JP2013042095A - Semiconductor light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はLED素子等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関するものであり、詳しくは実装した半導体発光素子の発光面上に透光部材を介して反射部材を設けた半導体発光装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device including a semiconductor light emitting element such as an LED element, and more particularly to a semiconductor light emitting device in which a reflective member is provided on a light emitting surface of a mounted semiconductor light emitting element via a light transmitting member.
近年、LED素子(以下LEDと略記する)は半導体発光素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においても半導体発光装置として、LED発光装置を事例として説明する。 In recent years, an LED element (hereinafter abbreviated as LED) is a semiconductor light emitting element, and therefore has a long life and excellent driving characteristics, is small in size, has high luminous efficiency, and has a bright emission color. It has come to be widely used for backlights and lighting. In the present invention, an LED light emitting device will be described as an example of the semiconductor light emitting device.
特に近年、LEDの周囲を透光部材である透光性樹脂で被覆し、さらに被覆した透光性樹脂の上面側に反射部材の層を設けたLED発光装置が提案されている。(例えば特許文献1、特許文献2)
Particularly in recent years, an LED light emitting device has been proposed in which the periphery of an LED is coated with a translucent resin as a translucent member, and a reflective member layer is provided on the top surface side of the coated translucent resin. (For example,
以下、反射部材を透光部材の上面に配設した従来のLED発光装置に付いて説明する。なお、理解し易いように発明の趣旨を外さない範囲において図面を一部簡略化し、また部品名称も本願にそろえている。図7は特許文献1に示されたLED発光装置100の断面図であり、回路基板102の上面には配線電極103a、103bが設けられており、配線電極103aに実装固着されたLED101の電極がワイヤー104によって、配線電極103bにワイヤーボンディングされている。さらに配線電極103a、103bは回路基板102の側面を通じて回路基板102の裏面側に導かれ、駆動電極103cを形成している。
Hereinafter, a conventional LED light emitting device in which a reflecting member is disposed on the upper surface of the light transmitting member will be described. For ease of understanding, the drawings are partially simplified within the scope not departing from the spirit of the invention, and component names are also included in the present application. FIG. 7 is a cross-sectional view of the LED light emitting device 100 disclosed in
またLED101の上面及び側面は透光性樹脂105(透光部材)により封止されており、さらに透光性樹脂105の上面には反射部材106(光遮蔽層)が設けられている。すなわちLED101の真上に放射される強い放射光を遮る位置に反射部材106を配置している。
Further, the upper surface and side surfaces of the LED 101 are sealed with a translucent resin 105 (translucent member), and a reflective member 106 (light shielding layer) is provided on the upper surface of the translucent resin 105. That is, the reflecting
次に上記LED発光装置100の発光動作を説明する。図示しない実装基板に半田付け等により接続した回路基板102の駆動電極103cより、LED101へ駆動電流を供給するとLED101が発光する。このとき反射部材106がない場合を考える。LED101は上面及び側面方向に光を出射するとしても、上方への出射光は極めて強くなる。このため、LED101の真上が極端に強く周辺が弱い発光状態となり、照明装置にLED発光装置100を組み込むと輝度むらが生じる。つまりLDE101の中心のみ明るくて周囲は暗い照明装置となる。
Next, the light emitting operation of the LED light emitting device 100 will be described. When a drive current is supplied to the LED 101 from the drive electrode 103c of the
上記問題を解決するために、LED発光装置100では、LED101を封止している透光性樹脂105の透光樹脂上面105aに反射部材106(光遮蔽層)を設けている。すなわちLED101の真上の極端に強い放射光を反射部材106によって阻止または抑制し、さらに反射部材106によって反射させ周囲から放射させることによって、LED101の正面が局部的に明るくなるという配光むらを改善している。なお、反射部材106としては白色樹脂や金属層のようにLED101の発光を反射させる材料が使われている。
In order to solve the above problem, in the LED light emitting device 100, a reflective member 106 (light shielding layer) is provided on the translucent resin upper surface 105a of the translucent resin 105 sealing the LED 101. That is, the extremely strong radiated light directly above the LED 101 is blocked or suppressed by the reflecting
図8は特許文献2の図1に示されたLED発光装置200の断面図である。LED発光装置200は、回路基板202の上面に設けた配線電極(図示せず)にフリップチップ実装したLED201と、LED201を覆うようにして封止する透光性樹脂205と、透光性樹脂205の上面に形成した反射部材206を備えている。反射部材206は、半透過反射性の金属箔膜よりなり、蒸着またはメッキ法で形成する。反射部材206の反射率(又は透過率)及び面積、透光性樹脂205の厚み等を任意に設定することにより、正面方向の光出射量や広がり角の制御が可能となる。例えば、反射部材206を透過する透過光P1の量や側面方向へ出射する反射光P2の光路長を調節して指向特性を改善することができる。このLED発光装置200は少ない構成部品で発光ムラの緩和を行っている。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the LED
上記引用文献1,2に記載されたLED発光装置100,200において、透光性樹脂105,205は、回路基板102,202や反射部材106,206との間で強く接着している。しかしながら、よく知られているように発光色を白色化するため透光性樹脂105,205に蛍光粒子を混入すると接着性能が低下することがある。
In the LED
そこで本発明の目的は、上記問題点を解決しようとするものであり、蛍光体を含有する透光部材(以下蛍光部材と呼ぶ)により少なくとも側面及び上面を被覆した半導体発光素子と、この半導体発光素子を搭載する回路基板と、この蛍光部材の上面に配置された反射部材とを備える半導体発光装置において、蛍光部材と回路基板及び反射部材との固着力を高めたLED発光装置を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems. A semiconductor light-emitting element having at least a side surface and an upper surface covered with a light-transmitting member (hereinafter referred to as a fluorescent member) containing a phosphor, and the semiconductor light-emitting device. In a semiconductor light emitting device including a circuit board on which an element is mounted and a reflecting member disposed on the upper surface of the fluorescent member, an LED light emitting device in which the adhesion between the fluorescent member, the circuit board, and the reflecting member is increased is provided. is there.
上記目的を達成するため本発明におけるLED発光装置の構成は、下記の通りである。
蛍光部材で少なくとも側面及び上面を被覆した半導体発光素子と、該半導体発光素子を搭載する回路基板と、前記蛍光部材の上面に反射部材とを備える半導体発光装置において、前記蛍光部材の周囲であって前記回路基板と前記反射部材により挟まれる領域に透明部材を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the configuration of the LED light emitting device in the present invention is as follows.
In a semiconductor light emitting device comprising a semiconductor light emitting device having at least a side surface and an upper surface covered with a fluorescent member, a circuit board on which the semiconductor light emitting device is mounted, and a reflective member on the upper surface of the fluorescent member, A transparent member is provided in a region sandwiched between the circuit board and the reflecting member.
上記構成によれば、回路基板及び反射部材に対する蛍光部材の接着性の悪さを、蛍光部材の周囲に設けた透明部材の接着性の良さによって補償できる。 According to the above configuration, the poor adhesion of the fluorescent member to the circuit board and the reflecting member can be compensated by the good adhesion of the transparent member provided around the fluorescent member.
前記回路基板の周囲に段差部を設け、該段差部と前記透明部材が係合していると良い。 A step portion may be provided around the circuit board, and the step portion and the transparent member may be engaged with each other.
上記構成によれば、回路基板周囲の段差部に透明部材が係合することによって、さらに回路基板と透明部材の結合をより強固にすることができる。 According to the above configuration, the coupling between the circuit board and the transparent member can be further strengthened by engaging the transparent member with the step portion around the circuit board.
前記反射部材が前記蛍光部材に比べ硬質の材料からなり、前記反射部材が前記蛍光部材に貼りついていると良い。 The reflecting member is preferably made of a material harder than the fluorescent member, and the reflecting member is preferably attached to the fluorescent member.
前記反射部材の上面に溝を有すると良い。 A groove may be provided on the upper surface of the reflecting member.
上記構成によれば、反射部材として取り扱い性の良い金属板や硬質の樹脂板を用いることによって製造が簡単になる。さらに板状の反射部材の上面に溝を設けることによって、反射部材と他の部材との間の熱膨張率差で生じる反りを防止することができる。 According to the said structure, manufacture becomes easy by using a metal plate with good handleability or a hard resin board as a reflecting member. Furthermore, by providing a groove on the upper surface of the plate-like reflecting member, it is possible to prevent warpage caused by a difference in thermal expansion coefficient between the reflecting member and another member.
前記反射部材が透過性を有すると良く、さらに前記反射部材が透過性の微細開口を有すると良い。 The reflective member may be transmissive, and the reflective member may have transmissive fine openings.
上記構成によれば、反射部材の透過性によって反射部材の上面側にも出射光が存在するため、この反射部材の透過率と反射率を調整することにより配光をバランスよくできる。この半導体発光装置を照明装置に組み込めば、配光が良いため照明装置としての特性が改善される。
また、反射部材に透過性の微細開口を設ける構成の場合は、反射部材として高反射性の金属板を使用することができるため、反射部材の透過率と反射率の調整をより高い精度で行うことができる。
According to the said structure, since emitted light exists also in the upper surface side of a reflection member by the transmittance | permeability of a reflection member, light distribution can be balanced by adjusting the transmittance | permeability and reflectance of this reflection member. If this semiconductor light-emitting device is incorporated in a lighting device, the light distribution is good and the characteristics of the lighting device are improved.
Further, in the case of a configuration in which a transmissive fine opening is provided in the reflective member, a highly reflective metal plate can be used as the reflective member, so that the transmittance and reflectance of the reflective member are adjusted with higher accuracy. be able to.
上記の如く本発明によれば、回路基板及び反射部材に対する蛍光樹脂の接着性の悪さを、蛍光部材の周囲に設けた透明部材の接着性の良さによって補償できる。このため、接着部分の剥がれや、接着部分からの水分侵入等によるトラブルの発生を防止することができる。 As described above, according to the present invention, the poor adhesion of the fluorescent resin to the circuit board and the reflecting member can be compensated by the good adhesion of the transparent member provided around the fluorescent member. For this reason, it is possible to prevent the occurrence of troubles due to peeling of the bonded portion or moisture intrusion from the bonded portion.
(第1実施形態)
以下図面により本発明の実施形態を説明する。図1は本発明の第1実施形態におけるLED発光装置10を示し、(a)はLED発光装置10の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置10の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
(First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an LED
図1(a)に示すLED発光装置10の断面図おいて、回路基板2の上面に設けられた2個の配線電極3aは、スルーホール電極3bを通して駆動電極3cに接続している。配線電極3aにはLED1がフリップチップ実装(以後FC実装と略記する)されており、回路基板2の周囲には段差部2dが設けられている。LED1の上面及び側面は蛍光樹脂7(蛍光部材)で被覆されており、この蛍光樹脂7の蛍光樹脂上面7aには反射部材6が接着している。この反射部材6の上面には後述する溝6aが設けられている。さらに蛍光樹脂7の周囲であって反射部材6と回路基板2の間隙となる空間には透明樹脂5が充填されている。透明樹脂5は回路基板2の段差部2dで接着することにより周辺部が強固になる。
In the cross-sectional view of the LED
次にLED発光装置10の全体構成を図1(b)〜(d)により説明する。
図1(b)はLED発光装置10の上面図であり、(a)は(b)のA−A断面図に該当する。(b)において反射部材6としては、適度の光透過性と適度の光反射性を有することが要求されており、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂に酸化チタン等の反射材を混入した白色樹脂板や金属板等である。
Next, the whole structure of the LED light-emitting
FIG. 1B is a top view of the LED
また、(c)に示す側面図の如く、板状の反射部材6は蛍光樹脂7に比べて硬質の材料であり、反射部材6が蛍光樹脂7に貼りついて固定されているため、反射部材6の熱膨張係数と他の部材の熱膨張係数の差により反りが発生する恐れがある。そこで反ろうとする内部応力を分散させるため反射部材6の上面に溝6aが升目状に形成されている。さらに反射部材6の周囲及び断差部2dを含む回路基板2の周囲を透明樹脂5によって接着することにより、接着力の低下した蛍光樹脂7を補強している。(d)はLED発光装置10の下面図であり、回路基板2の下面には2個の駆動電極3cが設けられている。
Further, as shown in the side view of (c), the plate-like reflecting
次に図2によりLED発光装置10の発光動作を説明する。図2は図1に示すLED発光装置10の発光状態を示す断面図であり、構成については図1のLED発光装置10と同じであり、重複する説明は省略する。また、本実施形態においてはLED1として青色LED、蛍光樹脂7としてシリコーン樹脂にYAGを混練しLED1の青色発光を黄色光に変換するYAG蛍光樹脂を用い、LED発光装置10として白色光を出射する発光装置の事例について説明する。
Next, the light emitting operation of the LED
LED発光装置10では駆動電極3cに駆動電流を供給することによってLED1が青色光Pbを発する。その青色光Pbの一部は矢印付き実線で示すように半透過性の反射部材6を透過して出射する。青色光の別の一部は反射部材6や回路基板2等で反射し、透明樹脂5を通過してLED発光装置10の側面方向に出射する。また、LED1の出射光が蛍光樹脂7中に分散したYAG粒子によって波長変換した矢印付き点線で示す黄色光Pyの一部は、反射部材6を通過して出射する。また黄色光Pyの別の一部は反射部材6や回路基板2で反射しながら透明樹脂5を通過してLED発光装置10の側面方向に出射する。なお反射せずにLED発光装置10の側面から出射する青色光Pb、黄色光Pyは図示していない。この結果LED発光装置10の上面から側面方向を含む広い範囲に青色光Pbと黄色光Pyが配光され、その合成光によって広い範囲に白色光を出射する半導体発光装置が得られる。
In the LED
(第2実施形態)
次に図3により本発明の第2実施形態におけるLED発光装置20について説明する。図3はLED発光装置20を示し、(a)はLED発光装置20の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置20の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
(Second Embodiment)
Next, the LED light-emitting
図3(a)に示すLED発光装20の断面図おいて、図1(a)に示す第1実施形態のLED発光装置10と異なるところは、LED発光装置10の周囲を被覆している蛍光樹脂7が回路基板2と反射部材6の間に充填されていたのに対し、LED発光装置20において蛍光樹脂7がLED1の周囲を一定の厚さで被覆しており、透明樹脂5がその外側部分、すなわち蛍光樹脂7と反射層6の間隙を含む空間に充填されていることである。なおLED発光装置20の全体構成を示す図3(b)〜(d)は第1実施形態におけるLED発光装置10の全体構成を示す図1(b)〜(d)と基本的に同じであり、重複する説明は省略する。
In the cross-sectional view of the LED
LED発光装置10に比べて、LED発光装置20は回路基板2と反射部材6との接着をほとんど全て透明樹脂5で行っているため、回路基板2と反射部材6との接着力が極めて強い。本実施形態では回路基板2に段差部2dを設けて係合接着を行っているが、この係合接着を行わなくても十分な強度が得られるので、必要により省略しても良い。
Compared with the LED light-emitting
(第3実施形態)
次に図4により本発明の第3実施形態におけるLED発光装置30について説明する。図4はLED発光装置30を示し、(a)はLED発光装置30の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置30の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
(Third embodiment)
Next, an LED
図4(a)に示すLED発光装置30の断面図おいて、図1(a)に示す第1実施形態のLED発光装置10と異なるところは、LED発光装置10における反射部材6が半透過性の白色樹脂を用いていたのに対し、LED発光装置30の反射部材46は金属板を用いており、所定の透過性を持たせるため反射部材46に複数の微細開口46aを設けたことである。
4A is different from the LED
次にLED発光装置30の全体構成を図4(b)〜(d)により説明する。
図4(b)はLED発光装置30の上面図であり、(a)は(b)のA−A断面図に該当する。(b)において反射部材46は金属板による完全反射性と複数の微細開口46aの透光性によって半透過反射部材を構成している。
なお、図4(c)(d)は図1(c)(d)と反射部材の構成を除いて同一の構成なので、重複する説明を省略する。
Next, the overall configuration of the LED
FIG. 4B is a top view of the LED
4 (c) and 4 (d) are the same as FIGS. 1 (c) and 1 (d) except for the configuration of the reflecting member, and thus a duplicate description is omitted.
次に図5によりLED発光装置30の発光動作を説明する。図5は図4に示すLED発光装置30の発光状態を示す断面図であり、構成については反射部材46の構成以外は図1のLED発光装置10と同じであり、重複する説明は省略する。また、本実施形態においてもLED1として青色LED、蛍光樹脂7としてLED1の青色発光を黄色光に変換するYAG蛍光樹脂を用い、LED発光装置30として白色光を出射する事例について説明する。
Next, the light emitting operation of the LED
LED発光装置30では駆動電極3cに駆動電流が供給されることによってLED1が青色光Pbを発する。その青色光Pbの一部は矢印付き実線で示すように反射部材46の微細開口46aを透過して出射し、別の一部は反射部材46や回路基板2で反射し透明樹脂5を通過してLED発光装置30の側面方向に出射する。また、LED1の青色出射光が蛍光樹脂7のYAG粒子によって波長変換された矢印付き点線で示す黄色光Pyの一部は、反射部材46の微細開口46aを通過して出射し、別の黄色光Pyの一部は反射部材6や回路基板2等で反射し、透明樹脂5を通過してLED発光装置30の側面方向に出射する。この結果LED発光装置40の上面から側面方向を含む広い範囲に青色光Pbと黄色光Pyが配光し、その合成光によって広い範囲に白色光を出射する。
In the LED
上記LED発光装置30の構成として反射部材46に10個の微細開口46aを設けた事例を示したが、実際にはもっと多数の微細開口46aを設け、透過率と反射率の調整を行うものである。反射部材46として金属板に微細開口を形成しても良いし、また細かい網の目状の金属層を形成しても良い。
As an example of the configuration of the LED
第1〜3実施形態では青色LEDとYAG蛍光樹脂の事例を示したが、これに限定されるものではなく、各種の半導体発光素子及び各種の蛍光樹脂に対応できることは当然である。また第1〜3実施形態では反射部材6,46として板状のものを使用していたが、反射部材は板材に限られず、例えば反射性部粒子を混練した樹脂を蛍光樹脂及び透明樹脂に塗布したものや、メッキで形成した金属膜であっても良い。LEDの実装方法もFC実装に限定されず、電極面を上側にしてワイヤボンディングを使うフェイスアップ実装でも良い。
In the first to third embodiments, examples of the blue LED and the YAG fluorescent resin have been described. However, the present invention is not limited to this, and it is natural that the present invention can be applied to various semiconductor light emitting elements and various fluorescent resins. In the first to third embodiments, plate-like members are used as the reflecting
(参考例)
第1〜3実施形態は剛性のある回路基板2上にLED1をフリップチップ実装し、接着力の弱まった蛍光樹脂7を透明樹脂5で補強していた。次に図6により、回路基板2を持たない参考例について説明する。図6は参考例におけるLED発光装置40を示し、(a)はLED発光装置40の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置40の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
(Reference example)
In the first to third embodiments, the
図6(a)に示すLED発光装置40の断面図おいて、図1(a)に示す第1実施形態のLED発光装置10と大きく異なるところは、LED発光装置10における回路基板2の代わりに、LED発光装置40において2個の電極23を反射性樹脂層22に埋設しながら底面のみ露出させている点である。最近ではLED21のダイサイズが大型化し、LED21の底面に形成した電極23のピッチでもマザー基板(実装基板)に直接実装できるようになってきた。電極23はLED21の突起電極であり、電極23を下にしてLED21は上面及び側面が蛍光樹脂7で被覆されている。蛍光樹脂7は蛍光樹脂上面7aで反射部材6と接着している。さらに蛍光樹脂7の周囲であって反射部材7と反射性樹脂層22が形成する間隙に透明樹脂5が充填されている。この場合、反射部材6は剛性を備えていることが好ましく、反射部材6と反射性樹脂層22を透明部材5に接着することにより、蛍光体を含有して接着力及び弾性が低下した蛍光樹脂7を補強している。
In the cross-sectional view of the LED light-emitting device 40 shown in FIG. 6A, a point that is greatly different from the LED light-emitting
次にLED発光装置40の全体構成を図6(b)〜(d)により説明する。
図6(b)はLED発光装置40の上面図であり、(a)は(b)のA−A断面図に該当し、図6(b)(c)は基本的に第1実施形態における図1(b)(c)と同じであり重複する説明は省略する。
Next, the overall configuration of the LED light emitting device 40 will be described with reference to FIGS.
FIG. 6B is a top view of the LED light emitting device 40, FIG. 6A corresponds to the AA cross-sectional view of FIG. 6B, and FIGS. 6B and 6C are basically in the first embodiment. The same description as in FIGS. 1B and 1C is omitted.
図6(d)はLED発光装置40の下面図であり、反射性樹脂層22の内側の領域に電極23の露出部がある。反射性樹脂層22はLED21から出射する光や、蛍光粒子の発する光を反射する。LED発光装置40は第1〜3実施形態におけるLED発光装置10,20,30に比べて、回路基板2と反射性樹脂層22の厚さの差分だけ薄型化が可能になること、及び回路基板2がない分だけ構成部品が少ないことが利点となる。
FIG. 6D is a bottom view of the LED light emitting device 40, and the exposed portion of the
1,21,101,201 LED(半導体発光素子)
2,102,202 回路基板
2d 段差部
3a,103a,103b 配線電極
3b スルーホール電極
3c、103c 駆動電極
5 透明樹脂
6,46,106,206 反射部材
6a 溝
7 蛍光樹脂(蛍光部材)
7a 蛍光樹脂上面
10,20,30,40,100,200 LED発光装置(半導体発光装置)
22 反射性樹脂層
23 電極
46a 微細開口
105,205 透光性樹脂
105a 透光樹脂上面
Pb 青色光
Py 黄色光
1, 21, 101, 201 LED (semiconductor light emitting device)
2, 102, 202 Circuit board 2d Stepped portion 3a, 103a, 103b Wiring electrode 3b Through-hole electrode 3c,
7a Fluorescent resin
22
Claims (6)
The semiconductor light emitting device according to claim 5, wherein the reflecting member has a transmissive minute opening.
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