JP2013123002A - 積層シート、及び、積層シートを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基材上に粘着剤層が形成された構成を有するバックグラインドテープと、バックグラインドテープの粘着剤層上に設けられた樹脂組成物層とを有する積層シートであって、粘着剤層の引張弾性率が23℃において、0.1〜5.0MPaであり、粘着剤層と樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1〜5N/20mmである積層シート。
【選択図】 図1
Description
(1) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
(2) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、放射線照射後の前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
(3) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、粘着テープの張り付け後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
(4) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、放射線照射後の前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、粘着テープの張り付け後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
積層シート10は、基材12上に粘着剤層14が形成された構成を有するバックグラインドテープ11と、バックグラインドテープ11の粘着剤層14上に設けられた樹脂組成物層16とを有する。
(1) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
(2) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、放射線照射後の前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
(3) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、粘着テープの張り付け後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
(4) 前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、ダイシング後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、放射線照射後の前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、粘着テープの張り付け後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、及び、前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程を具備する半導体装置の製造方法。
基材12は、積層シート10の強度母体となるものである。基材12の材質としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属(箔)、紙等が挙げられる。
粘着剤層14は、紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、例えば、粘着剤層14における樹脂組成物層を貼り付ける部分に対応する部分に放射線照射することにより他の部分との粘着力の差を設けることができる。
また、上記(2)〜(4)のいずれかの半導体装置の製造方法に使用される場合、放射線硬化前の粘着剤層14と樹脂組成物層16とのT剥離強度は、23℃、300mm/分の条件で、0.1〜20N/20mmであり、0.3〜5.0N/20mmであることが好ましく、0.5〜5.0N/20mmであることがより好ましい。放射線硬化前の粘着剤層14と樹脂組成物層16とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1N/20mm以上であるため、ダイシング時のバックグラインドテープ11の飛びを抑制することができる。
樹脂組成物層16は、半導体装置の製造の際に、ウェハ回路面に配置され、回路面に対する封止樹脂としての機能を有する。また、樹脂組成物層16は、ウェハ研削時にはウェハを保持・固定するために用いられる。樹脂組成物層16は、チップ搭載時にはチップ搭載用基板との空間の充填及び相互の固着に用いられる。
本実施の形態に係る積層シート11は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材12は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
先ず、樹脂組成物層16の形成材料である粘接着剤組成物溶液を作製する。当該粘接着剤組成物溶液には、前述の通り、常温で感圧接着性を有するバインダー樹脂、熱硬化性樹脂、硬化促進剤等が配合されている。
次に、半導体装置の製造方法について説明する。図2〜図11は、積層シート10を用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。先ず、積層シート10の樹脂組成物層16面を半導体ウェハ40の回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る(図2参照)。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば20〜100℃の範囲内であることが好ましい。
上記(3)の半導体装置の製造方法は、ダイシング後に紫外線照射を行わず、粘着テープ30の貼り合わせ後に、紫外線照射を行う。上記(3)の半導体装置の製造方法の場合、粘着テープとバックグラインドテープとの密着力を向上でき,さらに粘着テープをバックグラインドテープとともに樹脂組成物層から一括剥離する際の剥離力を低減ことができ,剥離が容易になる点で好ましい。
上記(4)の半導体装置の製造方法は、ダイシング後に紫外線照射を行ない、粘着テープ30の貼り合わせ後にも、紫外線照射を行なう。上記(4)の半導体装置の製造方法の場合、粘着テープとバックグラインドテープとの密着力を向上でき,さらに粘着テープをバックグラインドテープとともに樹脂組成物層から一括剥離する際の剥離力を低減ことができ,剥離が容易になる点で好ましい。
下記に示すエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、硬化促進剤を準備した。
エポキシ樹脂B:エポキシ基当量が169g/eqのトリスフェノールメタン型エポキシ樹脂(製品名:EPPN501HY、日本化薬社製)
フェノールノボラック樹脂:フェノール当量175g/eqのアラルキル型フェノール樹脂(製品名:MEH−7800M/MEH−7800SS、明和化成社製)
アクリル樹脂:重量平均分子量450000のアクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルの共重合ポリマー(製品名:テイサンレジンSG−P3、ナガセケムテックス社製)
硬化促進剤:トリフェニルホスフィン(製品名:TPP−K、北興化学社製)
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、2−エチルヘキシルアクリレート100部、及び、2−ヒドロキシエチルアクリレート重量20部を入れ、トルエン溶液中において窒素気流中で60℃にて8時間重合処理をし、アクリル系ポリマーAを得た。
実施例1のバックグラインドテープAと同一のバックグラインドテープを実施例2に係るバックグラインドテープBとする。また、バックグラインドテープBを構成する粘着剤層を粘着剤層Bとする。なお、実施例2に係るバックグラインドテープBは、後述するように、ダイシング後、且つ、粘着テープ貼り合わせ前に50mJ/cm2の紫外線を照射して使用される。
実施例1のバックグラインドテープAと同一のバックグラインドテープを実施例3に係るバックグラインドテープCとする。また、バックグラインドテープCを構成する粘着剤層を粘着剤層Cとする。なお、実施例3に係るバックグラインドテープCは、後述するように、粘着テープ貼り合わせ後に400mJ/cm2の紫外線を照射して使用される。
実施例1のバックグラインドテープAと同一のバックグラインドテープを実施例4に係るバックグラインドテープDとする。また、バックグラインドテープDを構成する粘着剤層を粘着剤層Dとする。なお、実施例4に係るバックグラインドテープDは、後述するように、ダイシング後、且つ、粘着テープ貼り合わせ前に50mJ/cm2の紫外線を照射し、さらに、粘着テープ貼り合わせ後に400mJ/cm2の紫外線を照射して使用される。
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸ブチル100部、エチルアクリレート80部、及び、2−ヒドロキシエチルアクリレート40部を入れ、トルエン溶液中において窒素気流中で60℃にて8時間重合処理をし、アクリル系ポリマーEを得た。
実施例1のバックグラインドテープAに基材フィルム面(PETフィルム面)側から、UV照射装置(日東精機(株))を用いて、400mJ/cm2の紫外線を照射した。これをバックグラインドテープFとした。なお、バックグラインドテープFを構成する粘着剤層を粘着剤層Fとする。
実施例1のバックグラインドテープAと同一のバックグラインドテープを比較例3に係るバックグラインドテープGとする。また、バックグラインドテープGを構成する粘着剤層を粘着剤層Gとする。なお、比較例3に係るバックグラインドテープGは、後述するように、ダイシング後、且つ、粘着テープ貼り合わせ前に400mJ/cm2の紫外線を照射して使用される。
粘着剤層A〜Gの引張弾性率を求めた。具体的には、テンシロン型引張試験機((株)島津製作所,AGS−J)を使用し、測定した荷重−伸び曲線の接線による計算値から、引張弾性率を得た。測定条件は、チャック間を10mm、引張速度を50mm/minとした。結果を表1に示す。
貼付装置(大正ラミネータ(株)製)を用いて、ゴム製ラミネートローラーで、貼付速度0.6m/min、ローラー温度25℃、荷重0.5MPaの条件下で、上記バックグラインドテープAの粘着剤面と前記樹脂組成物層とを貼り合わせ、積層シートAを作製した。積層シートAを実施例1に係る積層シートとした。また、バックグラインドテープB〜Gについても、同様にして前記樹脂組成物層を貼り合わせ、積層シートB〜Gを作製した。積層シートBを実施例2に係る積層シートとした。積層シートCを実施例3に係る積層シートとした。積層シートDを実施例4に係る積層シートとした。積層シートEを比較例1に係る積層シートとした。積層シートFを比較例2に係る積層シートとした。積層シートGを比較例3に係る積層シートとした。
積層シートA〜Gの粘着剤層と樹脂組成物層とのTピール強度測定をテンシロン型引っ張り試験機((株)島津製作所,AGS−J)により測定した。剥離条件は、300mm/minの速度とした。結果を表1に示す。
上記と同様にして積層シートA〜Gを作製した。次に、貼付装置(大正ラミネータ(株)製)を用いて、ゴム製ラミネートローラーで、貼付速度0.6m/min、ローラー温度70℃、荷重0.5MPaの条件下で、積層シートの樹脂組成物層面とウェハのミラー面とを貼り合わせた。ウェハは、片面ミラーウェハ(シナジーテック製,8インチ)を用いた。
ダイシング後、実施例2、実施例4、比較例3の積層シートについては、粘着剤層に表1に記載の量だけ紫外線を照射した(紫外線照射(1))。その後、各粘着剤層の引張弾性率を求めた。具体的には、テンシロン型引張試験機((株)島津製作所,AGS−J)を使用し、測定した荷重−伸び曲線の接線による計算値から、引張弾性率を得た。測定条件は、チャック間を10mm、引張速度を50mm/minとした。結果を表1に示す。
また、各積層シートの粘着剤層と樹脂組成物層とのTピール強度測定をテンシロン型引っ張り試験機((株)島津製作所,AGS−J)により測定した。剥離条件は、300mm/minの速度とした。結果を表1に示す。
ダイシング後、貼付装置(大正ラミネータ(株)製)を用いて、ゴム製ラミネートローラーで、貼付速度0.6m/min、ローラー温度25℃、荷重0.5MPaの条件下で、ダイシングテープ付きウェハのバックグラインドテープ面に粘着テープ(日東電工(株)製,BT−315)を貼り合わせた。次に、実施例3、実施例4の積層シートについては、粘着剤層に表1に記載の量だけ紫外線を照射した(紫外線照射(2))。その後、各粘着剤層の引張弾性率を求めた。具体的には、テンシロン型引張試験機((株)島津製作所,AGS−J)を使用し、測定した荷重−伸び曲線の接線による計算値から、引張弾性率を得た。測定条件は、チャック間を10mm、引張速度を50mm/minとした。結果を表1に示す。
また、各積層シートの粘着剤層と樹脂組成物層とのTピール強度測定をテンシロン型引っ張り試験機((株)島津製作所,AGS−J)により測定した。剥離条件は、300mm/minの速度とした。結果を表1に示す。
紫外線照射(1)、及び/又は、紫外線照射(2)の後、テンシロン型引っ張り試験機((株)島津製作所,AGS−J)を用いて、剥離速度300mm/min、T剥離法で粘着テープを引っ張った。バックグラインドテープが粘着テープに貼り合わされた状態で、樹脂組成物層から剥離できた場合を○、バックグラインドテープが粘着テープに貼り合わされた状態で、樹脂組成物層から剥離されなかった場合を×として評価した。ただし、積層シートFについては、ダイシング時にバックグラインドテープに飛びが発生したため、評価しなかった。結果を表1に示す。
11 バックグラインドテープ
12 基材
14 粘着剤層
16 樹脂組成物層
20 ダイシングテープ
30 粘着テープ
40 半導体ウエハ
42 半導体チップ
Claims (15)
- 基材上に粘着剤層が形成された構成を有するバックグラインドテープと、前記バックグラインドテープの前記粘着剤層上に設けられた樹脂組成物層とを有する積層シートであって、
前記粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤層であり、
前記粘着剤層の放射線硬化前の引張弾性率が23℃において、0.1〜5.0MPaであり、
放射線硬化前の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1〜20N/20mmであり、
放射線硬化後の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.01〜5N/20mmであることを特徴とする積層シート。 - 前記樹脂組成物層が熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項1に記載の積層シート。
- 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層シート。
- 基材上に粘着剤層が形成された構成を有するバックグラインドテープと、前記バックグラインドテープの前記粘着剤層上に設けられた樹脂組成物層とを有し、前記粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤層であり、
前記粘着剤層の放射線硬化前の引張弾性率が23℃において、0.1〜5.0MPaであり、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1〜5N/20mmである積層シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、
前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、
薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、
前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、
ダイシング後に、前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、及び、
前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂組成物層が熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法。
- 基材上に粘着剤層が形成された構成を有するバックグラインドテープと、前記バックグラインドテープの前記粘着剤層上に設けられた樹脂組成物層とを有し、前記粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤層であり、前記粘着剤層の放射線硬化前の引張弾性率が23℃において、0.1〜5.0MPaであり、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1〜20N/20mmであり、放射線硬化後の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.01〜5N/20mmである積層シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、
前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、
薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、
前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、
ダイシング後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、
放射線照射後の前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、及び、
前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂組成物層が熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体装置の製造方法。
- 基材上に粘着剤層が形成された構成を有するバックグラインドテープと、前記バックグラインドテープの前記粘着剤層上に設けられた樹脂組成物層とを有し、前記粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤層であり、粘着剤層の放射線硬化前の引張弾性率が23℃において、0.1〜5.0MPaであり、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1〜20N/20mmであり、放射線硬化後の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.01〜5N/20mmである積層シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、
前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、
薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、
前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、
ダイシング後に、前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、
粘着テープの張り付け後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、及び、
前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂組成物層が熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体装置の製造方法。
- 基材上に粘着剤層が形成された構成を有するバックグラインドテープと、前記バックグラインドテープの前記粘着剤層上に設けられた樹脂組成物層とを有し、前記粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤層であり、粘着剤層の放射線硬化前の引張弾性率が23℃において、0.1〜5.0MPaであり、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.1〜20N/20mmであり、放射線硬化後の前記粘着剤層と前記樹脂組成物層とのT剥離強度が23℃、300mm/分の条件で、0.01〜5N/20mmである積層シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記積層シートの樹脂組成物層面を半導体ウェハの回路面に貼り合わせて、積層シート付き半導体ウェハを得る工程、
前記積層シート付き半導体ウェハの積層シートが貼付されていない面を研削して薄化する工程、
薄化した積層シート付き半導体ウェハの研削面にダイシングテープを貼り合わせて、ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを得る工程、
前記ダイシングテープと積層シートとが貼り合わせられた半導体ウェハを、前記積層シート側からダイシングする工程、
ダイシング後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、
放射線照射後の前記積層シートに粘着テープを貼り付ける工程、
粘着テープの張り付け後に、前記積層シート側から放射線を照射する工程、及び、
前記粘着テープを前記バックグラインドテープとともに、前記樹脂組成物層から剥離する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂組成物層が熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置の製造方法。
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