JP2013104029A - エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるエポキシ樹脂組成物は、明細書記載の特定のエポキシ化合物と、ビスマレイミド化合物と、無機充填剤とを含んでなる。
【選択図】なし
Description
[1] 下記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ化合物と、ビスマレイミド化合物と、無機充填剤とを含んでなるエポキシ樹脂組成物。
(式中、nは1〜20の整数である。Rはそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキ
ル基、下式(2)である。)
(式中、Arはそれぞれ独立的にフェニレン基、ナフチレン基であり、mは1又は2の整数である。)
[3] 熱硬化後のエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度(Tg)未満における線膨張係数が40ppm/℃未満である第[1]項又は第[2]項に記載のエポキシ樹脂組成物。
[4] 熱硬化後のエポキシ樹脂組成物の25℃における弾性率(ヤング率)が1〜10GPaの範囲内にある第[1]項〜第[3]項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
[5] 上記無機充填剤が平均粒子径10nm〜150nmのシリカナノ粒子を含む第[1]項〜第[4]項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
[6] 上記無機充填剤が平均粒子径1μm〜10μmのシリコーンゴム微粒子を含む第[1]項〜第[5]項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
[7] 第[1]項〜第[6]項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。
[8] 第[7]項に記載のプリプレグの少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板。
[9] 第[7]項に記載のプリプレグを2枚以上積層したプリプレグ積層体の少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板。
[10] 第[1]項〜第[6]項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を支持フィルム又は金属箔上に配置してなる樹脂シート。
[11] 第[7]項に記載のプリプレグ、第[8]項もしくは第[9]項に記載の積層板、又は第[10]項に記載の樹脂シートから形成されたプリント配線板。
[12] 第[11]項に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
はじめに、本発明によるエポキシ樹脂組成物について説明する。本発明によるエポキシ樹脂組成物は、下記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ化合物と、ビスマレイミド化合物と、無機充填剤とを含んでなる。
(式中、nは1〜20の整数であり、1〜10の整数がより好ましい。Rはそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基、下式(2)である。)
(式中、Arはそれぞれ独立的にフェニレン基、ナフチレン基であり、mは1又は2の整数である。)
(式中、nは1〜20の整数であり、1〜10の整数がより好ましい。Rはそれぞれ独立に水素原子もしくは下式(4)である。)
(式中、mは1又は2の整数である。)
(その式中、R1〜R4は水素又は炭素数1〜4の置換もしくは無置換の炭化水素基であり、R5は−CH2−、−O−、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、又は下式(10)で表される構造である。)
(その式中、R6〜R9は水素又は炭素数1〜4の置換もしくは無置換の炭化水素基である。)
ルスルホンの使用が好ましい。芳香族ジアミン系硬化剤の配合量は、上記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ化合物の総含有量(上記その他のエポキシ化合物を含む場合にはそれらも含む総含有量)のエポキシ官能価に対する当量比で0.8〜1.2の範囲内とすることが好ましい。
プトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム/ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤;カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤;ブタジエンゴム、アクリロニトリル変性ブタジエンゴム、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分;イオン性不純物低減のための無機イオン交換体等、種々の添加剤を適宜配合することができる。
次に、本発明によるプリプレグについて説明する。本発明によるプリプレグは、上記エポキシ樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。基材は、特に限定されることはないが、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、ガラス以外の無機化合物を成分とする繊布、不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。強度、吸水率の観点から、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材が好ましい。
次に、本発明による積層板について説明する。本発明による積層板は、上記プリプレグを含む成形品である。例えば、本発明による積層板は、上記プリプレグの少なくとも片面上に金属層を配置してなるものであることができる。また、上記積層板は、上記プリプレグを2枚以上積層したプリプレグ積層体の少なくとも片面上に金属層を配置してなるものであってもよい。本発明による積層板は、上記プリプレグの片面又は上下両面に金属箔及び/又は支持フィルムを重ねてよい。さらに、本発明による積層板は、少なくとも2枚の上記プリプレグが積層されたプリプレグ積層体の片面又は最も外側の上下両面に、金属箔及び/又は支持フィルムを重ねてよい。本発明による積層体は、誘電率及び誘電正接が低く、耐熱性及び密着性に優れる。
次に、本発明による樹脂シートについて説明する。本発明による樹脂シートは、上記エポキシ樹脂組成物を支持フィルム又は金属箔上に配置してなるものである。上記樹脂シートは、上記エポキシ樹脂組成物の固形分からなる絶縁層を支持フィルム又は金属箔上に形成することにより得られる。樹脂シートを形成する場合、上記エポキシ樹脂組成物の固形分は、好ましくは45〜85質量%、より好ましくは55〜75質量%の範囲内である。上記エポキシ樹脂組成物を、各種塗工装置を用いて、支持フィルム上及び/又は金属箔上に塗工した後乾燥するか、又は上記エポキシ樹脂組成物をスプレー装置により支持フィルム又は金属箔に噴霧塗工した後乾燥することにより、樹脂シートを作製することができる。樹脂シートに用いる支持フィルム及び金属箔は、上記積層板について説明したものと同じものを使用することができる。
次に、本発明によるプリント配線板について説明する。本発明によるプリント配線板は、上記プリプレグ、上記積層板又は上記樹脂シートから形成されるものである。本発明によるプリント配線板の製造方法は、特に限定されることはないが、例えば、以下のように製造することができる。
次に、本発明による半導体装置について説明する。本発明による半導体装置は、本発明のプリント配線板に半導体素子を搭載してなるものである。半導体装置は、本発明のプリント配線板に半導体素子を実装し、製造することができる。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子とプリント配線板とを用い、フリップチップボンダーなどを用いて多層プリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプの位置合わせを行う。その後、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。そして、プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体装置を得ることができる。
実施例1
[1]樹脂ワニスの調製
一般式(3)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000、エポキシ当量273、一般式(3)において、Rがいずれも水素原子で、n=1である成分とn=2である成分との混合物)14.4質量部;ビスマレイミド化合物として2,2’−ビス−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイ・アイ化成製、BMI−80)14.9質量部;フェノール樹脂系硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(DIC製、TD−2090、水酸基当量105)5.6質量部;硬化促進剤として2−フェニルイミダゾール(四国化成製2PZ)0.1質量部;無機充填剤として溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)65.0質量部に、N−メチルピロリドンを固形分が65質量%となるように加えて混合し、エポキシ樹脂組成物からなる樹脂ワニス(500グラム)を調製した。
上記樹脂ワニスを用いて、ガラス繊布(長さ530mm、幅530mm、厚さ0.18
mm、日東紡績社製)100質量部に対して、樹脂ワニスを固形分で80質量部含浸させて、190℃の乾燥炉で7分間乾燥させ、樹脂含有量44.4質量%のプリプレグを作製した。
上記樹脂ワニスを、剥離可能なキャリア箔層と電解銅箔層とを張り合わせた銅箔(三井金属鉱山社製、マイクロシンEx−3、キャリア箔層:銅箔(18μm)、電解銅箔層(3μm))の電解銅箔層に、コンマコーターを用いて乾燥後の樹脂層が40μmとなるように塗工し、これを150℃の乾燥装置で10分間乾燥して、樹脂シートを製造した。
上記プリプレグを2枚重ねたプリプレグ積層体の表裏に、長さ560mm、幅560mm、厚さ18μmの電解銅箔(日本電解製YGP−18)を重ねて、圧力4MPa、温度220℃で180分間加熱加圧成形を行い、厚さ0.4mmの両面銅張積層板を得た。
上記積層板に、0.1mmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、メッキによりスルーホールを充填した。さらに、両面をエッチングにより回路形成し、内層回路基板として用いた。上記内層回路基板の表裏に、上記樹脂シートを重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた。これを、熱風乾燥装置にて170℃で60分間加熱し硬化させて、積層体を得た。
プリント配線板は、上記プリント配線板であって、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mm)は、Sn/Pb組成の共晶で形成された半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製CRC−8300)で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。
ビスマレイミド化合物としてビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニ
ル)メタン(ケイ・アイ化成製、BMI−70)14.9質量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
フェノール樹脂系硬化剤としてビスフェノールAノボラック樹脂(DIC製、VH−4240、水酸基当量110)5.6質量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を12.2質量部とし、かつ、フェノール樹脂系硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂(三井化学製、XLC−LL、水酸基当量175)7.8質量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)16.3質量部;ビスマレイミド化合物として2,2’−ビス−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイ・アイ化成製、BMI−80)14.9質量部;芳香族ジアミン系硬化剤として4,4’−ジアミノジフェニルスルホン(三井化学ファイン製、4,4’−DAS、硬化剤当量62)3.7質量部;硬化促進剤として2−フェニルイミダゾール(四国化成製2PZ)0.1質量部;無機充填剤として溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)65.0質量部に、N−メチルピロリドンを固形分が65質量%となるように加えて混合し、エポキシ樹脂組成物からなる樹脂ワニス(500グラム)を調製した以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を16.9質量部とし、かつ、芳香族ジアミン系硬化剤を4,4’−ジアミノジフェニルメタン(東京化成製、硬化剤当量49.5)3.1質量部とした以外は、実施例5と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を16.2質量部とし、かつ、芳香族ジアミン系硬化剤を3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン(日本化薬製カヤハードA−A、硬化剤当量63.5)3.8質量部とした以外は、実施例5と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
無機充填剤を溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)32質量部とシリカナノ粒子(トクヤマ(株)製、NSS−5N、平均粒子径70nm)3質量部とシリコーンゴム微粒子(信越化学工業(株)製、KMP−600、平均粒子径5μm)30質量部との組合せとした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を10.4質量部とし、ビスマレイミド化合物として2,2’−ビス−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイ・アイ化成製、BMI−80)22.6質量部かつ、芳香族ジアミン系硬化剤を4,4’−ジアミノジフェニルメタン(東京化成製、硬化剤当量49.5)1.9質量部とした以外は、実施例6と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を19.7質量部とし、ビスマレイミド化合物として2,2’−ビス−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイ・アイ化成製、BMI−80)11.6質量部かつ、芳香族ジアミン系硬化剤を4,4’−ジアミノジフェニルメタン(東京化成製、硬化剤当量49.5)3.6質量部とした以外は、実施例6と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)に代えて、1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)メタン(DIC製、HP−4700、エポキシ当量165)を12.5質量部とし、かつ、フェノール樹脂系硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(DIC製、TD−2090、水酸基当量105)7.5質量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製しプリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)に代えて、1,6−ジグリシジルオキシナフタレン(DIC製 HP−4032、エポキシ当量140)を11.4質量部とし、かつ、フェノール樹脂系硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(DIC製、TD−2090、水酸基当量105)8.6質量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製しプリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)に代えて1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)メタン(DIC製、HP−4700)を14.7質量部とし、かつ、芳香族ジアミン系硬化剤として4,4’−ジアミノジフェニルスルホン(三井化学ファイン製、4,4’−DAS、硬化剤当量62)5.3質量部とした以外は、実施例5と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)に代えて、1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)メタン(DIC製、HP−4700)を12.5質量部とし、フェノール樹脂系硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(DIC製、TD−2090、水酸基当量105)7.5質量部とした以外は、実施例2と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ビスマレイミド化合物を用いず、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を25.2質量部とし、かつフェノール樹脂系硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂(DIC製、TD−2090、水酸基当量105)9.7質量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ビスマレイミド化合物を用いず、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を28.4質量部とし、かつ、芳香族ジアミン系硬化剤として4,4’−ジアミノジフェニルスルホン(三井化学ファイン製、4,4’−DAS、硬化剤当量62)6.5質量部とした以外はとした以外は、実施例5と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)に代えて1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)メタン(DIC製、HP−4700)を9.5質量部とし、ビスマレイミド化合物として2,2’−ビス−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイ・アイ化成製、BMI−80)22.6質量部かつ、芳香族ジアミン系硬化剤として4,4’−ジアミノジフェニルメタン(東京化成製、硬化剤当量49.5)2.8質量部とした以外は、実施例6と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(1)硬化後の樹脂組成物のガラス転移温度
上記実施例及び比較例で得られた厚さ40μmの樹脂シートを2枚重ね、220℃で180分プレスを行い、銅箔付き樹脂板を得た。この銅箔付き樹脂板を全面エッチングし、6mm×25mmの試験片を作製し、DMA装置(TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983)を用いて5℃/分で昇温し、tanδのピーク位置をガラス転移温度(℃)とした。
上記実施例及び比較例で得られた厚さ40μmの樹脂シートを2枚重ね、220℃で180分プレスを行い、銅箔付き樹脂板を得た。この銅箔付き樹脂板を全面エッチングし、5mm×20mmの試験片を作製し、TMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて5℃/分の条件で、厚み方向(Z方向)のガラス転移温度以下の領域の線膨張係数を測定した。
上記実施例及び比較例で得られた厚さ40μmの樹脂シートを2枚重ね、220℃で180分プレスを行い、銅箔付き樹脂板を得た。この銅箔付き樹脂板を全面エッチングし、6mm×25mmの試験片を作製し、DMA装置(TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983)を用いて5℃/分で昇温し、25℃での引っ張り弾性率を測定した。
上記実施例及び比較例で得られた積層板を50mm×50mmにグラインダーソーでカットした後、エッチングにより銅箔を1/4だけ残した試料を作製し、JIS C 6481に準拠して評価した。評価は、121℃、100%、2時間、PCT吸湿処理を行っ
た後に、288℃の半田槽に30秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。
上記実施例及び比較例で得られた厚さ0.4mmの両面銅張積層板を全面エッチングし、得られた積層板から5mm×20mmの試験片を作製し、TMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて5℃/分の条件で、面方向(X方向)の線膨張係数を測定した。
上記実施例及び比較例で得られた半導体装置を、温度30℃、湿度70%の雰囲気下で196時間放置後、260℃リフローを3回行った後、半導体装置におけるプリント配線板の反りを評価した。リフロー条件は、プレヒート(160〜200℃、50〜60秒で昇温)、加熱(200〜260℃、65〜75秒で昇温)、リフロー(260〜262℃、5〜10秒)及び冷却(262〜30℃、15分)を1サイクルとした。温度可変レーザー三次元測定機(日立テクノロジーアンドサービス社製、形式LS220−MT100MT50)を用い、上記測定機のサンプルチャンバーに上記で得られた半導体装置の半導体素子面を下にして設置し、多層プリント配線板の高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。反り量に関しては、150μmを超えるとマザーボード実装時に接続不良を起こす可能性が高くなる。
表1から明らかなように、実施例1〜10は、本発明によるエポキシ樹脂組成物、ならびに、これを用いた積層板、プリント配線板及び半導体装置であり、硬化後の高いガラス転移温度、低い線膨張係数及び弾性率の相乗効果として、半導体装置におけるプリント配線板の反りが抑制されていることが分かる。また、いずれの実施例も半田耐熱性に問題はなかった。一方、表2から明らかなように、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物(DIC製、HP−6000)を用いず、1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)メタンを使用した比較例1、3、4は、硬化後の樹脂組成物のガラス転移温度は高くなるが、硬化後の樹脂組成物の線膨張係数及び弾性率、ならびに、積層板の線膨張係数も高くなり、全体として半導体装置におけるプリント配線板の反りが顕著に大きくなった。また、1,1−ビス(2,7−ジグリシジルオキシ−1−ナフチル)メタンを使用し、ビスマレイミドを多量に用いた比較例7では、半導体装置におけるプリント配線板の反りは良好であったが、積層板の半田耐熱性が悪化した。反対に、エポキシ化合物として1,6−ジグリシジルオキシナフタレンを使用した比較例2は、硬化後の樹脂組成物の線膨張係数及び弾性率、ならびに、積層板の線膨張係数については実施例1〜10と同等であるものの、ガラス転移温度が低く、全体として基板の反りを抑制することができなかった。また、ビスマレイミド化合物を用いなかった比較例5、6は硬化後の樹脂組成物の線膨張係数及び積層板の線膨張係数が低くならず、全体として基板の反りを抑制することができなかった。
Claims (12)
- 下記一般式(1)で表されるナフチレンエーテル型エポキシ化合物と、ビスマレイミド化合物と、無機充填剤とを含んでなるエポキシ樹脂組成物。
(式中、nは1〜20の整数である。Rはそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基、下式(2)である。)
(式中、Arはそれぞれ独立にフェニレン基、ナフチレン基であり、mは1又は2の整数である。) - 熱硬化後のエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度(Tg)が160℃以上である請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 熱硬化後のエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度(Tg)未満における線膨張係数が40ppm/℃未満である請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 熱硬化後のエポキシ樹脂組成物の25℃における弾性率(ヤング率)が1〜10GPaの範囲内にある請求項1〜3のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 上記無機充填剤が平均粒子径10nm〜150nmのシリカナノ粒子を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 上記無機充填剤が平均粒子径1μm〜10μmのシリコーンゴム微粒子を含む請求項1〜5のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。
- 請求項7に記載のプリプレグの少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板。
- 請求項7に記載のプリプレグを2枚以上積層したプリプレグ積層体の少なくとも片面上に金属層を配置してなる積層板。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を支持フィルム又は金属箔上
に配置してなる樹脂シート。 - 請求項7に記載のプリプレグ、請求項8もしくは9に記載の積層板、又は請求項10に記載の樹脂シートから形成されたプリント配線板。
- 請求項11に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
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