ回路部７を配置する。センサ回路部７は、電流検知デバイス部６の接続エリア１３ａ、１３ｂにブリッジ回路１５の電圧を供給すると共に、ブリッジ回路１５の出力電圧を適度な増幅を施して出力し、かつバイアス磁界発生部４へ電流を印加する。電流センサ１と外部の入出力端を電気的に接続するには、外部端子８を利用する。本実施の形態においては、絶縁を確保するために、センサ基板２の対向する２辺に分けて外部端子６と一次導体３の接続部を設置した例を示したが、これに限るものではなく、絶縁を確保できる範囲で他辺に移動しても構わない。

図１、および図４の断面図にて明らかなように、センサ基板２の内層には、導電性を有する電界シールド層５を設置する。電界シールド層５は、電流センサとしての性能を低下させるノイズとして、主に一次導体３に起因して磁気抵抗効果素子１１やセンサ回路部７へ印加される電界ノイズを、除去あるいは低減するためのもので、少なくとも磁気抵抗効果素子１１やセンサ回路部７と一次導体３の間に設置するのが望ましい。電界シールド層５の材料は、導電性を有すればよく、例えば銅、アルミニウム等が考えられ、センサ基板２に設けた電気的なグランドと接続される。
なお図９に示すように、最終的にセンサ回路部７等を調整した後は、耐環境性向上等のためから、ケースカバー１９をセンサ基板２の外部端子８と一次導体３（図には簡単のために省略）を除いた表面を覆うように設置するのが望ましい。ケースカバー１９は、金属板の加工や樹脂成形等により作製されるが、これらの作製方法に限るものではない。樹脂成形で作製した場合は、さらに導電性シールドをケースカバー１９の内壁等に設けるのが望ましい。ケースカバー１９の固定方法は特に図示しないが、ねじ止めや接着剤、又は凹凸部による嵌合等を利用する。

次に、電流センサ１の動作について、図３により説明する。
一次導体３に被測定電流を印加すると、図３の破線に示すように中心線に対称に左回転及び右回転の磁界が、印加される被測定電流の大きさに応じて発生する。その結果、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂと磁気抵抗素子１１ｃ、１１ｄとでは逆方向の磁界が加わる。磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄでは、共に磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃでは、逆に磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成されている。よって、一次導体３に流れる電流の増加に応じて磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄの抵抗値が増加すると共に、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃの抵抗値が減少し、一次導体３に流れる電流の減少に応じて磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｄの抵抗値が減少すると共に、磁気抵抗効果素子１１ｂ、１１ｃの抵抗値が増加する。このように、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１５の平衡が崩れ、これが電流検知デバイス部６のブリッジ回路１５の出力となる。

さらに、電流センサ１の動作について、補償導電線１７を有する場合について説明する。補償導電線１７を配置した電流検知デバイス部６とセンサ回路部７の概略構成を図８に示す。
一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１５の平衡が崩れる。このとき、センサ回路部７に設置された増幅回路部（例えばオペアンプ１８）では、電流検知デバイス部６の接続エリア１３ｃ、１３ｄから検出される出力電圧に基づいて、磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄ近傍に発生する磁界を打ち消すような電流（制御電流）を補償導電線１７に供給する。具体的には接続エリア１３ｃ、１３ｄの出力電圧が０になるように、制御電流の大きさを調整する。補償導電線１７は、その制御電流の大きさに応じて４つの磁気抵抗効果素子１１ａ〜１１ｄ近傍に発生する磁界、すなわち一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じた磁界を相殺するような磁界を発生する。
したがって、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じたブリッジ回路１５の平衡の崩れを、センサ回路部７から供給される制御電流により修復することができる。ゆえに、センサ回路部７から供給した制御電流の大きさが、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに相関のある値として検出することができる。
なお、一次導体３以外において発生した外部磁界（外乱磁界）は、磁気抵抗効果素子１１ａ、１１ｂと磁気抵抗効果素子１１ｃ、１１ｄ（ブリッジ回路１５の左右の各ハーフブリッジ回路１６）に同相の影響となるため相殺され、測定精度に影響を与えない。

以上のように、この実施の形態１によれば、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去することができ、１つの設置基板上に全ての磁気抵抗効果素子を構成したため、製造工程の簡略化ならびに低コスト化の効果がある。

また、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加し、磁気抵抗効果素子の内部磁化方向を容易軸方向に維持する構成のため、バルクハウゼンジャンプやヒステリシス等を抑制するため、電流測定の精度向上の効果がある。

また、２つのバイアス磁界発生部を有し、電流検知デバイス部は２つのバイアス磁界発生部によって挟まれた領域内に設置し、２つのバイアス磁界発生部はインダクタにて構成するため、インダクタに印加する電流を可変することで磁気抵抗効果素子に印加するバイアス磁界の、磁気抵抗効果素子の面内における方向を容易に可変できるため、磁気抵抗効果素子の内部磁化方向とバイアス磁界発生部により発生したバイアス磁界方向を容易に精度良く一致することができ、正負の磁界検出が対称性良く、電流測定の精度向上の効果がある。

また、２つのバイアス磁界発生部と電流検知デバイス部の設置位置構成を、バイアス磁界方向の可変範囲が広くなるようにしたことで、２つのバイアス磁界発生部の設置精度がラフでよく、製造工程が簡略化され、低コスト化につながる効果がある。

さらにまた、導電性を有するシールド層を、電流検知デバイス部ならびにセンサ回路部を含むセンサ基板の内層に設置したため、一次導体や外部からの電界ノイズを除去あるいは低減でき、測定精度を向上する効果がある。

実施の形態２．
図１０は、この発明の実施の形態２による電流センサの平面図、図１１は実施の形態１（図１１（ａ））と、この発明の実施の形態２（図１１（ｂ））のそれぞれのバイアス磁界方向の可変範囲を示すものである。図において、電流センサ１は実施の形態１と同様に、一次導体３、バイアス磁界発生部４、電流検知デバイス部６、センサ回路部７を有するセンサ基板２により構成される。
本実施の形態２では、図１０に示すように、第１のバイアス磁界発生部４ａと第２のバイアス磁界発生部４ｂは、電流検知デバイス部６を挟むように配置し、さらに本実施の形態では、２つのバイアス磁界発生部４は中心線９の１点を対称の中心とした点対称に設置する。本実施の形態においても、設置した２つのバイアス磁界発生部４は、図４に示すように内部に同一のインダクタ１０を有する構造とし、電流を印加することでインダクタ１０の近傍に磁界が発生し、電流検知デバイス部６にバイアス磁界を付与する構成とする。また、電流検知デバイス部６は対称の中心から離れた位置に設置する。
実施の形態２は、２つのバイアス磁界発生部４が中心線９の１点を対称の中心とした点対称に設置された構成であり、その他の構成や動作で重複する部分は省略する。

実施の形態１では、２つのバイアス磁界発生部４は中心線９に対して線対称に、かつ中心線９の１点を対称の中心とした点対称に設置され、電流検知デバイス部６は、対称の中心から離れた位置に設置された。実施の形態１の構成により、図１１（ａ）に示すように、バイアス磁界方向の可変範囲を広げる効果があった。本実施の形態２では、２つのバイアス磁界発生部４は中心線９の１点を対称の中心とした点対称に設置したものであり、それぞれのバイアス磁界発生部４に発生する磁界は、例えば図１０の破線で示す楕円状となり、本実施の形態では電流検知デバイス部６に＋Ｙ方向のバイアス磁界を付与する構成となる。本実施の形態２の構成では、図１１（ｂ）に示すように、さらにバイアス磁界方向の可変範囲を広げる効果を有している。よって２つのバイアス磁界発生部の設置精度がさらにラフでよく、製造工程が簡略化され、さらに低コスト化につながる効果がある。なお図１０のＡＡ’断面（ＸＺ面）を示す断面図は図３と同様のため省略した。また、本実施の形態では、２つのバイアス磁界発生部４は何れもインダクタにより構成したが、これに限るものではなく、例えばバイアス磁界発生部の一方を永久磁石として構成してもよく、１つのインダクタであってもバイアス磁界の方向を容易に可変できる効果は変わらない。

以上のように、この実施の形態２によれば、２つのバイアス磁界発生部と電流検知デバイス部の設置位置構成を、バイアス磁界方向の可変範囲がさらに広くなるようにしたことで、２つのバイアス磁界発生部の設置精度がさらにラフでよく、製造工程が簡略化され、さらに低コスト化につながる効果がある。

実施の形態３．
図１２は、この発明の実施の形態３による電流センサの平面図を示すものである。図において、電流センサ１は、一次導体３、バイアス磁界発生部４、電流検知デバイス部６、センサ回路部７、磁性体２０を有するセンサ基板２により構成される。
本実施の形態３では、図１２に示すように、第１のバイアス磁界発生部４ａと第２のバイアス磁界発生部４ｂ、第３のバイアス磁界発生部４ｃは、電流検知デバイス部６を挟むように配置し、１つのバイアス磁界発生部４ａを電流検知デバイス部６の一方の側に、２つのバイアス磁界発生部４ｂ、４ｃを電流検知デバイス部６の他方の側に設置する。本実施の形態においては、設置した第１および第２の２つのバイアス磁界発生部４ａ、４ｂを永久磁石とし、第３のバイアス磁界発生部４ｃを図４に示すように内部にインダクタ１０を有する構造とする。 また、バイアス磁界発生部４ならびに電流検知デバイス部６の近傍、かつセンサ基板２上に、磁性体２０を付加した構造とする。
実施の形態３は、電流検知デバイス部６を挟むように、３つのバイアス磁界発生部４を配置し、そのうち２つのバイアス磁界発生部４を永久磁石、１つのバイアス磁界発生部をインダクタとし、さらに磁性体２０を付加したものであり、その他の構成や動作で重複する部分は省略し、図１２のＡＡ’断面（ＸＺ面）を示す断面図についても図３と同様のため省略した。

実施の形態３におけるバイアス磁界の付与構成について説明する。第１のバイアス磁界発生部４ａおよび第２のバイアス磁界発生部４ｂは永久磁石であり、例えば図１２の破線で示す楕円状の磁界を発生する。第３のバイアス磁界発生部４ｃはインダクタであり、電流を印加することでインダクタ１０の近傍に磁界が発生し、図１２の一点鎖線で示す楕円状の磁界を発生する。本実施の形態では、電流検知デバイス部６には、これらの磁界を合成した磁界がバイアス磁界として＋Ｙ方向に付与される構成となる。また、第１のバイアス磁界発生部４ａおよび第２のバイアス磁界発生部４ｂにより発生する磁界は、永久磁石を用いたことで固定値であり、第３のバイアス磁界発生部４ｃにより発生する磁界は可変値であることから、本実施の形態におけるバイアス磁界の方向調整は、第３のバイアス磁界発生部４ｃを用いて行う。用いる永久磁石の種類や大きさにもよるが、ある程度の固定された磁界（例えば３ｍＴ程度）を付与した上で可変磁界を加える構成のため、可変磁界は他の実施の形態に比べて小さい値でよく、インダクタへの印加電流の低減、つまり電流センサとして低消費となる効果を示す。本実施の形態では、３つのバイアス磁界発生部４を用いて、そのうち１つをインダクタにより構成したが、これに限るものではなく、可変できるバイアス磁界発生部４を含む構成であれば組合せは問わず、１つ以上のインダクタであってもバイアス磁界の方向を容易に可変できる効果は変わらない。ただし低消費化には、インダクタが少ない方が望ましい。
また、本実施の形態では、磁性体２０をバイアス磁界発生部４に挟まれた領域のセンサ基板２上に付加している。磁性体２０としては、透磁率の高い材料が望ましく、パーマロイ、コバルト系アモルファス合金などがあるが、これらに限るものではない。磁性体２０は集磁効果を有するため、バイアス磁界発生部４で発生した磁界を効率よく、電流検知デバイス部６に付与することが可能となる。本実施の形態においては、磁性体２０を電流検知デバイス部６の上側１箇所に設置した例を示したが、電流検知デバイス部６の下側に設置してもよく、あるいは複数個設置してもよい。設置場所も中心線９上に限ったものではなく、可変する第３のバイアス磁界発生部４ｃにより発生する磁界の効率を上げるのであれば、第３のバイアス磁界発生部４ｃ拠りに設置しても構わない。

以上のように、この実施の形態３によれば、電流検知デバイス部６を挟むように、３つのバイアス磁界発生部４を配置し、そのうち２つのバイアス磁界発生部を永久磁石、１つのバイアス磁界発生部をインダクタとした構造のため、インダクタへの印加電流の低減、つまり電流センサとして低消費化の効果がある。

また、磁性体２０をバイアス磁界発生部４に挟まれた領域のセンサ基板２上に付加した構成のため、電流検知デバイス部６に付与するバイアス磁界の効率を向上する効果があり、ひいてはインダクタへの印加電流の低減、つまり電流センサとして低消費化の効果も有する。

この発明の実施形態１による電流センサの斜視図である。 この発明の実施形態１による電流センサの平面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの断面図である。 この発明の実施形態１によるバイアス磁界発生部の斜視透視図である。 この発明の実施形態１によるバイアス磁界方向の可変範囲を示す図である。 この発明の実施形態１による電流センサの電流検知デバイス部を示す平面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの電流検知デバイス部を示す構成概略図である。 この発明の実施形態１による電流センサの補償導電線を配置した構成図である。 この発明の実施形態１による電流センサにカバーを付与した斜視図である。 この発明の実施形態２による電流センサの平面図である。 この発明の実施形態２によるバイアス磁界方向の可変範囲を示す図である。 この発明の実施形態３による電流センサの平面図である。

１ 電流センサ、２ センサ基板、３ 一次導体、４ バイアス磁界発生部、５ シールド層、６ 電流検知デバイス部、７ センサ回路部、８ 外部端子、９ 中心線、１０ インダクタ、１１ 磁気抵抗効果素子、１２ 接続電流線、１３ 接続エリア、１４ 設置基板、１５ ブリッジ回路、１６ ハーフブリッジ回路、１７ 補償導電線、１８ オペアンプ、１９ ケースカバー、２０ 磁性体

Claims (7)

1. 設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第１および第４の磁気抵抗効果素子と、
   前記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第２および第３の磁気抵抗効果素子と、
   前記設置基板上に配置され、前記第１から第４の磁気抵抗効果素子を接続することにより、前記第１および第２の磁気抵抗効果素子による第１のハーフブリッジ回路、および前記第３および第４の磁気抵抗効果素子による第２のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線とを備え、前記設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に前記第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に前記第２のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイス部と、少なくとも１つのＵ字型形状を有する一次導体と、少なくとも２つのバイアス磁界発生部を備え、前記バイアス磁界発生部の少なくとも１つが、発生する磁界強度を変化させる機能を有し、前記電流検知デバイス部は複数の前記バイアス磁界発生部によって挟まれた領域内に、かつ前記電流検知デバイス部の前記設置基板の中心線と前記一次導体のＵ字型形状の対称軸が略一致するように設置したことを特徴とする電流センサ。
2. 少なくとも１つの前記電流検知デバイス部は、センサ回路部、第１のバイアス磁界発生部、第２のバイアス磁界発生部、前記一次導体とともにセンサ基板に設置され、第１のバイアス磁界発生部と第２のバイアス磁界発生部は前記中心線に対し線対称に固定したことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
3. 少なくとも１つの前記電流検知デバイス部は、センサ回路部、第１のバイアス磁界発生部、第２のバイアス磁界発生部、前記一次導体とともにセンサ基板に設置され、第１のバイアス磁界発生部と第２のバイアス磁界発生部は前記中心線上の１点を対称の中心とした点対称に固定したことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
4. 少なくとも１つの前記バイアス磁界発生部は、インダクタであることを特徴とする請求項１〜３に記載の電流センサ。
5. 少なくとも１つの前記バイアス磁界発生部はインダクタであり、前記インダクタの中心軸の方向と前記磁気抵抗効果素子の長手方向が略一致することを特徴とする請求項４に記載の電流センサ。
6. 複数の前記バイアス磁界発生部によって挟まれた領域を含む、前記バイアス磁界発生部近傍に、少なくとも１つの磁性材を付加したことを特徴とする請求項１〜３に記載の電流センサ。
7. 上記センサ基板の少なくとも１つの内層面に導電性を有するシールド層を設置したことを特徴とする請求項２〜６に記載の電流センサ。

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