JP2013070060A - 基板の積層方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】タッチパネルの基板を積層する方法は、結合体を形成するために、配置及び互いのパラ・ポジショニングをした後に、複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する。本開示は、従来の製造工程における低い積層効率の問題を改善する。
【選択図】図1
Description
本開示は、等しいサイズの複数の小さい基板110を形成するために、優れた光透過性を有するガラス、透明レンズ又は透明パッシベーション材料の使用を含み、大きい規格又はサイズを有する一つの大きい基板120を形成するために、同じ材料又は異なる材料を用いる。小さい基板110は、大きい基板120上に均一に配置される。
この工程は、小さい基板の配置を含む。小さい基板110は、アレイ・パラ・ポジショニングによって第1のプラットフォーム210上に配置される。第1のプラットフォーム210は、配置するために、小さい基板110を吸着するための負圧を生成するために、複数のスルーホールを介して負圧生成装置に接続することができる。
制御装置は、CCD1の座標(x1、y1)、CCD2の座標(x2、y2)及び第1のプラットフォーム210の座標(x'、y'、β')を記憶し、三つの互いの座標の関係を決定するために用いられる。
CCD1及びCCD2は、各小さい基板110の第1の角部110a及び第2の角部110bの可視範囲内で、それぞれ実際の画像P1及びP2を捕捉及び記憶するために用いられる。そして、実際の画像は制御装置に記憶される。第1の角部110a及び第2の角部110bは、小さい基板110の任意の二つの角部である。
制御装置は、小さい基板110の中央ズレ量(Δx'y')及び角度ズレ量(Δβ')を決定するために、第1のプラットフォーム210の座標システムにおいて、第1の角部110a及び第2の角部110bの位置関係を算出する。
制御装置は、小さい基板110のアレイポジションを補正することができるように、中央ズレ量(Δx'y')及び角度ズレ量(Δβ')に基づいて、変位の補償を実行するために、第1のプラットフォーム210に指示する。
制御装置は、CCD3の座標(x3、y3)、CCD4の座標(x4、y4)及び第2のプラットフォーム220の座標(x''、y''、β'')を記憶し、三つの互いの座標の関係を決定するために用いられる。
CCD3及びCCD4は、大きい基板120のターゲットポイント121及び122の可視範囲内で、それぞれ実際の画像P3及びP4を捕捉及び記憶するために用いられる。そして、実際の画像は制御装置に記憶される。
制御装置は、大きい基板120の中央位置(x'''y''')及び角度(β''')を決定するために、第2のプラットフォーム220の座標システムにおいて、ターゲットポイント121及び122の位置関係を算出する。それに応じて、制御装置は、大きい基板120に積層される、小さい基板のアレイポジション(B1、B2…B24)との関連を決定することができる。
小さい基板110が配置された第1のプラットフォーム210上の第1の基準ポイントC1と、大きい基板120が配置された第2のプラットフォーム220上の第2の基準ポイントC2と、を比較し(図6A及び図6Bを参照)、制御装置は、基準の誤差値を算出して得ることができる。第1のプラットフォーム210及び第2のプラットフォーム220の移動機能に基づいて、基準の誤差値はCx、Cy、Cy−α、Cz、及びCz−βの組み合わせである。互いのパラ・ポジショニングが正確に完了するまでに、第1のプラットフォーム210及び/又は第2のプラットフォーム220は、基準の誤差値に基づいて補正するために、小さい移動を実行するために駆動されることができる。
小さい基板110と大きい基板120との互いのパラ・ポジショニングの後に、一回限りの積層が実行され、以下の工程41〜44のうちのいずれかが一回限りの積層を完了させるために実行される。
積層剤の塗布の工程S30は、大きい基板120と小さい基板110との配置の工程S2を完了させた後(図8Aを参照)、又は大きい基板120と小さい基板110との互いのパラ・ポジショニングの工程S3を完了させた後(図8Bの工程)に実行される。
硬化は一回限りの積層の工程S4の後に実行される(図8A及び図8Bを参照)。制御装置は、硬化領域W3(図2を参照)に結合体130を移動させるために、結合体130の底部に配置された、第1のプラットフォーム210又は第2のプラットフォーム220を指示する。積層剤は、大きい基板120と小さい基板110とが強固に結合するように、大きい基板120と小さい基板110との間で硬化する。結合体130の底部に配置された、第1のプラットフォーム210又は第2のプラットフォーム220は、結合体130を完全に取り外すために、吸着力を取り除く。それにより、結合体130は手又は機械式のアーム221によって取り出される。
NaCl又はKNO3のような塩化合物が積層剤として用いられ、積層剤は常温で晶質であり、耐熱特性を有する。塩が溶融温度に加熱されると、液体状態に溶ける。温度が常温に戻ると、液体状態の塩は晶に戻り、硬化する。一形態において、積層剤として用いられる、334℃の溶融点を有するKNO3は、積層剤を塗布する工程S30において、334℃(350℃程度)より高い温度に加熱することで液体状態に溶かすことができる。塩は、大きい基板120と小さい基板110とが一回限りの積層の工程S4において互いに積層することができるように、大きい基板120上、又は小さい基板110上に塗布される。また、液体のKNO3を硬化する工程S50は、水の循環のような冷却モードを介して、徐々に常温に戻されて晶に硬化する。それにより、小さい基板110と大きい基板120とは、一時的に結合体130として積層される。それ故に、複合層を配置する効率を向上させることができるように、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置するために、アレイ状に配置された小さい基板110を移動させるためのキャリヤとして結合体130の大きい基板120を得ることが効果的である。また、配置が完了した後に、硬化した塩化合物は、複合層と共に配置された小さい基板110を大きい基板120から除去し、大きい基板120を単層タッチ基板又はタッチパネルとして用いるように、再び加熱することによって液体状態に戻すことができる。
シリコン(Si)又はアクリルを含む一般的な液体接着剤が積層剤として用いられる。常温で積層剤を塗布する工程S30において、液体接着剤は、一回限りの積層の工程S4において、大きい基板120と小さい基板110とを互いに積層することができるように、大きい基板120上又は小さい基板110上に直接塗布される。また、硬化の工程S50において、液体接着剤は紫外線の照射によって硬化する。それにより、小さい基板は大きい基板に恒久的に積層され、結合体130を形成する。
110a、110b 角部
120 大きい基板
121 ターゲット
130 結合体
140 タッチパネル
210 第1のプラットフォーム
211 アーム
220 第2のプラットフォーム
221 アーム
222 角部
223 端部
Claims (19)
- 複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する工程を有する、基板の積層方法。
- 前記小さい基板は強化される、請求項1に記載の基板の積層方法。
- 前記小さい基板は、第1のプラットフォーム上に、アレイ状に配置する、請求項1又は2に記載の基板の積層方法。
- 前記第1のプラットフォームを介して前記小さい基板を吸着する負圧を与えることによって、前記小さい基板を配置する工程を有する、請求項3に記載の基板の積層方法。
- charge-coupled device(CCD)によって、パラ・ポジショニングを介して前記第1のプラットフォームにn個の前記小さい基板を配置する工程を有する、請求項3又は4に記載の基板の積層方法。
- 前記大きい基板は、第2のプラットフォーム上に配置する、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板の積層方法。
- 前記第2のプラットフォームを介して前記大きい基板を吸着する負圧を与えることによって、前記大きい基板を配置する工程を有する、請求項6に記載の基板の積層方法。
- 前記大きい基板はターゲットを有し、
前記小さい基板と共にパラ・ポジショニングするために、charge-coupled device(CCD)が前記ターゲットを捉えた後に、一回限りの積層を実行する、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板の積層方法。 - 積層する前に、前記大きい基板上に積層剤を塗布する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板の積層方法。
- 前記積層剤は、前記大きい基板上の関連する位置に塗布し、
前記関連する位置は、前記大きい基板上のターゲットに基づいて、前記小さい基板に積層する、請求項9に記載の基板の積層方法。 - 前記小さい基板が配置される第1のプラットフォームが特定の角度回転した後に、前記小さい基板は、第2のプラットフォーム上に配置される前記大きい基板に一回で積層する、請求項9又は10に記載の基板の積層方法。
- 前記小さい基板が配置される第1のプラットフォームが特定の角度回転し、前記大きい基板が配置される第2のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、前記大きい基板は、前記第1のプラットフォーム上の前記小さい基板に一回で積層する、請求項9又は10に記載の基板の積層方法。
- 積層する前に、前記小さい基板上に積層剤を塗布する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板の積層方法。
- 前記積層剤は、前記小さい基板の配列位置に基づいて塗布する、請求項13に記載の基板の積層方法。
- 前記大きい基板が配置される第2のプラットフォームが特定の角度回転した後に、前記大きい基板は、第1のプラットフォーム上に配置される前記小さい基板に一回で積層する、請求項13又は14に記載の基板の積層方法。
- 前記大きい基板が配置される第2のプラットフォームが特定の角度回転し、前記小さい基板が配置される第1のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、前記小さい基板は前記第2のプラットフォーム上の前記大きい基板に一回で積層する、請求項13又は14に記載の基板の積層方法。
- 前記積層剤は、加熱後に塗布され、一回限りの積層の後に冷却することによって硬化する塩化合物である、請求項9乃至16のいずれか1項に記載の基板の積層方法。
- 前記積層剤は、一回限りの積層の後に紫外線の照射によって硬化する液体接着剤である、請求項9乃至16のいずれか1項に記載の基板の積層方法。
- 硬化後に、前記大きい基板を前記小さい基板と等しい外形の表面ガラスに切断する、請求項9乃至18のいずれか1項に記載の基板の積層方法。
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