JP2013030511A - 固体撮像装置およびその駆動方法、固体撮像装置の製造方法、並びに電子情報機器 - Google Patents
固体撮像装置およびその駆動方法、固体撮像装置の製造方法、並びに電子情報機器 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置100aにおいて、第1導電型の半導体基板100内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子PD1、PD2と、該半導体基板100の第1主面上に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を光電変換素子の外部に転送する転送トランジスタTx1、Tx2とを備え、該光電変換素子は、該第1主面とは反対側の該半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第1導電型の光電変換領域101と、該光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を、該半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域102とを有し、該転送ゲートトランジスタのゲート電極107を該電荷蓄積領域102の第1主面側の面の上方を覆うよう形成している。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を説明する図であり、図1(a)はこの固体撮像装置の全体構成を概略的に示し、図1(b)はこの固体撮像装置における画素を構成する回路を示す図である。
(実施形態2)
図6は、本発明の実施形態2による固体撮像装置を説明する平面図であり、図6(a)は、素子分離領域に対する不純物注入領域の配置を示し、図6(b)は素子分離領域に対する転送トランジスタのゲート電極およびコンタクト部の配置を示している。また図7は、図6(b)のA−A’線における断面図を示している。
(実施形態3)
図8は、本発明の実施形態3として、実施形態1あるいは2の固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
41 N−型シリコン基板
42 裏面P+層
43 Pウェル
44 電荷蓄積N+領域
44a N−型領域
45 表面P+層
46 転送トランジスタ
47 FD(フローティングディフュージョン)
48 電荷転送P−層
49 Pウェル
50 Nウェル
90 電子情報機器
91 撮像部
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
100 第1導電型半導体基板(p型シリコン基板)
100a、100b 固体撮像装置
101 第2導電型の光電変換領域(n−型半導体領域)
102 第2導電型の電荷蓄積領域(n型半導体領域)
103 第1導電型の表面半導体領域(表面p領域)
104 第1導電型のウェル領域(pウェル領域)
105 素子分離領域
107 転送ゲート電極
108、108a 第2導電型の信号電荷蓄積部(電荷蓄積n+領域)
109、109a 第1導電型の電荷転送領域(電荷転送部p−領域)
110 第1導電型の裏面半導体領域(裏面p+領域)
111a、111b コンタクト部
112a、112b 配線層
113a ゲート絶縁膜
113b イオン注入保護膜
120、121 レジスト
120a、121a レジスト開口部
Claims (24)
- 第1導電型の半導体基板内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子を有し、該光電変換素子で生成された信号電荷を信号処理により画像信号に変換して出力する固体撮像装置であって、
該第1導電型の半導体基板の第1主面側に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を該光電変換素子の外部へ転送する転送トランジスタを備え、
該光電変換素子は、
該第1主面とは反対側の該第1導電型の半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域と、
該第2導電型の光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を該第1導電型の半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域とを有し、
該転送トランジスタのゲート電極は、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側の面の上方を覆うよう配置されている固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置において、
前記光電変換素子から転送されてきた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部と、
前記第2導電型の電荷蓄積領域から該第2導電型の信号電荷蓄積部に該信号電荷を転送する第1導電型の電荷転送領域とを備え、
該第2導電型の電荷蓄積領域と該第2導電型の信号電荷蓄積部とが該第1導電型の電荷転送領域を挟んで隔てて配置されている固体撮像装置。 - 請求項2に記載の固体撮像装置において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離以上であり、かつ、該固体撮像装置における画素の集積度から許容される最大の距離以下である固体撮像装置。 - 請求項2に記載の固体撮像装置において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、0.2μm〜1.0μmの範囲内である固体撮像装置。 - 請求項2から請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域の前記第1主面側に該第2導電型の電荷蓄積領域を覆うよう形成した第1導電型の表面半導体領域を備え、
前記第1導電型の表面半導体領域は、前記第1導電型の電荷転送領域の不純物濃度を超える不純物濃度を有する固体撮像装置。 - 請求項2から請求項5のいずれかに記載の固体撮像装置において、
前記第1導電型の半導体基板内に形成された第1導電型のウェル領域を備え、
前記第1導電型の表面半導体領域は、該第1導電型のウェル領域の不純物濃度以下の不純物濃度を有する固体撮像装置。 - 請求項6に記載の固体撮像装置において、
前記第1導電型の表面半導体領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第1導電型のウェル領域の前記第1主面側の面の上方が、前記転送トランジスタのゲート電極により覆われている固体撮像装置。 - 請求項6または請求項7に記載の固体撮像装置において、
前記第1導電型のウェル領域は、前記第2導電型の電荷蓄積領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第2導電型の信号電荷蓄積部を構成する領域を囲むよう形成されている固体撮像装置。 - 第1導電型の半導体基板内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子を有し、該光電変換素子で生成された信号電荷を信号処理により画像信号に変換して出力する固体撮像装置であって、
該第1導電型の半導体基板の第1主面側に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を該光電変換素子の外部へ転送する転送トランジスタを備え、
該光電変換素子は、
該第1主面とは反対側の該第1導電型の半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域と、
該第2導電型の光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を該第1導電型の半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域と、
該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側に該第2導電型の電荷蓄積領域を覆うよう形成された第1導電型の表面半導体領域とを有し、
該第1導電型の表面半導体領域は、
該第2導電型の電荷蓄積領域を囲むよう該第1導電型の半導体基板に形成された第1導電型のウェル領域の不純物濃度以下の不純物濃度を有する固体撮像装置。 - 請求項9に記載の固体撮像装置において、
前記光電変換素子から転送されてきた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部と、
該第2導電型の電荷蓄積領域から該第2導電型の信号電荷蓄積部に該信号電荷を転送する第1導電型の電荷転送領域とを備え、
該第2導電型の電荷蓄積領域と該第2導電型の信号電荷蓄積部とが該第1導電型の電荷転送領域を挟んで隔てて配置されており、
前記第1導電型の表面半導体領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第1導電型のウェル領域の前記第1主面側の面の上方が、前記転送トランジスタのゲート電極により覆われている固体撮像装置。 - 請求項10に記載の固体撮像装置において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離であり、かつ、該固体撮像装置における画素の集積度から許容される最大の距離以下である固体撮像装置。 - 請求項10に記載の固体撮像装置において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部とが0.2μm〜1.0μmの間隔を隔てて配置されている固体撮像装置。 - 請求項2から請求項5、および請求項10から請求項12のいずれかに記載の固体撮像装置において、
前記第1導電型の電荷転送領域は、前記第2導電型の信号電荷蓄積部を囲むよう配置されている固体撮像装置。 - 請求項2から請求項8、請求項10から請求項13のいずれかに記載の固体撮像装置において、
前記第2導電型の信号電荷蓄積部の信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、
該第2導電型の信号電荷蓄積部に蓄積された信号電荷に応じて発生する信号電圧を増幅する増幅トランジスタとを備え、
該リセットトランジスタおよび該増幅トランジスタは、複数の画素間で共有されている固体撮像装置。 - 請求項2から請求項14のいずれかに記載の固体撮像装置を駆動する方法であって、
前記光電変換素子で入射光の光電変換により信号電荷を生成して蓄積する電荷蓄積期間に、前記転送トランジスタのゲート電極と前記第1導電型の表面半導体領域との間に、前記転送トランジスタのゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域の電位に対して低くなるよう電位を印加する固体撮像装置の駆動方法。 - 請求項15に記載の固体撮像装置の駆動方法において、
前記電荷蓄積期間には、画素領域以外の周辺回路部で生成した負電圧を前記転送トランジスタのゲート電極に印加し、かつ、前記第1導電型の表面半導体領域に、該周辺回路部の接地電位を印加する固体撮像装置の駆動方法。 - 請求項15に記載の固体撮像装置の駆動方法において、
前記電荷蓄積期間には、前記転送ゲート電極に前記周辺回路部の接地電位を印加し、かつ、前記第1導電型の表面半導体領域に正の電圧を印加する固体撮像装置の駆動方法。 - 請求項15から請求項17のいずれかに記載の固体撮像装置の駆動方法において、
前記電荷蓄積期間に前記光電変換素子に蓄積された信号電荷を前記信号電荷蓄積部に転送する電荷転送期間には、前記転送ゲート電極と前記第1導電型の表面半導体領域との間に、該転送ゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域の電位に対して高くなるよう電圧を印加する固体撮像装置の駆動方法。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の固体撮像装置を製造する方法であって、
前記光電変換素子を前記第1導電型の半導体基板に形成する工程と、
該光電変換素子を形成した後に前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程とを含み、
該光電変換素子を形成する工程は、
前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2導電型の電荷蓄積領域を形成する工程を含み、
該転送トランジスタのゲート電極を形成する工程は、
該転送トランジスタのゲート電極の構成材料を該第1主面の上方に堆積する工程と、
堆積したゲート電極の構成材料を選択的にエッチングして、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側の面の上方を覆うようゲート電極を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。 - 請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域の表面に、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第1導電型の不純物をイオン注入して第1導電型の表面半導体領域を形成する工程を含む、固体撮像装置の製造方法。 - 請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記転送トランジスタのゲート電極を形成した後、前記第2導電型の信号電荷蓄積部を形成する工程をさらに含む固体撮像装置の製造方法。 - 請求項9または請求項10に記載の固体撮像装置を製造する方法であって、
前記第1導電型の半導体基板に前記第1導電型のウエル領域を形成する工程と、
前記光電変換素子を前記第1導電型のウエル領域に形成する工程とを含み、
該光電変換素子を形成する工程は、
前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、
該第2導電型の電荷蓄積領域の表面に、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第1導電型の不純物をイオン注入して、該第1導電型のウエル領域以下の不純物濃度を有する第1導電型の表面半導体領域を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。 - 請求項20または請求項22に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第1導電型の表面半導体領域とを、同一のイオン注入マスクを用いた不純物のイオン注入により形成する固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1から請求項14のいずれかに記載の固体撮像装置を備えた電子情報機器。
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