JP2013033829A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の上に形成されたバッファ層21と、バッファ層21の上に形成された遷移金属がドープされている高抵抗層22と、高抵抗層22の一部または高抵抗層上に形成された低抵抗となる不純物元素がドープされた低抵抗領域122と、低抵抗領域122を含む領域上に形成された電子走行層23と、電子走行層23の上に形成された電子供給層25と、電子供給層25の上に形成されたゲート電極31、ソース電極32及びドレイン電極33を有する。
【選択図】図8
Description
第1の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図3及び図4に基づき説明する。本実施の形態における半導体装置の製造方法は、半導体層をエピタキシャル成長させるためのMOVPE装置の成長炉を2つ用いた製造方法である。
次に、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図7及び図8に基づき説明する。
次に、第3の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図11及び図12に基づき説明する。
次に、第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された遷移金属がドープされている高抵抗層と、
前記高抵抗層の一部または高抵抗層上に形成された低抵抗となる不純物元素がドープされた低抵抗領域と、
前記低抵抗領域を含む領域上に形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に形成された電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記低抵抗領域は、前記高抵抗層の一部または高抵抗層上の一部に形成されており、
前記低抵抗領域の上方には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されており、前記低抵抗領域が形成されていない領域の上方には、前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記ゲート電極は、前記電子供給層の一部を除去することにより形成されたリセスに形成されていることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記高抵抗層、前記低抵抗領域、前記電子走行層、前記電子供給層は、窒化物半導体により形成されていることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置。
(付記5)
前記高抵抗層は、GaNに前記遷移金属がドープされており、
前記遷移金属は、Fe、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cuのうちのいずれかであることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記6)
前記低抵抗となる不純物元素は、Si、Ge、酸素のうちのいずれであることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記高抵抗層における前記遷移金属の濃度よりも、前記低抵抗領域における前記低抵抗となる不純物元素の濃度が高いことを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
前記電子走行層は、GaNにより形成されていることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9)
前記電子供給層は、n型AlGaNにより形成されていることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。
(付記10)
前記電子走行層と前記電子供給層との間にはスペーサ層が形成されており、
前記スペーサ層は、AlGaNにより形成されていることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置。
(付記11)
前記電子供給層上にはキャップ層が形成されており、
前記キャップ層は、n型GaNにより形成されていることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置。
(付記12)
バッファ層は、AlNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
付記1から12のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記14)
付記1から12のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
(付記15)
基板上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、遷移金属がドープされた高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層の一部または高抵抗層上に、低抵抗となる不純物元素がドープされている低抵抗領域を形成する工程と、
前記低抵抗領域を含む領域上に電子走行層を形成し、前記電子走行層の上に電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記16)
前記低抵抗領域は、前記高抵抗層の一部に前記低抵抗となる不純物元素をドープすることにより形成されるものであって、
前記低抵抗領域の上方には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されており、前記低抵抗領域が形成されていない領域の上方には、前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする付記15に記載の半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記高抵抗層を形成した後、前記高抵抗層にはアライメントマークを形成する工程を有し、
前記低抵抗領域は、前記アライメントマークを基準に、前記高抵抗層の表面に前記低抵抗領域が形成される領域に開口を有するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを形成した後、前記低抵抗となる不純物元素をドープすることにより形成し、
前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記アライメントマークを基準に、前記電子供給層の上に、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成される領域に開口を有するレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを形成した後、金属膜を形成し、リフトオフを行なうことにより形成することを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)
前記低抵抗領域における低抵抗となる不純物元素の濃度は、前記遷移金属の濃度よりも高いことを特徴とする付記15から17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)
前記低抵抗となる不純物元素は、Si、Ge、酸素のうちのいずれであることを特徴とする付記15から18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記20)
一方のエピタキシャル成長装置において、基板上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、遷移金属がドープされた高抵抗層を形成する工程と、
前記一方のエピタキシャル成長装置より、前記高抵抗層の形成された基板を取り出し、他方のエピタキシャル装置に設置する工程と、
前記他方のエピタキシャル装置において、前記高抵抗層の上に、電子走行層、電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
21 バッファ層
22 高抵抗層
23 電子走行層
23a 2DEG
24 スペーサ層
25 電子供給層
26 キャップ層
31 ゲート電極
32 ソース電極
33 ドレイン電極
111、111a アライメントマーク
122 低抵抗領域
Claims (8)
- 基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された遷移金属がドープされている高抵抗層と、
前記高抵抗層の一部または高抵抗層上に形成された低抵抗となる不純物元素がドープされた低抵抗領域と、
前記低抵抗領域を含む領域上に形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に形成された電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記低抵抗領域は、前記高抵抗層の一部または高抵抗層上の一部に形成されており、
前記低抵抗領域の上方には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されており、前記低抵抗領域が形成されていない領域の上方には、前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記高抵抗層は、GaNに前記遷移金属がドープされており、
前記遷移金属は、Fe、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cuのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記低抵抗となる不純物元素は、Si、Ge、酸素のうちのいずれであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記高抵抗層における前記遷移金属の濃度よりも、前記低抵抗領域における前記低抵抗となる不純物元素の濃度が高いことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 基板上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、遷移金属がドープされた高抵抗層を形成する工程と、
前記高抵抗層の一部または高抵抗層上に、低抵抗となる不純物元素がドープされている低抵抗領域を形成する工程と、
前記低抵抗領域を含む領域上に電子走行層を形成し、前記電子走行層の上に電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記低抵抗領域は、前記高抵抗層の一部に前記低抵抗となる不純物元素をドープすることにより形成されるものであって、
前記低抵抗領域の上方には、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成されており、前記低抵抗領域が形成されていない領域の上方には、前記ゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 一方のエピタキシャル成長装置において、基板上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、遷移金属がドープされた高抵抗層を形成する工程と、
前記一方のエピタキシャル成長装置より、前記高抵抗層の形成された基板を取り出し、他方のエピタキシャル装置に設置する工程と、
前記他方のエピタキシャル装置において、前記高抵抗層の上に、電子走行層、電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115351A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015177152A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体積層物および半導体装置 |
JP2016187024A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2017085060A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2017085003A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器 |
JP2017228578A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 株式会社アドバンテスト | エピ基板 |
WO2021095410A1 (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 株式会社サイオクス | 半導体装置、および、構造体の製造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6054620B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-12-27 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014110393A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
CN103337520B (zh) * | 2013-07-16 | 2017-02-08 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 双跨导半导体开关器件及其制造方法 |
JP2015060987A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6735078B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-08-05 | サンケン電気株式会社 | 半導体基体及び半導体装置 |
US10332854B2 (en) * | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
CN106206894A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-12-07 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管及其制作方法 |
JP6659488B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-03-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置、電源回路、コンピュータ、及び半導体装置の製造方法 |
TWI736600B (zh) | 2017-03-31 | 2021-08-21 | 聯穎光電股份有限公司 | 高電子遷移率電晶體 |
TWI722166B (zh) * | 2017-04-10 | 2021-03-21 | 聯穎光電股份有限公司 | 高電子遷移率電晶體 |
CN109346407A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-02-15 | 张海涛 | 氮化镓hemt的制造方法 |
KR20210131793A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-03 | 삼성전자주식회사 | 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074032A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-16 | Cree Inc | 高性能/高スループット複数チャンバmocvd成長装置 |
JP2008303136A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-12-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体基板の製造方法 |
JP2010232297A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6316793B1 (en) * | 1998-06-12 | 2001-11-13 | Cree, Inc. | Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates |
JP4663156B2 (ja) | 2001-05-31 | 2011-03-30 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
US6955858B2 (en) * | 2001-12-07 | 2005-10-18 | North Carolina State University | Transition metal doped ferromagnetic III-V nitride material films and methods of fabricating the same |
JP2005086171A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5087818B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US7902571B2 (en) * | 2005-08-04 | 2011-03-08 | Hitachi Cable, Ltd. | III-V group compound semiconductor device including a buffer layer having III-V group compound semiconductor crystal |
US7498645B2 (en) * | 2006-10-04 | 2009-03-03 | Iii-N Technology, Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) detectors based upon aluminum nitride (ALN) wide bandgap semiconductors |
JP4531071B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2010-08-25 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
JP2009111217A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009231396A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5737948B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2015-06-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界トランジスタの製造方法、および電子装置 |
JP5697012B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-04-08 | 古河電気工業株式会社 | 溝の形成方法、および電界効果トランジスタの製造方法 |
US8921894B2 (en) * | 2010-03-26 | 2014-12-30 | Nec Corporation | Field effect transistor, method for producing the same, and electronic device |
JP5635803B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-12-03 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置 |
-
2011
- 2011-08-01 JP JP2011168781A patent/JP5751074B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-19 US US13/552,894 patent/US8633494B2/en active Active
- 2012-07-25 TW TW101126751A patent/TWI470795B/zh active
- 2012-07-30 CN CN201210267242.8A patent/CN102916045B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074032A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-16 | Cree Inc | 高性能/高スループット複数チャンバmocvd成長装置 |
JP2008303136A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-12-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体基板の製造方法 |
JP2010232297A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115351A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015177152A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体積層物および半導体装置 |
JP2016187024A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2017085003A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電源装置、高周波増幅器 |
JP2017085060A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2017228578A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 株式会社アドバンテスト | エピ基板 |
WO2021095410A1 (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 株式会社サイオクス | 半導体装置、および、構造体の製造方法 |
JP2021077818A (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 株式会社サイオクス | 半導体装置、および、構造体の製造方法 |
JP7084371B2 (ja) | 2019-11-13 | 2022-06-14 | 株式会社サイオクス | 半導体装置、および、構造体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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