JP2013118376A - 半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 - Google Patents
半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013118376A JP2013118376A JP2012262163A JP2012262163A JP2013118376A JP 2013118376 A JP2013118376 A JP 2013118376A JP 2012262163 A JP2012262163 A JP 2012262163A JP 2012262163 A JP2012262163 A JP 2012262163A JP 2013118376 A JP2013118376 A JP 2013118376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity level
- component
- bulk
- sic
- surface portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67316—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体加工用部品は、炭化ケイ素で構成された外表面部分を有し、外表面部分は、スキン不純物レベルとバルク不純物レベルとを有する。スキン不純物レベルは、外表面部分中0nm〜100nmの深さの平均不純物レベルであり、バルク不純物レベルは、外表面部分中少なくとも3ミクロンの深さで測定され、かつスキン不純物レベルは、バルク不純物レベルの80%以下である。
【選択図】図1
Description
標準的加工を用いて25mm×75mm×6mmのサイズのSi:SiCクーポンを作製した。クーポンを希酸中で超音波クリーニングし、DI水で濯ぎ、そして乾燥させた。クリーニングされたクーポンをCVD反応器内に装填し、Si:SiCクーポンの表面上に50〜75ミクロンの厚さのCVD膜を堆積させた。コーティング純度に及ぼす装置の影響をさらに理解するために、2つの異なるコーティングシステム(装置Aおよび装置B)を用いて複数のコーティング実験を行った。
6mm×18mm×3mmのサイズのSi:SiCクーポンを機械加工して平滑表面を提供し、次に、標準的な加工を用いて作製を行った。クーポンを希酸中で超音波クリーニングし、DI水で濯ぎ、そして乾燥させた。クリーニングされたクーポンをCVD反応器内に装填し、Si:SiCクーポンの表面上に25〜35ミクロンの厚さのCVD膜を堆積させた。クーポンがCVD反応器内に保持される領域の近傍のいずれの薄肉コーティングをも十分に密封するために、20〜35ミクロンの厚さのCVD膜でCVD被覆サンプルに再被覆した。20ppbの通常Fe濃度および500〜900ppbの高Fe濃度のCVD−SiC膜を有するクーポンをクリーニング試験のために作製した。
6mm×18mm×3mmのサイズのSi:SiCクーポンを機械加工して平滑表面を提供し、次に、標準的な加工を用いて作製を行った。クーポンを希酸中で超音波クリーニングし、DI水で濯ぎ、そして乾燥させた。クリーニングされたクーポンをCVD反応器内に装填し、各コーティングの厚さが25〜35ミクロンであるCVD膜で2回被覆した。500〜900ppbの高Fe濃度のCVD−SiC膜を有するクーポンをクリーニング試験のために作製した。
Claims (22)
- 半導体加工用部品であって、前記部品が、炭化ケイ素を含む外表面部分を有し、前記外表面部分が、スキン不純物レベルとバルク不純物レベルとを有し、前記スキン不純物レベルが、前記外表面部分中0nm〜100nmの深さの平均不純物レベルであり、前記バルク不純物レベルが、前記外表面部分中3.0ミクロン以上の深さで測定され、かつ前記スキン不純物レベルが、前記バルク不純物レベルの80%以下であり、前記スキンバルク不純物レベルが、Fe、Cr、およびNiのうちの1つの濃度に基づく部品。
- 前記スキン不純物レベルが前記バルク不純物レベルの70%以下である、請求項2に記載の部品。
- 前記スキン不純物レベルが前記バルク不純物レベルの60%以下である、請求項3に記載の部品。
- 前記スキン不純物レベルおよび前記バルク不純物レベルがFe濃度に基づき、前記スキン不純物レベルが100ppb原子以下のFeである、請求項1に記載の部品。
- 前記スキン不純物レベルが50ppb原子以下のFeである、請求項4に記載の部品。
- 前記外表面部分がすべてCVD−SiCで形成される、請求項1に記載の部品。
- 前記CVD−SiCが、SiCを含む基板上に堆積される、請求項6に記載の部品。
- 前記基板が、元素のシリコンで含浸されたSiCを含む、請求項7に記載の部品。
- 前記CVD−SiC層が、約10〜約1000μmの範囲内の厚さを有する、請求項7に記載の部品。
- 前記部品が自立性CVD−SiC部品である、請求項6に記載の部品。
- 前記表面不純物レベルおよび前記バルク不純物レベルが、Cr、Fe、Cu、Ni、Al、Ca、Na、Zn、およびTiの濃度のうちの少なくとも1つに基づく、請求項1に記載の部品。
- 前記表面不純物レベルおよび前記バルク不純物レベルがFe濃度に基づく、請求項11に記載の部品。
- 前記半導体加工用部品が、半導体ウェーハパドル、プロセスチューブ、ウェーハボート、ライナー、ペデスタル、ロングボート、カンチレバーロッド、ウェーハキャリヤー、プロセスチャンバー、ダミーウェーハ、ウェーハサセプター、フォーカスリング、サスペンションリングからなる群に属する部品を含む、請求項1に記載の部品。
- 前記部品がウェーハボートである、請求項13に記載の部品。
- SiCの化学気相堆積により形成された外表面部分を有する半導体加工用部品を提供する工程と、
前記外表面部分の対象部分を除去する工程であって、前記外表面部分は、スキン不純物レベルとバルク不純物レベルとを有し、前記スキン不純物レベルは前記外表面部分中0nm〜100nmの深さの平均不純物レベルであり、前記バルク不純物レベルは前記外表面部分中3.0ミクロン以上の深さで測定される工程と、
前記部品に熱処理を行って前記外表面部分の表面から不純物を拡散させることにより、前記スキン不純物レベルが前記バルク不純物レベルの80%以下になるようにする工程と、
を含む、半導体加工用部品の裸出方法。 - 前記外表面部分上に重畳されたゲッター層を形成して、不純物を熱処理時に前記ゲッター層中に移動させるようにする工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記ゲッター層が、前記外表面部分の不純物拡散係数の少なくとも102倍の不純物拡散係数を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記ゲッター層が、前記外表面部分の酸化により形成された酸化ケイ素を含むか、または堆積により形成された多結晶性シリコンを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記熱処理が5時間以上にわたり1150℃以上の温度で行われる、請求項15に記載の方法。
- 前記熱処理がハロゲン化物ガスの存在下で行われる、請求項15に記載の方法。
- 前記スキン不純物レベルが前記バルク不純物レベルの70%以下である、請求項15に記載の方法。
- 前記スキン不純物レベルが100ppb原子以下のFeである、請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1561207P | 2007-12-20 | 2007-12-20 | |
US61/015,612 | 2007-12-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536242A Division JP5480153B2 (ja) | 2007-12-20 | 2008-12-15 | 半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013118376A true JP2013118376A (ja) | 2013-06-13 |
JP2013118376A5 JP2013118376A5 (ja) | 2014-02-13 |
Family
ID=40787523
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536242A Expired - Fee Related JP5480153B2 (ja) | 2007-12-20 | 2008-12-15 | 半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 |
JP2012262163A Pending JP2013118376A (ja) | 2007-12-20 | 2012-11-30 | 半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536242A Expired - Fee Related JP5480153B2 (ja) | 2007-12-20 | 2008-12-15 | 半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8058174B2 (ja) |
JP (2) | JP5480153B2 (ja) |
KR (1) | KR20100101640A (ja) |
CN (1) | CN101884099B (ja) |
TW (1) | TWI421965B (ja) |
WO (1) | WO2009085703A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009105635A2 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic paddle |
DE112012003035B4 (de) * | 2011-07-20 | 2024-01-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Siliziumkarbidsubstrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
JP5803786B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2015-11-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法 |
CN103319180B (zh) * | 2013-07-01 | 2014-06-18 | 潍坊华美精细技术陶瓷有限公司 | 反应烧结碳化硅悬臂桨的制作方法 |
JPWO2016038664A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体アニール装置 |
EP3159325B1 (en) | 2015-10-22 | 2020-07-08 | Rolls-Royce High Temperature Composites Inc | Reducing impurities in ceramic matrix composites |
JP6128262B2 (ja) * | 2016-05-20 | 2017-05-17 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521303A (ja) * | 1991-04-30 | 1993-01-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
JPH10245266A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Toyo Tanso Kk | 炭化ケイ素質成形体の純化方法 |
JP2000119079A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-04-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用Si−SiC製部材およびその製造方法 |
JP2006526894A (ja) * | 2003-04-15 | 2006-11-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 半導体加工用部品を処理する方法とこの方法によって形成される部品 |
JP2007217215A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Bridgestone Corp | 半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具及びその製造方法 |
Family Cites Families (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1900053A (en) | 1928-11-22 | 1933-03-07 | United Shoe Machinery Corp | Rack |
US2233434A (en) | 1937-12-06 | 1941-03-04 | William F Smith | Ceramic support |
GB893041A (en) | 1958-04-03 | 1962-04-04 | Wacker Chemie Gmbh | Process for the manufacture of shaped bodies of silicon carbide |
US3219182A (en) | 1963-06-17 | 1965-11-23 | Jackes Evans Mfg Company | Stacking clip |
GB1394106A (en) | 1972-08-12 | 1975-05-14 | Tarabanov A S | Method of preparing an antifriction material |
US3951587A (en) | 1974-12-06 | 1976-04-20 | Norton Company | Silicon carbide diffusion furnace components |
SE8004352L (sv) | 1979-06-14 | 1980-12-15 | Atomic Energy Authority Uk | Vermeoverforingselement och -system |
US4900531A (en) | 1982-06-22 | 1990-02-13 | Harry Levin | Converting a carbon preform object to a silicon carbide object |
GB2130192B (en) | 1982-10-28 | 1987-01-07 | Toshiba Ceramics Co | Silicon carbide-based molded member for use in semiconductor manufacture |
JPS60246264A (ja) | 1984-05-23 | 1985-12-05 | 東芝セラミツクス株式会社 | 炭化珪素質材料の製造方法 |
JPS6212666A (ja) | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体用炉芯管の製造方法 |
US5021367A (en) | 1987-06-25 | 1991-06-04 | General Electric Company | Fiber-containing composite |
US4944904A (en) | 1987-06-25 | 1990-07-31 | General Electric Company | Method of obtaining a fiber-containing composite |
US5043303A (en) | 1987-09-28 | 1991-08-27 | General Electric Company | Filament-containing composite |
US4978567A (en) | 1988-03-31 | 1990-12-18 | Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. | Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same |
US4998879A (en) | 1988-04-29 | 1991-03-12 | Norton Company | High purity diffusion furnace components |
US4889686A (en) | 1989-02-17 | 1989-12-26 | General Electric Company | Composite containing coated fibrous material |
US4981822A (en) | 1989-02-17 | 1991-01-01 | General Electric Company | Composite containing coated fibrous material |
FR2643898B1 (fr) | 1989-03-02 | 1993-05-07 | Europ Propulsion | Procede de fabrication d'un materiau composite a matrice ceramique a tenacite amelioree |
FR2668480B1 (fr) | 1990-10-26 | 1993-10-08 | Propulsion Ste Europeenne | Procede pour la protection anti-oxydation d'un materiau composite contenant du carbone, et materiau ainsi protege. |
US5589116A (en) | 1991-07-18 | 1996-12-31 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment |
US5238619A (en) | 1992-03-30 | 1993-08-24 | General Electric Company | Method of forming a porous carbonaceous preform from a water-based slurry |
US5395807A (en) | 1992-07-08 | 1995-03-07 | The Carborundum Company | Process for making silicon carbide with controlled porosity |
CA2099788A1 (en) | 1992-07-31 | 1994-02-01 | Michael A. Pickering | Ultra pure silicon carbide and high temperature semiconductor processing equipment made therefrom |
JP3250628B2 (ja) | 1992-12-17 | 2002-01-28 | 東芝セラミックス株式会社 | 縦型半導体熱処理用治具 |
US5417803A (en) * | 1993-09-29 | 1995-05-23 | Intel Corporation | Method for making Si/SiC composite material |
US5846611A (en) | 1993-10-27 | 1998-12-08 | Societe Europeene De Propulsion | Chemical vapor infiltration process of a material within a fibrous substrate with creation of a temperature gradient in the latter |
FR2714076B1 (fr) | 1993-12-16 | 1996-03-15 | Europ Propulsion | Procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur de carbure de silicium. |
US5509555A (en) | 1994-06-03 | 1996-04-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for producing an article by pressureless reactive infiltration |
JPH07328360A (ja) | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 多孔質炭化珪素ヒータ |
US5538230A (en) | 1994-08-08 | 1996-07-23 | Sibley; Thomas | Silicon carbide carrier for wafer processing |
US5514439A (en) | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Sibley; Thomas | Wafer support fixtures for rapid thermal processing |
US5628938A (en) | 1994-11-18 | 1997-05-13 | General Electric Company | Method of making a ceramic composite by infiltration of a ceramic preform |
JP3218164B2 (ja) | 1995-05-31 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持ボート、熱処理装置及び熱処理方法 |
JP3122364B2 (ja) | 1996-02-06 | 2001-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハボート |
EP0884769A1 (en) | 1996-02-29 | 1998-12-16 | Tokyo Electron Limited | Heat-treating boat for semiconductor wafer |
US5904892A (en) | 1996-04-01 | 1999-05-18 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Tape cast silicon carbide dummy wafer |
US6776289B1 (en) | 1996-07-12 | 2004-08-17 | Entegris, Inc. | Wafer container with minimal contact |
US5942454A (en) | 1996-08-27 | 1999-08-24 | Asahi Glass Company Ltd. | Highly corrosion-resistant silicon carbide product |
JPH10197837A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | マルチチャンネル光変調装置 |
US6024898A (en) | 1996-12-30 | 2000-02-15 | General Electric Company | Article and method for making complex shaped preform and silicon carbide composite by melt infiltration |
JPH10228974A (ja) | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | エアヒータ用炭化けい素発熱体 |
US5770324A (en) | 1997-03-03 | 1998-06-23 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method of using a hot pressed silicon carbide dummy wafer |
JPH10253259A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | ローラハース炉用ローラ材及びその製造方法 |
JP3494554B2 (ja) * | 1997-06-26 | 2004-02-09 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体用治具およびその製造方法 |
US6379575B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
DE19749462C1 (de) | 1997-11-10 | 1999-03-04 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Verfahren zur Herstellung eines mit Kohlenstoff-Fasern verstärkten, keramisierten Formkörpers und Verwendung eines solchen Formkörpers |
JPH11238728A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-08-31 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの製造の際に使用される熱処理治具及びその製造法 |
JPH11209115A (ja) | 1998-01-23 | 1999-08-03 | Toyo Tanso Kk | 高純度c/cコンポジットおよびその製造方法 |
JP2000044223A (ja) | 1998-07-28 | 2000-02-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素の製造方法 |
JP4275862B2 (ja) | 1998-09-28 | 2009-06-10 | エレメント シックス リミテッド | ダイヤモンド複合体の製法 |
US6171400B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
FR2784695B1 (fr) | 1998-10-20 | 2001-11-02 | Snecma | Densification de structures poreuses par infiltration chimique en phase vapeur |
TW460617B (en) | 1998-11-06 | 2001-10-21 | United Microelectronics Corp | Method for removing carbon contamination on surface of semiconductor substrate |
US6162543A (en) | 1998-12-11 | 2000-12-19 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | High purity siliconized silicon carbide having high thermal shock resistance |
US6225594B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-05-01 | Integrated Materials, Inc. | Method and apparatus for securing components of wafer processing fixtures |
FR2793311B1 (fr) | 1999-05-05 | 2001-07-27 | Snecma | Dispositif de chargement de pieces a traiter thermiquement |
US6383298B1 (en) | 1999-06-04 | 2002-05-07 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for pressure measurement in a CVI/CVD furnace |
EP1061042A1 (en) | 1999-06-15 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace |
US6099645A (en) | 1999-07-09 | 2000-08-08 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier with slats |
JP2001048649A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化ケイ素およびその製造方法 |
US6395203B1 (en) | 1999-08-30 | 2002-05-28 | General Electric Company | Process for producing low impurity level ceramic |
US6296716B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-02 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Process for cleaning ceramic articles |
US6277194B1 (en) * | 1999-10-21 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method for in-situ cleaning of surfaces in a substrate processing chamber |
WO2001060764A1 (fr) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | PROCEDE DE FABRICATION D'ELEMENT Si-SiC POUR TRAITEMENT THERMIQUE DE SEMI-CONDUCTEURS |
US6890861B1 (en) * | 2000-06-30 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
AU2001277074A1 (en) | 2000-07-24 | 2002-02-05 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Process for cleaning ceramic articles |
US20020130061A1 (en) | 2000-11-02 | 2002-09-19 | Hengst Richard R. | Apparatus and method of making a slip free wafer boat |
EP1219578B1 (en) | 2000-12-27 | 2006-03-22 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Silicon/silicon carbide composite and process for manufacturing the same |
JP2002226274A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-14 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性セラミック材料、その製造方法および半導体製造用製品 |
JP2002324830A (ja) | 2001-02-20 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 基板熱処理用保持具、基板熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板熱処理用保持具の製造方法及び基板熱処理用保持具の構造決定方法 |
US20020170487A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Raanan Zehavi | Pre-coated silicon fixtures used in a high temperature process |
JP2002338366A (ja) | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 高純度炭化珪素発熱体およびその製造方法 |
US6488497B1 (en) * | 2001-07-12 | 2002-12-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Wafer boat with arcuate wafer support arms |
US6536608B2 (en) | 2001-07-12 | 2003-03-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Single cast vertical wafer boat with a Y shaped column rack |
US6811040B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-11-02 | Rohm And Haas Company | Wafer holding apparatus |
US7150850B2 (en) | 2001-11-08 | 2006-12-19 | Bridgestone Corporation | Process for producing silicon carbide sinter jig |
JP3924714B2 (ja) | 2001-12-27 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハカセット |
US20030198749A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Coated silicon carbide cermet used in a plasma reactor |
US20030233977A1 (en) | 2002-06-20 | 2003-12-25 | Yeshwanth Narendar | Method for forming semiconductor processing components |
US6881262B1 (en) | 2002-12-23 | 2005-04-19 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for forming high purity components and components formed thereby |
US7501370B2 (en) | 2004-01-06 | 2009-03-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High purity silicon carbide wafer boats |
JP4608884B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2011-01-12 | 信越半導体株式会社 | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法 |
JP2005223292A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体熱処理用治具の高純度化方法 |
-
2008
- 2008-12-15 KR KR1020107015114A patent/KR20100101640A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-12-15 WO PCT/US2008/086862 patent/WO2009085703A2/en active Application Filing
- 2008-12-15 TW TW097148813A patent/TWI421965B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-12-15 CN CN2008801187215A patent/CN101884099B/zh active Active
- 2008-12-15 JP JP2010536242A patent/JP5480153B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-15 US US12/335,334 patent/US8058174B2/en active Active
-
2012
- 2012-11-30 JP JP2012262163A patent/JP2013118376A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521303A (ja) * | 1991-04-30 | 1993-01-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
JPH10245266A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Toyo Tanso Kk | 炭化ケイ素質成形体の純化方法 |
JP2000119079A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-04-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用Si−SiC製部材およびその製造方法 |
JP2006526894A (ja) * | 2003-04-15 | 2006-11-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 半導体加工用部品を処理する方法とこの方法によって形成される部品 |
JP2007217215A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Bridgestone Corp | 半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5480153B2 (ja) | 2014-04-23 |
WO2009085703A2 (en) | 2009-07-09 |
TWI421965B (zh) | 2014-01-01 |
TW200943460A (en) | 2009-10-16 |
US20090159897A1 (en) | 2009-06-25 |
WO2009085703A3 (en) | 2009-10-22 |
US8058174B2 (en) | 2011-11-15 |
KR20100101640A (ko) | 2010-09-17 |
CN101884099B (zh) | 2012-07-25 |
JP2011505701A (ja) | 2011-02-24 |
CN101884099A (zh) | 2010-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5281027B2 (ja) | 半導体加工用部品を処理する方法とこの方法によって形成される部品 | |
JP5480153B2 (ja) | 半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品 | |
JP5103178B2 (ja) | 炭化ケイ素構造体の精製方法 | |
EP1612851B1 (en) | A method for the treatment of a surface of a metal-carbide substrate for use in semiconductor manufacturing processes as well as such a metal-carbide substrate | |
US20080237190A1 (en) | Surface cleaning method of semiconductor wafer heat treatment boat | |
JP2005197534A (ja) | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 | |
JP2010165919A (ja) | 炭化珪素製の表層を有する物品の清浄化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140425 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141007 |