KR101512507B1 - 기판들을 라미네이트하는 방법 - Google Patents

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KR101512507B1
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티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드
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Abstract

본 개시는 터치 패널 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상사하게는 터치 패널의 기판들을 라미네이트하는 방법에 관한 것이다. 터치 패널의 기판들을 라미네이트하는 방법은 조합체를 형성하기 위한 로케이팅 및 파라-포지셔닝 후에 소형 기판들 및 대형 기판의 원-오프 라미네이션(one-off lamination)을 수행하는 단계를 포함한다. 본 개시는 종래의 제조 프로세스들에서 안좋은 라미네이션 효율의 문제를 극복한다.

Description

기판들을 라미네이트하는 방법{Method of laminating substrates}
본 개시(disclosure)는 터치 패널(touch panel) 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상사하게는 터치 패널의 기판들을 라미네이트하는(laminating) 방법에 관한 것이다.
터치 패널들은 터치 인터페이스들(touch interfaces)로서 터치 표시 장치들 및 LCD(liquid crystal display) 장치들에 널리 사용되고 있다. 터치 패널은 보통 좋은 광선 투과율(light transmittance)을 갖는 유리(glass)를 기판(substrate)으로 사용하여 제조된다. 터치 전극층(touch electrode layer), 절연층(insulation layer), 회로층(circuit layer) 및 마스크층(mask layer)으로 구성된 합성층(composite layer)은 기판 위에 배치된다. 기판은 자주 터치되므로, 좋은 강도(strength)를 가져야만 한다.
일부 터치 패널들은 2개의 소형 기판들 사이에 전극들 및 회로들을 합성하여 형성되는데, 하나의 소형 기판에는 합성층이 배치되지 않거나, 기판 표면에 합성층의 오직 일부만 배치되고, 다른 소형 기판에는 터치 기판으로서 합성층이 배치된다. 제조 프로세스(manufacturing process) 동안, 2개의 소형 기판들은 라미네이트된다. 그러나, 2개의 소형 기판들을 하나씩(one by one) 라미네이트하는 방법은 비효율적이다. 따라서 생산 수율(production yield)을 증가시키기 위해 기판을 효율적으로 라미네이트하는 방법이 필요하다.
본 개시의 목적은 소형 기판들 및 대형 기판을 포함하는 기판들을 라미네이트하는 방법을 제공하는 것이다. 본 개시는 종래의(conventional) 제조 프로세스에서 안좋은 라미네이션(lamination) 효율의 문제를 극복할 수 있다.
본 개시에 따르면, 소형 기판들은 원-오프 라미네이션(one-off lamination)(또한 간단히 라미네이션으로도 교체 가능하게 언급됨)을 수행하기 전에 강화(strengthen)되고, 따라서 소형 기판들의 강도(strength)의 감소 문제를 회피할 수 있다.
일 실시예에서, 소형 기판들은 제1 플랫폼 위에 어레이들로(in arrays) 위치된다. 제1 플랫폼은 음압(negative pressure)을 제공하여, 소형 기판들을 로케이팅(locating)을 위해 흡착한다. 소형 기판들은 CCD(charged-coupled device)에 의한 파라-포지셔닝(para-positioning)을 통해 제1 플랫폼 위에 위치되어, 원-오프 라미네이션 수행 전 소형 기판들의 정확한 사전 로케이팅 및 위치들의 기록을 가능하게 한다.
대형 기판은 제2 플랫폼 위에 위치된다. 제2 플랫폼은 음압을 제공하여, 대형 기판을 로케이팅을 위해 흡착한다. 대형 기판은 타깃(target)을 포함하고, 소형 기판들과 파라-포지셔닝하기 위해 CCD가 타깃을 캡처한 후 원-오프 라미네이션이 수행된다. 따라서, 원-오프 라미네이션 수행 전 대형 기판의 정확한 사전 로케이팅 및 대형 기판 및 소형 기판들 사이의 상대적 위치들을 위치들의 기록하기에 좋다.
본 개시의 라미네이션 방법은 라미네이션 전에 대형 기판 위 또는 소형 기판들 위에 라미네이팅 에이전트를 코팅하는 단계를 더 포함한다.
라미네이팅 에이전트가 대형 기판 위에 코팅되면, 대형 기판의 상대적 위치들에 코팅되고, 상대적 위치들은 대형 기판의 타깃을 기반으로 소형 기판들과 라미네이트될 것이다. 게다가, 제1 플랫폼이 특정 각도로 회전한 후, 소형 기판들은 제2 플랫폼 위의 상기 대형 기판과 완전히(once and for all) 라미네이트된다. 대신에, 제1 플랫폼이 특정 각도로 회전하고, 제2 플랫폼이 적어도 2개의 방향들을 따라 이동한 후, 대형 기판은 제1 플랫폼 위의 소형 기판들과 완전히 라미네이트된다.
라미네이팅 에이전트가 소형 기판들 위에 코팅되면, 라미네이팅 에이전트는 소형 기판들의 어레이 위치들(array positions)을 기반으로 코팅된다. 게다가, 제2 플랫폼이 특정 각도로 회전한 후, 대형 기판은 제1 플랫폼 위의 소형 기판들과 완전히 라미네이트된다. 대신에, 제2 플랫폼이 특정 각도로 회전하고, 제1 플랫폼이 적어도 2개의 방향들을 따라 이동한 후, 소형 기판들은 제2 플랫폼 위의 대형 기판과 완전히 라미네이트된다.
본 개시에서 원-오프 라미네이션을 수행하는 목적은: 임시 라미네이션(temporary lamination) 방식을 수행하는 단계, 라미네이팅 에이전트로 소금 화합물을 특히 제공하여, 가열 후 코팅되고, 상기 원-오프 라미네이션 후 냉각을 통해 보존 처리되는 단계를 포함한다. 소형 기판들 및 대형 기판을 하나의 본체(body)로 통합시킨 후, 상기 방법은 캐리어(carrier)로서 대형 기판을 이용하는 단계 및 소형 기판들을 이동시키는 단계를 더 포함하되, 상기 소형 기판들은 합성층(composite layer)을 배치하기 위해 어레이들로 위치되어 있고, 합성층은 터치 전극층, 절연층, 회로층 및 마스크층을 포함한다. 이는 합성층 배치의 효율성을 증가시킨다. 게다가, 배치(disposition)를 완료한 후, 보존 처리된(cured) 소금 화합물은 융해(thawing) 절차를 통해 보존 처리되지 않은(non-cured) 상태로 되돌아갈 수 있어, 합성층과 함께 배치된 소형 기판들을 대형 기판으로부터 제거할 수 있고, 터치 기판들 또는 터치 패널들로 사용한다.
본 개시에서 원-오프 라미네이션을 수행하는 방법은 영구적 라미네이션(permanent lamination) 방식을 수행하는 단계를 더 포함한다. 특히, 이 단계는 라미네이팅 에이전트로 액상 접착제를 제공하는 단계를 포함하고, 원-오프 라미네이션 후 자외선의 조사(irradiation)를 통해 보존 처리된다. 소형 기판들은 대형 기판과 하나의 본체(body)로 통합되고, 소형 기판들은 합성층과 함께 배치된 터치 기판들이다. 합성층은 터치 전극층, 절연층, 회로층 및 마스크층을 포함한다. 다음, 대형 기판은 라미네이션 후 동일한 사양(specification)을 갖는 소형 기판들로 커팅될 수 있고, 이를 통해 대형 기판을 2층들의 유리를 포함하는 터치 패널을 형성하기 위해 표면 유리(surface glass)로 사용한다.
본 개시는 문제들을 해결하고 효과들을 획득하는 기술적 해결책을 제공한다.
본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들을 위해, 도면과 병행하여 여기서 기술되는 실시예들은 오직 예시 목적이고, 본 개시를 어떤 방식으로 제한하는 것이 아니다.
도 1은 본 개시에 따른 라미네이션(lamination) 방법의 절차에 대한 블록도이고;
도 2는 도 1에 도시된 방법 수행을 나타내는 도식적인 도면이고;
도 3은 본 개시에 따른 재료 획득 절차(material taking procedure) 수행에 대한 블록도이고;
도 4는 본 개시에 따른 로케이팅(locating) 절차 수행에 대한 블록도이고;
도 4a는 도 4로부터 확장된 파라-포지셔닝(para-positioning) 절차 수행에 대한 블록도이고;
도 4b-4d는 도 4a를 도시하는 도식적인 도면들이고;
도 5a는 본 개시에 따른 파라-포지셔닝(para-positioning) 절차 수행에 대한 블록도이고;
도 5b는 도 5a를 도시하는 도식적인 도면이고;
도 6a-6c는 본 개시에 따른 원-오프 라미네이션 프로세스(one-off lamination process)를 도시하는 도식적인 도면들이고;
도 7a-7b는 본 개시에 따른 라미네이팅 에이전트 코팅 프로세스(laminating agent coating process) 수행에 대한 블록도들이고;
도 8a-8b는 본 개시에 따른 보존 처리(curing) 프로세스를 수행하기 전 및 후의 상태들(states)을 도시하는 도식적인 도면들이고; 그리고
도 9는 본 개시에 따른 대형 기판 커팅 프로세스(cutting process)를 도시하는 도식적인 도면이다.
도 1은 본 개시에 따라 기판 위에 라미네이션(lamination)을 수행하는 방법을 위한 블록도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 방법 수행과 관련된 여러 가지 단계들을 도시하는 도식적인 도면을 나타낸다. 본 개시에 따라 기판들을 라미네이트하는 방법은, 소형 기판들(110) 및 대형 기판(120)의 원-오프(one-off) 라미네이션을 수행하는 단계를 포함한다. 특히, 상기 단계는 다음 단계들(S1-S4)을 포함한다:
단계(S1): 재료 획득(Material taking)
본 개시는 동일한 크기의 소형 기판들(110)을 형성하기 위해 좋은 광선 투과율(light transmittance)을 갖는 유리, 투명한 렌즈(lens) 또는 투명한 패시베이션(passivation) 재료의 사용 및 더 큰 사양(specification) 또는 크기를 갖는 대형 기판(120)을 형성하기 위해 동일 또는 다른 재료의 사용을 포함한다. 소형 기판들(110)은 대형 기판(120) 위에 균등하게(evenly) 놓일 수 있다.
소형 기판들(110)은 큰 영역(large area)을 갖는 기판 블랭크(substrate blank, 100)를 사용함으로써 형성될 수 있고(도 3에 도시됨), 그 후 기판 블랭크(110)는 몇몇의(several) 소형 기판들로 커팅되고(S11), 그 후 강화(strengthen)된다(S12). 커팅은 나이프(knife) 또는 레이저(laser)를 포함하는 여러 가지 모드(mode)들을 통해 수행될 수 있다. 강화는 화학적 강화 또는 물리적 강화의 수단을 통해 완료될 수 있다. 대신에, 대형 기판(120)은 강화 단계(S12)를 통해 먼저 형성될 수 있고, 이를 통해 소형 기판들(110) 및 대형 기판(120)의 요구되는 압축 강도(compression strength)를 획득할 수 있다.
단계(S2): 로케이팅(locating)
이 단계는 소형 기판들의 로케이팅을 포함한다. 소형 기판들(110)은 어레이 파라-포지셔닝(array para-positioning)에 의해 제1 플랫폼(platform, 210) 위에 위치되고, 제1 플랫폼(210)은 몇몇의 관통 구멍들(through-holes)을 통해 음압(negative pressure) 생성 장치에 연결될 수 있고, 음압 생성 장치는 로케이팅을 위해 소형 기판들(110)을 흡착하기 위해 음압을 생성한다.
로케이팅 프로세스에서, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 재료 획득(material taking) 및 재료 배치(material placing)를 손(hand)에 의해 또는 기계의 팔(mechanical arm, 211)에 의해 수행하는 것이 실현 가능하다는 것을 이해할 수 있는데, 소형 기판들(110)을 하나씩(one by one) 제1 플랫폼(210) 위에 배치하는 것을 포함하는 소형 기판들(110)의 로케이팅을 완료하여, 소형 기판들(110)이 어레이로 정렬되고, 로케이팅을 위해 음압에 의해 흡착된다.
이는 소형 기판들의 파라-포지셔닝 단계(S20)를 더 포함한다.
소형 기판들(110)의 재료 배치 후 음압 로케이팅까지, 소형 기판들(110)의 어레이 파라-포지셔닝이 수행된다(도 2 및 도 4에 도시됨).
제1 플랫폼(210)은 X축 및 Y축 또는 X축, Y축, Y축의 각도(α), Z축 및 Z축의 각도(β)의 임의의 조합(combination)을 포함하는 적어도 2개의 방향들을 따라 이동하는 능력을 갖는다. 제1 플랫폼(210)은 또한 CCD(charge-coupled device, 212)와 함께 갈 수 있고(collocate), CCD(212)는 X축 및 Y축 또는 X축, Y축 및 Z축을 따라 이동하는 능력을 갖는다. 또한, CCD(212)는 광원(light source)을 포함한다.
재료 획득 및 재료 배치의 프로세스에서, 실제 이미지들(real images)에 따라 제1 플랫폼(210)의 아주 작은 이동(tiny displacement)을 추진하고, 소형 기판들을 정확한 어레이 위치들(array positions)에 정렬하기 위해, CCD(212)는 제1 플랫폼(210) 및 그 위의 소형 기판들(110)의 실제 이미지들을 정확하게 캡처하고, 기록할 수 있다. 제1 플랫폼(210) 위에 소형 기판들(110) 모두의 어레이 파라-포지셔닝을 완료한 후, 제1 플랫폼(210) 위의 모든 소형 기판들(110)을 동시에 흡착하기 위해 음압이 인가되어, 소형 기판들(110)은 동시에 위치된다(located).
게다가, 본 개시는 또한 CCD(212)에 의해 용이하게 되는 소형 기판들(110)의 정확한 파라-포지셔닝의 실시예를 제공하고(도 4a 및 도 4b에 도시됨), CCD(212)는 CCD1 및 CCD2를 포함하고, 제1 플랫폼(210)의 상측(upward side)으로 이동하고, 다음 단계들(S21-S25)을 수행한다.
단계(S21): 좌표(coordinates)를 결정함
제어부(control unit)는 CCD1의 좌표(x1, y1), CCD2의 좌표(x2, y2) 및 제1 플랫폼(210)의 좌표(x', y', β')를 기록하기 위해 사용되어, 3개의 좌표들 사이의 관계를 결정한다.
단계(S22): 이미지 캡처링(Image capturing)
CCD1 및 CCD2는 각각, 각 소형 기판(110)의 제1 코너(corner, 110a) 및 제2 코너(110b)의 가시 범위(visible scope) 내에서 실제 이미지들(P1, P2)을 캡처하고, 기록하기 위해 사용되고, 실제 이미지들이 제어부에 기록되고, 제1 코너(110a) 및 제2 코너(110b)는 소형 기판(110)의 임의의 2개의 코너들이 될 수 있다.
단계(S23): 소형 기판들의 편차값들(deviation values)을 결정함
제어부는 제1 플랫폼(210)의 좌표계(coordinate system)에서 제1 코너(110a) 및 제2 코너(110b)의 상대적 위치들을 계산하여, 소형 기판(110)의 중심(center) 편차값(△xy) 및 각도 편차값(△β)을 결정한다.
단계(S24): 소형 기판들을 보상하고 정정함
소형 기판들(110)의 어레이 위치들을 정정하기 위해, 제어부는 제1 플랫폼(210)이 중심 편차값(△x'y') 및 각도 편차값(△β')에 따라 이동 보상(displacement compensation)을 수행하도록 지시한다.
상기 단계들(S21-S24)를 여러 차례 수행함으로써, 소형 기판들(110)의 어레이 파라-포지셔닝이 제1 플랫폼(210) 위에서 개별적으로 완료될 수 있고(도 4c에 도시됨, A1, A2...A24), 그 후 동시 로케이팅을 위해 제1 플랫폼(210) 위의 모든 소형 기판들(110)을 흡착하기 위해 음압이 인가될 수 있다.
소형 기판들(110)을 위한 상기 파라-포지셔닝 절차는 원-오프 라미네이션 수행 전 정확한 파라 포지셔닝 및 소형 기판들(110)의 사전 로케이팅 및 위치들의 기록에 좋다.
대형 기판(120)은 에지 파라-포지셔닝(edge para-positioning)에 의해 제2 플랫폼(220) 위에 위치될 수 있고, 제2 플랫폼(220)은 몇몇의 관통 구멍들(through-holes)을 통해 음압 생성 장치에 연결될 수 있다. 음압 생성 장치는 음압을 생성하여 로케이팅을 위해 대형 기판(120)을 흡착할 수 있다. 대형 기판(120)의 로케이팅은 시간 절약을 위해 소형 기판들(110)의 로케이팅과 동시에 수행되거나, 소형 기판들(110)의 로케이팅 전 또는 후에 수행될 수 있다.
타깃(target)은 대형 기판(120) 위에 미리 설정(preset)되고, 타깃은 또한 적어도 2개의 타깃 포인트들(121, 122)를 포함하는데, 적어도 2개의 타깃 포인트들(121, 122)은 그들 사이의 특정한(specific) 상대적 거리를 갖는다. 로케이팅 프로세스에서, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 대형 기판(120)의 재료 획득(material taking) 및 재료 배치(material placing)를 손(hand)에 의해 또는 기계의 팔(mechanical arm, 211)에 의해 수행하여, 대형 기판(120)의 로케이팅을 완료하는 것이 실현 가능하다는 것을 이해할 수 있다. 로케이팅 단계는 대형 기판(120)을 제2 플랫폼(220) 위에 배치하는 단계, 데이터와 같이 제2 플랫폼(220)의 코너(222)에 인접한 2개의 에지들(223, 224)을 획득하는 단계, 대형 기판(120)을 코너(222)에 미는 단계(pushing) 및 2개의 에지들(223, 224)에 인접하는 단계(abutting against the two edges 223 and 224)를 포함한다. 다음, 음압은 대형 기판(120)을 흡착하기 위해 인가된다. 따라서, 대형 기판(120)은 제2 플랫폼(220) 위에 정확하게 위치될 수 있다.
상기 방법은 단계(S25)를 더 포함한다: 대형 기판의 파라-포지셔닝
대형 기판(120)의 재료 배치 이후, 제2 플랫폼(220) 위의 대형 기판(120)의 파라-포지셔닝 단계가 수행된다(도 2 및 도 4에 도시됨).
제2 플랫폼(220)은 X축 및 Y축 또는 X축, Y축, Y축의 각도(α), Z축 및 Z축의 각도(β)의 임의의 조합을 포함하는 적어도 2개의 방향들을 따라 이동하는 능력을 갖는다. 제2 플랫폼(220)은 또한 CCD(225)와 함께 갈 수 있고(collocate), CCD(225)는 CCD(212)와 동일한 이동 능력을 갖고, 광원을 포함한다. 대형 기판(120)의 에지 파라-포지셔닝을 수행하는 동안, 제2 플랫폼(220) 위의 음압을 추진하고, 로케이팅을 위해 대형 기판(120)을 흡착하기 위해, CCD(225)는 제2 플랫폼(220) 위의 타깃 이미지들을 정확하게 캡처할 수 있어, 제2 플랫폼(220) 및 그 위의 대형 기판(120)의 실제 위치들을 기록한다.
본 개시는 또한 CCD(225)에 의해 용이하게 되는 대형 기판들(120)의 정확한 파라-포지셔닝의 실시예를 제공한다(도 4a 및 도 4d에 도시됨). CCD(225)는 CCD3 및 CCD4를 포함하고, 제2 플랫폼(220)의 상측(upward side)으로 이동하고, 다음 단계들(S26-S29)을 수행한다.
단계(S26): 좌표를 결정함
제어부는 CCD3의 좌표(x3, y3), CCD4의 좌표(x4, y4) 및 제2 플랫폼(220)의 좌표(x'', y'', β'')를 각각 기록하기 위해 사용되어, 3개의 좌표들 사이의 관계를 결정한다.
단계(S27): 이미지 캡처링
CCD3 및 CCD4는 각각, 대형 기판(110)의 타깃 포인트들(121, 122)의 가시 범위 내에서 실제 이미지들(P3, P4)을 캡처하고, 기록하기 위해 사용되고, 실제 이미지들이 제어부에 기록된다.
단계(S28): 대형 기판의 위치 및 각도를 결정함
제어부는 제2 플랫폼(220)의 좌표계(coordinate system)에서 타깃 포인트들(121, 122)의 상대적 위치들을 계산하여, 대형 기판(120)의 중심 위치(x'''y''') 및 각도(β''')를 결정한다. 따라서, 제어부는 대형 기판(120)과 라미네이트될 예정인 소형 기판들의 상대적 어레이 위치들(B1, B2...B24)을 결정할 수 있다.
상기 단계들(S26-S28)를 여러 차례 수행함으로써, 제2 플랫폼(220) 위 대형 기판(120)의 에지 파라-포지셔닝이 완료될 수 있고, 그 후 로케이팅을 위해 대형 기판(120)을 흡착하기 위해 음압이 추진될 수 있다.
게다가, 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)의 로케이팅 및 파라-포지셔닝의 절차 동안, 복수의 CCD가 동일한 축(axis)를 따라 또는 커버할 수 있는 이동 경로들(coverable displacement routes) 내에 배치되면, 단일(single) CCD는 이미지 캡처링 및 기록을 수행하기 위해 사용될 수 있다.
대형 기판(120)을 위한 상기 파라-포지셔닝 절차는 원-오프 라미네이션 수행 전 대형 기판(120)의 정확한 사전 로케이팅 및 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)의 상대적 위치들의 로케이팅에 좋다.
단계(S3): 상호 파라-포지셔닝
소형 기판(110)들이 위에 위치된 제1 플랫폼(210) 위의 제1 데이터(datum) 포인트(C1)의 위치를 대형 기판(120)이 위에 위치된 제2 플랫폼(220) 위의 제2 데이터 포인트(C2)의 위치와 비교함으로써(도 5a 및 도 5b에 도시됨), 제어부는 데이터 에러값(datum error value)을 계산하고 획득할 수 있다. 제1 플랫폼(210) 및 제2 플랫폼(220)의 이동 능력들에 따라, 데이터 에러값은 Cx, Cy, Cy-α, Cz 및 Cz-β의 조합(combination)일 수 있다. 상호 파라-포지셔닝이 정확하게 완료하기 전까지, 제1 플랫폼(210) 및/또는 제2 플랫폼(220)은 데이터 에러값을 기반으로 정정을 위해 아주 작은 이동을 수행하도록 추진될 수 있다.
제1 플랫폼(210) 및 소형 기판들(110) 사이와 제2 플랫폼(220) 및 대형 기판(120) 사이의 아주 작은 에러들을 회피하기 위해, 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)의 상호 파라-포지셔닝의 정확도에 영향을 미치고, 제1 실시예에서, 제1 데이터 포인트(C1)의 위치는 소형 기판들(110)의 A1 및 A6 사이의 중심 위치(central position)일 수 있다. 제2 데이터 포인트(C2)는 대형 기판(120) 위의 B1 및 B6 사이의 중심 위치일 수 있다.
특정 회전(rolling-over) 라미네이션 동작 수행이 필요한 일부 장치들을 위해, 제1 플랫폼(210) 또는 제2 플랫폼(220) 중 적어도 하나는 Y축의 각도(α)를 따라 회전하거나(rolling over) 이동하는 능력을 가져야만 한다.
상호 파라-포지셔닝을 수행하면, 제1 플랫폼(210)의 원래(original) 좌표를 유지하기 위해, 제2 플랫폼(220)은 제1 플랫폼(210) 및 제2 플랫폼(220)의 파라-포지셔닝을 정확하게 정정하기 위해 아주 작은 이동을 수행하도록 추진될 수 있다. 대신에, 제1 플랫폼 및 제2 플랫폼의 동작들은 서로 바뀔 수 있다. 파라-포지셔닝 후, 소형 기판들 및 대형 기판(120) 사이의 상대적 위치들(relative positions)은 정확하다.
단계(S4): 원-오프 라미네이션
소형 기판들(110) 및 대형 기판(120)의 상호 파라-포지셔닝 후, 원-오프 라미네이션이 수행되고, 다음 단계들(S41-S44) 중 임의의 하나는 원-오프 라미네이션을 완료하기 위해 수행될 수 있다.
단계(S41): 제1 플랫폼(210)의 이동 능력이 존재함에 따라, 제어부는 제1 플랫폼(210)에게 특정 각도(α1)로 회전하도록 지시하여(도 6a에 도시됨), 제1 플랫폼(210) 위의 소형 기판들(110)은 제2 플랫폼(220) 위의 대형 기판(120)과 한꺼번에(in one go) 균등하게(evenly) 라미네이트될 수 있다.
단계(S42): 제2 플랫폼(220)의 이동 능력이 존재함에 따라, 제어부는 제2 플랫폼(220)에게 특정 각도(α2)로 회전하도록 지시하여(도 6a에 도시됨), 제2 플랫폼(220) 위의 대형 기판(120)은 제1 플랫폼(210) 위의 소형 기판들(110)과 한꺼번에(in one go) 균등하게(evenly) 라미네이트될 수 있다.
단계(S43): 제1 플랫폼(210) 및 제2 플랫폼(220)의 이동 능력이 존재함에 따라, 제어부는 제1 플랫폼(210)에게 라미네이션 영역(W1)으로 이동하고, 그 후 특정 각도(α3)로 회전하도록 지시한다(도 6b에 도시됨). 제어부는 흡착된 소형 기판들(110)을 매달고(suspend), 제2 플랫폼(220)에게 라미네이션 영역(W1)으로 이동하도록 지시하여, 대형 기판(120)은 제1 플랫폼(210) 위의 소형 기판들(110)과 한꺼번에(in one go) 균등하게(evenly) 라미네이트될 수 있다.
단계(S44): 제1 플랫폼(210) 및 제2 플랫폼(220)의 이동 능력이 존재함에 따라, 제어부는 제2 플랫폼(220)에게 라미네이션 영역(W2)으로 이동하고, 그 후 특정 각도(α4)로 회전하도록 지시한다(도 6c에 도시됨). 제어부는 흡착된 대형 기판(120)을 매달고(suspend), 제1 플랫폼(210)에게 라미네이션 영역(W2)으로 이동하도록 지시하여, 소형 기판들(110)은 제2 플랫폼(220) 위의 대형 기판(120)과 한꺼번에(in one go) 균등하게(evenly) 라미네이트될 수 있다.
위에서 언급한 특정 각도들(α1, α2, α3, α4)은 제1 플랫폼(210) 및 제2 플랫폼(220) 사이의 각도들의 범위를 포함한다.
단계(S4)에서 원-오프 라미네이션되기 전, 본 개시는 단계(S30: 라미네이팅 에이전트를 코팅함)를 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
라미네이팅 에이전트를 코팅하는 단계(S30)는 또한 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)을 로케이팅하는 단계(S2)가 완료된 이후(도 7a에 도시됨) 또는 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)의 상호 파라-포지셔닝 하는 단계(S3)가 완료된 이후(도 7b에 도시됨)에 수행될 수 있다.
라미네이팅 에이전트는 대형 기판(120) 위 또는 소형 기판들(110) 위에 코팅된다.
라미네이팅 에이전트가 대형 기판(120) 위에 코팅되면, 원-오프 라미네이션 단계(S4)에서 단계(S41) 또는 단계(S43)는, 제2 플랫폼(220)의 회전을 방지하기 위해 수행되어야만 하는데, 위에 라미네이팅 에이전트가 코팅된 대형 기판(120)의 안정성(stability)을 유지하기 위해서이다. 라미네이팅 에이전트는 대형 기판(210) 위의 상대적 위치들(B1, B2...B24)(도 5b에 도시됨) 위에 코팅되고, 그 후 대형 기판(120)은 대형 기판(120)의 타깃을 기반으로 소형 기판(110)과 라미네이트된다. 제1 플랫폼(210)이 특정 각도(α1)(도 6a에 도시됨)로 회전한 후, 소형 기판들(110)은 제2 플랫폼(220) 위의 대형 기판(120)과 한꺼번에 라미네이트된다. 또는, 제1 플랫폼(210)이 특정 각도(α3)(도 6b에 도시됨)로 회전하고, 제2 플랫폼(220)이 적어도 2개의 방향들을 따라 이동한 후, 대형 기판(120)은 제1 플랫폼(210) 위의 소형 기판들(110)과 한꺼번에 라미네이트된다.
라미네이팅 에이전트가 소형 기판들(110) 위에 코팅되면, 원-오프 라미네이션 단계(S4)에서 단계(S42) 또는 단계(S44)는, 제1 플랫폼(210)의 회전을 방지하기 위해 수행되어야만 하는데, 이를 통해 라미네이팅 에이전트가 코팅된 소형 기판들(110)의 안정성을 유지한다. 코팅되는 동안, 라미네이팅 에이전트는 소형 기판들(110)의 어래이 위치들(A1, A2...A24)(도 5b에 도시됨)을 기반으로 코팅된다. 제2 플랫폼(220)이 특정 각도(α2)(도 6a에 도시됨)으로 회전한 후, 대형 기판(120)은 제1 플랫폼(210)의 소형 기판들(110)과 한꺼번에 라미네이트된다. 또는, 제2 플랫폼(220)이 특정 각도(α4)(도 6c에 도시됨)로 회전하고, 제1 플랫폼(210)이 적어도 2개의 방향들을 따라 이동한 후, 소형 기판들(110)은 제2 플랫폼(220)의 대형 기판(120)과 한꺼번에 라미네이트된다.
원-오프 라미네이션 단계(S4)를 완료한 후, 어레이들로 정렬된 소형 기판들(110) 및 대형 기판(120)은 조합체(combination body, 130)(도 8a에 도시됨)로 라미네이트된다. 제어부는 결합체(130)의 윗 부분(top)에 위치한 제1 플랫폼(210) 또는 제2 플랫폼(220)에게 진공 흡착력을 제거하도록 지시하여, 조합체(130)의 윗부분에서 로드(load)를 해제한다(release).
단계(S50): 보존 처리함(Curing)
보존 처리(Curing)는 원-오프 라미네이션 단계(S4) 후에 수행된다(도 7a 및 도 7b에 도시됨). 제어부는 조합체(130)의 아랫 부분(bottom)에 위치한 제1 플랫폼(210) 또는 제2 플랫폼(220)에게 조합체(130)를 보존 처리 영역(W3)(도 2에 도시됨)으로 이동하도록 지시한다. 라미네이팅 에이전트는 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110) 사이에서 보존 처리되어, 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)은 단단히 결합된다. 그 후, 조합체(130)의 아랫 부분(bottom)에 위치한 제1 플랫폼(210) 또는 제2 플랫폼(220)은 조합체(130)를 완전히 해제하기 위해(도 8b에 도시됨), 진공 흡착력을 제거한다. 따라서, 조합체(130)는 손에 의해 또는 기계의 팔(221)에 의해 빼내어 진다(taken out).
상기 단계들을 통합하여, 본 개시에서 기판들을 라미네이팅하는 방법이 특별하게 수행될 수 있고, 다음 애플리케이션들이 또한 제공된다:
1. 임시 라미네이션(temporary lamination) 프로세스
NaCl 또는 KNO3와 같은 소금 화합물(salt compound)이 라미네이팅 에이전트로 사용되는데, 라미네이팅 에이전트는 정상 온도(normal temperature)에서 결정상(crystalloid)이고, 내열성(heat-resistance) 특징을 갖는다. 소금이 녹는점(melting point)까지 가열되면, 액체 상태(liquid state)로 녹을 것이다; 그리고 온도가 정상 온도까지 감소하면, 다시 결정체(crystal)로 되돌아가고, 보존 처리(cure)된다. 일 실시예에서, 334℃의 녹는점을 갖는 KNO3는 라미네이팅 에이전트로 사용되고, 그 후 라미네이팅 에이전트를 코팅하는 단계(S30)에서 라미네이팅 에이전트는 334℃ 위의 온도(예를 들어, 350℃)로 가열됨으로써 액체 상태로 녹을 수 있다. 그 후 소금은 대형 기판(120) 위 또는 소형 기판들(110) 위에 코팅되어, 원-오프 라미네이션 단계(S4)에서 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)은 상호 라미네이트될 수 있다. 게다가, 보존 처리 단계(S50)에서, 액체인 KNO3는 물 순환(water circulation)과 같은 냉각 모드(cooling mode)를 통해 서서히 정상 온도로 되돌아갈 수 있고, 결정체로 보존 처리될 수 있다. 따라서, 소형 기판들(110) 및 대형 기판(120)은 임시적으로 조합체(130)로 라미네이트된다. 따라서, 소형 기판들(110)을 이동시키는 캐리어(carrier)로서 조합체(130) 위의 대형 기판(120)을 이용하기에 좋은데, 소형 기판들(110)은 터치 전극층(touch electrode layer), 절연층(insulation layer), 회로층(circuit layer) 및 마스크층(mask layer)을 포함하는 합성층(composite layer)을 배치하기 위해 어레이들로 위치되어 있어, 합성층 배치의 효율성이 증가될 수 있다. 게다가, 배치(disposition)를 완료한 후, 보존 처리된(cured) 소금 화합물은 재가열에 의해 액체 상태로 되돌아갈 수 있어, 합성층과 함께 배치된 소형 기판들(110)을 대형 기판(120)으로부터 제거할 수 있고, 단일층(single-layer) 터치 기판들 또는 터치 패널들로 사용한다.
2. 영구적 라미네이션(permanent lamination) 프로세스
통상적인 액상 접착제(liquid adhesive)가 라미네이팅 에이전트로 사용되는데, 액상 접착제는 실리콘(Si) 또는 아크릴(acryl)을 포함한다. 정상 온도에서 라미네이팅 에이전트를 코팅하는 단계(S30)에서, 액상 접착제는 대형 기판(120) 위 또는 소형 기판들(110) 위에 직접 코팅되어, 원-오프 라미네이션 단계(S4)에서 대형 기판(120) 및 소형 기판들(110)은 상호 라미네이트될 수 있다. 게다가, 보존 처리 단계(S50)에서, 액상 접착제는 자외선의 조사(irradiation)를 통해 보존 처리된다. 따라서, 소형 기판들은 대형 기판에 영구적으로 라미네이트되어, 조합체(130)를 형성한다.
영구적 라미네이션 프로세스에서, 터치 전극층, 절연층, 회로층 및 마스크층을 포함하는 합성층과 함께 배치된 터치 기판들은 소형 기판들(110)로 사용되고, 대형 기판(120)은 단계(S60)를 통해 커팅되어야만 한다(도 9에 도시됨).
커팅 단계(S60)에서, 조합체(130) 위의 대형 기판(120)은 나이프 또는 레이저를 포함하는 임의의 커팅 모드를 통해 소형 기판들(110)과 동일한 윤곽(outline)을 갖는 몇몇의 조각들로 커팅될 수 있고, 표면 유리(surface glass)를 2층들의 유리를 포함하는 터치 패널들(140)을 형성하기 위해 사용한다.
본 개시의 효과들은 라미네이션 효율을 증가시키기 위해 몇몇의 소형 기판들(110)이 대형 기판(120)과 한꺼번에 라미네이트될 수 있다는 사실에 있다. 게다가, 단일층 터치 기판 위에 터치 전극층, 절연층, 회로층 및 마스크층을 포함하는 합성층을 배치하는 프로세스 및 2층들의 유리를 포함하는 터치 패널을 제조하는 프로세스는 라미네이션 프로세스의 효율을 증가시킨다.
특정 실시시예들이 도시되고 기술되었으나, 여러 가지 변형들 및 대체들이 본 개시의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않는 한도에서 이루어질 수 있다. 따라서, 본 개시는 제한이 아니라 단지 예시의 방법으로 기술되었음이 이해되어야 한다.

Claims (21)

  1. 기판들을 라미네이트하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
    제1 플랫폼 위에 복수의 소형 기판들을 제공하는 단계;
    제2 플랫폼 위에 대형 기판을 제공하는 단계;
    상기 제1 플랫폼 및 상기 제2 플랫폼 중 적어도 하나가 특정 각도로 회전하는 회전 동작 및 상기 제1 플랫폼 및 상기 제2 플랫폼 중 적어도 하나가 적어도 2개의 방향을 따라 이동하는 이동 동작을 수행하는 단계; 및
    상기 회전 동작 및 상기 이동 동작 이후, 상기 소형 기판들 및 상기 대형 기판의 원-오프 라미네이션을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 플랫폼 및 제2 플랫폼 중 적어도 하나는, X축 및 Y축 또는 X축, Y축, Y축의 각도(α), Z축 및 Z축의 각도(β)의 임의의 조합을 포함하는 적어도 2개의 방향들을 따라 이동하는 능력을 갖도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소형 기판들은 강화된 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소형 기판들은 상기 제1 플랫폼 위에 어레이로(in arrays) 위치되는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플랫폼을 통해 음압(negative pressure)을 제공함으로써 상기 소형 기판들을 로케이팅(locating)하는 단계를 더 포함하되, 상기 음압은 상기 소형 기판들을 흡착하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    CCD(charged-coupled device)에 의한 파라-포지셔닝(para-positioning)을 통해 상기 제1 플랫폼 위에 상기 소형 기판들을 로케이팅(locating)하는 단계를 더 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 회전 동작 및 상기 이동 동작은 상기 제1 플랫폼과 상기 제2 플랫폼 사이의 상호 파라-포지셔닝 동안 수행되는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 플랫폼을 통해 음압을 제공함으로써 상기 대형 기판을 로케이팅하는 단계를 더 포함하되, 상기 음압은 상기 대형 기판을 흡착하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 대형 기판은 타깃(target)을 포함하고, 상기 소형 기판들과 파라-포지셔닝하기 위해 CCD가 상기 타깃을 캡처한 후 원-오프 라미네이션이 수행되는 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 원-오프 라미네이션 전에 상기 대형 기판 위에 라미네이팅 에이전트(laminating agent)를 코팅하는 단계를 더 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 라미네이팅 에이전트는 상기 대형 기판 위 상대적 위치들(relative positions) 위에 코팅되고, 상기 상대적 위치들은 상기 대형 기판의 타깃을 기반으로 상기 소형 기판들과 라미네이트되는 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제9항에 있어서,
    상기 라미네이팅 에이전트는 소금 화합물이고, 가열 후 코팅되고, 상기 원-오프 라미네이션 후 냉각을 통해 보존 처리되는(cured) 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 라미네이팅 에이전트는 액상 접착제이고, 상기 원-오프 라미네이션 후 자외선의 조사(irradiation)를 통해 보존 처리되는 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 원-오프 라미네이션 전에 상기 소형 기판들 위에 라미네이팅 에이전트(laminating agent)를 코팅하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 라미네이팅 에이전트는 상기 소형 기판들의 어레이 위치들(array positions)을 기반으로 코팅되는 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제15항에 있어서,
    상기 라미네이팅 에이전트는 소금 화합물이고, 가열 후 코팅되고, 상기 원-오프 라미네이션 후 냉각을 통해 보존 처리되는 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 라미네이팅 에이전트는 액상 접착제이고, 상기 원-오프 라미네이션 후 자외선의 조사를 통해 보존 처리되는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    보존 처리 후, 대형 기판은 상기 소형 기판들과 동일한 윤곽(outline)을 갖는 표면 유리(surface glass)로 커팅되는 단계를 더 포함하는 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108235597B (zh) * 2018-02-08 2024-02-23 惠州奔达电子有限公司 一种pcb的制作方法及pcb

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002160932A (ja) * 2000-11-17 2002-06-04 Sony Corp ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器
JP2003270649A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法及び製造装置
KR20100038851A (ko) * 2008-10-07 2010-04-15 태창엔지니어링 주식회사 터치패널 부착물의 접착 장치 및 접착 방법
JP4657387B1 (ja) * 2010-08-30 2011-03-23 信越エンジニアリング株式会社 表示パネルの製造方法及びその製造システム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2806721B2 (ja) * 1992-12-18 1998-09-30 ローム株式会社 液晶表示装置およびその製法
JP2000100905A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Murata Mfg Co Ltd 位置決め装置及びそれを用いた位置決め方法
JP2001261374A (ja) * 2000-03-15 2001-09-26 Asahi Glass Co Ltd リン酸ガラス層形成方法
JP4059153B2 (ja) * 2003-06-23 2008-03-12 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2006171064A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造装置及びその製造方法
JP4758780B2 (ja) * 2006-01-27 2011-08-31 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装装置
TW200931470A (en) * 2008-01-10 2009-07-16 Mildex Optical Inc Mass forming method of touch panel
TWI416207B (zh) * 2010-01-07 2013-11-21 Discovery High Technology Co Ltd 一種基板貼合方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002160932A (ja) * 2000-11-17 2002-06-04 Sony Corp ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器
JP2003270649A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法及び製造装置
KR20100038851A (ko) * 2008-10-07 2010-04-15 태창엔지니어링 주식회사 터치패널 부착물의 접착 장치 및 접착 방법
JP4657387B1 (ja) * 2010-08-30 2011-03-23 信越エンジニアリング株式会社 表示パネルの製造方法及びその製造システム

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