JP2008216230A - 電流センサ - Google Patents

Abstract

【課題】 従来の一次導体がＵ字型構造の電流センサでは、ブリッジ回路の左右の各ハーフブリッジ回路に逆方向磁界が印加され、一様な外部磁界を除去する利点があるが、大電流測定には寸法が大型化する問題点があった。また、従来の一次導体が分流構造の電流センサでは、小型でしかも幅広い測定レンジを精度良く計測することが困難であるなどの問題点があった。
【解決手段】 スリット部を有する一次導体をＵ字型形状に構成したため、一次導体を含めた電流センサの構造を小型化でき、かつ低コストで幅広い測定レンジを精度良く計測するのが容易にできる。
【選択図】図１

Description

この発明は、被測定電流が印加される一次導体の分流部において、被測定電流を測定する電流センサに関するものである。

従来の電流センサとして、４つの磁気抵抗効果素子からなるブリッジ回路にＵ字型の一次導体を配置したものがある（例えば、特許文献１または２参照）。
従来の分流した被測定電流線に流れる電流を測定するものとしては、一次導体の中央部分に小窓や、斜めにスリットを入れ、空間部に電流を検出する素子を設置したものがある（例えば、特許文献３参照）。

特開平８−２１１１３８公報 特表２００６−５１４２８３公報 特表２００２−５２３７５１公報

上記特許文献１または２に開示されている電流センサの一次導体は左右対称的なＵ字型構造で、ブリッジ回路の左右の各ハーフブリッジに逆方向磁界が印加され、一様な外部磁界を除去する利点がある。しかしながら、小容量の測定ではプリント基板のような絶縁体に一次導体を設置した構成でよいが、小容量と同一の磁気抵抗効果素子（同一のブリッジ回路）を用いて大電流を測定する場合、小容量の場合と同程度の磁束密度を磁気抵抗効果素子に印加する必要があるため、Ｕ字型構造の左右の導体を離間するとともに、一次導体から磁気抵抗効果素子を離して設置しなければならず、一次導体を含めた電流センサとしての寸法が大型化するという問題点があった。
大電流の測定には、上記特許文献３に開示されている一次導体の分流部における測定が有効であり、一次導体の中央部分に小窓や、斜めにスリットを入れ、空間部に電流を検出する素子を設置した例が示される。分流により測定する磁束密度が低減されるとともに、ブリッジ回路の左右の各ハーフブリッジに逆方向磁界が印加され一様な外部磁界を除去する利点がある。しかしながら、低コスト化のために同じ特性の磁気抵抗効果素子を用いて幅広い測定レンジを実現するためには、分流した一次導体から離して複数の磁気抵抗効果素子を設置しなければならず、電流センサとしての寸法が大型化するという問題点があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、一様な外部磁界を除去すると共に、大電流の測定が可能な、小型かつ測定レンジを拡大した電流センサを得ることを目的とする。

この発明に係る電流センサは、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイスと、少なくとも１つのスリット部を有し、上記スリット部を含めた部分がＵ字型形状を形成する一次導体で構成され、上記電流検知デバイスが上記スリット部、Ｕ字型形状を形成した上記一次導体の上部、およびＵ字型形状を形成した上記一次導体の下部の３箇所の内少なくとも１箇所に配置されるようにしたものである。

以上のように、この発明によれば、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去すると共に、一次導体を分流構造としたため、小型で大電流の測定が可能となる。また、一次導体の近傍に異なる磁束密度が生じる構造のため、同じ特性の電流検知デバイスを複数個設置して、小型で、かつ測定レンジを拡大できる効果がある。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電流センサの斜視図を示すもので、図２は図１の平面図、図３は図１または図２におけるＡＡ断面（ＸＺ面）の一部を示す断面図である。図において、電流センサ１は、電流検知デバイス部８、センサ回路部９を有するセンサ基板２と、一次導体３により構成される。
本実施の形態１では、一次導体３はスリット部４により第１の分流導体５と第２の分流導体６に分割され、スリット部４および第１、第２の分流導体５、６を含む一次導体３はＵ字形状部７を形成する。
まず、電流検知デバイス部８の構成について説明する。
図４は電流検知デバイス部８の平面図を示すもので、設置基板１５上において、設置基板１５の中心線１１によって２つの領域に分けられ、それぞれの領域に磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂ、磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄが線対称に等しく配置される。４つの磁気抵抗効果素子１２ａ〜１２ｄは、設置基板１５の中心線１１に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有するように、図には省略したが、磁気抵抗効果素子上にはバーバーポール電極構造が形成されている。なお、４つの磁気抵抗効果素子１２はそれぞれ１本で構成したが、クランク形状に複数の磁気抵抗効果素子を接続し、線路長を長く構成してもよい。また、中心線１１上の中心点に対して点対称に構成してもよい。接続電流線１３は、４つの磁気抵抗効果素子１２間を接続することにより、ブリッジ回路１６を構成するものであり、接続エリア１４は、外部とブリッジ回路１６の入出力用の端子部として用いる。

図５はこの発明の実施の形態１による電流センサ１の電流検知デバイス８を示す構成概略図であり、図５において、４つの磁気抵抗効果素子１２間を接続電流線１３で接続することにより、磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂの直列接続からなるハーフブリッジ回路（第１のハーフブリッジ回路）１７ａ、磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄの直列接続からなるハーフブリッジ回路（第２のハーフブリッジ回路）１７ｂの並列接続からなるブリッジ回路１６を構成するものである。
接続エリア（第１の接続エリア）１４ａは、ブリッジ回路１６の磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｃ間の接続電流線１３に接続され、もう一方の接続エリア（第２の接続エリア）１４ｂは、ブリッジ回路１６の磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｄ間の接続電流線１３に接続されており、接続エリア１４ａ、１４ｂからブリッジ回路１６に電圧が供給されるものである。接続エリア（第３の接続エリア）１４ｃは、ブリッジ回路１６の磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂ間の接続電流線１３に接続され、もう一方の接続エリア（第４の接続エリア）１４ｄは、ブリッジ回路１６の磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄ間の接続電流線２に接続されており、接続エリア１４ｃ、１４ｄからブリッジ回路１６の出力電圧が検出されるものである。

なお、図４および図５には示していないが、設置基板１５上の４つの磁気抵抗効果素子１２ａ〜１２ｄの上方、または下方、またはその両方に絶縁層を介して補償導電線１８を配置し、ブリッジ回路１６の出力電圧に基づいて、それらの補償導電線１８に４つの磁気抵抗効果素子１２の近傍に発生する磁界を打ち消すような電流を供給する磁気補償型の構成としてもよい。

次に、電流センサ１の全体構成について説明する。
図１に示すように、被測定電流を印加する一次導体３は、長手方向に沿った１つの空隙部であるスリット部４を有し、スリット部４によって一次導体３は第１の分流導体５と第２の分流導体６の２本の分流導体に分割される。被測定電流が分流して印加される第１、第２の分流導体５，６に、それぞれ安定して長手方向に均一な磁界分布を発生させるためには、一次導体３の長手方向に平行にスリット部４が形成されることが望ましい。このスリット部４は、電流検知デバイス部８、センサ回路部９を有するセンサ基板２が少なくとも挿入され得る幅にて形成され、スリット部４および第１、第２の分流導体５、６が形成された一次導体３の一部には、Ｚ方向から見てＵ字の形状となるようにＵ字形状部７が形成される。なお本実施の形態１に示した図では、Ｕ字形状の底部の両脇部分が直角形状に構成されているが、電流検知デバイス部８に両側の分流導体から安定して逆方向の磁界が印加される構造であれば丸みを帯びた形状などでもよく、これに限るものではないが、安定して逆方向の磁界を印加するためにはＵ字形状が少なくとも電流検知デバイス部８の近傍において左右対称であることが望ましい。
図２に示すように、Ｕ字形状部７の対称軸、および電流検知デバイス部８の中心線１１が略一致するようにセンサ基板２はスリット部４に設置されている。また、各分流導体の断面積は、印加する被測定電流値に応じて決定され、分流比に応じて分割される。分流比、電流検知デバイス部８の設置位置（特にＺ方向）、スリット部４の幅等のパラメータは、磁気抵抗効果素子１２に付与したい磁界に応じて決定するが、一次導体３を非対称形に分割した場合、スリット部４の幅方向における電流検知デバイス部８の設置位置は、例えば中央であっても構わない。
一方、一次導体３を対称形に分割した場合、スリット部４の幅方向（Ｚ方向）における電流検知デバイス部８の設置位置は、中央からずらすのがよい。なお、このような一次導体３は、例えば銅などの金属による直線状導体バー形状から、スリット部４の打ち抜き加工とＵ字形状部７の曲げ加工等により作製される。
センサ基板２上には、電流検知デバイス部８とともにセンサ回路部９を配置する。センサ回路部９は、電流検知デバイス部８の接続エリア１４ａ、１４ｂにブリッジ回路１６の電圧を供給すると共に、ブリッジ回路１６の出力電圧を適度な増幅を施して出力するが、電流センサ１の外部への入出力には、外部端子１０を利用する。
センサ基板２と１次導体３は特に図示しないが、接着剤や取付部材等を用いて固定する。取付部材は特に材料を限定しないが、非磁性で経時劣化の少ないものが望ましく、絶縁性や耐圧の効果を上げるために全体、あるいは一部を樹脂モールドしてもよい。

次に、電流センサ１の動作について、図３により説明する。
一次導体３に被測定電流を印加すると、例えば第１の分流導体５ａ、および第２の分流導体６ａには共に電流の方向に対して図３の破線に示すように左回転の磁界が、また第１の分流導体５ｂ、および第２の分流導体６ｂには共に電流の方向に対して図３の破線に示すように右回転の磁界が、印加される被測定電流の大きさに応じて発生する。その結果、電流検知デバイス部８をスリット部４のＺ方向の中央近傍に設置した場合、電流検知デバイス部８のＸＹ面における、図４に示した磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂには、中心線１１より紙面左側の向きに磁界が加わり、磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄには、中心線１１より紙面右側の向きに磁界が加わる。
この場合、図３に示すように電流検知デバイス部８の位置では、第１の分流導体５と第２の分流導体６に発生した磁界の方向が逆方向となるため、一部キャンセルされ、より低められた磁界がそれぞれの磁気抵抗効果素子１２に印加されることになる。そのため、被測定電流が大電流であっても磁気抵抗効果素子１２に印加される磁界が抑制され、出力の飽和などを気にすることなく、かつ電流センサとしての外形す法を大型化することなく、大電流の計測が容易に行える。
なお、磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄでは、共に磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃでは、逆に磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成されている。
よって、一次導体３に流れる電流の増加に応じて磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄの抵抗値が増加すると共に、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃの抵抗値が減少し、一次導体３に流れる電流の減少に応じて磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄの抵抗値が減少すると共に、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃの抵抗値が増加する。このように、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１６の平衡が崩れ、これが電流検知デバイス部８のブリッジ回路１６の出力となる。

さらに、電流センサ１の動作について、補償導電線１８を有する場合について説明する。補償導電線１８を配置した電流検知デバイス部８とセンサ回路部９の概略構成を図６に示す。なお一次導体３は実際には分流し、電流検知デバイス部８の設置部分を通過するが、簡単のために図６では分流を示さず一本で示した。
一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１６の平衡が崩れる。このとき、センサ回路部９に設置された増幅回路部（例えばオペアンプ１９）では、電流検知デバイス部８の接続エリア１４ｃ、１４ｄから検出される出力電圧に基づいて、磁気抵抗効果素子１２ａ〜１２ｄ近傍に発生する磁界を打ち消すような電流（制御電流）を補償導電線１８に供給する。具体的には接続エリア１４ｃ、１４ｄの出力電圧が０になるように、制御電流の大きさを調整する。補償導電線１８は、その制御電流の大きさに応じて４つの磁気抵抗効果素子１２ａ〜１２ｄ近傍に発生する磁界、すなわち一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じた磁界を相殺するような磁界を発生する。
したがって、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じたブリッジ回路１６の平衡の崩れを、センサ回路部９から供給される制御電流により修復することができる。ゆえに、センサ回路部９から供給した制御電流の大きさが、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに相関のある値として検出することができる。
なお、一次導体３以外において発生さした外部磁界（外乱磁界）は、磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂと磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄ（ブリッジ回路１６の左右の各ハーフブリッジ回路１７）に同相の影響となるため相殺され、測定精度に影響を与えない。
また、本実施の形態１では、スリット部４を１つだけ設置して一次導体３を２本の分流導体に分割した例を示したが、図７に示すようにさらに複数となる第１のスリット部２１、第２のスリット部２２を設置して、複数本（ここでは３本）の分流導体（第１の分流導体５、第２の分流導体６、第３の分流導体２０）構造とし、磁気抵抗効果素子１２に付与する磁界を調整しても構わない。

以上のように、この実施の形態１によれば、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去することができる。

また、一次導体を分流構造とし、かつ磁気抵抗効果素子への印加磁界を抑制する構成としたため、大電流の測定が容易に可能となり、さらに分流導体間のスリット部にセンサ基板を設置したため、一次導体を含めた電流センサの構造が小型となる効果がある。

実施の形態２．
図８は、この発明の実施の形態２による電流センサの斜視図を示すもので、図９は図８におけるＡＡ断面（ＸＺ面）の一部を示す断面図である。図において、電流センサ１は、第１の電流検知デバイス部２５、第１のセンサ回路部２７を有する第１のセンサ基板２３と、第２の電流検知デバイス部２６、第２のセンサ回路部２８を有する第２のセンサ基板２４と一次導体３により構成される。本実施の形態２では、一次導体３はスリット部４により第１の分流導体５と第２の分流導体６に分割され、スリット部４および第１、第２の分流導体を含む一次導体３はＵ字形状部７を形成するとともに、第１、および第２のセンサ基板２３、２４の複数の基板を、スリット部４と第２の分流導体６の下面に設置したものである。
実施の形態２は、実施の形態１に新たにセンサ基板を付加した構成であり、その他の構成で重複する部分は省略する。実施の形態２は、一次導体３の分流部近傍において、印加した被測定電流に応じて発生する磁界を２箇所で計測するようにしたものである。

実施の形態２における電流センサ１の全体構成について説明する。
Ｕ字形状部７の対称軸、および第１の電流検知デバイス部２５の中心線１１が略一致するように第１のセンサ基板２３はスリット部４に設置され、かつＵ字形状部７の対称軸、および第２の電流検知デバイス部２６の中心線１１が略一致するように第２のセンサ基板２４は第２の分流導体６の下面に設置される。各分流導体の断面積は、印加する被測定電流値に応じて決定され、分流比に応じて分割される。分流比、２つの電流検知デバイス部２５、２６の設置位置（特に２方向）、スリット部４の幅等のパラメータは、磁気抵抗効果素子１２に付与したい磁界に応じて決定する。
第１のセンサ基板２３上には第１の電流検知デバイス部２５とともに第１のセンサ回路部２７を、第２のセンサ基板２４上には第２の電流検知デバイス部２６とともに第２のセンサ回路部２８を配置する。各電流検知デバイス部における磁気抵抗効果素子等の構成は実施の形態１に示した電流検知デバイス部８と同一構成とし、重複を避けるため記述しない。
それぞれのセンサ回路部は、それぞれの電流検知デバイス部の接続エリア１４ａ、１４ｂにブリッジ回路１６の電圧を供給すると共に、ブリッジ回路１６の出力電圧を適度な増幅を施して出力するが、異なる部分の磁界を計測するため、増幅率等の各センサ回路部の構成は異なる場合がある。
なお、本実施の形態においては、第２のセンサ基板２４を第２の分流導体６の下面に設置した例を示したが、第１の分流導体５の上面に設置してもよく、あるいは１つに限ったものではなく上下面にさらに複数個設置してもよい。

次に、実施の形態２における電流センサ１の動作について、図９により説明する。
一次導体３に被測定電流を印加すると、例えば第１の分流導体５ａ、および第２の分流導体６ａには共に電流の方向に対して図９の破線に示すように左回転の磁界が、第１の分流導体５ｂ、および第２の分流導体６ｂには共に電流の方向に対して図９の破線に示すように右回転の磁界が、印加される被測定電流の大きさに応じて発生する。その結果、電流検知デバイス部２５をスリット部４のＺ方向の中央近傍に設置した場合、電流検知デバイス部２５のＸＹ面における、図４に示した磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂには、中心線１１より紙面左側の向きに磁界が加わり、また、磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄには、中心線１１より紙面右側の向きに磁界が加わる。電流検知デバイス部２５の位置では、第１の分流導体５と第２の分流導体６に発生する磁界の方向が逆方向となるため一部キャンセルされ、より低められた磁界がそれぞれの磁気抵抗効果素子１２に印加されることになる。
電流検知デバイス部２６を第２の分流導体６の下面に設置した場合、電流検知デバイス部２６のＸＹ面における、図４に示した磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｂには、中心線１１より紙面左側の向きに磁界が加わり、また、磁気抵抗効果素子１２ｃ、１２ｄには、中心線１１より紙面右側の向きに磁界が加わる。電流検知デバイス部２６の位置では、第１の分流導体５と第２の分流導体６に発生する磁界の方向が同方向となるため、キャンセルされることなく、合成された磁界がそれぞれの磁気抵抗効果素子１２に印加されることになる。
つまり、電流検知デバイス部２５の位置では、被測定電流が大電流であっても磁気抵抗効果素子１２に印加される磁界が抑制され、出力の飽和などを気にすることなく、かつ電流センサとしての外形寸法を大型化することなく、大電流の計測が容易に行え、電流検知デバイス部２６の位置では、被測定電流が小容量の電流であっても磁気抵抗効果素子１２に印加される磁界は合成され、出力の低下によるＳ／Ｎの悪化などを気にすることなく、小容量の電流の計測が容易に行える。
例えば、各電流検知デバイス部２５、２６のハーフブリッジ部分（例えば１７ｂ）に被測定電流値に対して付与される磁界は、図１０のように示され、小容量の電流の計測時は電流検知デバイス部２６、大電流の測定時は電流検知デバイス部２５を利用するように構成すれば、各センサ回路部の増幅率等の若干の調整で、同じ特性の電流検知デバイス部を用いて、図１１に示すように測定レンジの拡大した精度の良い電流センサを構築することが可能となる。

なお、実施の形態１と同様に、磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄでは、共に磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃでは、逆に磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成されているため、一次導体３に流れる電流の増加に応じて磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄの抵抗値が増加すると共に、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃの抵抗値が減少し、一次導体３に流れる電流の減少に応じて磁気抵抗効果素子１２ａ、１２ｄの抵抗値が減少すると共に、磁気抵抗効果素子１２ｂ、１２ｃの抵抗値が増加する。このように、一次導体３に印加される被測定電流の大きさに応じてブリッジ回路１６の平衡が崩れ、これが各電流検知デバイス部２５、２６のブリッジ回路１６の出力となる。

以上のように、この実施の形態２によれば、設置基板上に４つの磁気抵抗効果素子で、設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に第２のハーフブリッジ回路が配置され、それぞれのハーフブリッジ回路に逆方向の磁界が印加される構造のため、一様な外部磁界を除去することができる。

一次導体を分流構造としたため、小型で大電流の測定が可能となる。また、一次導体の分流部の近傍に異なる磁束密度が生じる構造のため、同じ特性の電流検知デバイス部を複数個設置して、小型で、かつ測定レンジを精度良く拡大できる効果がある。さらにまた、同じ特性の電流検知デバイス部が利用できるため、複数の異なる特性の電流検知デバイス部を用意する必要がなく、低コスト化となる効果がある。

この発明の実施形態１による電流センサの斜視図である。 この発明の実施形態１による電流センサの平面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの断面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの電流検知デバイス部を示す平面図である。 この発明の実施形態１による電流センサの電流検知デバイス部を示す構成概略図である。 この発明の実施形態１による補償導電線を配置した構成図である この発明の実施形態１による別の一次導体の斜視図である。 この発明の実施形態２による電流センサの斜視図である。 この発明の実施形態２による電流センサの断面図である。 この発明の実施形態２による電流センサの電流検知デバイス部の一部における被測定電流値−磁界関係図である。 この発明の実施形態２による電流センサの被測定電流値−センサ出力関係図である。

符号の説明

１ 電流センサ、２ センサ基板、３ 一次導体、４ スリット部、５ 第１の分流導体、６ 第２の分流導体、７ Ｕ字形状部、８ 電流検知デバイス部、９ センサ回路部、１０ 外部端子、１１ 中心線、１２ 磁気抵抗効果素子、１３ 接続電流線、１４ 接続エリア、１５ 設置基板、１６ ブリッジ回路、１７ ハーフブリッジ回路、１８ 補償導電線、１９ オペアンプ、２０ 第３の分流導体、２１ 第１のスリット部、２２ 第２のスリット部、２３ 第１のセンサ基板、２４ 第２のセンサ基板、２５ 第１の電流検知デバイス部、２６ 第２の電流検知デバイス部、２７ 第１のセンサ回路部、２８ 第２のセンサ回路部

Claims (4)

1. 設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第１および第４の磁気抵抗効果素子と、
   上記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第２および第３の磁気抵抗効果素子と、
   上記設置基板上に配置され、上記第１から第４の磁気抵抗効果素子を接続することにより、上記第１および第２の磁気抵抗効果素子による第１のハーフブリッジ回路、および上記第３および第４の磁気抵抗効果素子による第２のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線とを備え、
   上記設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に上記第１のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に上記第２のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイスと、
   少なくとも１つのスリット部を有する一次導体を備え、
   上記スリット部を含めた上記一次導体の少なくとも一部分がＵ字型形状を形成すると共に、Ｕ字型形状を形成した上記スリット部、およびＵ字型形状を形成した上記一次導体の上部、およびＵ字型形状を形成した上記一次導体の下部の３箇所の内少なくとも一箇所に、上記設置基板の中心線とＵ字型形状の対称軸が略一致するように上記電流検知デバイスが配置されたことを特徴とする電流センサ。
2. 一次導体に設けた上記スリット部は、一次導体の長手方向に形成されると共に、上記スリット部により一次導体を対称に分割することを特徴とする請求項１記載の電流センサ。
3. 一次導体に設けた上記スリット部は、一次導体の長手方向に形成されると共に、上記スリット部により一次導体を非対称に分割することを特徴とする請求項１記載の電流センサ。
4. 上記電流検知デバイスはセンサ回路部とともにセンサ基板に設置され、上記センサ基板はＵ字型形状を成す上記スリット部、およびＵ字型形状を形成した上記一次導体の上部、およびＵ字型形状を形成した上記一次導体の下部の３箇所の内少なくとも一箇所に、上記設置基板の中心線とＵ字型形状の対称軸が略一致するように配置されたことを特徴とする請求項２または３に記載の電流センサ。

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