JP2013058629A5 - - Google Patents
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(4)過硫酸溶液が、ペルオキソ一硫酸カリウム、ペルオキシ硫酸水素カリウム(KHSO 5 )、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウムを1種または2種以上含み、活性酸素が0.01〜5重量%であることを特徴とする、上記(1)〜(3)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
(5)硝酸を含まない、上記(1)〜(4)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
(6)さらに塩化物イオンを0.00001〜30重量%含有することを特徴とする、上記(1)〜(5)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
(7)さらにアンモニウムイオンを0.1〜50重量%含有することを特徴とする、上記(1)〜(6)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
(5)硝酸を含まない、上記(1)〜(4)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
(6)さらに塩化物イオンを0.00001〜30重量%含有することを特徴とする、上記(1)〜(5)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
(7)さらにアンモニウムイオンを0.1〜50重量%含有することを特徴とする、上記(1)〜(6)のいずれかに記載のエッチング液組成物。
本発明における銅合金は、銅を主成分とし、銅および任意の金属を含んでなる銅合金であり、銅合金酸化物を包含する。好ましくは、銅を80原子パーセント以上含み、Cu−Ca、Cu−Mg、Cu−Ca−O、Cu−Mg−O、Cu−Al、Cu−Zr、Cu−Mn、Cu−Ni−B、Cu−Mn−B、Cu−Ni−B、Cu−Si、Cu−Mg−B、Cu−Ti−B、Cu−Mo−B、Cu−Al−B、Cu−Si−B、Cu−Mg−Al、Cu−Mg−Al−Oなどが挙げられる。ただし、銅とモリブデン、銅とチタンおよび銅とクロムからそれぞれなる銅合金を除く。Cu−Mg−AlおよびCu−Mg−Al−Oが特に良好なテーパー形状を得られるという点で好ましい。
溶解度の観点から、過硫酸塩溶液は、ペルオキソ一硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム((NH4)2S2O8)およびペルオキシ硫酸水素カリウム(KHSO5)を含む水溶液が好ましい。
「ペルオキソ一硫酸カリウム」という用語は商取引において一般に用いられ、混合三重塩2KHSO5・KHSO4・K2SO4を意味するために本明細書において用いられる。「KHSO5」という用語は、特にペルオキシ硫酸水素カリウムを意味するために本明細書において用いられる。
ペルオキソ一硫酸カリウムは、オキソンなどの製品名で知られており、この過硫酸塩は溶液安定性が高い、という点でより好ましい。
「ペルオキソ一硫酸カリウム」という用語は商取引において一般に用いられ、混合三重塩2KHSO5・KHSO4・K2SO4を意味するために本明細書において用いられる。「KHSO5」という用語は、特にペルオキシ硫酸水素カリウムを意味するために本明細書において用いられる。
ペルオキソ一硫酸カリウムは、オキソンなどの製品名で知られており、この過硫酸塩は溶液安定性が高い、という点でより好ましい。
アンモニウムイオンは、水に溶解して容易にアンモニウムイオンを生じる化合物を添加することによって、エッチング液組成物中に存在すればよい。アンモニウムイオンを生じる化合物としては、りん酸水素二アンモニウム、アミド硫酸アンモニウム、塩化亜鉛アンモニウム、塩化アンモニウム、塩化アンモニウムコバルト(II)、塩化アンモニウム銅(II)、塩化アンモニウムパラジウム(II)、塩化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化ヒドロキシルアンモニウム、過塩素酸アンモニウム、過ヨウ素酸アンモニウム、ぎ酸アンモニウム、くえん酸アンモニウム、くえん酸アンモニウム鉄(III)、くえん酸一アンモニウム、くえん酸三アンモニウム、くえん酸水素二アンモニウム、くえん酸鉄(III)アンモニウム、くえん酸二水素アンモニウム、酢酸アンモニウム、四ほう酸アンモニウム、臭化アンモニウム、しゅう酸アンモニウム、しゅう酸水素アンモニウム、しゅう酸鉄(III)アンモニウム、酒石酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硝酸アンモニウムセリウム(IV)、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、チオ硫酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウム、ふっ化水素アンモニウム、ほう酸アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウムアルミニウム、硫酸アンモニウムクロム(III)、硫酸アンモニウムコバルト(II)、硫酸アンモニウム鉄(II)、硫酸アンモニウム鉄(III)、硫酸アンモニウム銅(II)、硫酸アンモニウムニッケル(II)、硫酸アンモニウムマグネシウム、硫酸アンモニウムマンガン(II)、りん酸一アンモニウム、りん酸三アンモニウム、りん酸水素アンモニウムナトリウム、りん酸二水素アンモニウムなどが挙げられ、とくに溶解度の観点から、りん酸二水素アンモニウムやりん酸水素二アンモニウムが好ましい。アンモニウムイオンの濃度は、銅合金の膜種や膜厚、過硫酸溶液や硝酸、硫酸、塩化物イオンの濃度により、適宜設定することができ、これに限定されるものではないが、0.1〜50重量%、好ましくは1〜5重量%である。アンモニウムイオンが上記範囲内よりも小さい場合は、塩化物イオン添加時に起こる残渣発生抑制や、銅合金の溶解速度の制御が困難となり、大きい場合は銅合金の溶解速度が低下しすぎるため、断面形状が悪くなりやすい。
本発明のエッチング方法によれば、温度により、銅と銅合金の溶解速度が異なるため、これを利用して温度を変更することでテーパー角を制御することも可能である。好ましい温度は、エッチング装置の設定可能な温度条件の観点から、20〜80℃、より好ましい温度は25〜40℃である。
Claims (14)
- 銅層と銅酸化物層および/または銅合金層(ただし、銅とモリブデン、銅とチタンおよび銅とクロムからそれぞれなる銅合金を除く)とを有する金属積層膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、
過硫酸塩溶液および/または過硫酸溶液0.1〜80重量%と、りん酸0.1〜80重量%と、硝酸および/または硫酸0.1〜50重量%とを含有する、前記エッチング液組成物。 - 過硫酸塩溶液がペルオキソ一硫酸カリウム、ペルオキシ硫酸水素カリウム(KHSO5)、ペルオキソ二硫酸アンモニウムまたはペルオキソ二硫酸カリウムを1種または2種以上含む水溶液であることを特徴とする、請求項1に記載のエッチング液組成物。
- 過硫酸塩溶液および/または過硫酸溶液が、ペルオキシ硫酸水素カリウム(KHSO5)を含有することを特徴とする、請求項1または2に記載のエッチング液組成物。
- 過硫酸溶液が、ペルオキソ一硫酸カリウム、ペルオキシ硫酸水素カリウム(KHSO 5 )、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウムを1種または2種以上含み、活性酸素が0.01〜5重量%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- 硝酸を含まない、請求項1〜4のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- さらに塩化物イオンを0.00001〜30重量%含有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- さらにアンモニウムイオンを0.1〜50重量%含有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- 金属積層膜が、銅/銅合金、または銅合金/銅/銅合金の層構成であり、銅合金が基板と接している、請求項1〜7のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- 銅合金が、銅−マグネシウム−アルミニウムまたは銅−マグネシウム−アルミニウム酸化物である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- フラットパネルディスプレイにおいて、駆動トランジスタ電極をエッチングするための請求項1〜9のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。
- 銅層と銅酸化物層および/または銅合金層(ただし、銅とモリブデン、銅とチタンおよび銅とクロムからそれぞれなる銅合金を除く)とを有する金属積層膜のエッチング方法であって、請求項1〜10のいずれか一項に記載のエッチング液組成物を用いてエッチングする工程を含む、前記エッチング方法。
- 金属積層膜が、銅/銅合金、または銅合金/銅/銅合金の層構成であり、銅合金が基板と接している、請求項11に記載のエッチング方法。
- 銅合金が、銅−マグネシウム−アルミニウムまたは銅−マグネシウム−アルミニウム酸化物である、請求項11または12に記載のエッチング方法。
- フラットパネルディスプレイにおいて、駆動トランジスタ電極をエッチングする、請求項11〜13のいずれか一項に記載のエッチング方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011196394A JP5885971B2 (ja) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | 銅および銅合金のエッチング液 |
SG2012065843A SG188734A1 (en) | 2011-09-08 | 2012-09-05 | Etching solution for copper and copper alloy |
CN2012103305021A CN102995021A (zh) | 2011-09-08 | 2012-09-07 | 铜及铜合金的蚀刻液组合物及蚀刻方法 |
TW101132768A TW201323661A (zh) | 2011-09-08 | 2012-09-07 | 銅和銅合金的蝕刻液 |
KR1020120099231A KR20130028014A (ko) | 2011-09-08 | 2012-09-07 | 구리 및 구리 합금의 에칭액 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011196394A JP5885971B2 (ja) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | 銅および銅合金のエッチング液 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013058629A JP2013058629A (ja) | 2013-03-28 |
JP2013058629A5 true JP2013058629A5 (ja) | 2014-09-18 |
JP5885971B2 JP5885971B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=47924114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011196394A Expired - Fee Related JP5885971B2 (ja) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | 銅および銅合金のエッチング液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5885971B2 (ja) |
KR (1) | KR20130028014A (ja) |
CN (1) | CN102995021A (ja) |
SG (1) | SG188734A1 (ja) |
TW (1) | TW201323661A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6777420B2 (ja) * | 2016-04-21 | 2020-10-28 | 関東化学株式会社 | 単層膜または積層膜のエッチング組成物または前記組成物を用いたエッチング方法 |
CN105887092B (zh) * | 2016-04-28 | 2019-01-15 | 华南理工大学 | 一种适用于臭氧回收法的pcb酸性蚀刻液 |
KR102598530B1 (ko) * | 2018-01-05 | 2023-11-06 | 가부시키가이샤 아데카 | 조성물 및 에칭 방법 |
KR102205628B1 (ko) | 2019-02-12 | 2021-01-21 | 김진호 | 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물 |
CN110093606A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-06 | 大连亚太电子有限公司 | 一种用于pcb板的蚀刻液及其制作方法 |
CN110938822A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-03-31 | 浙江工业大学 | 一种钼/铜复合金属层的蚀刻液、蚀刻方法与应用 |
CN111041489B (zh) * | 2020-01-03 | 2021-10-15 | 易安爱富(武汉)科技有限公司 | 一种钼/钛合金薄膜蚀刻液组合物及其应用 |
CN111809183B (zh) * | 2020-07-14 | 2022-08-09 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | 一种铜镓合金的金相腐蚀液以及金相显示方法 |
CN112635553B (zh) * | 2020-12-25 | 2022-09-16 | 广东省科学院半导体研究所 | 薄膜晶体管的制作方法和显示装置 |
CN113667979A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-11-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 铜钼金属蚀刻液及其应用 |
WO2024107260A1 (en) * | 2022-11-14 | 2024-05-23 | Tokyo Electron Limited | Methods for wet etching of noble metals |
CN116573782B (zh) * | 2023-04-03 | 2023-11-03 | 迁安市宏奥工贸有限公司 | 脱硫废液的处理方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4706081B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2011-06-22 | メック株式会社 | 銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング法 |
JP4069387B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2008-04-02 | 上村工業株式会社 | エッチング液 |
JP4093147B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2008-06-04 | 三菱電機株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
US7442323B2 (en) * | 2006-06-02 | 2008-10-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Potassium monopersulfate solutions |
JP4973231B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | 銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板と半導体パッケージ |
JP5559956B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2014-07-23 | 東進セミケム株式会社 | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
KR101310310B1 (ko) * | 2007-03-15 | 2013-09-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물 |
US8518281B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-08-27 | Kesheng Feng | Acid-resistance promoting composition |
KR101520921B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2015-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
JP5604056B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2014-10-08 | 関東化学株式会社 | 銅含有積層膜用エッチング液 |
CN101807572A (zh) * | 2010-02-25 | 2010-08-18 | 友达光电股份有限公司 | 刻蚀液、主动组件阵列基板及其制作方法 |
KR20120066950A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 삼성전자주식회사 | 식각액, 이를 이용한 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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2011
- 2011-09-08 JP JP2011196394A patent/JP5885971B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-05 SG SG2012065843A patent/SG188734A1/en unknown
- 2012-09-07 CN CN2012103305021A patent/CN102995021A/zh active Pending
- 2012-09-07 TW TW101132768A patent/TW201323661A/zh unknown
- 2012-09-07 KR KR1020120099231A patent/KR20130028014A/ko not_active Application Discontinuation
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